CN109876826A - 一种富硫空位光催化剂的制备方法 - Google Patents
一种富硫空位光催化剂的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109876826A CN109876826A CN201910179813.4A CN201910179813A CN109876826A CN 109876826 A CN109876826 A CN 109876826A CN 201910179813 A CN201910179813 A CN 201910179813A CN 109876826 A CN109876826 A CN 109876826A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cdin
- preparation
- sulfur
- photochemical catalyst
- rich vacancy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及一种富硫空位的光催化剂CdIn2S4的制备方法,属于光催化材料的制备方法技术领域。本发明针对传统CdIn2S4光催化材料可见光利用率低,且相对稳定性差等缺点,利用低温等离子体,在氩气气氛下,对CdIn2S4进行处理,制备富硫空位的CdIn2S4光催化剂,扩大了光催化剂的光吸收范围,抑制光生载流子的复合,提高了催化剂的稳定生,进而使光催化CO2还原能力得到提升。
Description
技术领域
本发明涉及一种富硫空位的光催化剂CdIn2S4的制备方法,属于光催化材料的制备方法技术领域。
背景技术
由于化石燃料大量消耗和人类日益增长的能量需求,出现了严重的环境污染和能源危机。目前,利用取之不尽用之不竭的太阳光能将CO2转化为燃料是最有前景的技术之一,因而光催化CO2还原越来越引起研究者们的关注。这一技术发展的关键在于研制新型高效的光催化剂,传统的半导体催化材料(如TiO2)催化活性位点有限,与CO2之间的亲和力较弱,载流子迁移率低,导致催化效果仍然不能使人们满意。因此需要设计适宜能带结构、电子结构适宜且具有大的比表面积和光吸收范围的来提升其吸附CO2能力、选择性和催化效率。
双金属硫化物具有独特的光电催化性能,近年来备受关注。CdIn2S4是一种相对稳定的半导体硫系化合物,具有可见光相应和独特的电子结构,并且易调变易改性,在光催化产氢、有机染料的降解以及CO2还原等方面得到了广泛的研究。但是由于传统的CdIn2S4催化剂的载流子复合速率高且稳定性有待于进一步提升。因此,改性传统催化剂显得十分重要,传统的改性方法有元素掺杂,贵金属沉积,与半导体复合等。近年来,利用等离子体技术对光催化剂进行表面改性也逐渐受到人们的关注。
等离子体被称为除气态、固态、液态以外的物质第四态,又名电浆。与其他三态不同的是,其具有相同数目的未结合的阴离子和阳离子,并且呈现电中性。根据等离子体中电子、离子和中性粒子的相对温度我们将其分为两类:高温等离子体和低温等离子体。低温冷等离子体中存在着大量的能量粒子,能够释放出高化学活性,通过相互间的非弹性碰撞形成反应物的势态,从而促进化学反应,因此可以被用来对催化剂表面进行改性。
发明内容
本发明的目的是针对传统CdIn2S4光催化材料可见光利用率低,且相对稳定性差等缺点,利用低温等离子体,在氩气气氛下,对CdIn2S4进行处理,制备富硫空位的CdIn2S4光催化剂,扩大了光催化剂的光吸收范围,抑制光生载流子的复合,提高了催化剂的稳定生,进而使光催化CO2还原能力得到提升。
为实现上述发明目的,主要采用以下技术方案:
一种富硫空位的光催化剂的制备方法,包括如下步骤:
(1)称取In(NO3)3·4.5H2O和Cd(NO3)2·4H2O超声溶解于去离子水中,得到混合物,称取L-半胱氨酸转移至上述所得的混合物中,搅拌至混合均匀,转移到高压反应釜内进行水热反应,待自然冷却,洗涤,真空干燥,得到CdIn2S4纳米球粉末;
(2)称取CdIn2S4纳米球粉末,平铺于等离子体处理石英反应器中,匀速通入气体,以一定的时间和功率进行等离子体处理,处理结束得到富硫空位的CdIn2S4,即VS-CdIn2S4。
上述制备方法中:步骤(1)中,所述的In(NO3)3·4.5H2O、Cd(NO3)2·4H2O、去离子水与L-半胱氨酸的质量比为0.1528~0.3056:0.0617~0.1234:20~40:0.097~0.194;水热反应温度140~180℃;水热反应时间为10~15h。
上述制备方法中:步骤(2)中,所述的CdIn2S4纳米球粉末用量为50mg;等离子体处理的电功率为150W;处理气氛为氩气;处理时间为5~15min,气体流量为300mL/min。
上述制备方法中:步骤(1)中,洗涤试剂为蒸馏水和乙醇,分别洗涤3-5次,真空干燥温度为70℃,真空干燥时间为12h。
本发明所述方法,制备得到了富硫空位的CdIn2S4光催化剂材料。
本发明有益效果在于:
本发明采用低温等离子体法对传统CdIn2S4进行处理,具有处理反应时间短、能耗低、效率高的特点,适用于规模化应用,有一定的应用前景。
本发明制备得到的富硫空位的CdIn2S4光催化剂具有较宽的可见光吸收范围,硫空位的存在提供了更多的催化活性位点,在光催化CO2还原方面有一定的应用前景。
附图说明
图1为实施例1中等离子体处理前后CdIn2S4的XRD图谱。
图2为实施例1中等离子体处理前后CdIn2S4的紫外-可见光漫反射图谱。
图3为实施例1中等离子体处理前后CdIn2S4的EPR对比图。
图4为实施例1中等离子体处理前后CdIn2S4的CO2还原活性对比图。
具体实施方式
以下结合具体实施方式对本发明进行详细阐述,而不是限制本发明
下述实施例中使用的实验方法如无特殊说明,均为常规方法。
下述实施例中所用的材料、试剂等,如无特殊说明,均可从商业途径得到。
制备CdIn2S4纳米球:0.1528g In(NO3)3·4.5H2O和0.0617g Cd(NO3)2·4H2O超声溶解于30mL的水溶液中,称取0.0970g的L-半胱氨酸转移至上述所得的混合物中,搅拌30min至混合均匀,转移到高压反应釜内在180℃反应10h,待自然冷却,用蒸馏水和乙醇分别洗涤3-5遍,70℃真空干燥12h,得到CdIn2S4纳米球;
实施例1:称取50mg制备的CdIn2S4粉末,均匀平铺于石英反应器底部,向反应器中匀速通入300mL/min的氩气,以150W放电功率,进行等离子体处理,处理时间为5min,即得到VS-CdIn2S4。
实施例2:称取50mg制备的CdIn2S4粉末,均匀平铺于石英反应器底部,向反应器中匀速通入300mL/min的氩气,以150W放电功率,进行等离子体处理,处理时间为8min,即得到VS-CdIn2S4。
实施例3:称取50mg制备的CdIn2S4粉末,均匀平铺于石英反应器底部,向反应器中匀速通入300mL/min的氩气,以150W放电功率,进行等离子体处理,处理时间为10min,即得到VS-CdIn2S4。
实施例4:称取50mg制备的CdIn2S4粉末,均匀平铺于石英反应器底部,向反应器中匀速通入300mL/min的氩气,以150W放电功率,进行等离子体处理,处理时间为15min,即得到VS-CdIn2S4。
通过实施案例分析,我们对相同质量的CdIn2S4粉末,以相同的电功率在氩气气氛下进行不同时间的等离子体处理,发现对催化剂进行8min等离子体处理,其催化效果最佳。
制备的样品的结构测试是在德国Bruker D8型射线衍射仪(XRD)上进行的(Cu-Kα射线,范围是10°-80°),扫描速率为7°min-1。如图1所示,处理前CdIn2S4与处理后富硫空位的CdIn2S4相比较,峰位置与峰强度均几乎没有差异,说明低温等离子体对于CdIn2S4晶相无较大影响,其所有峰均与CdIn2S4标准卡片(JCPDS:27-0060)相对应。
图2为等离子体处理前后,CdIn2S4和VS-CdIn2S4的紫外可见漫反射光谱,可以清楚的看到VS-CdIn2S4的吸收范围更宽,比CdIn2S4在可见光区有更好的光吸收性能。
图3为等离子体处理前后,CdIn2S4和VS-CdIn2S4的EPR图谱,我们可以看出VS-CdIn2S4比CdIn2S4出现了更强的氧缺陷信号,g值2.060,确定为S空位。
光催化活性测试:在PerfectLight公司生产的型号为Labsolar-6A的光催化CO2还原反应仪器中进行合成样品的光催化CO2还原性能测试。
实施例5:称取10mg催化剂置于配好的溶液中(6mL乙腈,4mL H2O,2mL三乙醇胺),超声3min使其溶解充分,进而在温度为10℃,压强为0.75MPa的CO2气氛环境中,以300W氙灯(PLS-SXE 300C(BF),Perfectlight)下照射进行光催化光还原反应。
图4为光催化CO2还原性能对比图,从图中可以看出制备的VS-CdIn2S4催化剂用于光催化反应CO和CH4的生成速率相比于CdIn2S4催化剂均得到了提升,但是CO的提升幅度远高于CH4,所以我们可以得出处理后得到的VS-CdIn2S4不仅提升了光催化CO2还原的性能,而且提升了CO的选择性。
以上所揭露的仅为本发明较佳实例而已,再不脱离本发明上述方法思想的情况下,根据本领域普通技术知识和惯用手段进行替换和改进,均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (6)
1.一种富硫空位的光催化剂的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)称取In(NO3)3·4.5H2O和Cd(NO3)2·4H2O超声溶解于去离子水中,得到混合物,称取L-半胱氨酸转移至上述所得的混合物中,搅拌至混合均匀,转移到高压反应釜内进行水热反应,待自然冷却,洗涤,真空干燥,得到CdIn2S4纳米球粉末;
(2)称取CdIn2S4纳米球粉末,平铺于等离子体处理石英反应器中,匀速通入气体,以一定的时间和功率进行等离子体处理,处理结束得到富硫空位的CdIn2S4,即VS-CdIn2S4。
2.如权利要求1所述的一种富硫空位的光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的In(NO3)3·4.5H2O、Cd(NO3)2·4H2O、去离子水与L-半胱氨酸的质量比为0.1528~0.3056:0.0617~0.1234:20~40:0.097~0.194;水热反应温度140~180℃;水热反应时间为10~15h。
3.如权利要求1所述的一种富硫空位的光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的CdIn2S4纳米球粉末用量为50mg;等离子体处理的电功率为150W;处理气氛为氩气;处理时间为5~15min,气体流量为300mL/min。
4.如权利要求3所述的一种富硫空位的光催化剂的制备方法,其特征在于,处理时间为8min。
5.如权利要求1所述的一种富硫空位的光催化剂的制备方法,其特征在于,上述制备方法中:步骤(1)中,洗涤试剂为蒸馏水和乙醇,分别洗涤3-5次,真空干燥温度为70℃,真空干燥时间为12h。
6.如权利要求1-5任一所述方法制备的富硫空位的光催化剂的用途,其特征在于,应用于光催化CO2还原制备CO和CH4。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910179813.4A CN109876826B (zh) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 一种富硫空位光催化剂的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910179813.4A CN109876826B (zh) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 一种富硫空位光催化剂的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109876826A true CN109876826A (zh) | 2019-06-14 |
CN109876826B CN109876826B (zh) | 2022-02-15 |
Family
ID=66931569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910179813.4A Active CN109876826B (zh) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 一种富硫空位光催化剂的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109876826B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111298809A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-06-19 | 中国矿业大学 | 一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法 |
CN111389417A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 武汉理工大学 | 富硫空位硫化铋纳米线及其制备方法和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150118487A1 (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Colin A. Wolden | Plasma-assisted nanofabrication of two-dimensional metal chalcogenide layers |
CN104947070A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-09-30 | 深圳大学 | 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 |
CN105823782A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-08-03 | 北京大学 | 一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法 |
CN106423216A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-02-22 | 江苏大学 | 一种碳量子点CQDs杂化CdIn2S4复合材料的制备方法及其应用 |
CN107649150A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 福州大学 | 一种富含硫空位的Cd/CdS异质结可见光催化剂的制备方法及其应用 |
-
2019
- 2019-03-11 CN CN201910179813.4A patent/CN109876826B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150118487A1 (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Colin A. Wolden | Plasma-assisted nanofabrication of two-dimensional metal chalcogenide layers |
CN104947070A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-09-30 | 深圳大学 | 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 |
CN105823782A (zh) * | 2016-03-10 | 2016-08-03 | 北京大学 | 一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法 |
CN106423216A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-02-22 | 江苏大学 | 一种碳量子点CQDs杂化CdIn2S4复合材料的制备方法及其应用 |
CN107649150A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 福州大学 | 一种富含硫空位的Cd/CdS异质结可见光催化剂的制备方法及其应用 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
CHAO ZHANG等: "Engineering Sulfur Defects, Atomic Thickness, and Porous Structures into Cobalt Sulfide Nanosheets for Efficient Electrocatalytic Alkaline Hydrogen Evolution", 《ACS CATAL》 * |
蒋万林: "铟、镉硫化物的制备及其光催化还原CO2的性能研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111298809A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-06-19 | 中国矿业大学 | 一种富含表面S空位ZnIn2S4纳米片阵列的制备方法 |
CN111389417A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 武汉理工大学 | 富硫空位硫化铋纳米线及其制备方法和应用 |
CN111389417B (zh) * | 2020-03-24 | 2021-06-08 | 武汉理工大学 | 富硫空位硫化铋纳米线及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109876826B (zh) | 2022-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Li et al. | In2O3-modified Three-dimensional nanoflower MoSx form S-scheme heterojunction for efficient hydrogen production | |
Jin et al. | Ni, Co-based selenide anchored g-C3N4 for boosting photocatalytic hydrogen evolution | |
Dang et al. | Efficient visible-light activation of molecular oxygen to produce hydrogen peroxide using P doped gC 3 N 4 hollow spheres | |
Li et al. | Direct Z-scheme charge transfer of Bi2WO6/InVO4 interface for efficient photocatalytic CO2 reduction | |
Gong et al. | WP modified S-scheme Zn 0.5 Cd 0.5 S/WO 3 for efficient photocatalytic hydrogen production | |
Xin et al. | Synthesis of ZnS@ CdS–Te composites with p–n heterostructures for enhanced photocatalytic hydrogen production by microwave-assisted hydrothermal method | |
Huang et al. | Phosphorus-doped inverse opal gC 3 N 4 for efficient and selective CO generation from photocatalytic reduction of CO 2 | |
CN107790160A (zh) | 一种磷掺杂硫化锌镉固溶体催化剂、光催化体系及分解水制氢的方法 | |
Li et al. | Phosphated 2D MoS2 nanosheets and 3D NiTiO3 nanorods for efficient photocatalytic hydrogen evolution | |
CN106807361A (zh) | 一种铋‑无定型钨酸铋‑三氧化二铋三元有机复合光催化剂及制备方法 | |
CN103170358A (zh) | 一种多孔g-C3N4光催化剂及其制备方法 | |
CN108620131A (zh) | 复合光催化材料的原位制备方法 | |
CN109692701A (zh) | g-C3N4/MoS2复合光催化剂及其一锅法制备方法 | |
CN105885847B (zh) | 一种硫硒化镉固溶体量子点及其制备方法和光催化产氢应用 | |
CN106268869A (zh) | 一种碳量子点/花状硫化铟钙复合光催化剂的制备方法及应用 | |
CN108855141A (zh) | 一种ReS2/CdS光催化剂及其制备方法和应用 | |
Sun et al. | Photocatalytic degradation of gaseous o-xylene over M-TiO 2 (M= Ag, Fe, Cu, Co) in different humidity levels under visible-light irradiation: activity and kinetic study | |
CN103990472A (zh) | 一种稳定、高效率制氢助催化剂及其制备方法 | |
CN106693996A (zh) | 硫化铋‑铁酸铋复合可见光催化剂的制备方法及其应用 | |
CN103785429B (zh) | 一种磷酸银/石墨烯/二氧化钛纳米复合材料及制备方法 | |
CN109876826A (zh) | 一种富硫空位光催化剂的制备方法 | |
CN107626297B (zh) | 一种空心微球状铋/钒酸铋复合光催化剂及其制备方法和应用 | |
Shang et al. | Coupling of Sm2WO6 and ZIF-67 to form S–scheme heterojunction to improve the performance of photocatalytic hydrogen production | |
Yan et al. | MoC quantum dots embedded in ultra-thin carbon film coupled with 3D porous g-C3N4 for enhanced visible-light-driven hydrogen evolution | |
CN109999779A (zh) | 一种In2O3光催化剂及制备方法和用途 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |