CN109872955A - 判定方法及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够定量地判定干燥区域的状态是否正常的判定方法及基板处理装置。在执行干燥处理的装置中，判定干燥处理是否合格，所述干燥处理是在水平地保持着的基板(W)的上表面形成液膜，使被去除液膜的干燥区域逐渐扩大的处理。具体来说，首先，在干燥处理的执行过程中，利用摄像部(70)反复拍摄基板(W)的上表面。接着，基于通过拍摄而获取到的多个拍摄图像，判定干燥区域的状态是否正常。由此，能够基于多个拍摄图像，定量地判定干燥区域的状态是否正常。

Description

判定方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶片等薄板状的基板的制造工序中所使用的装置中，判定基板的干燥处理是否合格的技术，尤其涉及一种判定方法及基板处理装置。
背景技术
在半导体晶片的制造工序中，对基板供给各种处理液之后，进行使基板干燥的处理。先前，在基板的干燥工序中进行所谓的甩干(spin dry)，即，一边水平地保持基板，一边使所述基板高速旋转，而甩开附着在基板的表面上的液滴。但是，近年来，形成于半导体晶片的表面上的图案的微细化得到发展。因此，在甩干时，存在因为施加至基板的离心力，而使微细的图案倒塌的问题。
因此，提出了一方面抑制图案的倒塌，一方面使基板干燥的各种方法。其中之一是专利文献1所述的方法。在专利文献1的方法中，在利用纯水(去离子水(Deionized Water，DIW))进行冲洗处理之后，首先，对基板的表面，供给表面张力低的有机溶剂。由此，将基板的上表面的纯水替换成有机溶剂，在基板的上表面形成有机溶剂的液膜。其次，通过对基板进行加热，而在基板的上表面与液膜之间形成蒸气层。然后，对基板的上表面吹附惰性气体，而在基板的上表面的一部分上形成已去除液膜的干燥区域。接着，通过利用惰性气体使所述干燥区域逐渐扩大，而使基板干燥(参照段落0084～段落0089)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2016-162847号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在专利文献1的方法中，能够一边在基板的上表面与有机溶剂的液膜之间形成蒸气层，一边去除液膜。因此，在去除液膜时，不易对形成于基板的上表面的图案施加负担。因此，能够抑制干燥时的图案的倒塌。
但是，在专利文献1的干燥方法中，在对基板进行加热，而在基板的上表面与液膜之间形成蒸气层时，会在液膜中产生微细的气泡。由此，有时会在液膜的一部分上产生开口。如果在喷出惰性气体之前在液膜上产生开口，那么基板的上表面与液膜之间的蒸气会从开口泄漏。因此，无法维持蒸气层。
并且，在基板的上表面的一部分上形成干燥区域之后，利用惰性气体而使干燥区域扩大时，也存在干燥区域的形状变形，或产生多个干燥区域的情况。
如上所述，在专利文献1的干燥方法中，难以使干燥区域如预期形成及扩大。因此，为了基板的质量管理，必须在所述干燥处理中，准确地掌握干燥区域是否已如预期形成及扩大。
本发明是鉴于这种情况而完成的，目的在于提供一种能够定量地判定干燥区域的状态是否正常的判定方法及基板处理装置。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题，本申请的第一发明是一种判定方法，在执行干燥处理的装置中，判定所述干燥处理是否合格，所述干燥处理是在水平地保持着的基板的上表面形成液膜，使被去除所述液膜的干燥区域逐渐扩大的处理，所述判定方法包括如下的工序：a)在所述干燥处理的执行过程中，反复拍摄所述基板的上表面；以及b)基于通过所述工序a)而获取到的多个拍摄图像，判定所述干燥区域的状态是否正常。
本申请的第二发明根据第一发明的判定方法，其中所述工序b)包括如下的工序：c)在所述干燥区域的初始形成之前，判定所述液膜上是否产生有开口。
本申请的第三发明根据第二发明的判定方法，其中所述工序c)包括如下的工序：c-11)生成刚形成所述液膜之后的所述基板的图像即参考图像与所述拍摄图像的差分图像；以及c-12)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
本申请的第四发明根据第二发明的判定方法，其中所述工序c)包括如下的工序：c-21)对所述拍摄图像进行空间方向上的滤波处理，生成空间滤波图像；c-22)对所述拍摄图像进行时间方向上的滤波处理，生成时间滤波图像；c-23)生成所述空间滤波图像与所述时间滤波图像的差分图像；以及c-24)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
本申请的第五发明根据第一发明的判定方法，其中工序b)包括如下的工序：d)判定所述干燥区域扩大时的形状是否为规定的形状。
本申请的第六发明根据第五发明的判定方法，其中所述工序d)包括如下的工序：d-11)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；d-12)算出所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的圆形度；以及d-13)当所述圆形度未达预先设定的阈值时，判定为异常。
本申请的第七发明根据第五发明的判定方法，其中所述工序d)包括如下的工序：d-21)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；d-22)对所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的数量进行计数；以及d-23)当所述闭合曲线的数量为预先设定的阈值以上时，判定为异常。
本申请的第八发明根据第一发明的判定方法，其中在所述干燥处理中，所述干燥区域的初始形成是通过对所述基板吹附气体来进行。
本申请的第九发明根据第一发明的判定方法，其中在所述干燥处理中，所述干燥区域的初始形成是通过所述基板的规定的位置的加热来进行。
本申请的第十发明根据第一发明的判定方法，其中在所述干燥处理中，所述干燥区域的扩大是通过对所述基板吹附气体来进行。
本申请的第十一发明根据第一发明的判定方法，其中在所述干燥处理中，所述干燥区域的扩大是通过使所述基板的加热区域逐渐扩大来进行。
本申请的第十二发明根据第八发明或技术方案十所述的判定方法，其中所述干燥处理包括如下的工序：x)对所述基板进行加热，在所述基板的上表面与所述液膜之间形成蒸气层；y)在所述工序x)之后，对所述液膜的中央吹附气体，初始形成所述干燥区域；以及z)在所述工序y)之后，对所述基板的上表面进一步吹附气体，扩大所述干燥区域。
本申请的第十三发明是一种基板处理装置，包括：基板保持部，水平地保持基板；液膜形成部，在所述基板保持部所保持的基板的上表面形成液膜；第一干燥部，在所述基板的上表面的规定的位置上，初始形成被去除所述液膜的干燥区域；第二干燥部，使所述干燥区域逐渐扩大；摄像部，反复拍摄所述基板的上表面；以及判定部，基于所述摄像部所获取到的多个拍摄图像，判定所述干燥区域的状态是否正常。
本申请的第十四发明根据第十三发明的基板处理装置，其中所述判定部执行如下的处理：c)在所述干燥区域的初始形成之前，判定所述液膜上是否产生有开口。
本申请的第十五发明根据第十四发明的基板处理装置，其中所述处理c)包括如下的处理：c-11)生成刚形成所述液膜之后的所述基板的图像即参考图像与所述拍摄图像的差分图像；以及c-12)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
本申请的第十六发明根据第十四发明的基板处理装置，其中所述处理c)包括如下的处理：c-21)对所述拍摄图像进行空间方向上的滤波处理，生成空间滤波图像；c-22)对所述拍摄图像进行时间方向上的滤波处理，生成时间滤波图像；c-23)生成所述空间滤波图像与所述时间滤波图像的差分图像；以及c-24)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
本申请的第十七发明根据第十三发明的基板处理装置，其中所述所述判定部执行如下的处理：d)判定所述干燥区域扩大时的形状是否为规定的形状。
本申请的第十八发明根据第十七发明的基板处理装置，其中所述处理d)包括如下的处理：d-11)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；d-12)算出所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的圆形度；以及d-13)当所述圆形度未达预先设定的阈值时，判定为异常。
本申请的第十九发明根据第十七发明的判定方法，其中所述处理d)包括如下的处理：d-21)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；d-22)对所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的数量进行计数；以及d-23)当所述闭合曲线的数量为预先设定的阈值以上时，判定为异常。
本申请的第二十发明根据第十三发明的基板处理装置，其中所述第一干燥部通过对所述基板吹附气体，而初始形成所述干燥区域。
本申请的第二十一发明根据第十三发明的基板处理装置，其中所述第一干燥部是通过对所述基板的所述规定的位置进行加热，而初始形成所述干燥区域。
本申请的第二十二发明根据第十三发明的基板处理装置，其中所述第二干燥部通过对所述基板吹附气体，来使所述干燥区域扩大。
本申请的第二十三发明根据第十三发明的基板处理装置，其中所述第二干燥部是通过使所述基板的加热区域逐渐扩大，来使所述干燥区域扩大。
本申请的第二十四发明根据第二十发明或第二十二发明的基板处理装置，其还包括对所述基板进行加热的加热部，并且通过所述加热部对基板的加热，而在所述基板的上表面与所述液膜之间形成蒸气层。
[发明的效果]
根据本申请的第一发明至第二十四发明，能够基于多个拍摄图像，定量地判定干燥区域的状态是否正常。
附图说明
图1是基板处理装置的平面图。
图2是处理单元的平面图。
图3是处理单元的纵剖面图。
图4是表示与第一喷嘴头连接的供液部的一例的图。
图5是表示与第二喷嘴头连接的供液部的一例的图。
图6是表示与第三喷嘴头连接的供液部及供气部的一例的图。
图7是表示控制部与处理单元内的各部的连接的框图。
图8是表示处理单元中的基板处理的流程的流程图。
图9是表示干燥处理的详细流程的流程图。
图10是表示在基板的上表面形成有液膜的状况的图。
图11是表示在基板的上表面与液膜之间形成有蒸气层的状况的图。
图12是表示在基板的上表面的中央初始形成有干燥区域的状况的图。
图13是表示干燥区域逐渐扩大的状况的图。
图14是表示步骤S55中的判定处理的第一方法的流程的流程图。
图15是表示参考图像的示例的图。
图16是表示拍摄图像的示例的图。
图17是表示差分图像的示例的图。
图18是表示步骤S55中的判定处理的第二方法的流程的流程图。
图19是表示步骤S57中的判定处理的第一方法的流程的流程图。
图20是概念性地表示前后差分图像的生成的状况的图。
图21是表示步骤S57中的判定处理的第二方法的流程的流程图。
图22是表示干燥处理的变形例的图。
图23是表示干燥处理的变形例的图。
图24是表示干燥处理的变形例的图。
符号的说明
10：腔室
11：处理空间
12：侧壁
13：顶板部
14：底板部
15：风机过滤器单元
16：排气导管
20：基板保持部
21：自旋底座
22：夹盘销
23：夹盘销切换机构
30：旋转机构
31：马达盖
32：自旋马达
33：支撑轴
40：流体供给部
41：第一喷嘴
42：第二喷嘴
43：第三喷嘴
50：处理液收集部
51：内杯体
52：中杯体
53：外杯体
60：加热部
61：热板
62：加热器
70：摄像部
71：光源
72：相机
80：控制部
81：处理器
82：存储器
83：存储部
90：液膜
91：蒸气层
92：干燥区域
93：开口
100：基板处理装置
101：分度器
102：处理单元
103：主搬运机器人
330：轴芯
411：第一喷嘴臂
412：第一喷嘴头
413：第一喷嘴马达
414：药液配管
415：药液供给源
416：药液用阀
421：第二喷嘴臂
422：第二喷嘴头
423：第二喷嘴马达
424：纯水配管
425：纯水供给源
426：纯水用阀
431：第三喷嘴臂
432：第三喷嘴头
432a：IPA喷出口
432b：垂直吹出口
432c：倾斜吹出口
433：第三喷嘴马达
434a：IPA配管
434b：第一氮气配管
434c：第二氮气配管
435a：IPA供给源
435b：第一氮气供给源
435c：第二氮气供给源
436a：IPA用阀
436b：垂直吹出用阀
436c：倾斜吹出用阀
510：第一引导板
511：第一排液槽
512：第二排液槽
513：第三排液槽
520：第二引导板
530：第三引导板
Ir：参考图像
Is、Is1、Is2：拍摄图像
Id：差分图像
In：前后差分图像
C：闭合曲线
P：计算机程序
S1～S6、S51～S59、S711～S717、S721～S728、S811～S816、S821～S826：步骤
W：基板
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行详细说明。
＜1.基板处理装置的整体结构＞
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置100的平面图。所述基板处理装置100是在半导体晶片的制造工序中，对圆板状的基板W(硅基板)的表面进行处理的装置。基板处理装置100进行对基板W的表面供给处理液的液处理、以及使基板W的表面干燥的干燥处理。
如图1所示，基板处理装置100包括分度器(indexer)101、多个处理单元102及主搬运机器人103。
分度器101是用于从外部搬入处理前的基板W，并且将处理后的基板W搬出至外部的部位。在分度器101中，配置有多个收容多个基板W的载体(carrier)。并且，分度器101包含省略图示的移送机器人。移送机器人在分度器101内的载体与处理单元102或主搬运机器人103之间，移送基板W。再者，载体中，例如，可使用将基板W收纳于密闭空间的公知的前端开启式统集盒(front opening unified pod，FOUP)或标准机械界面(StandardMechanical Inter Face，SMIF)盒、或者收纳基板W与外部空气接触的开放式晶匣(opencassette，OC)。
处理单元102是逐片地处理基板W的所谓单片式的处理部。多个处理单元102配置在主搬运机器人103的周围。在本实施方式中，配置在主搬运机器人103的周围的四个处理单元102是沿高度方向层叠成三层。即，本实施方式的基板处理装置100总共包括十二台处理单元102。多个基板W是在各处理单元102中并列地处理。但是，基板处理装置100所包括的处理单元102的数量并不限定于十二台，例如也可以是八台、四台、一台等。
主搬运机器人103是用于在分度器101与多个处理单元102之间搬运基板W的机构。主搬运机器人103例如包括保持基板W的手(hand)、以及使手移动的臂(arm)。主搬运机器人103从分度器101取出处理前的基板W，而搬运至处理单元102。并且，当处理单元102中的基板W的处理完成后，主搬运机器人103从所述处理单元102取出处理后的基板W，而搬运至分度器101。
＜2.处理单元的结构＞
接着，对处理单元102的结构进行说明。以下，对基板处理装置100所含的多个处理单元102之中的一个进行说明，但其它处理单元102也具有同等的结构。
图2是处理单元102的平面图。图3是处理单元102的纵剖面图。如图2及图3所示，处理单元102包括腔室10、基板保持部20、旋转机构30、流体供给部40、处理液收集部50、加热部60、摄像部70及控制部80。
腔室10是内置用于对基板W进行处理的处理空间11的框体。腔室10包括包围处理空间11的侧部的侧壁12、覆盖处理空间11的上部的顶板部13、以及覆盖处理空间11的下部的底板部14。基板保持部20、旋转机构30、流体供给部40、处理液收集部50、加热部60及摄像部70是收容在腔室10的内部。在侧壁12的一部分设置有用于向腔室10内搬入基板W及从腔室10搬出基板W的搬入搬出口、以及使搬入搬出口开闭的挡板(shutter)(均省略图示)。
如图3所示，在腔室10的顶板部13设置有风机过滤器(fan filter)单元(FFU)15。风机过滤器单元15包括高效空气(High Efficiency Particulate Air，HEPA)过滤器等集尘过滤器、以及使气流产生的风机(fan)。当使风机过滤器单元15运行时，将设置基板处理装置100的洁净室(clean room)内的空气撷取至风机过滤器单元15，藉由集尘过滤器而洁净化，并供给至腔室10内的处理空间11。由此，在腔室10内的处理空间11内，形成洁净的空气的向下流(down flow)。
并且，在侧壁12的下部的一部分上，连接着排气导管16。从风机过滤器单元15供给的空气在腔室10的内部形成向下流之后，通过排气导管16向腔室10的外部排出。
基板保持部20是在腔室10的内部，水平地(以法线朝向铅垂方向的姿势)保持基板W的机构。如图2及图3所示，基板保持部20包括圆板状的自旋底座(spin base)21及多个夹盘销(chuck pin)22。多个夹盘销22沿自旋底座21的上表面的外周部，以等角度间隔而设置。基板W在使形成图案的被处理面朝向上侧的状态下，保持于多个夹盘销22。各夹盘销22与基板W的周缘部的下表面及外周端面接触，从自旋底座21的上表面经由空隙将基板W支撑于上方的位置。
在自旋底座21的内部设置有用于切换多个夹盘销22的位置的夹盘销切换机构23。夹盘销切换机构23是对多个夹盘销22，在保持基板W的保持位置与解除基板W的保持的解除位置之间进行切换。
旋转机构30是用于使基板保持部20旋转的机构。旋转机构30是收容在设置于自旋底座21的下方的马达盖31的内部。如图3中以虚线所示，旋转机构30包括自旋马达(spinmotor)32及支撑轴33。支撑轴33沿铅垂方向延伸，其下端部与自旋马达32连接，并且上端部固定在自旋底座21的下表面的中央。当使自旋马达32驱动时，支撑轴33以其轴芯330为中心而旋转。并且，与支撑轴33一同，基板保持部20及基板保持部20所保持的基板W也以轴芯330为中心而旋转。
流体供给部40是对基板保持部20所保持的基板W的上表面，供给处理液及惰性气体的机构。如图2及图3所示，流体供给部40包括第一喷嘴41、第二喷嘴42及第三喷嘴43。
第一喷嘴41包括第一喷嘴臂411、设置在第一喷嘴臂411的前端的第一喷嘴头412、以及第一喷嘴马达413。第二喷嘴42包括第二喷嘴臂421、设置在第二喷嘴臂421的前端的第二喷嘴头422、以及第二喷嘴马达423。第三喷嘴43包括第三喷嘴臂431、设置在第三喷嘴臂431的前端的第三喷嘴头432、以及第三喷嘴马达433。
各喷嘴臂411、喷嘴臂421、喷嘴臂431通过喷嘴马达413、喷嘴马达423、喷嘴马达433的驱动，而如图2中的箭头所示，以各喷嘴臂411、喷嘴臂421、喷嘴臂431的基端部为中心，沿水平方向各别地转动。由此，能够使各喷嘴头412、喷嘴头422、喷嘴头432，在基板保持部20所保持的基板W的上方的处理位置与比处理液收集部50更靠外侧的退避位置之间移动。
图4是表示与第一喷嘴头412连接的供液部的一例的图。在图4的示例中，第一喷嘴头412经由药液配管414而与药液供给源415连接。在药液配管414的路径中途，介插有药液用阀416。因此，当在处理位置上配置有第一喷嘴头412的状态下，打开药液用阀416时，从药液供给源415通过药液配管414向第一喷嘴头412供给药液。接着，从第一喷嘴头412向基板W的上表面，喷出药液。
作为从第一喷嘴头412喷出的药液的示例，例如，可举出SPM(sulfuric acid andhydrogen peroxide mixture)洗涤液(硫酸及过氧化氢水的混合液)、SC1洗涤液(氨水、过氧化氢水及纯水的混合液)、SC2洗涤液(盐酸、过氧化氢水及纯水的混合液)、稀氟氢酸(Dilute Hydrofluoric Acid，DHF)洗涤液(稀氢氟酸)等。
图5是表示与第二喷嘴头422连接的供液部的一例的图。在图5的示例中，第二喷嘴头422经由纯水配管424而与纯水供给源425连接。在纯水配管424的路径中途，介插有纯水用阀426。因此，当在处理位置上配置有第二喷嘴头422的状态下，打开纯水用阀426时，从纯水供给源425通过纯水配管424向第二喷嘴头422供给纯水(去离子水)。接着，从第二喷嘴头422向基板W的上表面喷出纯水。
图6是表示与第三喷嘴头432连接的供液部及供气部的一例的图。在图6的示例中，第三喷嘴头432包括异丙醇(iso-propyl alcohol，IPA)喷出口432a、垂直吹出口432b及倾斜吹出口432c。
IPA喷出口432a经由IPA配管434a而与IPA供给源435a连接。在IPA配管434a的路径中途，介插有IPA用阀436a。因此，当在处理位置上配置有第三喷嘴头432的状态下，打开IPA用阀436a时，从IPA供给源435a通过IPA配管434a向第三喷嘴头432供给作为有机溶剂的异丙醇(iso-propyl alcohol，IPA)。接着，从第三喷嘴头432的IPA喷出口432a向基板W的上表面喷出IPA。
垂直吹出口432b经由第一氮气配管434b而与第一氮气供给源435b连接。在第一氮气配管434b的路径中途，介插有垂直吹出用阀436b。因此，当在处理位置上配置有第三喷嘴头432的状态下，打开垂直吹出用阀436b时，从第一氮气供给源435b通过第一氮气配管434b向第三喷嘴头432供给作为惰性气体的氮气。接着，从第三喷嘴头432的垂直吹出口432b向基板W的上表面，向下方吹附氮气。
倾斜吹出口432c经由第二氮气配管434c而与第二氮气供给源435c连接。在第二氮气配管434c的路径中途，介插有倾斜吹出用阀436c。因此，当在处理位置上配置有第三喷嘴头432的状态下，打开倾斜吹出用阀436c时，从第二氮气供给源435c通过第二氮气配管434c对第三喷嘴头432供给作为惰性气体的氮气。接着，从第三喷嘴头432的倾斜吹出口432c向基板W的上表面，向外并且向斜下方吹附氮气。
但是，各喷嘴41～喷嘴43也可以能够切换地喷出多种处理液。并且，处理单元102中所设置的喷嘴的数量并不限定于三个，也可以是一个、两个或四个以上。
处理液收集部50是收集使用后的处理液的部位。如图3所示，处理液收集部50包括内杯体51、中杯体52及外杯体53。内杯体51、中杯体52及外杯体53能够通过省略图示的升降机构，而相互独立地升降移动。
内杯体51包括包围基板保持部20的周围的圆环状的第一引导板510。中杯体52包括位于第一引导板510的外侧并且上侧的圆环状的第二引导板520。外杯体53包括位于第二引导板520的外侧并且上侧的圆环状的第三引导板530。并且，内杯体51的底部是展开至中杯体52及外杯体53的下方为止。而且，在所述底部的上表面，从内侧起依次设置有第一排液槽511、第二排液槽512及第三排液槽513。
从流体供给部40供给至基板W的上表面的处理液通过因基板W的旋转而产生的离心力，或后述干燥处理中的氮气的吹附，而向外侧飞散。接着，从基板W飞散的处理液被收集至第一引导板510、第二引导板520及第三引导板530中任一者的内侧。使收集至第一引导板510的内侧的处理液通过第一排液槽511，向处理单元102的外部排出。使收集至第二引导板520的内侧的处理液通过第二排液槽512，向处理单元102的外部排出。使收集至第三引导板530的内侧的处理液通过第三排液槽513，向处理单元102的外部排出。
如上所述，所述处理单元102具有多条处理液的排出路径。因此，能够针对每个种类分别回收供给至基板的处理液。因此，经回收的处理液的废弃或再生处理也可以根据各处理液的性质而分别进行。
加热部60在后述干燥处理中，对基板W进行加热。本实施方式的加热部60包括圆板状的热板(hot plate)61、及成为发热源的加热器62。热板61是配置在自旋底座21的上表面与夹盘销22所保持的基板W的下表面之间。加热器62是埋入于热板61的内部。在加热器62中，例如，使用通过通电而发热的镍铬合金线(nichrome wire)等电热线。当对加热器62通电后，热板61被加热至高于环境温度的温度。
再者，处理单元102可以还包括使热板61升降移动的升降机构。升降机构例如只要是在加热时使热板61上升至与基板W的下表面接近的加热位置，在非加热时，使热板61下降至比加热位置更下方的非加热位置的机构即可。
摄像部70是对基板W的上表面进行拍摄的装置。摄像部70例如设置在与腔室10的侧壁12的内面接近的位置。如图2及图3所示，摄像部70包括光源71及相机72。在光源71中，例如使用发光二极管(light-emitting diode，LED)。相机72中，例如使用具有电荷耦合器件(Charge Coupled Devices，CCD)或互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor，CMOS)等摄像元件的数码相机。摄像部70通过一边从光源71照射光，一边利用相机72进行拍摄，而获取基板W的上表面的拍摄图像。拍摄图像包括多个像素，针对每个像素具有亮度值的信息。
控制部80是用于对处理单元102内的各部进行运行控制的部件。图5是表示控制部80与处理单元102内的各部的连接的框图。如图5中概念性地表示，控制部80包括具有中央处理器(central processing unit，CPU)等处理器81、随机存取存储器(random accessmemory，RAM)等存储器82、及硬盘驱动器等存储部83的计算机。在存储部83内，安装有用于执行处理单元102中的基板W的处理的计算机程序P。
并且，如图7所示，控制部80与所述风机过滤器单元15、夹盘销切换机构23、自旋马达32、第一喷嘴马达413、第二喷嘴马达423、第三喷嘴马达433、药液用阀416、纯水用阀426、IPA用阀436a、垂直吹出用阀436b、倾斜吹出用阀436c、处理液收集部50的升降机构、加热器62、光源71及相机72分别可通信地连接着。控制部80将存储部83中所存储的计算机程序P或数据暂时读取至存储器82，并基于所述计算机程序P，通过处理器81进行运算处理，来对所述各部进行运行控制。由此，进行处理单元102中的基板W的处理、后述判定处理。
＜3.基板处理装置的动作＞
其次，一边参照图8的流程图，一边说明所述处理单元102中的基板W的处理。
当在处理单元102中对基板W进行处理时，首先，主搬运机器人103将成为处理对象的基板W搬入至腔室10内(步骤S1)。利用基板保持部20的多个夹盘销22，水平地保持搬入至腔室10内的基板W。然后，通过使旋转机构30的自旋马达32驱动，而使基板W开始旋转(步骤S2)。具体来说，支撑轴33、自旋底座21、多个夹盘销22及夹盘销22所保持的基板W以支撑轴33的轴芯330为中心而旋转。
接着，对基板W的上表面，利用药液进行处理(步骤S3)。具体来说，首先，通过第一喷嘴马达413的驱动，而使第一喷嘴头412朝向与基板W的上表面相向的处理位置移动。接着，打开药液用阀416。于是，从第一喷嘴头412向旋转的基板W的上表面中央喷出药液。所喷出的药液通过因基板W的旋转而产生的离心力，而扩散至基板W的整个上表面。由此，对基板W的上表面进行蚀刻、洗涤等药液处理。当规定时间的药液的喷出结束后，关闭药液用阀416，停止从第一喷嘴头412喷出药液。然后，通过第一喷嘴马达413的驱动，而使第一喷嘴头412从处理位置移动至退避位置。
其次，对基板W的上表面，利用纯水进行冲洗处理(步骤S4)。具体来说，首先，通过第二喷嘴马达423的驱动，而使第二喷嘴头422朝向与基板W的上表面相向的处理位置移动。接着，打开纯水用阀426。于是，从第二喷嘴头422向旋转的基板W的上表面中央喷出纯水。所喷出的纯水通过因基板W的旋转而产生的离心力，而扩散至基板W的整个上表面。由此，冲走残留于基板W的表面的药液。当规定时间的纯水的喷出结束后，关闭纯水用阀426，停止从第二喷嘴头422喷出纯水。然后，通过第二喷嘴马达423的驱动，而使第二喷嘴头422从处理位置移动至退避位置。
接着，进行从基板W的上表面去除纯水的干燥处理(步骤S5)。
图9是表示干燥处理的详细流程的流程图。如图9所示，在进行干燥处理时，首先，通过第三喷嘴马达433的驱动，而使第三喷嘴头432向与基板W的上表面相向的处理位置移动(步骤S51)。接着，打开IPA用阀436a。于是，从第三喷嘴头432的IPA喷出口432a，向旋转的基板W的上表面中央喷出IPA(步骤S52)。所喷出的IPA通过因基板W的旋转而产生的离心力，而扩散至基板W的整个上表面。IPA是表面张力低于纯水的液体。因此，当对基板W的上表面供给IPA时，残留于基板W的上表面的纯水被替换成IPA。
然后，通过使旋转机构30的自旋马达32停止，而使基板W的旋转停止(步骤S53)。接着，通过关闭IPA用阀436a，而使从第三喷嘴头432的IPA的喷出也停止(步骤S54)。于是，如图10所示，成为如下的状态：在基板W的上表面呈水坑(puddle)状形成有IPA的液膜90。即，在本实施方式中，第三喷嘴头432的IPA喷出口432a作为在基板W的上表面形成IPA的液膜90的液膜形成部而发挥作用。
接着，对加热部60的加热器62进行通电。由此，使加热部60升温，利用加热部60的热对基板W进行加热(步骤S55)。于是，IPA的液膜90之中，与基板W的上表面接触的下层部分也被加热。接着，液膜90的所述下层部分产生气化。其结果为，如图11所示，在基板W的上表面与液膜90之间，形成IPA的蒸气层91。
接着，打开垂直吹出用阀436b。于是，从第三喷嘴头432的垂直吹出口432b向基板W的上表面中央吹附氮气。由此，如图12所示，液膜90的中央形成开口。即，在基板W的上表面的中央，初始形成已去除IPA的干燥区域92(步骤S56)。即，在本实施方式中，第三喷嘴头432的垂直吹出口432b及与垂直吹出口432b连接的供气部作为初始形成干燥区域92的第一干燥部而发挥作用。
接着，打开倾斜吹出用阀436c。于是，从第三喷嘴头432的倾斜吹出口432c向基板W的上表面，向外并且向斜下方吹附氮气。由此，在步骤S56中初始形成的干燥区域92如图13所示逐渐扩大(步骤S57)。其结果为，从基板W的上表面去除IPA，基板W干燥。即，在本实施方式中，第三喷嘴头432的倾斜吹出口432c及与倾斜吹出口432c连接的供气部作为使干燥区域92扩大的第二干燥部而发挥作用。
当从基板W的上表面去除IPA后，关闭垂直吹出用阀436b及倾斜吹出用阀436c。由此，停止从第三喷嘴头432吹附氮气(步骤S58)。然后，通过第三喷嘴马达433的驱动，而使第三喷嘴头432从处理位置移动至退避位置(步骤S59)。
如上所述，本实施方式的处理单元102通过一边在基板W的上表面与有机溶剂的液膜90之间形成IPA的蒸气层91，一边从基板W的上表面中央使干燥区域92逐渐扩大，而去除液膜90。这样一来，在去除液膜90时，不易对形成于基板W的上表面的图案施加负担。因此，可以抑制伴随着干燥处理而产生的图案的倒塌。
返回至图8的流程图。当基板W的干燥处理结束时，解除多个夹盘销22对基板W的保持。接着，主搬运机器人103将处理后的基板W从基板保持部20取出，并搬出至腔室10的外部(步骤S6)。
＜4.关于干燥处理是否合格的判定＞
在所述步骤S5的干燥处理中，难以如预期地稳定地进行干燥区域92的形成及扩大。即，当对多个基板W依次进行处理时，在一部分基板W的干燥处理时，有时干燥区域92的位置、形状或数量不为所预期的状态。
例如，在所述步骤S55中，对基板W进行加热，在基板W的上表面与液膜90之间形成IPA的蒸气层91。这时，在液膜90中产生微细的气泡，由此，有时会在液膜90的一部分上产生开口。当在步骤S56的氮气的吹附之前在液膜90的一部分上产生开口时，基板W的上表面与液膜90之间的IPA的蒸气会从所述开口泄漏。于是，无法维持蒸气层91。
并且，在所述步骤S57中，通过吹附氮气，而使干燥区域92逐渐扩大。这时，也存在干燥区域92的形状变形，或产生多个干燥区域92的情况。
因此，本实施方式的处理单元102在步骤S5的干燥处理的期间，同时进行对基板W的上表面的拍摄图像进行监视，判定干燥区域92的状态是否正常的处理。以下，对所述判定处理进行说明。
＜4-1.步骤S55中的判定处理＞
首先，对所述步骤S55中的判定处理进行说明。在步骤S55中，判定在干燥区域92的初始形成(步骤S56)之前，液膜90上是否产生有开口。以下，说明第一方法及第二方法两种方法，作为所述判定处理的方法。
＜4-1-1.步骤S55中的判定处理(第一方法)＞
图14是表示步骤S55中的判定处理的第一方法的流程的流程图。
在图14的示例中，首先，获取参考图像Ir(步骤S711)。具体来说，在步骤S54中在基板W的上表面形成IPA的液膜90之后，摄像部70对基板W的上表面进行拍摄。通过所述拍摄，而获取刚形成液膜90后的基板W的上表面的图像作为参考图像Ir。图15是表示在步骤S711中所获取的参考图像Ir的示例的图。所获得的参考图像Ir是从摄像部70输入至控制部80，并存储至控制部80内的存储部83。
当步骤S55中的基板W的加热开始后，摄像部70以规定的时间间隔(例如每隔0.1秒)反复拍摄基板W的上表面。由此，反复获取加热开始后的基板W的上表面的拍摄图像Is(步骤S712)。图16是表示步骤S712中所获取的拍摄图像Is的示例的图。所获得的拍摄图像Is是从摄像部70输入至控制部80，并存储至控制部80内的存储部83。
接着，控制部80生成所述参考图像Ir与所获得的拍摄图像Is的差分图像Id(步骤S713)。具体来说，针对每个像素，算出参考图像Ir中所含的各像素的亮度值与拍摄图像Is中所含的各像素的亮度值的差分值，将由所算出的差分值构成的图像设为差分图像Id。
图17是表示基于图15的参考图像Ir及图16的拍摄图像Is而生成的差分图像Id的示例的图。在差分图像Id中，在参考图像Ir与拍摄图像Is之间，不变化的部分的亮度值大致为0，只在已变化的部分出现亮度值。因此，当液膜90上产生有开口93时，差分图像Id的所述部分的亮度值成为0以外的数值。
控制部80针对摄像部70所反复拍摄的多个拍摄图像Is，依次生成如上所述的差分图像Id。
然后，控制部80使依次获得的差分图像Id分别二进制化(步骤S714)。具体来说，将差分图像Id的各像素的亮度值，以预先设定的基准值为界限而二进制化为0或规定值。接着，在二进制化后的差分图像Id中，算出亮度值已达所述规定值的部分的面积(以下称为“差分面积”)。并且，控制部80对所算出的差分面积与预先设定的阈值进行比较(步骤S715)。接着，当差分面积未达阈值时，控制部80判定为液膜90上未产生开口93(步骤S716)。另一方面，当差分面积为阈值以上时，控制部80判定为液膜90上产生有开口93(步骤S717)。
在步骤S717中，判定为液膜90上产生有开口93时，控制部80发出警报而通知用户处于异常。警报例如既可以是警告灯的发光，也可以是语音或警报音的发报，还可以将消息显示于画面。
＜4-1-2.步骤S55中的判定处理(第二方法)＞
图18是表示步骤S55中的判定处理的第二方法的流程的流程图。
在图18的示例中，当步骤S55中的基板W的加热开始后，摄像部70以规定的时间间隔(例如每隔0.1秒)反复拍摄基板W的上表面。由此，反复获取加热开始后的基板W的上表面的拍摄图像Is(步骤S721)。所获得的拍摄图像Is是从摄像部70输入至控制部80，并存储至控制部80内的存储部83。
其次，控制部80对所获得的多个拍摄图像Is分别进行空间方向上的滤波处理。由此，生成多个空间滤波图像(步骤S722)。在空间方向上的滤波处理中，例如，可使用公知的平均滤波(averaging filter)处理或高斯滤波(Gaussian filter)处理。平均滤波处理是将图像中所含的各像素的亮度值，替换成包含所述像素的固定范围的像素的亮度值的平均值的处理。并且，高斯滤波处理是将图像中所含的各像素的亮度值，替换成以基于高斯分布的比率反映出周边像素的亮度值的值的处理。
并且，控制部80对所获得的多个拍摄图像Is分别进行时间方向上的滤波处理。由此，生成多个时间滤波图像(步骤S723)。具体来说，将各拍摄图像Is的各像素的亮度值，替换成反映出在其前后获取到的拍摄图像Is的同一坐标的亮度值的值。例如，将拍摄图像Is的各像素的亮度值，替换成包含所述拍摄图像Is在内的多个拍摄图像的同一坐标的亮度值的平均值。或者，将拍摄图像Is的各像素的亮度值，替换成以基于高斯分布的比率反映出在其前后获取到的拍摄图像Is的亮度值的值。所反映出的前后的拍摄图像Is的数量既可以是一个，也可以是两个以上。
滤波处理后的空间滤波图像及时间滤波图像均比滤波处理前的拍摄图像Is更为平滑。因此，拍摄图像Is中所含的细微噪声(noise)被去除。但是，当液膜90上产生有开口93时，在所述部分，在空间滤波图像与时间滤波图像之间，会产生大的亮度值的差。
接着，控制部80生成所述空间滤波图像与时间滤波图像的差分图像(步骤S724)。具体来说，针对每个像素算出空间滤波图像中所含的各像素的亮度值与时间滤波图像中所含的各像素的亮度值的差分值，将由所算出的差分值构成的图像设为差分图像。
控制部80针对摄像部70所反复拍摄的多个拍摄图像，依次生成这种差分图像。
然后，控制部80使依次获得的差分图像分别二进制化(步骤S725)。具体来说，将差分图像的各像素的亮度值，以预先设定的基准值为界限而二进制化为0或规定值。接着，在二进制化后的差分图像中，算出亮度值已达所述规定值的部分的面积(以下称为“差分面积”)。并且，控制部80对所算出的差分面积与预先设定的阈值进行比较(步骤S726)。接着，当差分面积未达阈值时，控制部80判定为液膜90上未产生开口93(步骤S727)。另一方面，当差分面积为阈值以上时，控制部80判定为液膜90上产生有开口93(步骤S728)。
在所述第二方法中，基于滤波图像彼此的差分图像，判定开口93的有无。因此，与所述第一方法相比，不易受到图像的局部或暂时的噪声的影响。因此，能够更稳定地判定液膜90上是否产生有开口93。
在步骤S728中，判定为在液膜90上产生有开口93时，控制部80发出警报而通知用户处于异常。警报例如既可以是警告灯的发光，也可以是语音或警报音的发报，还可以将消息显示于画面。
＜4-2.步骤S57中的判定处理＞
其次，对所述步骤S57中的判定处理进行说明。在步骤S57中，通过吹附氮气，而使干燥区域92逐渐扩大，判定此时的干燥区域92的形状是否为规定的形状。以下，说明第一方法及第二方法两种方法，作为所述判定处理的方法。
＜4-2-1.步骤S57中的判定处理(第一方法)＞
图19是表示步骤S57中的判定处理的第一方法的流程的流程图。
在图19的示例中，当步骤S57中的氮气的吹附开始后，摄像部70以规定的时间间隔(例如每隔0.1秒)反复拍摄基板W的上表面。由此，反复获取氮气的吹附开始后的基板W的上表面的拍摄图像Is(步骤S811)。所获得的拍摄图像Is是从摄像部70输入至控制部80，并存储至控制部80内的存储部83。
其次，控制部80生成所获得的多个拍摄图像Is的前后差分图像In(步骤S812)。图20是概念性地表示前后差分图像In的生成的状况的图。图20中的两个拍摄图像Is1、拍摄图像Is2是摄像部70连续地拍摄所得的图像。在步骤S812中，利用如上所述的两个拍摄图像Is1、拍摄图像Is2，生成一个前后差分图像In。具体来说，针对每个像素，算出拍摄图像Is1中所含的各像素的亮度值与拍摄图像Is2中所含的各像素的亮度值的差分值。接着，将由所算出的差分值构成的图像设为前后差分图像In。
在前后差分图像In中，在两个拍摄图像Is1、拍摄图像Is2之间不变化的部分的亮度值大致为0，只在已变化的部分出现亮度值。因此，在通过吹附氮气，而使干燥区域92正常扩大的情况下，如图20所示，在前后差分图像In中，会出现相当于干燥区域92的周缘部的闭合曲线C。
控制部80针对摄像部70所反复拍摄的多个拍摄图像Is，依次生成这种前后差分图像In。
接着，控制部80算出所生成的前后差分图像In中所产生的闭合曲线C的圆形度R(步骤S813)。圆形度R例如是基于闭合曲线C的长度L及闭合曲线C的内部的面积S而算出。具体来说，作为表示圆形度R的式子，在公知的下式(1)中代入长度L及面积S。
R＝4πS/L^2(1)
接着，控制部80对所算出的圆形度R与预先设定的阈值进行比较(步骤S814)。接着，当圆形度R未达阈值时，控制部80判定为干燥区域92的形状为异常(步骤S815)。另一方面，当圆形度R为阈值以上时，控制部80判定为干燥区域92的形状为正常(步骤S816)。
再者，通过所述式(1)而算出的圆形度R表示成为评估对象的图形何种程度接近于正圆。即，通过式(1)而算出的圆形度R在成为评估对象的图形为正圆时为1，越偏离于正圆，值越小。在这里，如本实施方式所述，当摄像部70倾斜地拍摄基板W的上表面时，正常时的前后差分图像In中所出现的闭合曲线C并非正圆而为椭圆。因此，即使在正常时，圆形度R也为小于1的值。但是，当干燥区域92的形状紊乱时，前后差分图像In中所出现的闭合曲线C则变为圆形度R比所述椭圆更进一步低的形状。因此，即使在拍摄方向倾斜的情况下，也可以使用所述式(1)，判定干燥区域92的状态是否正常。
在步骤S815中，判定为干燥区域92的形状为异常时，控制部80发出警报而通知用户处于异常。警报例如既可以是警告灯的发光，也可以是语音或警报音的发报，还可以将消息显示于画面。
＜4-2-2.步骤S57中的判定处理(第二方法)＞
图21是表示步骤S57中的判定处理的第二方法的流程的流程图。
在图21的示例中，当开始步骤S57中的氮气的吹附时，摄像部70以规定的时间间隔(例如每隔0.1秒)反复拍摄基板W的上表面。由此，反复获取氮气的吹附开始后的基板W的上表面的拍摄图像Is(步骤S821)。所获得的拍摄图像Is是从摄像部70输入至控制部80，并存储至控制部80内的存储部83。
其次，控制部80依次生成所获得的多个拍摄图像Is的前后差分图像In(步骤S822)。前后差分图像In的生成只要与所述第一方法中的步骤S812同样地进行即可。当干燥区域92正常扩大时，如图20所示，在前后差分图像In中，会出现一个闭合曲线C。
接着，控制部80对所生成的前后差分图像In中所产生的闭合曲线C的数量进行计数(步骤S823)。接着，对闭合曲线C的数量与预先设定的阈值进行比较(步骤S824)。阈值例如只要设为2即可。接着，当闭合曲线C的数量未达阈值时，控制部80判定为干燥区域92的数量为正常(步骤S825)。另一方面，当闭合曲线C的数量为阈值以上时，控制部80判定为干燥区域92的数量为异常(步骤S826)。
在步骤S826中，判定为干燥区域92的数量为异常时，控制部80发出警报而通知用户处于异常。警报例如既可以是警告灯的发光，也可以是语音或警报音的发报，还可以将消息显示于画面。
＜4-3.总结＞
如以上所述，在所述处理单元102中，在步骤S5的干燥处理的执行过程中，反复拍摄基板W的上表面。接着，基于所获得的多个拍摄图像Is，可以定量地判定干燥区域92的初始形成及扩大的状态是否正常。因此，用户可以基于判定结果，适当地掌握依次处理的各基板W的干燥是否已正常进行，当异常时可以进行必要的处置。
＜5.变形例＞
以上，已对本发明的一个实施方式进行说明，但是本发明并不限定于所述实施方式。
在所述实施方式中，是通过对基板W吹附氮气来进行干燥区域92的初始形成。但是，干燥区域92的初始形成也可以通过对基板W的中央附近进行加热来进行。只要通过所述加热，而使液膜90的中央附近产生气化，初始形成干燥区域92即可。
并且，在所述实施方式中，是通过对基板W吹附氮气，而进行干燥区域92的扩大。但是，干燥区域92的扩大也可以通过使基板W的加热区域逐渐扩大来进行。只要通过所述加热区域的扩大，而使得液膜90从中央附近向外侧依次气化，从而使干燥区域92扩大即可。
再者，即使在基板W的上表面与液膜90之间未形成蒸气层91的情况下，也可以应用本发明。
图22是表示可应用本发明的干燥处理的一个变形例的图。在图22的示例中，只在基板W的中央附近的下侧，配置有加热部60。当进行干燥处理时，首先，利用加热部60，对基板W的中央附近进行加热。由此，使形成于基板W的上表面的液膜90的中央附近产生气化，而在基板W的上表面中央，初始形成干燥区域92。然后，通过从第三喷嘴头432吹附氮气，而使干燥区域92扩大。
图23是表示可应用本发明的干燥处理的另一个变形例的图。在图23的示例中，在基板W的下侧，呈同心圆状配置有直径不同的多个圆环状的加热部60。当进行干燥处理时，首先，通过从第三喷嘴头432吹附氮气，而在基板W的上表面中央，初始形成干燥区域92。然后，从中央的加热部60起依次进行通电，直到外侧的加热部60为止。由此，使基板W的加热区域逐渐扩大。其结果为，干燥区域92扩大。
图24是表示可应用本发明的干燥处理的另一个变形例的图。在图24的示例中，在基板W的下侧，呈同心圆状配置有直径不同的多个圆环状的加热部60。当进行干燥处理时，首先，利用中央的加热部60，对基板W的中央附近进行加热。由此，使形成于基板W的上表面的液膜90的中央附近产生气化，而在基板W的上表面中央，初始形成干燥区域92。然后，从中央的加热部60起依次进行通电，直到外侧的加热部60为止。由此，使基板W的加热区域逐渐扩大。其结果为，干燥区域92扩大。
并且，在所述实施方式中，在基板W的上表面的中央初始形成有干燥区域92。但是，初始形成干燥区域92的位置也可以是基板W的上表面之中偏离于中央的位置。
并且，在所述实施方式中，是将IPA用于形成液膜90的液体。但是，形成液膜90的液体也可以是IPA以外的有机溶剂。并且，形成液膜90的液体也可以是有机溶剂以外的处理液(例如纯水)。
并且，在所述实施方式中，是使用氮气作为吹附至基板W的气体。但是，吹附至基板W的气体也可以是氮气以外的惰性气体(例如氩气)。
并且，在所述实施方式中，控制部80具备对处理单元102的各部进行运行控制的功能、及作为判定干燥区域92的状态的判定部的功能两者。但是，用于对处理单元102的各部进行运行控制的控制部与用于判定干燥区域92的状态的判定部也可以是分别不同的计算机。
并且，在所述实施方式中，成为处理对象的基板W是半导体用的硅晶片。但是，在本发明中成为处理对象的基板并不限定于硅晶片，也可以是液晶显示装置等平板显示器用的玻璃基板、光掩模用的玻璃基板、太阳能电池用的玻璃基板等其它精密电子装置用的基板。
并且，关于基板处理装置的细部的形状，可以与本申请的各附图中所示的形状不同。并且，也可以将所述实施方式或变形例中所出现的各要素，在不产生矛盾的范围内适当加以组合。

Claims (24)

1.一种判定方法，在执行干燥处理的装置中，判定所述干燥处理是否合格，所述干燥处理是在水平地保持着的基板的上表面形成液膜，使被去除所述液膜的干燥区域逐渐扩大的处理，所述判定方法的特征在于，包括：
工序a)在所述干燥处理的执行过程中，反复拍摄所述基板的上表面；以及
工序b)基于通过所述工序a)而获取到的多个拍摄图像，判定所述干燥区域的状态是否正常。
2.根据权利要求1所述的判定方法，其特征在于，
所述工序b)包括：
工序c)在所述干燥区域的初始形成之前，判定所述液膜上是否产生有开口。
3.根据权利要求2所述的判定方法，其特征在于，
所述工序c)包括：
工序c-11)生成刚形成所述液膜后的所述基板的图像即参考图像、与所述拍摄图像的差分图像；以及
工序c-12)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
4.根据权利要求2所述的判定方法，其特征在于，
所述工序c)包括：
工序c-21)对所述拍摄图像进行空间方向上的滤波处理，生成空间滤波图像；
工序c-22)对所述拍摄图像进行时间方向上的滤波处理，生成时间滤波图像；
工序c-23)生成所述空间滤波图像与所述时间滤波图像的差分图像；以及
工序c-24)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
5.根据权利要求1所述的判定方法，其特征在于，
所述工序b)包括：
工序d)判定所述干燥区域扩大时的形状是否为规定的形状。
6.根据权利要求5所述的判定方法，其特征在于，
所述工序d)包括：
工序d-11)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；
工序d-12)算出所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的圆形度；以及
工序d-13)当所述圆形度未达预先设定的阈值时，判定为异常。
7.根据权利要求5所述的判定方法，其特征在于，
所述工序d)包括：
工序d-21)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；
工序d-22)对所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的数量进行计数；以及
工序d-23)当所述闭合曲线的数量为预先设定的阈值以上时，判定为异常。
8.根据权利要求1所述的判定方法，其特征在于，
在所述干燥处理中，所述干燥区域的初始形成是通过对所述基板吹附气体来进行。
9.根据权利要求1所述的判定方法，其特征在于，
在所述干燥处理中，所述干燥区域的初始形成是通过所述基板的规定的位置的加热来进行。
10.根据权利要求1所述的判定方法，其特征在于，
在所述干燥处理中，所述干燥区域的扩大是通过对所述基板吹附气体来进行。
11.根据权利要求1所述的判定方法，其特征在于，
在所述干燥处理中，所述干燥区域的扩大是通过使所述基板的加热区域逐渐扩大来进行。
12.根据权利要求8或10所述的判定方法，其特征在于，
所述干燥处理包括：
工序x)对所述基板进行加热，在所述基板的上表面与所述液膜之间形成蒸气层；
工序y)在所述工序x)之后，对所述基板的上表面中央吹附气体，初始形成所述干燥区域；以及
工序z)在所述工序y)之后，对所述基板的上表面进一步吹附气体，扩大所述干燥区域。
13.一种基板处理装置，其特征在于包括：
基板保持部，水平地保持基板；
液膜形成部，在所述基板保持部所保持的基板的上表面形成液膜；
第一干燥部，在所述基板的上表面的规定的位置上，初始形成被去除所述液膜的干燥区域；
第二干燥部，使所述干燥区域逐渐扩大；
摄像部，反复拍摄所述基板的上表面；以及
判定部，基于所述摄像部所获取到的多个拍摄图像，判定所述干燥区域的状态是否正常。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述判定部执行：
处理c)在所述干燥区域的初始形成之前，判定所述液膜上是否产生有开口。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理c)包括：
处理c-11)生成刚形成所述液膜之后的所述基板的图像即参考图像与所述拍摄图像的差分图像；以及
处理c-12)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理c)包括：
处理c-21)对所述拍摄图像进行空间方向上的滤波处理，生成空间滤波图像；
处理c-22)对所述拍摄图像进行时间方向上的滤波处理，生成时间滤波图像；处理c-23)生成所述空间滤波图像与所述时间滤波图像的差分图像；以及
处理c-24)当所述差分图像中的差分面积达到预先设定的阈值以上时，判定为产生有所述开口。
17.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述判定部执行：
处理d)判定所述干燥区域扩大时的形状是否为规定的形状。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理d)包括：
处理d-11)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；
处理d-12)算出所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的圆形度；以及
处理d-13)当所述圆形度未达预先设定的阈值时，判定为异常。
19.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理d)包括：
处理d-21)依次生成所述多个拍摄图像的前后差分图像；
处理d-22)对所述前后差分图像中所产生的闭合曲线的数量进行计数；以及
处理d-23)当所述闭合曲线的数量为预先设定的阈值以上时，判定为异常。
20.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一干燥部通过对所述基板吹附气体，而初始形成所述干燥区域。
21.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一干燥部是通过对所述基板的所述规定的位置进行加热，而初始形成所述干燥区域。
22.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二干燥部通过对所述基板吹附气体，而使所述干燥区域扩大。
23.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二干燥部通过使所述基板的加热区域逐渐扩大，而使所述干燥区域扩大。
24.根据权利要求20或22所述的基板处理装置，其特征在于还包括：
加热部，对所述基板进行加热；并且
通过所述加热部对基板的加热，而在所述基板的上表面与所述液膜之间形成蒸气层。
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