CN109786298B - 基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带，进行基板研磨工序的基板处理装置包括移送带，所述移送带包括：第一带层，其能沿着规定路径循环旋转，在外表面放置基板；第二带层，其具有低于第一带层的压缩率，形成在第一带层的内表面，由此可以获得提高基板处理效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。

Description

基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带
技术领域
本发明涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够提高大面积基板的处理效率，提高研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置。
背景技术
最近，随着对信息显示装置关心的高涨，对要利用能携带的信息介质的要求也正在提高，同时正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(Cathode Ray Tube；CRT)的轻薄型平板显示装置(Flat Panel Display；FPD)的研究及商业化。
在这种平板显示装置领域，迄今轻巧而耗电少的液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay Device；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrast ratio)及视角等方面存在缺点，因此正在开展对能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED:Organic Light Emitting Display)。
一般而言，在显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置指向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而应准备与此相应的玻璃基板。
作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(Eximer Laser Annealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应进行研磨处理，以便去除凸起。
为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多种研究，但还远远不够，要求对此进行开发。
发明内容
所要解决的技术问题
本发明目的在于提供一种能够提高基板处理效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带。
特别是本发明目的在于，在研磨工序中，稳定地保持基板的配置状态，使得研磨完成的基板可以顺利移送。
另外，本发明目的在于，使得能够缩短处理基板需要的时间，提高生产率及收率。
另外，本发明目的在于，使得能够连续供应、处理基板，能够提高生产率及收率。
另外，本发明目的在于，使得能够简化设备，节省制造费用。
解决技术问题的方案
根据旨在达成所述本发明目的的本发明优选实施例，在研磨工序中，使得稳定地保持移送带的配置状态，借助于此，能够提高基板的处理效率，提高研磨稳定性及研磨均匀度。
有益效果
综上所述，根据本发明，可以获得提高研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。
特别是根据本发明，可以获得在研磨工序中，稳定地保持基板的配置状态，使得研磨完成的基板可以顺利移送的有利效果。
另外，根据本发明，可以获得缩短处理基板需要的时间、提高生产率及收率的有利效果。
另外，根据本发明，可以获得能够连续供应、处理基板，提高生产率及收率的有利效果。
另外，根据本发明，可以获得能够简化设备、节省制造费用，提高空间利用性的有利效果。
附图说明
图1是示出本发明的基板处理装置的结构的俯视图，
图2是用于说明本发明的基板处理装置的立体图，
图3是用于说明本发明的基板处理装置的侧视图，
图4至图6是用于说明本发明的基板处理装置的基板加载工序的图，
图7是用于说明本发明的基板处理装置的固定单元的图，
图8是用于说明本发明的基板处理用移送带的图，
图9是用于说明本发明的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的俯视图，
图10是用于说明本发明的基板处理装置的移送带的第一带层的图，
图11是用于说明本发明的基板处理装置的移送带的第三带层的图，
图12是用于说明本发明的基板处理装置的提升单元的图，
图13及图14是用于说明本发明的基板处理装置的基板卸载工序的图，
图15及图16是用于说明本发明的基板处理装置的带连接器的图，
图17是用于说明本发明的基板处理装置的移送带另一实施例的图。
附图标记
10：基板处理装置 100：加载部
110：加载移送辊 120：加载控制部
200：研磨部 210：移送带
210a：第二带层 210b：第一带层
210c：第三带层 212：辊单元
212a：第一辊 212b：第二辊
214：护圈 214a：基板容纳部
220：基板支撑部 230：研磨单元
232：研磨垫 240：提升单元
242：导辊 244：升降部
250：固定单元 252：加压构件
260：带连接器 262：第一连接构件
264：第二连接构件 266：紧固构件
263：紧固孔 300：卸载部
310：卸载移送辊 320：卸载控制部
具体实施方式
下面参照附图，更详细地说明本发明的优选实施例，但本发明并非由实施例限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的附图标记指实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用其他附图中记载的内容进行说明，可以省略本领域技术人员判断为不言而喻的或反复的内容。
参照图1至图17，本发明的基板处理装置10包括：移送带210，其包括第一带层210b和第二带层210a，所述第一带层210b能沿规定路径循环旋转，在外表面放置基板W，所述第二带层210a具有低于第一带层210b的压缩率，在第一带层210b的内表面形成；基板支撑部220，其配置于移送带210的内部，将移送带210置于之间并支撑基板W底面；研磨单元230，其研磨基板W的上面。
这是为了提高基板W的基板处理效率，提高研磨准确度及研磨均匀度。
即，在研磨放置于移送带210的基板方面，如果不保持基板配置于目标研磨位置(进行研磨的位置)的状态，则存在基板的研磨准确度和研磨均匀度降低的问题。特别是为了将基板准确地研磨为目标厚度，重要的是使基板准确地放置于移送带210，但是在研磨工序中，如果放置于移送带210的基板的位置错位，则存在难以准确地研磨基板的问题。
另外，如果在基板与移送带210之间(或移送带与基板支撑部之间)流入异物，则发生异物导致的基板W高度偏差(异物导致基板特定部位局部凸出)，因而存在基板W研磨均匀度降低的问题。
但是，本发明包括第一带层210b和第二带层210a而形成移送带210，所述第一带层210b具有较高的压缩率，能够提高对基板的摩擦系数，抑制滑动，第二带层210a具有较低的压缩率；借助于此，在研磨工序中，可以获得抑制基板相对于移送带210的非正常晃动、提高基板研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。进一步而言，在本发明中，即使异物流入基板W与移送带210之间，与异物的厚度相应，在异物所在部分，第一带层210b也可以被压下，因而能够消除异物导致的基板W高度偏差(基板的特定部位因异物而局部凸出)，可以获得使基板W特定部位局部凸出导致的研磨均匀度降低实现最小化的有利效果。
另外，以往为了使供应给加载部的基板加载到研磨部，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在加载部拾起基板后，再将基板放置于研磨部，因此，加载基板需要的时间为数秒至数十秒左右，存在处理时间增加的问题。进一步地，以往为了使研磨完成的基板卸载到卸载部，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在研磨部拾起基板后，再将基板放置于卸载部，因而卸载基板需要的时间为数秒至数十秒左右，存在处理时间增加的问题。
但是，本发明在供应给加载部100的基板W利用循环旋转的移送带210直接移送的状态下，执行对基板W的研磨工序，使得基板W在移送带210上直接移送到卸载部300，借助于此，可以获得简化基板W的处理工序、缩短处理时间的有利效果。
另外，本发明使得在基板W的加载及卸载时排除另外的拾起工序，利用循环旋转的移送带210，以直排(Inline)方式处理基板W，借助于此，可以获得缩短基板W加载时间、简化卸载工序、缩短基板W加载及卸载需要的时间的有利效果。而且，在本发明中，由于不需要配备用于在基板W的加载及卸载时拾起基板W的拾起装置，因而可以简化装备及设备，可以获得提高空间利用性的有利效果。
所述移送带210配置于加载部100与卸载部300之间，供应到加载部100的基板W移送到移送带210，在放置于移送带210的状态下研磨后，通过卸载部300卸载。
更具体而言，加载部100用于把待研磨处理的基板W加载于研磨部200。
加载部100可以以能将基板W加载于研磨部200的多样结构形成，本发明并非由加载部100的结构所限制或限定。
作为一个示例，加载部100配备成在与移送带210相同的高度下或具有不发生基板W弯曲变形的10mm以下偏差的高度下移送基板W，而且包括设置规定间隔隔开地配置的多个加载移送辊110，供应到多个加载移送辊110上部的基板W随着加载移送辊110的旋转而被多个加载移送辊110相互协助地移送。根据情况，加载部也可以包括借助于加载移送辊而循环旋转的循环带。
其中，所谓加载部100在与移送带210相同或略高的高度下移送基板W，定义为基板W在加载部100中移送的高度与基板W在移送带210放置及移送的高度相互相同或具有10mm以下高度偏差。
而且，供应到加载部100的基板W在供应到加载部100之前，借助于对齐单元(图上未示出)，姿势及位置可以排列为规定姿势和位置。
作为参考，作为本发明中使用的基板W，可以使用一侧边的长度大于1m的四边形基板W。作为一个示例，作为执行化学机械式研磨工序的被处理基板W，可以使用具有1500mm*1850mm尺寸的第六代玻璃基板W。根据情况，大于第七代及第八代尺寸的玻璃基板也可以用作被处理基板W。不同于此，也可以使用一侧边长度小于1m的基板(例如，第二代玻璃基板)。
移送带210能沿规定路径循环旋转，在外表面放置基板W，基板支撑部220配置于移送带210的内部，支撑基板W底面，研磨单元230配备得研磨基板W的上面。下面，列举移送带210、基板支撑部220、研磨单元230构成研磨部200的示例进行说明。
作为参考，在本发明中，所谓研磨单元230研磨基板W，定义为研磨单元230借助于对基板W的机械式研磨工序或化学机械式研磨(CMP)工序而研磨基板W。作为一个示例，在研磨单元230进行对基板W的机械式研磨期间，一同供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨(CMP)工序。
下面列举移送带210以一端与另一端连续连接的环形状的环状(endless)结构形成的示例进行说明。
移送带210邻接加载部100地配置，构成得沿着规定路径，以无循环方式进行循环旋转。从加载部100移送到移送带210的基板W在放置于移送带210外表面的状态下，随着移送带210的循环旋转而移送。
更具体而言，从加载部100移送到移送带210的基板W可以随着移送带210的循环旋转，以放置于移送带210外表面的状态，移送到研磨位置PZ(基板支撑部的上部位置)。另外，研磨完成的基板W可以随着移送带210的循环旋转，从研磨位置PZ移送到卸载部300侧。
移送带210的循环旋转可以根据要求的条件及设计规格而以多样方式进行。作为一个示例，移送带210沿着借助于辊单元212而确定的路径进行循环旋转，借助于移送带210的循环旋转，放置于移送带210的基板W沿着直线移动路径进行移送。
移送带210的移动路径(例如，循环路径)可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。作为一个示例，辊单元212包括第一辊212a和第二辊212b，所述第二辊212b从第一辊212a水平地隔开配置，移送带210借助于第一辊212a和第二辊212b而以无限循环方式循环旋转。
作为参考，所谓移送带210的外表面，意味着露出于移送带210外侧的外侧表面，在移送带210外表面放置基板W。而且，所谓移送带210的内表面，意味着供第一辊212a与第二辊212b接触的移送带210的内侧表面。
另外，第一辊212a和第二辊212b中某一个可以构成得向选择性地相互接近及隔开的方向直线移动。作为一个示例，第一辊212a可以构成得向固定的第二辊212b接近第一辊212a及隔开的方向直线移动。如上所述，根据制造公差及组装公差等，借助于使第二辊212b相对于第一辊212a接近及隔开，可以调节移送带210的张力。
其中，所谓调节移送带210的张力，定义为张紧或放松移送带210而调节张力。根据情况，也可以配备另外的张力调节辊，使张力调节辊移动，调节移送带的张力。但是，优选使第一辊和第二辊中某一个移动，以便能够提高结构及空间利用性。
参照图2至图8，构成移送带210的第一带层210b形成移送带210的外表面，并且具有较高的压缩率，从而可以提高对基板的摩擦系数、抑制滑动。
如上所述，以能够提高对基板的摩擦系数、抑制滑动的第一带层210b形成移送带210的外表面，借助于此，在基板W放置于移送带210外表面的状态下，可以约束基板W相对于移送带210的移动(约束滑动)，可以获得稳定保持基板W的配置位置的有利效果。
而且，所谓第一带层210b形成得具有较高的压缩率，也可以表现为第一带层210b具有较高的延伸率，定义为第一带层210b由可容易压缩的松软材质形成。
优选地，第一带层210b形成得具有20至50％的压缩率。如上所述，借助于第一带层210b形成得具有20至50％的压缩率，即使在基板W与移送带210之间流入异物，与异物的厚度相应，第一带层210b可以容易地压缩，因此，可以使异物导致的基板W高度偏差(基板特定部位因异物而局部凸出)实现最小化，可以获得使基板W特定部位局部凸出导致的研磨均匀度降低实现最小化的有利效果。
第一带层210b可以由具有对基板的较高摩擦系数、具有较高压缩率的多种材质形成，本发明并非由第一带层210b的材质所限制或限定。
作为一个示例，第一带层210b可以利用压缩率(伸缩性)及粘合性(摩擦力)优秀的聚氨酯、工程塑料、硅树脂中某一种形成。下面列举第一带层210b以具有0.5mm至1.0mm厚度的聚氨酯形成的示例进行说明。
优选地，第一带层210b以具有露出于外表面的第一气孔210b'的多孔性结构体形成，如上所述，以具有露出于外表面的第一气孔210b'的多孔性结构体形成第一带层210b，借助于此，可以获得提高基板对第一带层210b的粘合性的有利效果。
此时，基板对第一带层210b的粘合力可以借助于随着基板接触第一带层210b而在第一气孔210b'形成的真空而形成。因此，基板对第一带层210b的粘合性可以借助于变更露出于第一带层210b外表面的第一气孔210b'的气孔密度而调节。假如，借助于提高露出于第一带层210b外表面的第一气孔210b'的气孔密度，可以提高基板对第一带层210b的粘合性。
第二带层210a配备用于使移送带210既具有柔软(松软)特性，又具有适当的刚性。即，虽然也可以只以第一带层210b构成移送带210，但如果只以第二带层210a构成移送带210，则在研磨工序进行期间，移送带210会过度发生下垂，因此，基板可能弯曲或护圈变形，因此反而存在基板研磨均匀度降低的问题。因此，本发明一同利用柔软材质的第一带层210b和比较坚硬材质的第二带层210a来构成移送带210，借助于此，在研磨工序中，可以获得抑制基板相对于移送带210晃动、保持基板的配置稳定性并抑制移送带210过度变形的有利效果。
更具体而言，第二带层210a在第一带层210b的内表面形成，以便具有低于第一带层210b的压缩率。其中，所谓第二带层210a具有低于第一带层210b的压缩率，可以表现为第二带层210a具有较低的延伸率，定义为第二带层210a以不易压缩的材质形成。
优选地，第二带层210a形成得具有高于第一带层210b的硬度(Asker C)。
第二带层210a以具有低于第一带层210b的压缩率的多种材质形成，本发明并非由第二带层210a的材质所限制或限定。作为一个示例，第二带层210a可以利用压缩率低、具有高硬度的工程塑料、无纺布、金属中某一个使用。
此时，第二带层210a由于需要与第一带层210b一同循环旋转，因而应以能够保障顺畅循环旋转的厚度形成。优选地，第二带层210a可以以0.1至2mm的厚度形成。
另外，移送带210可以包括第三带层210c，所述第三带层210c在第二带层210a的内表面形成，基板支撑部220接触第三带层210c内表面，提高对基板支撑部220的摩擦系数并抑制滑动。
这是为了在研磨工序中，约束移送带210相对于基板支撑部220的移动(约束滑动)，稳定地保持移送带210的配置位置。
即，为了将基板准确地研磨到目标厚度，抑制基板相对于移送带210的晃动也是很重要的，但如果移送带210相对于基板支撑部220的位置错位，则存在难以准确地研磨基板的问题。因此，本发明在第二带层210a的内表面，形成可以提高对基板支撑部220的摩擦系数而抑制滑动的第三带层210c，使得基板支撑部220接触第三带层210c，借助于此，在移送带210的内表面(第三带层)接触基板支撑部220的状态下，可以获得抑制移送带210相对于基板支撑部220的移动、稳定地保持移送带210配置位置的有利效果。
第三带层210c可以以对基板支撑部220的摩擦力优秀的多种材质形成，本发明并非由第三带层210c的材质所限制或限定。作为一个示例，第三带层210c可以利用对基板支撑部220的摩擦力优秀的聚氨酯、工程塑料、硅树脂中某一个形成。
优选地，第三带层210c形成得具有低于第一带层210b的压缩率(例如，比20至50％低的压缩率)。如上所述，借助于以具有低于第一带层210b的压缩率的材质形成第三带层210c，在研磨工序进行期间，可以获得抑制移送带210过度下垂、使基板及护圈的变形实现最小化的有利效果。
更优选地，第三带层210c形成得具有可从基板支撑部220容易分离的较低粘合性。这是为了在完成对基板的研磨后，用于使研磨完成的基板W移送到卸载部300的移送带210循环旋转更顺利实现。
即，如果第三带层210c对基板支撑部220的粘合性高，则第三带层210c不易从基板支撑部220分离。因此，本发明借助于第三带层210c形成得具有可容易地从基板支撑部220分离的粘合性，在完成基板研磨后，可以获得容易地从基板支撑部220分离移送带210、顺利保障移送带210循环旋转的有利效果。
作为一个示例，第三带层210c以具有露出于内表面的第三气孔210c'的多孔性结构体形成。优选地，第三带层210c形成得具有高于第一带层210b的密度(g/㎝3)，露出于第三带层210c内表面的第三气孔210c'的气孔密度形成得低于露出于第一带层210b外表面的第一气孔210b'的气孔密度。如上所述，借助于将第三气孔210c'的气孔密度形成得低于第一气孔210b'的气孔密度，可以降低第三带层210c对基板支撑部220的粘合性。不同于此，也可以变化第三带层210c的材质或组成比来调节粘合性。
另外，第三带层210c形成得具有薄于第一带层210b的厚度。如上所述，借助于以薄于第一带层210b的厚度形成在移送带210最内侧形成的第三带层210c，可以获得更顺利实现移送带210循环旋转的有利效果。
另一方面，构成移送带210的第一带层210b、第二带层210a、第三带层210c的厚度可以根据各带层的材质而多样地变更。
如果根据材质整理构成移送带210的各带层的厚度，则如下[表1]所示。
[表1]本发明的移送带210各带层材质的厚度
参照[表1]，本发明的移送带210的第一带层210b可以以聚氨酯形成，第二带层210a可以以工程塑料、无纺布、金属(SUS)形成，第三带层210c可以以聚氨酯形成。此时，形成第一带层210b的聚氨酯可以形成得具有25.5至31.3％的压缩率和0.5至0.61g/㎝3的密度，形成第三带层210c的聚氨酯可以形成得具有6.1至6.8％的压缩率和0.63至0.69g/㎝3的密度。
作为一个示例，如果第二带层210a以具有0.25mm厚度的工程塑料形成，则第一带层210b可以以具有0.7mm厚度的聚氨酯形成，第三带层210c可以以具有0.5mm厚度的聚氨酯形成。作为另一示例，如果第二带层210a以具有1.55mm厚度的无纺布形成，则第一带层210b可以以具有0.7mm厚度的聚氨酯形成，第三带层210c可以以具有0.5mm厚度的聚氨酯形成。作为又一示例，如果第二带层210a以具有0.6至1mm厚度的金属(SUS)形成，则第一带层210b可以以具有0.7mm厚度的聚氨酯形成，第三带层210c可以以具有0.5mm厚度的聚氨酯形成。根据情况，也可以排除第三带层，只以第一带层和第二带层构成移送带。
基板支撑部220配置于移送带210内部，配备在将移送带210置于之间并支撑基板W底面。
更具体而言，基板支撑部220朝向基板W底面地配置于移送带210的内部，支撑移送带210的内表面。
基板支撑部220可以根据所需条件及设计规格，构成为以多样方式支撑移送带210的内表面。作为一个示例，作为基板支撑部220，可以使用花岗岩板，基板支撑部220贴紧移送带210内表面配置，支撑移送带210的内表面。
如上所述，借助于使得基板支撑部220支撑移送带210的内表面，可以防止因基板W的自重及研磨单元230对基板W加压导致的移送带210下垂。
下面列举基板支撑部220以大致四边形板状形成的示例进行说明。根据情况，基板支撑部也可以以其他不同形状及结构形成，借助于两个以上的基板支撑部而支撑移送带的内面。
另一方面，在前述及图示的本发明实施例中，列举构成得基板支撑部220以接触方式支撑移送带210内表面的示例进行了说明，但根据情况，也可以构成得基板支撑部以非接触方式支撑移送带内表面。
作为一个示例，基板支撑部可以构成得向移送带的内表面喷射流体，借助于流体的喷射力来支撑移送带的内表面。此时，基板支撑部可以向移送带的内表面喷射气体(例如，空气)和液体(例如，纯水)中至少某一种，流体的种类可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
如上所述，借助于以非接触状态支撑移送带的内表面，可以获得使因摩擦阻抗(妨碍移送带移动(旋转)的因素)导致的处理效率降低实现最小化的有利效果。
根据情况，基板支撑部也可以构成得利用磁力(例如，斥力；repulsive force)或超声波振动引起的上浮力，以非接触方式支撑移送带的内表面。
研磨单元230配备得以接触基板W表面的状态研磨基板W的表面。
作为一个示例，研磨单元230包括研磨垫232，所述研磨垫232以小于基板W的尺寸形成，以接触基板W的状态自转并移动。
更具体而言，加装于研磨垫232载体(图上未示出)，以接触基板W表面的状态自转并线性研磨(平坦化)基板W的表面。
研磨垫232载体可以以能使研磨垫232自转的多样结构形成，本发明并非由研磨垫232载体的结构所限制或限定。作为一个示例，研磨垫232载体可以以一个主体构成，或由多个主体结合构成，构成得与驱动轴(图上未示出)连接并旋转。另外，在研磨垫232载体具备用于将研磨垫232加压于基板W表面的加压部(例如，以空气压力对研磨垫232加压的空气压力加压部)。
研磨垫232以适合对基板W进行机械式研磨的材质形成。例如，研磨垫232可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯聚合物、丙烯酸及甲基丙酸烯聚合物、硅树脂、乳胶、丁腈橡胶、异戊橡胶、聚丁橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多样共聚物而形成，研磨垫232的材质及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
优选地，作为研磨垫232，使用具有小于基板W的大小的圆形研磨垫232。即，虽然也可以使用具有大于基板W的大小的研磨垫232来研磨基板W，但如果使用具有大于基板W的大小的研磨垫232，那么，为了使研磨垫232自转，需要很大的旋转装备及空间，因此，存在空间效率性及设计自由度降低、稳定性降低的问题。
实质上，基板W至少一侧边长度具有大于1m的大小，因此，使具有大于基板W的大小的研磨垫(例如，具有大于1m的直径的研磨垫)自转本身就存在很困难的问题。另外，如果使用非圆形研磨垫(例如，四边形研磨垫)，则借助于自转的研磨垫而研磨的基板W的表面无法整体上研磨成均匀的厚度。但是，本发明使具有小于基板W的大小的圆形研磨垫232自转而研磨基板W表面，借助于此，可以在不极大降低空间效率性及设计自由度的同时，使研磨垫232自转而研磨基板W，可以获得整体上均匀保持研磨垫232的研磨量的有利效果。
此时，研磨单元230的研磨路径可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。
作为一个示例，参照图9，研磨垫232构成得沿着相对于基板W一边倾斜的第一斜线路径L1、向第一斜线路径L1的相反方向倾斜的第二斜线路径L2，反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。
其中，所谓第一斜线路径L1，例如，意味着相对于基板W底边倾斜规定角度θ的路径。另外，所谓第二斜线路径L2，意味着与第一斜线路径L1交叉地朝向第一斜线路径L1相反方向倾斜规定角度的路径。
另外，在本发明中，所谓研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行Z字形移动，定义为研磨垫232在以接触基板W表面的状态移动期间，研磨垫232相对于基板W的移动路径不中断而转换为其他方向(从第一斜线路径转换为第二斜线路径)。换句话说，研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2连续移动，形成连续连接的波形态的移动轨迹。
更具体而言，第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边为基准构成线对称，研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行Z字形移动，研磨基板W的表面。此时，所谓第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W一边为基准构成线对称，意味着当使第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边11为中心对称时，第一斜线路径L1与第二斜线路径L2完全重叠，定义为基板W的一边与第一斜线路径L1构成的角度、基板W的一边与第二斜线路径L2构成的角度相互相同。
优选地，研磨垫232以小于或等于研磨垫232直径的长度为往返移动间隔，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，相对于基板W进行往返移动。下面，说明研磨垫232以与研磨垫232直径相应的长度为往返移动间隔P，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，相对于基板W规则地进行往返移动的示例。
如上所述，使得研磨垫232相对于基板W，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复地进行Z字形移动并同时研磨基板W的表面，且研磨垫232以小于或等于研磨垫232直径的长度为往返移动间隔P，相对于基板W进行前进移动，借助于此，可以获得在基板W的整体表面区域，没有研磨垫232研磨遗漏区域地规则地均匀研磨基板W整体表面的有利效果。
其中，所谓研磨垫232相对于基板W进行前进移动，定义为研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，在相对于基板W移动的同时朝向基板W前方(例如，以图9为基准，从基板底边朝向上边)直线移动。换句话说，以由底边、斜边、对边构成的直角三角形为例，直角三角形的底边可以定义为基板W的底边，直角三角形的斜边可以定义为第一斜线路径L1或第二斜线路径L2，直角三角形的对边可以定义为研磨垫232相对于基板W的前进移动距离。
换句话说，使得以小于或等于研磨垫232直径的长度为往返移动间隔，研磨垫232相对于基板W反复地进行Z字形移动(沿着第一斜线路径和第二斜线路径移动)并研磨基板W，借助于此，在基板W的整体表面区域，可以防止发生研磨垫232遗漏研磨的区域，因而可以获得均匀地控制基板W的厚度偏差，相对于二维板面均匀地调节基板W的厚度分布，提高研磨品质的有利效果。
作为另一示例，研磨垫232也可以沿着基板W一边方向的第一直线路径L1'、第一直线路径L1'相反方向的第二直线路径L2'，反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。其中，所谓第一直线路径，例如，意味着从基板底边一端朝向另一端方向的路径。另外，所谓第二直线路径，意味着朝向与第一直线路径相反方向的路径。
另一方面，在前述及示出的本发明实施例中，虽然列举研磨部200借助于以接触基板W的状态自转并移动的研磨垫232来研磨基板W的示例进行了说明，但根据情况，研磨部也可以利用以无限循环方式循环旋转的研磨带来研磨基板。
另外，参照图8，研磨部200包括以包围基板W四周周边的方式配备于移送带210外表面的护圈214。
护圈214配备用于在研磨工序中，当研磨单元230的研磨垫232从基板W外侧区域进入基板W内侧区域时，使研磨垫232在基板W的边缘部位回弹的现象(弹跳现象)实现最小化，使研磨垫232回弹现象导致的基板W边缘部位的非研磨区域(dead zone)(未进行研磨垫研磨的区域)实现最小化。
更具体而言，在护圈214贯通形成有与基板W形态对应的基板容纳部214a，基板W在基板容纳部214a的内部放置于移送带210的外表面。
在基板W容纳于基板容纳部214a的状态下，护圈214的表面高度具有与基板W边缘的表面高度类似的高度。如上所述，使得基板W的边缘部位和与基板W边缘部位邻接的基板W外侧区域(护圈214区域)具有相互相似的高度，借助于此，在研磨工序中，在研磨垫232从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动期间，可以使基板W内侧区域与外侧区域间的高度偏差导致的研磨垫232回弹现象实现最小化，可以获得使回弹现象导致的非研磨区域实现最小化的有利效果。
优选地，护圈214形成得具有薄于或等于基板W的厚度(T1≥T2)。如上所述，具有薄于或等于基板W的厚度T2地形成护圈214，借助于此，可以获得在研磨垫232从基板W外侧区域移动到基板W内侧区域期间，防止发生研磨垫232与护圈214碰撞导致的回弹现象的有利效果。
而且，护圈214沿着移送带210的循环方向，在移送带210外表面配备多个。如上所述，借助于在移送带210外表面形成多个护圈214，具有能够以直排(Inline)方式连续处理互不相同的基板W的优点。
另外，参照图7，基板处理装置10包括固定单元250，如果随着移送带210的循环旋转，放置于移送带210的基板W被移送到研磨位置PZ，则所述固定单元250使移送带210固定。
这是为了在对基板W进行研磨期间，抑制移送带210晃动及移动导致的基板W晃动，提高基板W的研磨均匀度。
即，基板W在放置于移送带210的状态下进行研磨，因而如果移送带210发生晃动，则放置于移送带210的基板W一同晃动，因此在对基板W进行研磨期间，应能够约束移送带210的晃动。
固定单元250可以以能固定移送带210的多样结构形成。作为一个示例，固定单元250可升降地配备于移送带210的上部，包括选择性地对移送带210的外表面进行加压的加压构件252。
优选地，加压构件252构成得沿着移送带210的宽度方向连续地对移送带210的外表面加压。如上所述，使得移送带210外表面沿着移送带210的宽度方向被连续加压，借助于此，可以获得更顺利地约束移送带210晃动的有利效果。
作为一个示例，加压构件252为了使移送带210从基板支撑部220隔开而与移送带210内部配备的提升单元240的导辊242相向地配置。如上所述，与导辊242相向地配置加压构件252，使得移送带210在加压构件252与导辊242之间被加压，借助于此，可以获得防止加压构件252对移送带210加压导致移送带210下垂的有利效果。根据情况，也可以将加压构件配置于基板支撑部的上部，或构成得利用其他支撑构件，支撑被加压构件加压的移送带内表面。
另一方面，基板处理装置10包括加载控制部120，在将基板W从加载部100移送到研磨部200的加载移送工序中，所述加载控制部120使加载部100移送基板W的加载移送速度与移送带210移送基板W的带移送速度同步。
更具体而言，如果基板W的一端配置于移送带210预先定义的放置起始位置SP，加载控制部120则使加载移送速度与带移送速度同步。
其中，所谓移送带210预先放置起始位置SP，定义为基板W可借助于移送带210的循环旋转而开始移送的位置，在放置起始位置SP，赋予移送带210与基板W间粘合性。作为一个示例，放置起始位置SP可以设置于与从加载部100移送的基板W前端相向的基板容纳部214a一边(或邻接基板容纳部一边的位置)。
作为参考，如果借助于诸如传感器或摄像机的通常的感知设备，感知基板容纳部214a的一边位于放置起始位置SP，则移送带210停止旋转，使基板容纳部214a的一边保持位于放置起始位置SP的状态。
然后，在移送带210停止旋转的状态下，如果借助于感知设备而感知基板W前端配置于放置起始位置SP，则加载控制部120使移送带210旋转(同步旋转)，使加载部100移动基板W的加载移送速度与移送带210移送基板W的带移送速度成为相互相同的速度，使基板W移送到研磨位置PZ。
而且，卸载部300用于将完成研磨处理的基板W从研磨部200卸载。
卸载部300可以以能从研磨部200卸载基板W的多种结构形成，本发明并非由卸载部300的结构所限制或限定。
作为一个示例，卸载部300在与移送带210相同的高度或具有10mm以下偏差的稍低高度下移送基板W，且包括设置规定间隔隔开地配置的多个卸载移送辊310，供应到多个卸载移送辊310上部的基板W随着卸载移送辊310的旋转而被多个卸载移送辊310相互协助地移送。根据情况，卸载部也可以包括借助于卸载移送辊而循环旋转的循环带构成。
其中，所谓卸载部300在与移送带210相同的高度或具有10mm以下偏差的稍低高度下移送基板W，定义为基板W在卸载部300中移送的高度与基板W在移送带210中放置及移送的高度相互相同或在具有10mm以下偏差的高度下移送。
另外，参照图13及图14，基板处理装置10包括卸载控制部320，在将基板W从研磨部200移送到卸载部300的卸载移送工序中，所述卸载控制部320使移送带210移送基板W的带移送速度与卸载部300移送基板W的卸载移送速度同步。
作为一个示例，如果感知基板W的一端，则卸载控制部320按照与移送带210移送基板W的带移送速度相同的速度，使卸载移送速度同步。根据情况，也可以与基板W一端感知与否无关，使卸载移送辊旋转，以便使带移送速度与卸载移送速度同步，在这种状态下，使移送带旋转，将基板卸载到卸载部。
另外，参照图12，基板处理装置10包括提升单元240，所述提升单元240使移送带210的内表面从基板支撑部220选择性地隔开。
这是为了实现更顺利使将完成研磨的基板W移送到卸载部300所需的移送带210循环旋转。
即，在移送带210的内表面，形成有用于提高移送带210对基板支撑部220的摩擦力的第三带层210c，因此，在移送带210的内表面接触基板支撑部220的状态下，难以顺利实现移送带210的旋转。
在对基板W进行研磨期间，提升单元240使得保持移送带210内表面(第三带层)接触基板支撑部220的状态，在完成研磨后，在移送带210循环旋转期间，使得移送带210的内表面从基板支撑部220隔开。
提升单元240可以以能够使移送带210内表面从基板支撑部220选择性地隔开的多种结构形成。作为一个示例，提升单元240包括滚动接触移送带210内表面的导辊242、使导辊242选择性地升降的升降部244。
导辊242在接触移送带210内表面的状态下，随着移送带210的旋转而旋转。
升降部244可以以能够使导辊242选择性地升降的多种结构形成，本发明并非由升降部244的结构及种类所限制或限定。作为一个示例，作为升降部244，可以使用通常的螺线管、汽缸等。
另一方面，在前述及图示的本发明的实施例中，虽然列举移送带210由一端与另一端连续连接的环状(endless)结构形成的示例进行了说明，但根据情况，也可以以一端与另一端可分离的结构形成移送带。
参照图15及图16，移送带210'可以形成得一端211'与另一端212'可分离，可以包括选择性地紧固移送带210'的一端211'与另一端212'的带连接器260。
带连接器260可以以能选择性地紧固移送带210'的一端211'与另一端212'的多种结构形成，本发明并非由带连接器260的结构及连接方式所限制或限定。
此时，优选带连接器260在未形成有护圈214的区域形成，以便不与护圈214重叠。
作为一个示例，带连接器260包括结合于移送带210'的一端211'的第一连接构件262、结合于移送带210'的另一端212'的第二连接构件264、紧固第一连接构件262与第二连接构件264的紧固构件266。
更具体而言，第一连接构件262可以以“U”字形形态形成，利用诸如紧固销的捆扎构件，结合于移送带210的一端211'。同样地，第二连接构件264可以以“U”字形形态形成，利用诸如紧固销的捆扎构件，结合于移送带210的另一端212'。
第一连接构件262和第二连接构件264一部分相互重叠地配置，由于第一连接构件262与第二连接构件264相互重叠，在第一连接构件262与第二连接构件264之间，形成有闭环形态的紧固孔263。紧固构件266贯通紧固孔263地插入，借助紧固构件266的捆扎，移送带210的一端211'与另一端212'紧固成一体。相反，在移送带210分离时，可以从紧固孔263去除紧固构件266，分离移送带210的一端211'与另一端212'。
如上所述，以一端211'与另一端212'可以分离的分离型结构形成移送带210，使得移送带210的一端211'与另一端212'借助于带连接器260而选择性地紧固，借助于此，可以获得简化移送带210的更换工序、缩短更换时间的有利效果。特别是与环状结构的移送带210相比，可以获得显著缩短从辊单元212分离移送带210'及结合所需时间的有利效果。
另外，参照图17，移送带210"也可以以一端与另一端相互重叠地粘合的环状结构形成。
更具体而言，移送带210"的一端与另一端相互重叠的配置，在移送带210"的一端与另一端之间配备有粘合层260'，移送带210"的一端与另一端以粘合层260'为介质粘合成一体。
特别是在移送带210"的第二带层210a以金属材质形成的情况下，使第一带层210b(和/或第三带层)从移送带210"的一端(或另一端)部分地去除，将以金属材质形成的第二带层210a的一端及另一端，以粘合层260'为介质粘合，从而可以以环状结构形成移送带210"。优选地，以丙烯酸系列粘合剂形成粘合层260'，借助于此，可以获得提高第二带层210a的一端与另一端的粘合性、提高移送带210"的稳定性的有利效果。
此时，优选移送带210"的一端与另一端相互重叠的部位(形成有粘合层的部位)在未形成护圈214的区域形成，以便不与护圈214重叠。
以上参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是相应技术领域的技术人员便会理解，在不超出权利要求书记载的本发明的思想及领域的范围内，可以多样地修订及变更本发明。

Claims (12)

1.一种基板处理用移送带，在对基板的研磨工序中用于放置所述基板，其特征在于，包括：
第一带层，其能沿着规定路径循环旋转，在外表面放置所述基板；
第二带层，其具有低于所述第一带层的压缩率，形成在所述第一带层的内表面，并与支撑所述基板的底面的基板支撑部接触；以及
第三带层，其形成在所述第二带层的内表面，供所述基板支撑部接触内表面，提高对所述基板支撑部的摩擦系数，以抑制滑动。
2.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第一带层形成为多孔性结构体，该多孔性结构体具有露出于外表面的第一气孔。
3.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第一带层包含工程塑料。
4.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第一带层包含硅树脂。
5.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第二带层具有高于所述第一带层的硬度。
6.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第二带层包含工程塑料、无纺布以及硅树脂中的一种。
7.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第三带层具有低于所述第一带层的压缩率。
8.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第三带层形成为多孔性结构体，该多孔性结构体具有露出于内表面的第三气孔。
9.根据权利要求8所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第三带层具有高于所述第一带层的密度，
所述第一带层具有露出于外表面的第一气孔，
露出于所述第三带层的内表面的所述第三气孔的气孔密度低于所述第一气孔的气孔密度。
10.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第三带层包含聚氨酯、工程塑料以及硅树脂中的一种。
11.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，
所述第三带层具有薄于所述第一带层的厚度。
12.一种基板处理装置，作为进行基板研磨工序的基板处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1至11中任意一项所述的基板处理用移送带；
基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面；
研磨单元，其研磨所述基板的上面。
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