CN109887933A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板，包括：显示区和非显示区；其中，所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元，用于显示图像；所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元，所述第二薄膜晶体管内还包括多个测试区域，用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度；有益效果：与现有技术相比，本申请提供的一种显示面板及其制作方法，通过在非显示区设置第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管中包含多个不同沟道宽度的测试区域，用于监控显示区内第一薄膜晶体管导体化的程度，使得显示面板导体化程度达到标准范围，避免产生废品，节约成本。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
目前，在各种显示面板中，AMOLED(Active Matrix Organic Light-EmittingDiode，主动矩阵有机发光二极管)显示面板因具有视角广、色彩对比效果好、轻薄、响应速度快及成本低等优点，故十分适用于如随身影像产品(笔记型计算机、PDA、手机等)，特别是大型显示装置如电视、监视器等。
在显示面板的制作过程中，沟道区域本应该不进行导体化，但在对铟镓锌氧化物进行导体化的过程中，沟道区域也会随之发生反应，使得沟道宽度减小，而沟道宽度是薄膜晶体管设计的关键参数，饱和区电流计算公式为：
I＝(1/2)uCox(W/L)(Vgs-Vth)2
其中，u为电子的迁移速率，Cox为单位面积栅氧化层电容，W/L为宽长比，Vgs-Vth为过驱动电压。
根据上述公式可知，沟道宽度直接影响了驱动OLED发光的电流值。由于导体化过程中很难通过肉眼或者现有测试设备判断导体化的程度，特别是沟道下半导体的导体化程度，这样在大规模生产中必然会出现面板的不同区域沟道长度不一致的问题，从而造成显示的不均匀。
因此，现有的显示面板制作过程中，还存在着沟道宽度会受到导体化过程的影响，且无法判断导体化进行的程度的问题，急需改进。
发明内容
本申请涉及一种显示面板及其制作方法，用于解决现有技术中存在的沟道宽度会受到导体化过程的影响，且无法判断导体化进行的程度的问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供的一种显示面板，包括：显示区和非显示区；其中，
所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元，用于显示图像；
所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元，所述第二薄膜晶体管内还包括多个测试区域，用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度。
根据本申请提供的一优选实施例，所述显示面板为液晶显示面板或是有机发光二极管显示面板。
根据本申请提供的一优选实施例，所述测试区域分为第一测试区，第二测试区和第三测试区。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一测试区，所述第二测试区和所述第三测试区的沟道宽度均不同。
根据本申请提供的一优选实施例，所述测试区域的膜层结构由栅极和栅绝缘层组成。
本申请还提供一种显示面板制作方法，在显示面板的显示区设置第一薄膜晶体管，在显示面板的非显示区设置第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的制作方法如下：
S10，提供一基板，并在所述基板上沉积遮光层和缓冲层；
S20，在所述缓冲层上沉积铟镓锌氧化物，并刻蚀出所述铟镓锌氧化物图案；
S30，在所述铟镓锌氧化物上沉积栅绝缘层和栅极；
S40，将所述栅绝缘层和所述栅极刻蚀成不同沟道宽度的测试区域；
S50，湿法刻蚀所述栅极金属层；
S60，去除所述栅绝缘层；
S70，对所述栅极和所述栅绝缘层进行导体化处理；
S80，在上述步骤“S70”结束后沉积间绝缘层；
S90，在所述间绝缘层上沉积第二金属层，并刻蚀成源漏极金属图案；
S100，在所述第二金属层上沉积钝化层。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S20”中所述铟镓锌氧化物的厚度为700A。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S20”中所述刻蚀为光刻和湿法刻蚀。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S60”中采用干法刻蚀的方法去除所述栅绝缘层。
根据本申请提供的一优选实施例，进行所述导体化处理的气体为氢气、氦气或是氨气。
有益效果：与现有技术相比，本申请提供的一种显示面板及其制作方法，通过在非显示区设置第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管中包含多个不同沟道宽度的测试区域，用于监控显示区内第一薄膜晶体管导体化的程度，使得显示面板导体化程度达到标准范围，避免产生废品，节约成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的第二薄膜晶体管的结构示意图。
图2-11为本申请实施例提供的显示面板中第二薄膜晶体管的制作工艺图。
图12为本申请实施例提供的显示面板的制作方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种显示面板，具体参阅图1-11。
参阅图1，为本申请实施例提供的显示面板的第二薄膜晶体管的结构示意图。包括:基板1，遮光层2，缓冲层3，铟镓锌氧化物层4，栅绝缘层5，栅极6，源极7，漏极8，第一过孔9，第二过孔10，间绝缘层11，第一测试区12，第二测试区13，第三测试区14以及钝化层15。
实施例一
根据本申请提供的一种显示面板，包括：显示区(图中未示出)和非显示区；其中，所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元，用于显示图像；所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元，所述第二薄膜晶体管单元内还包括多个测试区域，用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度。
在本实施例中，所述显示面板为液晶显示面板。
根据本申请提供的一优选实施例，所述测试区域分为第一测试区11，第二测试区12和第三测试区13。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一测试区11，所述第二测试区12和所述第三测试区13的沟道宽度均不同。
根据本申请提供的一优选实施例，所述测试区域的膜层结构由栅极6和栅绝缘层5组成。
根据本申请提供的一优选实施例，所述过孔包括：第一过孔9和第二过孔10，所述第一过孔9通过所述源极7与所述铟镓锌氧化物层4进行连接，中间贯穿所述间绝缘层11；所述第二过孔10通过所述漏极8与所述铟镓锌氧化物层4进行连接，中间同样贯穿所述间绝缘层11。
实施例二
根据本申请提供的一种显示面板，包括：显示区(图中未示出)和非显示区；其中，所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元，用于显示图像；所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元，所述第二薄膜晶体管单元内还包括多个测试区域，用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度。
在本实施例中，所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
根据本申请提供的一优选实施例，所述测试区域分为第一测试区11，第二测试区12和第三测试区13。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一测试区11，所述第二测试区12和所述第三测试区13的沟道宽度均不同。
根据本申请提供的一优选实施例，所述测试区域的膜层结构由栅极6和栅绝缘层5组成。
根据本申请提供的一优选实施例，所述过孔包括：第一过孔9和第二过孔10，所述第一过孔9通过所述源极7与所述铟镓锌氧化物层4进行连接，中间贯穿所述间绝缘层11；所述第二过孔10通过所述漏极8与所述铟镓锌氧化物层4进行连接，中间同样贯穿所述间绝缘层11。
实施例三
参阅图2-11，为本申请实施例提供的显示面板的第二薄膜晶体管的制作工艺图。本申请还提供一种显示面板制作方法，参阅图12，在显示面板的显示区设置第一薄膜晶体管，在显示面板的非显示区设置第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的制作方法如下：S10，提供一基板，并在所述基板上沉积遮光层和缓冲层；S20，在所述缓冲层上沉积铟镓锌氧化物，并刻蚀出所述铟镓锌氧化物图案；S30，在所述铟镓锌氧化物上沉积栅绝缘层和栅极；S40，将所述栅绝缘层和所述栅极刻蚀成不同沟道宽度的测试区域；S50，湿法刻蚀所述栅极金属层；S60，去除所述栅绝缘层；S70，对所述栅极和所述栅绝缘层进行导体化处理；S80，在上述步骤“S70”结束后沉积间绝缘层；S90，在所述间绝缘层上沉积第二金属层，并刻蚀成源漏极金属图案；S100，在所述第二金属层上沉积钝化层。
根据本申请提供的一优选实施例，所述基板为玻璃基板、石英基板或是树脂基板。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S20”中所述铟镓锌氧化物的厚度为700A。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S20”中所述刻蚀为光刻和湿法刻蚀。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S60”中采用干法刻蚀的方法去除所述栅绝缘层。
根据本申请提供的一优选实施例，进行所述导体化处理的气体为氢气、氦气或是氨气。
本申请的工作原理：本申请提供的一种显示面板及其制作方法，通过在非显示区增设第二薄膜晶体管，再在第二薄膜晶体管内设置多个不同沟道宽度的测试区，在显示面板进行导体化工艺后，依次对各个测试区的电阻值进行测量，然后与标准范围进行对比，若发现其电阻值还未达到标准范围可继续进行导体化；若其电阻值超出标准范围即可判定为废品，无须再进行后续的工艺，从源头上节约成本。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区和非显示区；其中，
所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元，用于显示图像；
所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元，所述第二薄膜晶体管内还包括多个测试区域，用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板或是有机发光二极管显示面板。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述测试区域分为第一测试区，第二测试区和第三测试区。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一测试区，所述第二测试区和所述第三测试区的沟道宽度均不同。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述测试区域的膜层结构由栅极和栅绝缘层组成。
6.一种显示面板制作方法，其特征在于，在显示面板的显示区设置第一薄膜晶体管单元，在显示面板的非显示区设置第二薄膜晶体管单元，所述第二薄膜晶体管单元的制作方法如下：
S10，提供一基板，并在所述基板上沉积遮光层和缓冲层；
S20，在所述缓冲层上沉积铟镓锌氧化物，并刻蚀出所述铟镓锌氧化物图案；
S30，在所述铟镓锌氧化物上沉积栅绝缘层和栅极；
S40，将所述栅绝缘层和所述栅极刻蚀成不同沟道宽度的测试区域；
S50，湿法刻蚀所述栅极金属层；
S60，去除所述栅绝缘层；
S70，对所述栅极和所述栅绝缘层进行导体化处理；
S80，在上述步骤“S70”结束后沉积间绝缘层；
S90，在所述间绝缘层上沉积第二金属层，并刻蚀成源漏极金属图案；
S100，在所述第二金属层上沉积钝化层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，步骤“S20”中所述铟镓锌氧化物的厚度为700A。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，步骤“S20”中所述刻蚀为光刻和湿法刻蚀。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，步骤“S60”中采用干法刻蚀的方法去除所述栅绝缘层。
10.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，进行所述导体化处理的气体为氢气、氦气或是氨气。
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