CN109844174B - Cvd反应器和清洁cvd反应器的方法 - Google Patents

Cvd反应器和清洁cvd反应器的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种清洁方法和CVD反应器，其具有用于把过程气体导入在过程室盖(19)和基座(2)之间布置的过程室(21)中的进气机构(1)，其中进气机构(1)包括至少一个金属组件(20)；至少一个会与过程气体发生接触尤其由不锈钢制成的金属表面。金属表面具有防止其表面金属组份由于一个或者多个反应气体而剥离的钝化层。冷却通道(14,17)被布置使得钝化层在清洁步骤时被加热最大至100℃的第二温度，在清洁步骤时氯气作为清洁气体被导入过程室(21)并且基座(2)被加热至至少700℃的第一温度，其中钝化层伴随有机金属化合物与金属表面的金属原子的化学反应构成，并且清洁气体入口(6)布置使得清洁气体与具有钝化层的金属表面发生接触。钝化层在调制步骤中产生，在调制步骤时在第一处理时长首先将有机金属化合物连同载体气一起输入过程室(21)中，接着在第二处理时长将空气与金属组件接触。

Description

CVD反应器和清洁CVD反应器的方法
技术领域
本发明涉及一种CVD反应器，其具有可由加热装置加热的基座，所述基座用于容纳一个或者多个待涂层的基片，具有进气机构，所述进气机构用于把过程气体导入布置在过程室盖和基座之间的过程室中，其中，进气机构包含至少一个金属组件、尤其不锈钢组件，其具有至少一个与过程气体发生接触的金属表面、尤其不锈钢表面、至少一个用于冷却所述进气机构的冷却通道、至少一个由过程气体输入管供料的、用于把具有一个或者多个反应气体的过程气体导入过程室中的过程气体入口和由清洁气体输入管供料的、用于把清洁气体导入过程室中的清洁气体入口。
本发明还涉及一种清洁CVD反应器的过程室的方法，其中，在清洁步骤中，通过把清洁气体导入过程室中，使得在至少一个第一沉积步骤时通过把至少一个第一反应气体导入反应室中而在基座的表面上构成的沉淀物通过在第一温度下与清洁气体的化学反应被转化成挥发性的成份，所述第一温度是被升高的温度，所述挥发性的成份借助载体气从过程室运出，其中，所述过程室具有至少一个不锈钢组件，其具有至少一个与过程气体发生接触的金属表面、尤其不锈钢表面、至少一个用于冷却所述进气机构的冷却通道、至少一个由过程气体输入管供料的、用于把一个或者多个反应气体导入过程室中的过程气体入口和由清洁气体输入管供料的、用于把清洁气体导入过程室中的清洁气体入口。
背景技术
由文献DE 10 2015 101 462 A1已知一种CVD反应器，其中，借助进气机构把第III(第三)主族的有机金属化合物和第V(第五)主族的氢化物相互隔离地供应到过程室中。过程室具有底部，底部由基座构成，基片放置在基座上，利用这两种过程气体的反应产物对所述基片进行涂层，即例如用GaN或者其他三-五族半导体进行涂层。在此，过程气体在过程室内部的热的表面上分解，即不仅在基片上，而且还在基片之间留出的空隙上。在此的沉淀物必须时不时地、尤其在每个制造循环之后被清洁。为此，通过独立的进气口把清洁气体输入过程室中。清洁气体优选是氯，其连同氮气被导入过程室中。在过程室中，借助该腐蚀气体在更高的温度下、例如在高于600℃的温度下，沉淀物转化成挥发性的化合物，所述挥发性的化合物借助载体气从过程室去除。
在未提前公开的文献DE 10 2016 114 183中记载了一种方法，说明如何通过在过程室内部对不锈钢构件施加有机金属化合物和接着施加环境空气使其表面配设钝化层。该钝化层具有的特性是，防止在沉积步骤的情况下金属原子从不锈钢表面释放并且结合到待沉积的层中。在不锈钢构件也被加热到更高的温度的清洁步骤时，钝化层被去除，使得在清洁步骤之后必须再次敷设钝化层。这被视为是不利的。
现有技术还包括文献WO 2013/033428 A2，其中说明了一种清洁方法，该清洁方法用于清洁MOCVD反应器的过程室。在该文献中，清洁板应抵近设计为淋浴头的进气机构。在此应构成环形间隙，有气体流过该环形间隙，以构成扩散屏障并且防止清洁气体与淋浴头的排气面接触。
文献US 6,060,397记载了一种用于在使用N2、C2F6和O2的情况下清洁CVD反应器的过程室的方法，其中，利用等离子发生器由这些清洁气体生成等离子体。
文献US 2011/0162674 A1记载了一种方法，用于从CVD反应器的过程室去除TiN残留。在此，使用氯气作为清洁气体，其利用等离子发生器被活化为腐蚀性等离子体。
文献US 2012/0171797 A1说明了一种用于沉积GaN或者AlGaN层以制造发光二极管的装置和方法。环戊二烯基镁(Cyklopentadienylmagnesium)被用作掺杂物。
文献US 2013/0005118 A1说明了一种用于在使用MOCVD反应器的情况下沉积三五族层的方法，该MOCVD反应器在一个沉积步骤之后通过导入氯气被清洁，其中，过程室的清洁在温度升高的情况下进行。
由文献US 2016/0020071已知一种ALD方法，其中，相互交替地将不同的气体引入过程室中，其中，在基片上分别仅沉积一个单层。两个相继沉积的不同的单层应相互反应。利用这种方法也应将过程室的金属表面钝化，其中，首先把含有铝的有机原料引入过程室中，并且接着将氧施主(Sauerstoffspender)引入过程室中，使得在反应中构成氧化铝。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，改进针对使用MOCVD反应器的情况用于清洁CVD反应器的已知的清洁方法，其中，经受清洁气体的金属表面在调制步骤中配设钝化层，本发明还要给出一种可用于此的CVD反应器。
上述技术问题通过在权利要求中给出的本发明解决，其中，从属权利要求不仅是并列权利要求的有利改进设计方案，而且也是上述技术问题的独立的解决方案。
按照本发明，使用一种CVD反应器，其中，与过程气体发生接触的金属表面被配设钝化层。不具有钝化层的金属表面在其表面上具有金属原子，所述金属原子会与反应气体之一发生反应性接触，使得这些金属原子剥离。这可以利用钝化层防止。金属组件尤其是由多种金属元素构成的合金。该合金尤其含有铁。该合金尤其是不锈钢。没有配设钝化层的不锈钢表面在其表面上既具有铁原子也具有铬原子。对于一些在三五族层沉积和尤其杂化的三五族层沉积时使用的有机金属化合物，在金属表面、尤其不锈钢表面上发生有机金属化合物与那里的金属原子的化学反应，通过所述化学反应，金属原子从表面脱离并且作为有机金属化合物进入过程室内部的气相中。这样从合金的表面、尤其不锈钢表面剥离出的金属、尤其铁会以不期望的方式结合到待沉积在基片上的层中。因此，按照本发明，为与过程气体发生接触的金属组件或者不锈钢组件配设钝化层，该钝化层至少妨碍这种剥离过程。在用于金属表面、尤其不锈钢表面钝化的优选的方法中，未被处理的然而被清洁的不锈钢表面以确定的处理时长被施加的气态的有机金属化合物。该第一处理时间在合适的温度、例如升高的温度的情况下进行，在该第一处理时间期间所述金属原子被有机金属化合物的金属原子、尤其铁原子替换，有机金属化合物优选是Cp2Mg。在第二步骤中，被这样预处理后的金属表面、尤其不锈钢表面经受环境空气，使得在该表面上可以构成氧化镁、氢氧化镁或者碳酸镁。为了避免在清洁基座时该钝化层被腐蚀，进气机构被这样冷却，即金属组件、尤其不锈钢组件的经受清洁气体的表面超过最大温度。替代这种、尤其有机金属的钝化层或者由氧化物组成的钝化层地也可以规定，利用金属层对金属表面进行涂层，尤其涂镍或者涂铬。该金属层可以电镀地敷设。但是也可以气化渗镀。涂层优选由铬或者镍制成。但是该涂层也可以由贵金属构成。配设有钝化层的金属组件、尤其不锈钢组件优选达到最大100℃的温度，特别优选最大70℃的温度。清洁步骤在至少600℃的温度的情况下进行。优选地，过程室在清洁步骤时加热至至少700℃。在按照本发明的CVD反应器的情况下，进气机构具有至少一个金属组件、尤其不锈钢组件。该金属组件、尤其不锈钢组件可以具有电解抛光的表面。在电解抛光的情况下，使得该表面基本上优选变得平滑，使得表面的有效尺寸被减小。该金属组件、尤其不锈钢组件具有用于冷却进气机构的冷却通道和面向过程室的表面。用于把一个或者多个反应气体导入过程室中的过程气体入口处于该金属组件、尤其不锈钢组件的面向过程室的表面中，一个或者多个反应气体在上述三五族层沉积时用作原料。金属组件、尤其不锈钢组件还具有用于把清洁气体导入过程室中的清洁气体入口。清洁气体可以是氯气。也可以是其分子具有卤素的气体。一个或者多个过程气体入口与一个或者多个过程气体输入管连通，使得能相互独立地将不同的过程气体输入过程室中，这些气体在过程室内部才混合。进气机构可以布置在围绕轴线旋转对称地设计的过程室的中部，使得过程气体沿径向运动经过过程室。进气机构具有沿竖直方向延伸的用于过程气体的排出的排气孔。从进气机构排出的过程气体穿流在两个壁之间的过程室，其中，一个壁由基本上处于水平面中的基座构成，一个相对于此平行的壁由过程室盖构成。清洁气体的输入通过清洁气体入口进行，清洁气体入口优选配属于过程室盖。清洁气体入口可以以均匀的圆周分布围绕进气机构布置，其中，环形区域可以直接与进气机构相邻，在该环形区域中布置有所述清洁气体入口。优选地，定向的清洁气体流从清洁气体入口流到过程室中。为此，清洁气体入口或者通过清洁气体入口定义流动方向的轴线相对于横向于流动方向定向的另外的轴线具有角度，其中，在这两个轴线之间的角度在0至60度之间。从清洁气体入口排出的清洁气流因此具有从进气机构向外指向的流动方向分量。若从进气机构流出的过程气体流沿水平方向定向，则清洁气体入口相对于竖直轴线倾斜0至60度，其中优选的是，该倾角大于0度并且这样选择，使得尽可能不构成清洁气体向进气机构的方向回输的涡流。进气机构也可以具有淋浴头的形状。在此情况中，进气机构构成过程室盖并且具有多个均匀地布置在过程室盖上的进气口，一个或者多个过程气体通过该进气口能进入过程室中。在两种情况中，至少一个冷却通道这样布置和这样被冷却剂流通，使得进气机构的面向过程室的表面不比100℃更热。优选最大3nm厚的钝化层在至少一个调制步骤中被施加，其中，每个调制步骤具有两个子步骤，即第一步骤和第二步骤，在第一步骤时，有机金属化合物连同载体气一起被输入，在第二步骤时，空气或者与空气相似的混合气被导入过程室，或者仅将过程室打开，使得空气或者与空气相似的混合气可以作用到金属组件、尤其不锈钢组件上。在所有这些子步骤之间都可以规定冲洗步骤。多个调制步骤的单个的调制步骤也可以分别通过冲洗步骤相互在时间上隔离。在为了调制金属表面、尤其不锈钢表面而把有机金属化合物施加到金属表面、尤其不锈钢表面上期间，该表面可以被加热到大于40℃的温度。作为用于金属组件的金属不仅考虑合金、例如不锈钢，也考虑其他的、尤其含有铁的合金，但是也可以考虑这些合金，其适于应用在CVD反应器中，例如有色金属合金，如青铜、黄铜等等。按照本发明的改进设计方案，钝化层也可以在清洁步骤、即氯的导入的同时而产生。已经存在的钝化层也可以在清洁步骤中被稳定化。清洁气体入口被这样地布置，即清洁气体与金属表面或者钝化层在清洁步骤时出现接触。但是与钝化层不进行化学反应。钝化层伴随有机金属成分与金属表面的化学反应产生。
附图说明
下面根据附图进一步阐述本发明的实施例。附图中：
图1示出剖切CVD反应器的局部剖视图，
图2同样示出局部剖视图并且其中画出在清洁步骤时的180°等温线。
具体实施方式
前述种类的CVD反应器基本上由文献DE 10 2015 101 462 A1和其中所述的和尤其引用的文献已知。
该CVD反应器具有相对于外部气密的壳体，该壳体借助真空泵可抽真空。过程室21处于该壳体内部。过程室21具有过程室底部，过程室底部通过由被涂层的石墨构成的基座2构成。在基座2上布置多个基片4，基片4在CVD沉积过程中用例如由GaN构成的三五族层涂层。
加热器3处于基座2下方，加热器3把基座2的面向过程室21的表面加热至过程温度，该过程温度可以在700℃至1200℃的范围中。
进气机构1处于过程室21的中部，进气机构具有不锈钢组件。进气机构1是基本上筒形的物体，其具有布置在筒外壁上的出气口8、10、12，用于把不同的反应气体、例如有机金属化合物和氢化物从进气机构1的内部导入包围该进气机构1的过程室21中。直接在基座2上方通入过程室21的进气口8由过程气体输入管7供料。直接在过程室盖19下方布置的入口12由过程气体输入管11供料。位于进气口8与入口12之间的进气口10由过程气体输入管9供料。进气机构1的具有过程气体入口8、10、12的部段的外表面是不锈钢表面，该不锈钢表面被配设钝化层。钝化层在第一CVD沉积步骤之前被敷设。
冷却腔17处于过程气体入口8的下方，冷却剂、例如水通过冷却剂输入管16供应到冷却腔中，冷却剂通过冷却剂导出管18从冷却通道17流出。
所述冷却通道17布置在基座2的区域中，另外的冷却通道14布置在过程室盖19的区域中。该冷却通道14被冷却剂输入管13供料。冷却剂通过冷却剂导出管15离开冷却通道14。
相对于布置在筒表面上的过程气体入口8、10、12以外围布置的方式在过程室盖19的区域中设置用于供应清洁气体的装置。环形的清洁气体分布室22被清洁输入管5供料。清洁气体可以通过清洁气体入口6从环形室流入过程室21中。清洁气体入口6布置在过程室盖19的区域中。清洁气体入口6处于圆形的区域中，该区域直接邻接进气机构1。清洁气体入口6产生朝过程室21定向的气流，其中，该气流具有从进气机构1向外指向的流动方向分量。基座2和过程室盖19在共同的平面、尤其水平面中延伸。相对于该平面的面法线就是垂直轴线。清洁气体入口6具有轴线，该轴线相对于面法线、即优选相对于垂直轴线以锐角定向。清洁气体入口6的轴线相对于该横向于从进气机构1排出的过程气体的流动方向延伸的轴线的角度约为0至60度。优选的角度为约25度。以均匀的角度分布围绕过程室的中轴线布置的清洁气体入口6优选产生流体，所述流体沿假想的截锥面从过程室盖的出气区域排出。
在进气机构1初次投入运行之前，进气机构1的不锈钢表面被钝化。若在过程室中还设置有会与过程气体发生接触的其他不锈钢表面，则这些不锈钢表面也被钝化。该钝化可以通过涂层进行。涂层可以是金属涂层、例如铬涂层或者镍涂层。据此，金属组件20可以被镀铬或者镀镍。不锈钢表面可以电解抛光，以便使表面更能抵抗氯侵蚀作用。下面说明用于产生钝化层的优选方法：
为了钝化，在第一步骤中将有机金属化合物、例如二茂镁(Magnesocen)输入过程室21中，使得二茂镁与不锈钢表面发生接触。在第二步骤中，在冲洗过程室21之后将环境空气导入过程室中，或者打开过程室，使得环境空气能与不锈钢表面发生接触。该步骤序列分别连同位于其间的冲洗步骤多次重复，直至构成足够厚的或者充分封闭的钝化层。在调制时，在过程室21中没有基片4。
在调制之后基片4被引入过程室21。然后用已知方式将三五族层序列沉积到基片4上。
在沉积过程终结和把基片从过程室21取出之后，过程室被清洁。
为了清洁过程室21，将由氯气和氮气构成的混合物通过清洁气体输入管5和清洁气体入口6输入过程室21中。借助加热装置3将基座2加热至升高的、至少为700℃的第一温度。借助输入到冷却通道14、17中的，优选是水的冷却液，金属组件20的面向过程室21的表面被冷却至最大100℃、优选最大70℃的温度，金属组件20的面向过程室21的表面是进气机构1的侧面。氮气或者其他惰性气体导引通过过程气体输入管7、9、11，并且通过配属的过程气体入口8、10、12流入过程室21中。结果，在此产生的垂直的流截面特性构成在图2中虚线示出的等温线，其中，气相温度为100℃。
尽管从清洁气体入口6排出的氯气和所使用的惰性气体与金属组件20的表面发生接触。但是因为金属组件20的表面温度低于100℃，所以那里不进行清洁气体与被施加的钝化层之间的反应。
在清洁步骤期间处于气相的挥发性的金属氯化物也可以有助于钝化层的产生或者稳定化。
但是，基座2的面向过程室21的表面具有足够高的温度，使得在那里清洁气体化学地与沉积物反应，以构成能利用载体气运走的挥发性成份。
为了在过程室21中产生适合的温度特性，其中，在清洁步骤期间金属组件20的表面温度足够低，金属组件20的表面处于过程室21的两个被冷却的部段之间。在此，一个被冷却部段在位置方面配属于基座2。另一个被冷却的部段在位置方面配属于过程室盖19。金属组件20尤其具有第一端部部段和第二部段，第一端部部段被第一冷却装置冷却并且第二部段优选同样是端部部段，该端部部段同样被冷却。在这两个被冷却的部段之间延伸有进气面，进气面具有多个进气口8、10、12，其中，进气口8、10、12可以布置在筒侧面上或者也可以布置在圆盘面上。
上述实施方式用于阐述由本申请总体上包括的发明，该发明至少通过下述特征组合也分别单独地改进现有技术，即：
一种CVD反应器，其特征在于，至少一个金属表面具有钝化层，该钝化层防止该金属表面的金属组份由于一个或者多个反应气体而剥离，冷却通道14、17被这样布置，即所述钝化层在清洁步骤时被加热至最大100℃的第二温度，在清洁步骤时清洁气体被导入过程室21并且基座2被加热至至少700℃的第一温度。
一种方法，其特征在于，在第一沉积步骤前的调制步骤中，在金属表面上构成钝化层，所述钝化层具有的作用是，防止金属组份从金属表面由于至少一个反应气体而剥离，并且在清洁步骤时，金属表面的温度被冷却至第二温度，第二温度小于第一温度，在第二温度的情况下，清洁气体不以削弱钝化层作用的方式与钝化层反应。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，第一温度为至少700℃。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，第二温度小于100℃或者小于70℃。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，第二温度大于20℃。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，所述清洁气体含有VII主族的元素或者是氯气。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，钝化层具有<3nm的层厚。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，金属组件20由金属合金构成。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，金属组件20是不锈钢组件，金属表面是不锈钢表面并且金属组份是铁组份。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，钝化层在调制步骤中产生，在调制步骤时在第一处理时长首先将有机金属化合物连同载体气一起输入过程室21中并且接着在第二处理时长将具有氧气、水蒸汽和/或二氧化碳的气体或者混合气体与金属组件接触。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，为了产生钝化层，作为有机金属化合物使用Cp2Mg并且使用空气。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，钝化层是涂层、尤其金属涂层、金属涂层尤其由镍或者铬构成。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，金属组件(20)的表面被电解抛光并且尤其是经电解抛光的不锈钢表面。
一种CVD反应器或者一种方法，其特征在于，清洁气体入口(6)相对于横向于流动方向延伸的轴线、尤其垂直轴线以0至60度的、优选25度的角度(α)倾斜。
所有公开的特征(本身，或者相互组合地)都是发明本质。因此本申请的公开内容也包含附属的/所附的优先权文件(在先申请副本)的全部公开内容，目的也是将这些文件的特征也纳入本申请的权利要求中。从属权利要求利用其特征表征了对现有技术的独立的创造性的改进设计方案，尤其用于基于这些权利要求进行分案申请。
附图标记列表
1 进气机构
2 基座
3 加热装置
4 基片
5 清洁气体输入管
6 清洁气体入口
7 过程气体输入管
8 过程气体入口
9 过程气体输入管
10 过程气体入口
11 过程气体输入管
12 过程气体入口
13 冷却剂输入管
14 冷却通道
15 冷却剂导出管
16 冷却剂输入管
17 冷却通道
18 冷却剂导出管
19 过程室盖
20 金属组件
21 过程室
22 清洁分布室
α 角度

Claims (18)

1. 一种清洁CVD反应器的过程室(21)的方法，其中，在清洁步骤中，通过把清洁气体导入过程室(21)中，使得在至少一个第一沉积步骤时通过把至少一个第一反应气体导入过程室(21)中而在基座(2)的表面上构成的沉淀物通过在第一温度下与清洁气体的化学反应被转化成挥发性的成份，所述第一温度是被升高的温度，所述挥发性的成份借助载体气从过程室(21)运出，其中，所述过程室(21)具有至少一个金属组件(20)，所述金属组件具有至少一个与过程气体发生接触的金属表面、至少一个用于冷却进气机构(1)的冷却通道(14,17)、至少一个由过程气体输入管(7, 9, 11)供料的、用于把一个或者多个反应气体导入所述过程室(21)中的过程气体入口(8, 10, 12)和由清洁气体输入管(5)供料的、用于把清洁气体导入过程室(21)中的清洁气体入口(6)，其特征在于，在第一沉积步骤前的调制步骤中，在金属表面上构成钝化层，所述钝化层具有的作用是，防止金属组份从金属表面由于至少一个反应气体而剥离，并且在清洁步骤中，金属表面的温度被冷却至第二温度，第二温度小于第一温度，在第二温度的情况下尽管清洁气体与钝化层接触，但是不以削弱钝化层作用的方式与钝化层反应，其中，所述钝化层伴随有机金属化合物与金属表面的金属原子的化学反应构成，
其中，通过两个相继的步骤产生钝化层，在第一步骤中将有机金属化合物输入所述过程室(21)中，在第二步骤中，在冲洗所述过程室(21)之后将环境空气或者具有氧气、水蒸汽和/或二氧化碳的气体导入过程室中。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度为至少700℃。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二温度小于100℃并且大于20℃。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洁气体含有VII主族的元素。
5. 按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层具有< 3 nm的层厚。
6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属组件(20)由金属合金构成。
7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属组件(20)是不锈钢组件，所述金属表面是不锈钢表面并且所述金属组份是铁组份。
8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，钝化层在调制步骤中产生，在调制步骤中在第一处理时长首先将有机金属化合物连同载体气一起输入过程室(21)中并且接着在第二处理时长将具有氧气、水蒸汽或二氧化碳的气体与金属组件接触。
9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层在清洁步骤同时产生或被稳定化。
10.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层是金属涂层，所述金属涂层由镍或者铬构成。
11.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属组件(20)的表面被电解抛光和/或是经电解抛光的不锈钢表面。
12. 一种CVD反应器，其具有可由加热装置(3)加热的基座(2)，所述基座用于容纳一个或者多个待涂层的基片(4)，所述CVD反应器具有进气机构(1)，所述进气机构用于把过程气体导入布置在过程室盖(19)和基座(2)之间的过程室(21)中，其中，所述进气机构(1)包含至少一个金属组件(20)，所述金属组件配设有至少一个与过程气体发生接触的金属表面、至少一个用于冷却所述进气机构(1)的冷却通道(14, 17)、至少一个由过程气体输入管(7,9, 11)供料的、用于把具有一个或者多个反应气体的过程气体导入过程室(21)中的过程气体入口(8, 10, 12)和由清洁气体输入管(5)供料的、用于把清洁气体导入过程室(21)中的清洁气体入口(6)，其特征在于，至少一个金属表面具有钝化层，所述钝化层防止该金属表面的金属组份由于一个或者多个反应气体而剥离，并且所述冷却通道(14, 17)被布置为，所述钝化层在清洁步骤时被加热最大至100℃的第二温度，在所述清洁步骤中所述清洁气体被导入所述过程室(21)并且所述基座(2)被加热至至少700℃的第一温度，其中，所述钝化层伴随有机金属化合物与金属表面的金属原子的化学反应构成，并且所述清洁气体入口(6)被布置为，使得清洁气体与具有钝化层的金属表面发生接触，
其中，所述钝化层的结构是化学反应的结果，在所述化学反应中以多个相继的步骤首先将金属表面与有机金属化合物接触，然后通过冲洗将以此保留的表面与环境空气或者具有氧气、水蒸汽和/或二氧化碳的气体接触。
13. 按照权利要求12所述的CVD反应器，其特征在于，所述钝化层具有< 3 nm的层厚。
14.按照权利要求12所述的CVD反应器，其特征在于，所述金属组件(20)由金属合金构成。
15.按照权利要求12所述的CVD反应器，其特征在于，所述金属组件(20)是不锈钢组件，所述金属表面是不锈钢表面并且所述金属组份是铁组份。
16.按照权利要求12所述的CVD反应器，其特征在于，所述钝化层是金属涂层，所述金属涂层由镍或者铬构成。
17.按照权利要求12所述的CVD反应器，其特征在于，所述金属组件(20)的表面被电解抛光，和/或是经电解抛光的不锈钢表面。
18.按照权利要求12所述的CVD反应器，其特征在于，所述清洁气体入口(6)相对于横向于流动方向延伸的轴线以0至60度的角度(α)倾斜。
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