CN107947750A - 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 - Google Patents
一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107947750A CN107947750A CN201711172385.XA CN201711172385A CN107947750A CN 107947750 A CN107947750 A CN 107947750A CN 201711172385 A CN201711172385 A CN 201711172385A CN 107947750 A CN107947750 A CN 107947750A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- piezo
- electric resonator
- material layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007521 mechanical polishing technique Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000032696 parturition Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器，其方法具体包括：在第一衬底上生长材料层；在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽；将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔；将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。本发明实施例通过将第一衬底和其上生长的材料层倒装固定于第二衬底上，在材料层覆盖在第二衬底上形成空腔，这样可以使得第一电极和第二电极之间将声波可以进行全反射，避免能量的泄露，同时降低了带有空腔的压电谐振器的制作难度，改善了压电膜的品质；降低了插入损耗，提高Q值和机电耦合系数，从而大幅度的提高了压电谐振器的性能。
Description
技术领域
本发明实施例涉及一种压电器件的制造领域，尤其涉及一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器。
背景技术
压电谐振器包括薄膜体声波谐振器(FBAR)又称为压电薄膜体声波谐振器，其中压电薄膜体声波谐振器具有工作频率高，插损小，带外抑制陡峭度高、耐受功率高、体积小等众多优点，可以满足通信、雷达等电子系统的需求。
现有技术中的压电谐振器通常包括两个薄膜电极，并且电极之间填充有一层薄膜压电材料。通常情况下将压电谐振器制造完毕后，需要将压电谐振器下的东西移走，形成一个空腔。现有技术中在衬底上先形成一个凹陷的坑，再通过刻蚀技术在该凹坑内填充牺牲材料，通过化学机械抛光技术(CMP)使得凹坑被填平；之后再该衬底和该牺牲材料上方通过刻蚀技术制造该压电谐振器；在该压电谐振器上与该牺牲材料对应的地方设置若干通孔，通孔贯穿该谐振器；通过化学药剂释放该牺牲层材料，使得该牺牲层消除，从而实现该压电谐振器悬空的目的。
上述方法中存在许多缺点，释放牺牲材料过程中极易造成压电谐振器的相关薄膜破裂；此外，如果牺牲层释放并不干净，有杂质残留的现象，这会恶化谐振器的Q值，使得Q值降低，影响压电谐振器的品质；设置的通孔也会恶化谐振器的Q值；同时该方法需要进行CMP处理，以进行薄膜表面平整化，增加了工艺难度。
发明内容
本发明提供一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器，简化了制备工艺难度，不会破坏制备的膜层结构，同时容易制备出高Q值的压电谐振器。
第一方面，本发明实施例提供了一种压电谐振器的制备方法，包括：
在第一衬底上生长材料层；
在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽；
将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔；
将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。
第二方面，本发明实施例还提供了一种压电谐振器，该结构包括：
第二衬底，在所述第二衬底的一侧刻蚀一凹槽；
压电层，所述压电层通过在第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；
第一电极，所述压电层在远离所述第一衬底的一侧溅射第一电极；第二电极，在所述压电层在远离所述第一电极的一侧溅射第二电极；
空腔，位于所述第二衬底和所述第一电极之间的密封腔。
本发明实施例通过将第一衬底和其上生长的材料层倒装固定于第二衬底上，在材料层覆盖在第二衬底上形成空腔，这样可以使得第一电极和第二电极之间将声波可以进行全反射，避免能量的泄露，同时解决了工艺难度大，破坏薄膜质量及牺牲层去除不干净，降低Q值情况，降低带有空腔的压电谐振器的制作难度，改善了压电膜的品质；降低了插入损耗，提高Q值和机电耦合系数，从而大幅度的提高了压电谐振器的性能。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种压电谐振器的制备方法的流程示意图；
图2-图5是实施例一中压电谐振器的制备方法中各流程对应的结构示意图；
图6是本发明实施例二中的一种压电谐振器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种压电谐振器的制备方法的流程示意图的流程图，图2-图5是实施例一中压电谐振器的制备方法中各流程对应的结构示意图，本实施例可适用声波谐振器技术领域，该方法具体包括如下步骤：
步骤110、在第一衬底上生长材料层。
参见图2，首先提供第一衬底11，第一衬底11可以为硅材料，在第一衬底11上制备材料层，材料层包括第一电极13和压电层12。其中压电层12可以为单晶AlN压电薄膜。一般常采用反应溅射镀膜工艺(DC磁控溅射，RF磁控溅射)、有机金属化学气相淀积(MOCVD)工艺等进行AlN压电薄膜的制备。由于Al的化学性质比较活泼，在高温条件下极易与氧气发生化学反应，因此在反应溅射制备AlN时需要较高的真空度，以减少溅射室中的残余氧气。实验时，采用涡轮分子泵将系统将溅射系统中的进行抽真空，并对输气管道进行清洗。溅射气体采用高纯的Ar气和N2气，靶材纯度为：99.999％的Al靶，反应溅射前，用Ar气对Al靶预溅射15min，用以去除靶材表面的吸附物，溅射出的Al原子也会与腔室中残余的氧气反应，并将产物覆盖在腔壁之上，进一步减少气氛中的氧气含量。
制备的单晶AlN压电薄膜在远离第一衬底11的一侧表面溅射第一电极13，第一电极13可以为一层金属钨，采用钨金属原因是：其一，钨具有较低的电阻率和较高的硬度，能够有效地提高器件的电性能和机械强度；其二，钨具有体心立方结构，与AlN的晶格匹配较好，面结合能力强；其三，钨的热膨胀系数很小和AlN的热膨胀系数非常相近，在温度变化时不易出现热应力而影响器件性能；其四，钨的声阻抗大，与AlN薄膜结合，可以防止声波泄露，从而提高器件的Q值。
从而，在第一衬底11上可以得到材料层。
步骤120、在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽。
参见图3，制备带有一平面表面的第二衬底10，第二衬底10可以为硅材料，在第二衬底10上通过深反应离子刻蚀(DRIE)在该第二衬底10上刻蚀获得凹槽。
步骤130、将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔。
参见图4，将第一衬底11及在第一衬底11上生长的材料层，可以通过倒装方法固定于第二衬底10上，其中可以通过使用液晶聚合物(LCP)粘合剂，将步骤110制得的第一衬底11和材料层一起，倒装粘结在第二衬底10上，以此使得第二衬底10和材料层之间形成空腔；还可以将第一衬底11通过倒装压合技术与第二衬底10形成连接，使得第二衬底10和材料层之间形成空腔。
步骤140、将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。
参见图5，将第一衬底和材料层倒装固定于第二衬底10上后，将第一衬底与其上生长的材料层进行剥离，暴露出压电层12。暴露的压电层12可以溅射沉积一层金属钨等，作为第二电极，便于制备FBAR结构。
本发明实施例的技术方案，通过将第一衬底和其上生长的材料层倒装固定于第二衬底上，在第二衬底和材料层之间形成空腔，这样解决了工艺难度大，破坏薄膜质量及牺牲层去除不干净，降低Q值情况，降低带有空腔的压电谐振器的制作难度，改善了压电膜的品质；降低了插入损耗，提高Q值和机电耦合系数，从而大幅度的提高了压电谐振器的性能。
在上述技术方案的基础上，空腔的形成方法为，首先在第二衬底10上刻蚀出凹槽，再将材料层覆盖于凹槽上形成空腔。其中，第二衬底10可以为硅衬底，通过深反应离子刻蚀(DRIE)在该第二衬底10上刻蚀获得凹槽结构，其中凹槽结构及尺寸大小，需要根据具体实际的情况进行确定，如图3所示。形成的凹槽结构中不用填充牺牲材料，简化了工作过程，同时避免了在去除牺牲材料过程中，对压电薄膜及电极进行破坏。
进一步地，材料层包括第一电极和压电层。其中第一电极为平板电极，电极材料可以为Al、Mo、W、Pt、Cu、Ag或Au中的至少一种，压电层为单晶AlN、氧化锌、铌酸锂或钽酸锂等。
进一步地，压电层通过在第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；压电层在远离第一衬底的一侧溅射第一电极；将第一衬底和压电层剥离，露出压电层；在压电层上远离第一电极的一侧溅射第二电极。
在第一衬底的上表面可以通过反应溅射镀膜工艺和有机金属化学气相淀积的外延工艺等制备AlN压电薄膜层。示例性地，如图2所示，压电层12在远离第一衬底11的一侧溅射第一电极13，第一电极13可为金属钨；从所第一衬底11和压电层12之间通过化学腐蚀或机械剥离，露出压电层12；在压电层12上远离第一电极13的一侧通过溅射方法得到第二电极，第二电极可以为金属钨，其中第一电极和第二电极的厚度为100-200nm。
进一步地，第二电极可以平板电极。
可选地，第一电极为平板电极，当第二电极为平板电极，则组成薄膜体声波谐振器(FBAR)，空腔型FBAR是集成于CMOS器件上的首选，Q值较高，损耗小，机电耦合系数高，可以将声波进行全反射，减少声波能量的泄露。
实施例二
图6为本发明实施例二提供的一种压电谐振器的剖面结构示意图。本发明实施例还提供了一种压电谐振器，该压电谐振器是在上述实施例一的基础上得到，该结构具体包括：
第二衬底，压电层，第一电极，空腔；其中，第二衬底，在第二衬底的一侧刻蚀一凹槽；压电层，压电层通过在第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；第一电极，压电层在远离第一衬底的一侧溅射第一电极；第二电极，在压电层上远离第一电极的一侧溅射第二电极；空腔，位于第二衬底和第一电极之间的密封腔。
具体地，第二衬底的一侧面可以通过反应离子刻蚀，刻蚀出一凹槽结构，待用；凹槽结构可以为盆状结构，第二衬底可以作为支撑结构。第一衬底为制备衬底，在制备衬底的一侧面通过溅射或外延方法制备单晶氮化铝薄膜或氧化锌等，在单晶氮化铝薄膜的上表面通过溅射方法，制备第一电极。将制备材料层的第一衬底通过倒装的方法覆盖在第二衬底刻蚀有凹槽的一侧面，使得第二衬底和第一电极之间形成的密封腔为空腔。进一步地，第一衬底和第二衬底的材料为硅。
在上述技术方案的基础上，进一步地，所述压电层为单晶氮化铝。单晶氮化铝薄膜的制备包括金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)，脉冲激光沉积(PLD)以及反应磁控溅射。A1N是一种重要的III-V族氮化物，具有稳定的纤锌矿结构。由于A1N薄膜材料与其它III-V族化合物的晶格失配度小，所以，在制备GaN，A1GaN等III-V族薄膜材料时，A1N薄膜材料常被用作缓冲层，以降低晶格失配对薄膜质量的影响。与ZnO，PZT材料相比，A1N薄膜材料的压电性相对较低，沿C-轴方向生长的A1N薄膜的压电常数d33＝5～6pm/V。但A1N薄膜材料的声波速较高(纵波速可达11000m/s，横波速约为6000m/s)，这使得A1N薄膜材料可以被用来制作GHz高频谐振器、滤波器件，高频谐振器、滤波器的频率由f＝v/λ决定，其中v为材料声波波速，λ为声波波长，当器件结构一定时，材料的声波速越高，器件的频率越高。
A1N薄膜材料与MEMS工艺具有良好的兼容性，A1N薄膜材料不仅可以实现在硅衬底上的择优生长，还可以在各种金属底电极材料上生长。同时，由于A1N材料在12000C的高温下依旧能够保持压电性，所以，A1N压电薄膜器件可以适应高温工作环境。良好的化学稳定性也使得A1N压电薄膜材料能够适应腐蚀性工作环境。A1N材料还具有良好的热传导特性，这使得由A1N制作的声波器件不会因工作产热而降低器件的使用寿命。因此，A1N压电薄膜材料备受青睐。
进一步地，第一电极和第二电极为Al、Mo、W、Pt、Cu、Ag或Au中的至少一种。优选为Al和W，主要原因是Al材料的电阻率较小，W电极在AlN谐振器中的力学性质较优。其一，钨具有较低的电阻率和较高的硬度，能够有效地提高器件的电性能和机械强度；其二，钨具有体心立方结构，与AlN的晶格匹配好，界面结合能力强；其三，钨的热膨胀系数很小和AlN的热膨胀系数非常相近，在温度变化时不易出现热应力而影响器件性能；其四，钨的声阻抗大，与AlN薄膜结合，可以防止声波泄露，从而提高器件的Q值。
进一步地，第二电极为平板电极。可选地，如图6所示，第一电极13为平板电极，当第二电极14为平板电极，则组成薄膜体声波谐振器(FBAR)，空腔型FBAR是集成于CMOS器件上的首选，Q值较高，损耗小，机电耦合系数高，其中声波经过压电层12传播之后在第一电极13与空腔位置处，可以将声波进行全反射，减少声波能量的泄露。
本发明实施例提供的一种压电谐振器，通过将第一衬底和其上生长的材料层倒装固定于第二衬底上，在第二衬底和材料层之间形成空腔，这样解决了工艺难度大，破坏薄膜质量及牺牲层去除不干净，降低Q值情况，降低带有空腔的压电谐振器的制作难度，改善了压电膜的品质；降低了插入损耗，提高Q值和机电耦合系数，从而大幅度的提高了压电谐振器的性能。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种压电谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上生长材料层；
在第二衬底的一侧平面上形成一个凹槽；
将所述第一衬底和其上生长的所述材料层与所述第二衬底的一侧表面固定形成空腔；
将所述第一衬底与其上生长的所述材料层剥离。
2.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述空腔的形成方法为，首先在所述第二衬底上刻蚀出凹槽，再将材料层覆盖于所述凹槽上形成所述空腔。
3.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述材料层包括第一电极和压电层。
4.根据权利要求3所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述压电层通过在所述第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；所述压电层在远离所述第一衬底的一侧溅射第一电极；将所述第一衬底和所述压电层剥离，露出所述压电层；在所述压电层上远离所述第一电极的一侧溅射第二电极。
5.根据权利要求4所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，第二电极为平板电极。
6.一种压电谐振器，其特征在于，包括：
第二衬底；
压电层，所述压电层通过在第一衬底的上表面以溅射或外延方法得到；
第一电极，所述压电层在远离所述第一衬底的一侧溅射第一电极；第二电极，在所述压电层在远离所述第一电极的一侧溅射第二电极；
空腔，位于所述第二衬底和所述第一电极之间的密封腔。
7.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述压电层为单晶氮化铝。
8.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为Al、Mo、W、Pt、Cu、Ag或Au中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的压电谐振器，其特征在于，第二电极为平板电极
10.根据权利要求6所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底的材料为硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711172385.XA CN107947750A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711172385.XA CN107947750A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107947750A true CN107947750A (zh) | 2018-04-20 |
Family
ID=61929793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711172385.XA Withdrawn CN107947750A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107947750A (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109029408A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-18 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种陀螺仪谐振器及其压电电极连接方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109831172A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-31 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种体声波谐振器的制备方法 |
| CN110224680A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-09-10 | 电子科技大学 | 一种固态反射型体声波谐振器及其制备方法 |
| CN110581695A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| WO2020199504A1 (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| CN112803910A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-14 | 杭州电子科技大学 | 一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN114061740A (zh) * | 2020-07-31 | 2022-02-18 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种超声波传感器及其制造方法 |
| CN114342255A (zh) * | 2019-09-05 | 2022-04-12 | 常州承芯半导体有限公司 | 一种体声波谐振装置的形成方法 |
| WO2022134860A1 (zh) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 华南理工大学 | 一种新型fbar滤波器及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1619944A (zh) * | 2003-11-07 | 2005-05-25 | 松下电器产业株式会社 | 压电谐振器及制造法、用其之滤波器、双工器、通讯器件 |
| US20070205850A1 (en) * | 2004-11-15 | 2007-09-06 | Tiberiu Jamneala | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| CN103873010A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-18 | 电子科技大学 | 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN104767500A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 李国强 | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
-
2017
- 2017-11-22 CN CN201711172385.XA patent/CN107947750A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1619944A (zh) * | 2003-11-07 | 2005-05-25 | 松下电器产业株式会社 | 压电谐振器及制造法、用其之滤波器、双工器、通讯器件 |
| US20070205850A1 (en) * | 2004-11-15 | 2007-09-06 | Tiberiu Jamneala | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| CN104767500A (zh) * | 2014-01-03 | 2015-07-08 | 李国强 | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN103873010A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-18 | 电子科技大学 | 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110581695A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN110581695B (zh) * | 2018-06-08 | 2023-08-01 | 芯知微(上海)电子科技有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN109029408A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-18 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种陀螺仪谐振器及其压电电极连接方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109309483B (zh) * | 2018-10-10 | 2022-03-25 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109831172B (zh) * | 2018-12-20 | 2022-03-01 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种体声波谐振器的制备方法 |
| CN109831172A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-31 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 一种体声波谐振器的制备方法 |
| WO2020199504A1 (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| CN110224680A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-09-10 | 电子科技大学 | 一种固态反射型体声波谐振器及其制备方法 |
| CN114342255A (zh) * | 2019-09-05 | 2022-04-12 | 常州承芯半导体有限公司 | 一种体声波谐振装置的形成方法 |
| CN114061740A (zh) * | 2020-07-31 | 2022-02-18 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种超声波传感器及其制造方法 |
| CN114061740B (zh) * | 2020-07-31 | 2024-04-30 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种超声波传感器及其制造方法 |
| WO2022134860A1 (zh) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 华南理工大学 | 一种新型fbar滤波器及其制备方法 |
| CN112803910A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-14 | 杭州电子科技大学 | 一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107947750A (zh) | 一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器 | |
| WO2021109426A1 (zh) | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器单元、滤波器及电子设备 | |
| CN109309483A (zh) | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 | |
| CN105703733A (zh) | 一种固态装配型薄膜体声波谐振器的制备方法 | |
| KR100865652B1 (ko) | 압전 박막 공진자 | |
| US20200313648A1 (en) | Single-Crystal Bulk Acoustic Wave Resonator and Method of Making Thereof | |
| US11817839B2 (en) | Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof | |
| KR20120084295A (ko) | 표면파 필터 및 벌크파 필터를 포함하는 음향파 디바이스, 및 그 제조 방법 | |
| CN110474616A (zh) | 一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN104767500A (zh) | 空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN102931941A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器基片及其制备方法 | |
| CN112803910A (zh) | 一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法 | |
| CN110784188B (zh) | 谐振器及其制备方法 | |
| CN111446944A (zh) | 一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN113489467B (zh) | 采用改进工艺制备单晶薄膜体声波谐振器及滤波器的方法 | |
| CN114531126A (zh) | 一种宽带薄膜体声波谐振器的制备方法 | |
| CN111082771A (zh) | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器 | |
| CN113285014A (zh) | 单晶掺杂薄膜、声波谐振器用压电薄膜及其制备方法 | |
| CN111147040A (zh) | 一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN109302158B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN111654258B (zh) | 薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器 | |
| JP2005136115A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
| EP1177623B1 (en) | Method of manufacturing a piezoeletric filter with an acoustic resonator situated on an acoustic reflector layer formed on a carrier substrate | |
| CN114362711A (zh) | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN110492860A (zh) | 薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20180420 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |