CN109831172A - 一种体声波谐振器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法，解决了现有技术中通过刻蚀硅衬底形成空气隔离带导致器件结构稳定性差的问题。该制备方法包括提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体；提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个；将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合；制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
Description
技术领域
本发明涉及微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)器件技术领域，具体涉及一种体声波谐振器的制备方法。
背景技术
为了满足无线通信技术中对射频信号质量的要求，体声波谐振器一直是近几年的研究热点，其中，薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)及其衍生的兰姆波体声波谐振器(Lamb wave resonator，LWR)，凭借体积小、插入损耗低、带外抑制好、功率容量高、易集成等优点成为最新一代的体声波谐振器。
图1所示为现有技术中的FBAR的结构示意图。如图1所示，该FBAR100包括从下到上依次叠置的硅衬底101、支撑层103、第一电极104、压电薄膜105和第二电极106，其中硅衬底101包括反面刻蚀空腔102，该反面刻蚀空腔102是对形成硅衬底101的硅片进行反面刻蚀得到的，从而形成声波的隔离带，以将声波限制在由第一电极104、压电薄膜105和第二电极106构成的谐振压电堆中，从而有效防止声漏。然而，这种结构的FBAR，为了形成反面刻蚀空腔102，需要大面积刻蚀掉硅片，导致器件结构稳定性差。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种体声波谐振器的制备方法，以解决现有技术中体声波谐振器稳定性差的问题。
本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法，包括：提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体；提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个；将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合；制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
在一个实施例中，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极包括：在绝缘层上表面生长第一金属层；在第一金属层上表面生长压电薄膜；在压电薄膜上表面生长第二金属层；其中，第一金属层形成第一电极，第二金属层形成第二电极。
在一个实施例中，在绝缘层上表面生长第一金属层之后还包括：对第一金属层进行刻蚀以形成第一叉指和第二叉指，第一叉指包括至少一个第一手指，第二叉指包括至少一个第二手指，至少一个第一手指和至少一个第二手指交替间隔排布；在压电薄膜上表面生长第二金属层之后还包括：对第二金属层进行刻蚀形成第三叉指和第四叉指，第三叉指和第四叉指的正投影分别与第一叉指和第二叉指重合；其中，第一叉指形成第一电极，第二叉指形成第二电极。
在一个实施例中，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极包括：在绝缘层上表面生长第一金属层；对第一金属层进行刻蚀形成第一叉指电极和第二叉指电极，第一叉指电极包括至少一个第一叉指，第二叉指电极包括至少一个第二叉指，至少一个第一叉指和至少一个第二叉指交替间隔排布；在绝缘层上表面、第一叉指电极上表面和第二叉指电极上表面生长压电薄膜；其中，第一叉指电极形成第一电极，第二叉指电极形成第二电极。
在一个实施例中，在将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合之后还包括：刻蚀掉第二硅片露出绝缘层；在第一叉指电极和第二叉指电极的外围，从绝缘层表面开始向下刻蚀沟槽至连通腔体。
在一个实施例中，沟槽包括第一沟道和第二沟道，第一沟道和第二沟道按照预定间隔接续环绕第一叉指电极和第二叉指电极。
在一个实施例中，提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体包括：提供第一硅片；在第一硅片上表面生长第二二氧化硅层；以第二二氧化硅层作掩膜，在第一硅片中刻蚀出腔体。
在一个实施例中，提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体包括：提供第一硅片；以光刻胶作掩膜，在第一硅片中刻蚀出腔体。
在一个实施例中，第一电极和/或第二电极在竖直方向上的正投影为不规则多边形。
在一个实施例中，腔体的深度为3～100μm。
根据本发明提供的体声波谐振器的制备方法，采用键合的方式在谐振压电堆周围下表面形成空腔，相比于现有技术中需要刻蚀掉大部分硅衬底来形成空腔的器件而言，结构更稳定。
附图说明
图1所示为现有技术中的FBAR的结构示意图。
图2所示为本发明一实施例提供的体声波谐振器的制备方法流程图。
图3a-图3i为本发明一实施例提供的根据图2所示制备方法制备薄膜体声波谐振器的过程中得到的器件结构示意图。
图4a-图4i为本发明一实施例提供的根据图2所示制备方法制备兰姆波体声波谐振器的过程中得到的器件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2所示为本发明一实施例提供的体声波谐振器的制备方法流程图。如图2所示，该制备方法200包括：
步骤S210，提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体。
步骤S220，提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆。
谐振压电堆是体声波谐振器的核心部件，包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极。其工作原理是，将第一电极和第二电极作为正、负极，当第一电极和第二电极接通交流电压后，利用压电薄膜的逆压电效应产生机械震动，该机械震动以声波的形式在第一电极和第二电极之间进行传播形成驻波，当该驻波的频率与交流电压频率相等时，即产生谐振。
步骤S230，在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个。
步骤S240，将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合。
步骤S250，制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
下面结合附图以具体实施例对图2所示的体声波的制备方法进行详细说明。
图3a-图3i为本发明一实施例提供的根据图2所示制备方法制备薄膜体声波谐振器的过程中得到的器件结构示意图。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)中的谐振压电堆包括上、下两个电极夹着一个压电薄膜的三明治结构，因此通过压电薄膜的逆压电效应产生的声波会在压电薄膜的上、下表面内纵向来回传输，从而形成纵向谐振。
根据步骤S210，参阅图3a，提供第一硅衬底311；采用液相化学汽相淀积(liquidphase chemical vapor deposition，LPCVD)工艺在第一硅衬底311上表面生长第二二氧化硅层312，该第二二氧化硅层312的厚度为500～6000A；以第二二氧化硅层 312为掩膜，采用光刻工艺刻蚀出腔体313，形成图3a所示的器件结构310，该腔体313的深度可以是3～100μm。
在一个实施例中，步骤S210还可以执行为，采用光刻胶作为掩膜，直接在第一硅片311上表面刻蚀出腔体313，也就是说，第一硅衬底311的上表面没有第二二氧化硅层312。
上面两种制备过程的区别在于，前者所形成的器件结构中腔体的开口所在表面的材料是二氧化硅，后者所形成的器件结构中腔体的开口所在表面的材料是硅，而该腔体的开口所在表面后续作为键合的一方，从而决定了后续键合是SiO2-SiO2键合，还是Si-SiO2键合。
根据步骤S220，首先参阅图3b，提供第二硅片作为第二硅衬底321，在第二硅衬底321上表面生长绝缘层322，在绝缘层322上表面生长第一金属层323，采用LPCVD工艺在第一金属层323上表面沿c轴方向生长一层压电薄膜324。
绝缘层322的材料包括二氧化硅、氮化硅或者氮化铝，绝缘层322的厚度为 300～500nm。第一金属层323的材料包括铝、钼、钯、钛等金属材料，第一金属层 323的厚度为200～500nm。压电薄膜324的材料包括氮化铝、氧化锌、钽酸锂等，压电薄膜324的厚度与FBAR谐振器的频率呈负相关，因此可以根据实际需要的谐振频率合理确定压电薄膜324的厚度，例如，压电薄膜324的厚度为0.5～2um。
在一个实施例中，绝缘层322的材料为氮化铝，第一金属层323的材料为钼或钯。由于钼或钯与氮化铝薄膜的c轴方向有很好的结晶兼容性，因此，这样可以获得更好的结晶质量和晶粒尺寸。
在一个实施例中，向压电薄膜324内掺杂金属元素。该掺杂的金属元素包括钪、锆、钙-钛、镁-钛、钙-锆等。这样，可以提高压电薄膜324的有效耦合系数，而压电薄膜324的有效耦合系数和谐振器的带宽成正比，从而可以提高谐振器的带宽。
然后，参阅图3c，在压电薄膜324的上表面生长第二金属层325，该第二金属层325包括彼此间隔的第一子金属层3251和第二子金属层3252，即第一子金属层 3251和第二子金属层3252之间包括一间隙H。
第二金属层325中的第一子金属层3251和第二子金属层3252的材料可以相同也可以不同。当第一子金属层3251和第二子金属层3252的材料相同时，第一子金属层3251和第二子金属层3252的形成过程包括：在压电薄膜324上表面生长一层第二金属层325，然后刻蚀形成彼此独立、互不连通的第一子金属层3251和第二子金属层3252。当第一子金属层3251和第二子金属层3252的材料不同时，第一子金属层3251和第二子金属层3252的形成过程包括：采用掩膜板，在压电薄膜324上表面的不同区域分别生长第一子金属层3251和第二子金属层3252。
根据步骤S330，继续参阅图3c，在第二金属层325的上表面和压电薄膜324的上表面生长第三二氧化硅层326，形成如图3c所示的器件结构320。
在一个实施例中，第三二氧化硅层326包括平坦上表面。这样，有利于后续膜层的制备。该第三二氧化硅层326的生成过程可以采用LPVCD工艺，第三二氧化硅层326的厚度例如可以是1000A～3000A。
根据步骤S340，参阅图3d，将图3a所示的器件结构310的上表面和图3c所示的器件结构320的上表面键合，形成如图3d所示的器件结构330。
这里需要说明的是，当图3a所示的器件结构310的上表面包括第二二氧化硅层302时，图3a所示的器件结构310和图3c所示的器件结构320之间形成SiO2-SiO2键合；当图3a所示的器件结构310的上表面不包括第二二氧化硅层302时，图3a 所示的器件结构310和图3c所示的器件结构320之间形成Si-SiO2键合。
根据步骤S350，首先参阅图3e，在图3d所示器件结构330的基础上，采用化学机械抛光(Chemical&Mechanical Polishing，CMP)工艺去掉第二硅衬底321，露出绝缘层322。
然后参阅图3f，采用光刻技术刻蚀掉部分绝缘层322和该部分绝缘层322下方的部分第一金属层323，至露出压电薄膜324。
其次参阅图3g，光刻去掉第一金属层323边缘区域的绝缘层322，得到第一金属层323的一个裸露表面A。
在一实施例中，绝缘层322和压电薄膜324的材料均为氮化铝。这种情况下，绝缘层322和压电薄膜604的材料相同，因此当对第一金属层323边缘区域的绝缘层322进行光刻时，靠近第一金属层323的边缘区域的压电薄膜324也会被刻蚀掉一部分，从而在压电薄膜324中形成一个凹槽3241。
接着参阅图3h，在压电薄膜324上表面刻蚀分别连通第一子金属层3251和第二子金属层3252的第一接触孔3271和第二接触孔3272。
在一个实施例中，当压电薄膜324包括凹槽3241时，在凹槽3241的基础上进一步刻蚀形成第一接触孔3271，即采用刻蚀工艺将凹槽3241深度加深至露出第一子金属层3251，以形成第一接触孔3271。
再次参阅图3i，采用剥离工艺(lift-off technology)，将第一金属层322的裸露表面A和第一子金属层3251电连接以形成第一电极，将第二子金属层3252形成第二电极，并将第一电极和第二电极引出至特定焊盘区域。
例如，如图3i所示，第一电极引出至第一焊盘3281，第二电极引出至第二焊盘3282。第一焊盘3281和第二焊盘3282的材料相同，可以是金或者钛钨合金。第一焊盘3281和第二焊盘3282厚度为2000A～3000A。该第一焊盘3281和第二焊盘 3282便于后续的引线键合封装测试或探针测试。
在一个实施例中，第一电极和/或第二电极在竖直方向的正投影为不规则多边形，这里提到的不规则多边形是与正多边形相反的概念。例如，形成第一电极的第一金属层322和第一子金属层3215，以及形成第二电极的第二子金属层3252在竖直方向的正投影均为不规则五边形。这样，可以有效减小除了形成主谐振的声波之外的其它声波所形成的寄生模态。
第一电极和/或第二电极在竖直方向的正投影均为不规则图形。根据本实施例提供的FBAR，在第一电极和第二电极的交叠区域，即第一金属层323和第二子金属层3252正相对的区域下方形成一声腔，即腔体313，从而在第二电极(具体为第二二氧化硅层326)的下表面形成空气交界面。而由于空气的声阻抗近似为零，可以作为良好的声波限制边界，这样第二电极的下表面的空气交界面和第一电极(具体为绝缘层322)的上表面的空气交界面相互配合，将FBAR产生的声波限制在由第一电极、第二电极和压电薄膜324组成的压电震荡堆之内。
图4a-图4i为本发明一实施例提供的根据图2所示制备方法制备兰姆波体声波谐振器的过程中得到的器件结构示意图。兰姆波体声波谐振器(Lamb wave resonator，LWR)和FBAR相比在原理上的区别在于，在LWR中声波是在和压电薄膜平行的表面中传播，从而形成横向谐振。
根据步骤S210制备得到如图3a所示的器件结构310。该过程和制备FBAR中的器件结构310的过程相同，这里不予赘述。
根据步骤S220，首先参阅图4a，提供第二晶圆作为第二硅衬底411，在第二硅衬底411上表面沉积绝缘层412，在绝缘层412上表面生长第一金属层，对第一金属层进行刻蚀形成第一叉指电极4131和第二叉指电极4132，形成的器件结构410 如图4a所示，该器件结构410的俯视图如图4b所示。
第一叉指电极4131包括至少一个第一叉指，第二叉指电极4132包括至少一个第二叉指，该至少一个第一叉指和至少一个第二叉指交替间隔排布。相邻两个叉指之间的间距L决定了兰姆波体声波谐振器的频率，具体而言，相邻两个叉指之间的间距L和兰姆波体声波谐振器的频率呈负相关，因此可以根据所需要的频率合理设置相邻两叉指之间的间距L。第一叉指和第二叉指的数量可以是任意多个，例如可以是图4a和图4b所示的第一叉指电极包括2个叉指，第二叉指电极也包括1个叉指。
第一金属层的材料包括铝、钼、钯、钛等金属材料，第一金属层的厚度为 200～500nm。在一个实施例中，绝缘层412的材料为氮化铝，第一金属层的材料为钼或钯。由于钼或钯与氮化铝薄膜的c轴方向有很好的结晶兼容性，因此，这样可以获得更好的结晶质量和晶粒尺寸。
然后参阅图4c，在第一叉指电极4131、第二叉指电极4132和绝缘层412表面生长一层压电薄膜414。优选地，该压电薄膜414包括平坦上表面，以便于后续各膜层的制备。
压电薄膜414的材料包括氮化铝、氧化锌、钽酸锂等。声波波长和压电薄膜414 的厚度的比值小于0.4，这样可以获得较高的声波传播速度。
在一个实施例中，采用LPCVD在第一叉指电极4131和第二叉指电极4132的上表面沿c轴方向生长一层压电薄膜414。
在一个实施例中，向压电薄膜414内掺杂金属元素。该掺杂的金属元素包括钪、锆、钙-钛、镁-钛、钙-锆等。这样，可以提高压电薄膜414的有效耦合系数，而压电薄膜414的有效耦合系数和LWR谐振器的带宽成正比，从而可以提高LWR谐振器的带宽。
其次参阅图4d，在压电薄膜414上表面生长第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成第三叉指电极4151和第四叉指电极4152，第三叉指电极4151和第四叉指电极4152的正投影分别和第一叉指电极4131和第二叉指电极4132重合。
第二金属层的材料包括铝、钼、钯、钛等金属材料，第二金属层的厚度为 200～500nm。第二二氧化硅层416的厚度为1000A～3000A。
在一个实施例中，压电薄膜414的材料为氮化铝，第二金属层的材料为钼或钯。由于钼或钯与氮化铝薄膜的c轴方向有很好的结晶兼容性，因此，这样可以获得更好的结晶质量和晶粒尺寸。
根据步骤S230，参阅图4e，在三叉指电极4151、第四叉指电极4152和压电薄膜414的上表面生长第二二氧化硅层416，形成如图4d所示的器件结构420。
根据步骤S240，参阅图4f，将图3a所示的器件结构310的上表面和图4e所示的器件结构420的上表面键合，形成如图4f所示的器件结构430。
这里需要说明的是，当图3a所示的器件结构300的上表面包括第一二氧化硅层312时，图3a所示的器件结构300和图4e所示的器件结构420之间形成SiO2-SiO2键合；当图3a所示的器件结构300的上表面不包括第一二氧化硅层312时，图3a 所示的器件结构300和图4e所示的器件结构420之间形成Si-SiO2键合。
根据步骤S250，首先参阅图4g，在图4f所示器件结构430的基础上，采用 CMP工艺去掉第二硅衬底411，露出绝缘层412。
接着参阅图4h，在绝缘层412上表面刻蚀分别连通第一叉指电极4131和第二叉指电极4132的第一接触孔和第二接触孔，然后采用剥离工艺(lift-off technology) 在第一接触孔和第二接触孔中生长分别与第一叉指电极4131和第二叉指电极4132 对应的第一焊盘4161和第二焊盘4162。
第一焊盘4161和第二焊盘4162的材料相同，可以是金或者钛钨合金。第一焊盘4161和第二焊盘4162厚度为2000A～3000A。该第一焊盘4161和第二焊盘4162 便于后续的引线键合封装测试或探针测试。
需要说明的是，第三叉指电极4151和第四叉指电极4152是悬空的，即没有引出焊盘，后续不需要接任何电位。
在制备LWR的过程中，图2所示制备方法还包括制备空气界面的步骤。具体来说，参阅图4i，采用光刻工艺在绝缘层412表面刻蚀沟槽417，使之与腔体互通，从而形成空气界面以形成声波隔离带，至此得到图4i所示的LWR400。
在本实施例中，沟槽417包括第一沟道4171和第二沟道4172，第一沟道4171 和第二沟道4172按照预定间隔接续环绕第一叉指电极4131和第二叉指电极4132，该第一沟道4171和第二沟道4172之间的间隔可以用于为第一叉指电极4131和第二叉指电极4132与焊盘之间的金属连接线提供空间。
根据本实施例提供的LWR，通过设置包围第一叉指4131和第二叉指4132的沟槽，该沟槽形成空气反射界面，从而将声波限制在由压电薄膜414、第一叉指电极4131、第二叉指电极4132构成的横向谐振压电堆之内。
本实施例中的LWR实质是一种顶叉指电极-底电极不接电位(IDT-floating)型的LWR，即第二金属层中的第三叉指电极4151和第四叉指电极4152不需要接任何电位，它们只是为了获得较高的耦合系数。本领域技术人员应当理解，采用同样的制备方法还可以制备顶叉指电极-无电极(IDT-open)型LWR，和图4i所示的IDT-floating型的LWR的区别仅在于，芯片中没有第三叉指电极4151和第四叉指电极4152，这种情况下相当于省略了制备第二金属层并刻蚀形成第三叉指电极4151 和第四叉指电极4152的步骤；或者还可以制备上下电极均是叉指电极(IDT-IDT) 型LWR，这种情况下则需要进一步制备第三叉指电极4151和第四叉指电极4152的焊盘的步骤。
根据本发明任一实施例提供的体声波谐振器的制备方法，采用键合的方式在谐振压电堆周围(包括下表面或四周)形成空气隔离带，相比于现有技术中采用刻蚀工艺形成的空气隔离带而言，器件结构更稳定。与此同时，相比于现有技术中采用深反应离子刻蚀形成腔体，再在腔体中填充牺牲层材料，例如磷硅玻璃，最后再进行释放以露出腔体的制备方法而言，制备工艺难度小，设备成本低廉。相比于现有技术中具有布拉格反射层的体声波谐振器而言，品质因素更高。
应当理解，本发明实施例描述中所用到的限定词“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于更清楚的阐述技术方案，并不能用于限制本发明的保护范围。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一硅片，在所述第一硅片上制备顶部开口的腔体；
提供第二硅片，在所述第二硅片上表面制备绝缘层，在所述绝缘层上表面制备谐振压电堆，所述谐振压电堆包括压电薄膜和分别与所述压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；
在所述谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，所述谐振压电堆的上表面包括所述压电薄膜的表面、所述第一电极的表面、所述第二电极的表面中的一个或多个；
将所述腔体的开口所在表面和所述第一二氧化硅层的上表面键合；
制备所述第一电极和所述第二电极的引出焊盘。
2.如权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上表面制备谐振压电堆，所述谐振压电堆包括压电薄膜和分别与所述压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极包括：
在所述绝缘层上表面生长第一金属层；
在所述第一金属层上表面生长所述压电薄膜；
在所述压电薄膜上表面生长第二金属层；
其中，所述第一金属层形成所述第一电极，所述第二金属层形成所述第二电极。
3.如权利要求2所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上表面生长第一金属层之后还包括：
对所述第一金属层进行刻蚀以形成第一叉指和第二叉指，所述第一叉指包括至少一个第一手指，所述第二叉指包括至少一个第二手指，所述至少一个第一手指和所述至少一个第二手指交替间隔排布；
在所述压电薄膜上表面生长第二金属层之后还包括：
对所述第二金属层进行刻蚀形成第三叉指和第四叉指，所述第三叉指和所述第四叉指的正投影分别与所述第一叉指和所述第二叉指重合；
其中，所述第一叉指形成所述第一电极，所述第二叉指形成所述第二电极。
4.如权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上表面制备谐振压电堆，所述谐振压电堆包括压电薄膜和分别与所述压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极包括：
在所述绝缘层上表面生长第一金属层；
对所述第一金属层进行刻蚀形成第一叉指电极和第二叉指电极，所述第一叉指电极包括至少一个第一叉指，所述第二叉指电极包括至少一个第二叉指，所述至少一个第一叉指和所述至少一个第二叉指交替间隔排布；
在所述绝缘层上表面、所述第一叉指电极上表面和所述第二叉指电极上表面生长所述压电薄膜；
其中，所述第一叉指电极形成所述第一电极，所述第二叉指电极形成所述第二电极。
5.如权利要求3或4所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在将所述腔体的开口所在表面和所述第一二氧化硅层的上表面键合之后还包括：
刻蚀掉所述第二硅片露出所述绝缘层；
在所述第一叉指电极和所述第二叉指电极的外围，从所述绝缘层表面开始向下刻蚀沟槽至连通所述腔体。
6.如权利要求5所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述沟槽包括第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和所述第二沟道按照预定间隔接续环绕所述第一叉指电极和所述第二叉指电极。
7.如权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述提供第一硅片，在所述第一硅片上制备顶部开口的腔体包括：
提供所述第一硅片；
在所述第一硅片上表面生长第二二氧化硅层；
以所述第二二氧化硅层作掩膜，在所述第一硅片中刻蚀出所述腔体。
8.如权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述提供第一硅片，在所述第一硅片上制备顶部开口的腔体包括：
提供所述第一硅片；
以光刻胶作掩膜，在所述第一硅片中刻蚀出所述腔体。
9.如权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极在竖直方向上的正投影为不规则多边形。
10.如权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述腔体的深度为3～100μm。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111313861A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 声表面波谐振器及其形成方法 |
| WO2020125308A1 (zh) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法 |
| CN112039475A (zh) * | 2019-07-19 | 2020-12-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| CN112165310A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-01 | 中国科学技术大学 | 一种薄膜体声波谐振滤波器 |
| WO2021042345A1 (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 刘宇浩 | 一种体声波谐振装置的形成方法 |
| CN113171545A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-27 | 天津大学 | 一种液体环境下的微型机器人推进装置 |
| CN113300684A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 南通大学 | Lamb波谐振器及其制作方法 |
| CN113810014A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 叉指型体声波谐振器及滤波器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113922784B (zh) * | 2021-10-19 | 2024-04-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
| CN114337577B (zh) * | 2021-12-24 | 2024-01-26 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种调谐器件及其制备方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080116999A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated device and fabricating method thereof |
| CN101692602A (zh) * | 2009-09-28 | 2010-04-07 | 清华大学 | 单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法 |
| CN102122940A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-07-13 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 预设空腔型soi基片薄膜体声波谐振器及制作方法 |
| CN103051302A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 横向体声波谐振器、制备方法及应用该谐振器的振荡器 |
| CN104767500A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 李国强 | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| US20160182008A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Multi-frequency guided wave devices and fabrication methods |
| CN105784189A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-07-20 | 厦门大学 | 硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备 |
| CN106100601A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-11-09 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器 |
| CN107093994A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-08-25 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其加工方法 |
| US20170250671A1 (en) * | 2014-12-18 | 2017-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and manufacturing method for the same |
| US20180054176A1 (en) * | 2016-03-11 | 2018-02-22 | Akoustis, Inc. | Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process |
| CN107947750A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-20 | 周燕红 | 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 |
| CN108362408A (zh) * | 2018-03-08 | 2018-08-03 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 压力传感器及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107222181A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-09-29 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 基于soi基片的薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN109831172B (zh) * | 2018-12-20 | 2022-03-01 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种体声波谐振器的制备方法 |
-
2018
- 2018-12-20 CN CN201811564949.9A patent/CN109831172B/zh active Active
-
2019
- 2019-11-20 WO PCT/CN2019/119746 patent/WO2020125308A1/zh active Application Filing
-
2021
- 2021-06-18 US US17/351,594 patent/US20210313946A1/en active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080116999A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated device and fabricating method thereof |
| CN101692602A (zh) * | 2009-09-28 | 2010-04-07 | 清华大学 | 单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法 |
| CN102122940A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-07-13 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 预设空腔型soi基片薄膜体声波谐振器及制作方法 |
| CN103051302A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 横向体声波谐振器、制备方法及应用该谐振器的振荡器 |
| CN104767500A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 李国强 | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| US20160182008A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Rf Micro Devices, Inc. | Multi-frequency guided wave devices and fabrication methods |
| US20170250671A1 (en) * | 2014-12-18 | 2017-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and manufacturing method for the same |
| US20180054176A1 (en) * | 2016-03-11 | 2018-02-22 | Akoustis, Inc. | Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process |
| CN105784189A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-07-20 | 厦门大学 | 硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备 |
| CN106100601A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-11-09 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器 |
| CN107093994A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-08-25 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其加工方法 |
| CN107947750A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-20 | 周燕红 | 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 |
| CN108362408A (zh) * | 2018-03-08 | 2018-08-03 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 压力传感器及其制造方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| RENYUAN WANG等: ""Design and Fabrication of S0 Lamb-Wave Thin-Film Lithium Niobate Micromechanical Resonators"", 《JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS》 * |
| SEBASTIEN GROUSSET等: ""Quartz-based vibrating MEMS fabricated using a wafer-bonding process with sealed cavities"", 《2014 IEEE INTERNATIONAL FREQUENCY CONTROL SYMPOSIUM (FCS)》 * |
| 刘国荣: ""基于单晶AlN薄膜的FBAR制备研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
| 李杰: ""离子注入剥离法制备单晶铌酸锂薄膜研究"", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士) 工程科技Ⅰ辑》 * |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020125308A1 (zh) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法 |
| CN112039475A (zh) * | 2019-07-19 | 2020-12-04 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| WO2021012917A1 (zh) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| WO2021042345A1 (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 刘宇浩 | 一种体声波谐振装置的形成方法 |
| CN114342255A (zh) * | 2019-09-05 | 2022-04-12 | 常州承芯半导体有限公司 | 一种体声波谐振装置的形成方法 |
| CN111313861A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 声表面波谐振器及其形成方法 |
| CN111313861B (zh) * | 2020-02-25 | 2024-03-08 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 声表面波谐振器及其形成方法 |
| CN112165310A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-01 | 中国科学技术大学 | 一种薄膜体声波谐振滤波器 |
| CN113171545A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-07-27 | 天津大学 | 一种液体环境下的微型机器人推进装置 |
| CN113300684A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-24 | 南通大学 | Lamb波谐振器及其制作方法 |
| CN113300684B (zh) * | 2021-05-26 | 2023-11-17 | 南通大学 | Lamb波谐振器及其制作方法 |
| CN113810014A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 叉指型体声波谐振器及滤波器 |
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