CN109909871A - 一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置,包括玻璃托架(6),玻璃托架上设置有吸附垫(5),吸附垫上放置玻璃(4),另设有研磨盘(1),研磨盘的中心设有进料孔(3)、底部设有抛光垫(2),其特征在于:抛光垫(2)的底面为凹球面形,凹球面中抛光垫中心孔和边缘高度差L/研磨盘半径R为(0.009‑0.11)mm/10cm。由于采用了上述技术方案,使得本发明具有以下优点:本发明采用修正盘修正抛光垫的形状,将抛光垫修为中间凹的凹球面形状,改善距进料孔近抛光液多,距进料孔远抛光液少的问题,即改善了抛光液分布不均匀、抛光液扩散量与距离成反比的问题,争取达到在玻璃和抛光垫之间形成均匀的抛光液覆盖,保证抛光效果。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃生产领域,特别涉及一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置。
背景技术
浮法玻璃0.50mm厚度玻璃基板锡面微波纹度数值一般为≤0.25μm/20mm(波长范围0.8mm~8.0mm),TFT面板厂要求微波纹度数值为≤0.05μm/20mm(波长范围0.8mm~8.0mm),这就要求必须使用玻璃抛光工艺来降低玻璃锡面的微波纹度的数值。
TFT8.5代玻璃基板有规格大2200mm*2500mm和厚度薄0.50mm两个特点,为避免玻璃在抛光过程和传输过程中变形,影响抛光效果或导致破损,采用玻璃托架来传输和托附玻璃的解决方案。具体结构为玻璃托架6上面粘接吸附垫5,吸附垫吸附玻璃4的空气面,玻璃锡面向上面对抛光垫2,抛光垫2粘接在上研磨盘1上,使用开槽抛光垫(见附图1),抛光垫的开槽面面向玻璃,从抛光垫中心孔3进料。(见附图2)
抛光垫表面开槽便于抛光液扩散,由于采用中心孔进料方式导致抛光液扩散量与进料孔距离成反比。距离中心孔近的地方抛光液比较多,抛光速率较快,抛光需要的时间较短。距离中心孔远的地方抛光液较少,导致抛光速率较慢,抛光需要的时间较短。由于玻璃微波纹度数值为整板玻璃取最大值,为了保证整板的抛光质量,必须按照抛光时间最长的点来制定工艺参数。
技术目的
抛光垫一般表面均匀的开有槽口便于抛光液扩散,开槽规格为槽间距D1为30mm,槽宽D2为3.0mm,槽深度h和抛光垫厚度H的关系为1/2H<h<2/3H(见附图1)。本公司工艺解决方案为研磨盘为上盘,从研磨盘中心孔进料工艺,当上定盘接触到玻璃时,抛光液通过抛光垫表面的槽扩散。抛光液扩散量和进料孔的距离离成反比。距离抛光盘中心孔(进料孔)越近抛光液较多,研磨效果越好,距离抛光盘中心孔(进料孔)越远的地方抛光液越少,抛光效果越差。极端情况下可能由于接触不到抛光液导致干磨,进而产生焦片、抄盘等损坏设备和玻璃的状况。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中的研磨抛光装置存在的距离抛光盘中心孔越远的地方抛光效果越差的缺点,提供的一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置,包括玻璃托架,玻璃托架上设置有吸附垫,吸附垫上放置玻璃,另设有研磨盘,研磨盘的中心设有进料孔、底部设有抛光垫,其特征在于:抛光垫的底面为凹球面形,凹球面中抛光垫中心孔和边缘高度差L/研磨盘半径R为(0.009-0.11)mm/10cm。
上述技术方案中,所述的抛光垫采用聚氨酯材料发泡制作,优选的研磨盘半径R为60cm,抛光垫中心孔和边缘高度差L为0.06mmmm。
由于采用了上述技术方案,使得本发明具有以下优点:本发明采用修正盘修正抛光垫的形状,将抛光垫修为中间凹的凹球面形状,改善距进料孔近抛光液多,距进料孔远抛光液少的问题,即改善了抛光液分布不均匀、抛光液扩散量与距离成反比的问题,争取达到在玻璃和抛光垫之间形成均匀的抛光液覆盖,保证抛光效果。
附图说明
图1是现有技术中的玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置的结构示意图;
图2是图1中现有的抛光垫结构示意图;
图3是本发明的抛光垫结构示意图;
图4是修正盘的剖视图;
图5是图4的俯视图。
具体实施方式
如图1、图2及图3所示,本发明提供的一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置,包括玻璃托架6,玻璃托架上设置有吸附垫5,吸附垫上放置玻璃4,另设有研磨盘1,研磨盘的中心设有进料孔3、底部设有抛光垫2,抛光垫2的底面为凹球面2a,凹球面中抛光中心和凹球面边缘高度差L/研磨盘半径R的比值为(0.009-0.11)mm/10cm。所述的抛光垫2采用发泡聚氨酯材料制作,优选的研磨盘半径R为60cm,抛光垫中心孔和边缘高度差L为0.06mmmm。
本发明的制备方法如下(如图3、图4及图5所示):
1、将平面圆形抛光垫粘接在研磨盘上,等待抛光垫背面的胶体固化;
2、修正盘7为圆球形盘,其球形表面上设置三组金刚砂垫8,每组8个金刚砂垫,依次按修正盘同心圆的圆周布置,使用修正盘在旋转状态下,金刚砂垫对抛光垫进行打磨修正。
3、打磨修正后的研磨垫形成底部凹球面2a,优选修正盘半径为60cm,修正达到抛光垫中心孔和边缘高度差L为0.06mm±0.01mm。换算成标准修盘深度L/研磨盘半径d约为0.01mm/10cm。
4、使用刀口尺和塞尺配合测量修正后的抛光垫效果。
Claims (2)
1.一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置,包括玻璃托架(6),玻璃托架上设置有吸附垫(5),吸附垫上放置玻璃(4),另设有研磨盘(1),研磨盘的中心设有进料孔(3)、底部设有抛光垫(2),其特征在于:抛光垫(2)的底面为凹球面形,凹球面中抛光垫中心孔和边缘高度差L/研磨盘半径R为(0.009-0.11)mm/10cm。
2.根据权利要求1所述的一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置,其特征在于:所述的抛光垫(2)采用聚氨酯材料发泡制作,优选的研磨盘半径R为60cm,抛光垫中心孔和边缘高度差L为0.06mm。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113084696A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-07-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 抛光垫及研磨装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5931719A (en) * | 1997-08-25 | 1999-08-03 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for using pressure differentials through a polishing pad to improve performance in chemical mechanical polishing |
CN101104252A (zh) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 抛光垫以及化学机械抛光方法 |
CN101125419A (zh) * | 2006-08-17 | 2008-02-20 | 东部高科股份有限公司 | 抛光垫和化学机械抛光装置 |
CN101168239A (zh) * | 2007-11-24 | 2008-04-30 | 国营汉光机械厂 | 红外非球面光学零件的大模具抛光方法 |
CN102452500A (zh) * | 2010-10-21 | 2012-05-16 | 上海美迪馨电子科技有限公司 | 一种瓶口装置 |
CN103831700A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-04 | 天津大学 | 流体动压半接触固结磨料抛光装置 |
CN103945984A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-07-23 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫 |
CN210081445U (zh) * | 2019-04-23 | 2020-02-18 | 蚌埠中光电科技有限公司 | 一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置 |
-
2019
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5931719A (en) * | 1997-08-25 | 1999-08-03 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for using pressure differentials through a polishing pad to improve performance in chemical mechanical polishing |
CN101104252A (zh) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 抛光垫以及化学机械抛光方法 |
CN101125419A (zh) * | 2006-08-17 | 2008-02-20 | 东部高科股份有限公司 | 抛光垫和化学机械抛光装置 |
CN101168239A (zh) * | 2007-11-24 | 2008-04-30 | 国营汉光机械厂 | 红外非球面光学零件的大模具抛光方法 |
CN102452500A (zh) * | 2010-10-21 | 2012-05-16 | 上海美迪馨电子科技有限公司 | 一种瓶口装置 |
CN103945984A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-07-23 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫 |
CN103831700A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-04 | 天津大学 | 流体动压半接触固结磨料抛光装置 |
CN210081445U (zh) * | 2019-04-23 | 2020-02-18 | 蚌埠中光电科技有限公司 | 一种玻璃锡面微波纹度研磨抛光装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
SCHÖNHERR, H (SCHÖNHERR, H): "Vesicle adsorption and lipid bilayer formation on glass studied by atomic force microscopy", AMER CHEMICAL SOC, 21 December 2004 (2004-12-21), pages 11600 - 11606, XP055475396, DOI: 10.1021/la049302v * |
张文倩: "新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估", 半导体技术, 30 November 2017 (2017-11-30), pages 844 - 849 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113084696A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-07-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 抛光垫及研磨装置 |
CN113084696B (zh) * | 2021-03-08 | 2022-05-06 | 长江存储科技有限责任公司 | 抛光垫及研磨装置 |
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