CN109775672A - 一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法 - Google Patents
一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109775672A CN109775672A CN201910237206.9A CN201910237206A CN109775672A CN 109775672 A CN109775672 A CN 109775672A CN 201910237206 A CN201910237206 A CN 201910237206A CN 109775672 A CN109775672 A CN 109775672A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano wire
- aln
- preparation
- cathode
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 25
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000972773 Aulopiformes Species 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000005049 combustion synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 235000019515 salmon Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 template Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明的一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,属纳米材料制备的技术领域。将Al粉与Mn粉混匀压块;将压块置于石墨锅内,放入卧式直流电弧放电装置的真空腔内作为阳极,阴极采用钨杆;阴极与阳极相对水平放置;将反应室内充入氮气,阳极和冷凝壁通循环冷却水。放电过程中旋转阴极钨杆,保持电压20~40V,电流80~200A,反应时间2~5分钟。之后在氮气中钝化6~7小时,在冷凝壁上收集黄色绒毛状粉末。本发明方法简单、反应快速、低成本、无污染、样品纯度高、可重复性好、无需催化剂和表面活性剂。制备的样品在紫光照射下,发出红光,是一种LED荧光材料;在室温下具有铁磁性,是一种稀磁半导体材料。
Description
技术领域
本发明属于LED荧光粉、稀磁半导体、纳米材料制备的技术领域,特别涉及了一种简单且快速的制备Mn2+掺杂AlN纳米线的新方法。
背景技术
第三主族元素金属氮化物(AlN、GaN等)一直备受人们关注,因其具有宽禁带、高熔点和高发光强度等特点,成为发光二极管和电致发光器件中的理想半导体材料。将过渡金属稀土元素与第三主族元素金属氮化物相掺杂后所得产物,在稀磁半导体、高效发光器件和短波长光器件上都有广泛的应用前景。此外,二价Mn2+离子的3d电子发生跃迁会使Mn2+掺杂AlN(AlN:Mn)展现出桔红色发光特性。因此,AlN:Mn是一种电致发光平板显示的发光层材料,广泛应用于大尺寸屏幕显示器件。AlN:Mn的制备方法有燃烧合成法(FunctionalMaterials Letters 2 (2015)1550025),高温烧结法(Materials Letters 206(2017)175-177),热化学气相沉积法(Materials Letters 70(2012)34-36)等。但上述制备方法所制备的 AlN:Mn均为体材料,且具有反应时间长,能耗高,步骤繁琐,不利于工业化大规模生产等不足。此外,前人在制备AlN:Mn薄膜样品时还采用分子束外延、磁控溅射以及金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法,此类方法依赖昂贵的真空设备且无法摆脱基底束缚,这大大提升了制备成本。因此,综上所述,简单且快速的制备AlN:Mn纳米材料的有效方法目前鲜有报道。
直流电弧法是一种有效制备纳米材料的方法,在高温、高电离和高淬冷的动态极端环境下,通过高温蒸发、升华和电子与离子束爆轰,易形成纳米和亚纳米尺度具有高反应活性的反应物团簇,这些团簇在高速淬冷过程中易形成具有特征形貌的低维物质。目前,采用直立式电弧放电装置已经制备出Zn纳米线(专利号:CN201110053887.7)和Mg掺杂氮化铝纳米线(专利号: CN201110053887.7)等。但是,由于在直立式电弧放电装置中,钨杆(阴极)和铜锅(阳极)是垂直放置,蒸发的气流是向上的,蒸发样品收集区域集中在钨杆(阴极)和铜锅上(阳极),不仅限制了纳米线的批量生长,增加制备成本,还容易造成样品纯度降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,克服现有技术的过渡金属元素掺杂AlN困难,制备的样品纯度低、反应过程复杂,产量低等缺点,改善制备装置的结构,采用卧式直流电弧放电装置,在该装置中阴极和阳极是水平放置,蒸发的气流是向上的,蒸发样品直接落到冷凝壁上,这不仅有利于大批量纳米线的产生,降低制备成本,还有效提高了样品纯度。
本发明的制备AlN:Mn纳米线是采用卧式直流电弧放电装置。具体的技术方案如下所述。
一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,有如下步骤:将Al粉与Mn粉按摩尔比100:1~7的比例放入混料机中混合均匀,压成密度为3.5~4g/cm3的压块;将压块置于石墨锅内作为阳极,一并放入卧式直流电弧放电装置内,采用钨棒作为阴极,阴极与阳极相对水平放置,间距为0.5~2cm;对直流电弧放电装置的反应腔抽真空后,充入反应气体氮气,氮气气压为40~80kPa;对卧式直流电弧放电装置通入循环冷却水后,开始放电,并以2π/min旋转速度旋转阴极钨杆;放电过程中,电压为20~40V,电流为80~120A,反应时间为2~5分钟;反应结束后,在氮气环境中钝化6~7小时,在反应腔内收集到黄色毛绒粉末为AlN:Mn纳米线。
制备过程中,反应时间超过5分钟容易造成样品与石墨埚反应,使样品引入石墨杂质。
所述的旋转阴极钨杆,旋转速度可以为2π/min。因为旋转钨杆电极的目的是为了使阳极样品的反应均衡,旋转过快不利于电弧放电的稳定,而旋转过慢会使阳极样品反应不均衡。
原料为Al与Mn粉末,优选的摩尔比为100:3。在该比例合成出的AlN掺杂Mn 的比例为1%左右,能使AlN:Mn纳米线具有最优的发光和稀磁性性能。
所述的反应气体,最佳氮气反应气压为60kPa。更高的气压会使放电区域局部的温度降低,不利于AlN形成;而过低的气压会使Al不能完全氮化,也不利于 AlN的形成。
优选的反应条件为,电压20V,电流100A,该反应条件下卧式直流电弧放电装置放电最为稳定,孤光区温场更加稳定。
本发明利用卧式直流电弧放电装置制备AlN:Mn纳米线具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、可重复性好、无需添加任何催化剂、模板、基底等优点。特别是产生的纳米和亚纳米尺度的反应物团簇都蒸发和升华到顶部的冷凝壁上,在冷凝壁上收集样品,使AlN:Mn纳米线产量大、纯度高、成本降低。制备的样品在紫光照射下,发出红光,是一种LED荧光材料。在室温下具有铁磁性,是一种稀磁半导体材料,产品在光电发射器,荧光粉、闪烁体探测器等领域具有应用潜力。
附图说明
图1本发明卧式直流电弧放电装置结构图。
图2是实施例2制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的SEM图。
图3是实施例2制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的XPS图。
图4是实施例2制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的XRD谱图。
图5是实施例2制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的PL谱图。
图6是实施例2制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的磁滞回线谱图。
图7是实施例3制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的SEM图。
图8是实施例3制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的XRD谱图。
图9是实施例3制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的PL谱图。
图10是实施例3制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的磁滞回线谱图。
图11是实施例4制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的SEM图。
图12是实施例4制得的Mn2+掺杂AlN纳米线的XRD图。
图13是实施例5制得的AlN纳米线的PL谱图。
图14是实施例5制得的AlN纳米线的磁滞回线谱图。
具体实施方式
实施例1卧式直流电弧放电装置结构示意图
结合图1说明本发明制备AlN:Mn纳米线的卧式直流电弧装置结构。图1中, 1为反应腔,2为冷凝壁,3为由钨棒构成的阴极,4为样品收集区,5为Al和 Mn混合粉的压块,6为石墨锅阳极,7为进水口,8为出水口,9为进气口,10 为出气口。
钨棒阴极与石墨锅阳极间距不大于2cm是制备AlN:Mn纳米线的关键。适当的引弧距离能够产生等离子体,使弧光区温场分布稳定,有利于Mn2+离子有效且均匀的掺杂到AlN纳米线中。钨棒能够有效的抗高温,其构成的阴极在制备过程中沿逆时针匀速转动,可以使阳极原料反应充分且均匀。阴极与阳极相对水平放置,使反应物团簇都蒸发和升华到顶部的冷凝壁上,样品收集区域在冷凝壁内侧,有助于提高产量、提高纯度和降低成本。在通有冷却水的冷凝壁上可收集到经淬火后形成的样品,有利于纳米线的形成。
实施例2制备最佳AlN:Mn纳米线的全过程。
将Al粉与Mn粉按摩尔比100:3的比例放入混料机中混合均匀。取出5g混合粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将块体放入石墨锅中后,一并放入卧式直流电弧放电装置的反应室中,作为阳极,钨棒作为阴极,阴极与阳极相对水平放置,阴极和阳极保持间距为2cm。将卧式直流电弧放电装置的反应室抽成真空(小于5Pa),然后充60kPa氮气。石墨锅和冷凝壁通入循环冷却水后,开始放电。在放电过程中,阴极钨杆旋转,转速为2π/min,保持电压为20V,电流为100A,反应时间为5分钟。反应结束后,在氮气环境中钝化7小时,在冷凝壁内侧收集黄色毛绒状粉末为AlN:Mn纳米线。
图2给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线的SEM图,可以看出样品为形貌均一的纳米线,直径为数十纳米量级,长度为数十微米量级。图3给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线的XPS谱图,(a)为XPS全谱,(b)为Mn:2p谱图。可以得出纳米线是Al,N和Mn三种元素组成,并且掺杂Mn元素为二价。图4 给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线的XRD谱图,证明样品为纯度很高的AlN (PDF Card No.08-0262)。图5是上述条件下制备的AlN:Mn纳米线的PL谱图,在波长325nm紫光照射下样品发出强烈的红光。图6是上述条件下制备的 AlN:Mn纳米线的在室温下的磁滞回线图,饱和磁化强度为0.054emu/g,证明样品在室温下具有铁磁性。
实施例3制备AlN:Mn纳米线的全过程。
将Al与Mn粉末摩尔比100:7的比例放入混料机中混合均匀。取出5g的混合粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压成的混合块放入石墨锅,再放入卧式直流电弧放电装置的反应室的阳极中,阴极为钨棒电极,阴极与阳极相对水平放置,阴极和阳极保持间距为1.5cm。将卧式直流电弧放电装置的反应室抽成真空(小于5Pa),然后充40kPa氮气。石墨锅通入循环冷却水后,开始放电。在放电过程中,阴极钨杆旋转,转速为2π/min,保持电压为40V,电流为120A,反应时间为3分钟。反应结束后,在氮气环境中钝化6小时,在冷凝壁上收集黄色绒毛状的AlN:Mn纳米线样品。
图7给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线的SEM图,确认所制得样品主体为直径较大的AlN:Mn纳米线,但混有部分大尺寸块体形貌,且形貌不均一。
图8给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线XRD谱图,证明样品为纯的AlN(PDF CardNo.08-0262)。图9给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线PL谱图,在波长325nm紫光照射下样品发出强烈的黄红光,这是由于掺杂浓度提高后,Mn 的缺陷能级产生的。图10给出上述条件下制备的AlN:Mn纳米线的在室温下的磁滞回线图,证明样品在室温下具有铁磁性,饱和磁化强度为0.036emu/g,掺杂浓度升高,其稀磁性减弱。
实施例4制备AlN:Mn纳米线的全过程。
将Al与Mn粉末按摩尔100:1的比例放入混料机中混合均匀。取出5g的混合粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压块放入石墨锅后,一并放入卧式直流电弧放电装置反应室的阳极中,阴极为钨棒电极,阴极与阳极相对水平放置,阴极和阳极保持间距为0.5cm。将卧式直流电弧放电装置的反应室抽成真空(小于5Pa),然后充50kPa氮气。通入循环冷却水,开始放电。在放电过程中,阴极钨杆旋转,转速为2π/min,电压为20V,电流为 80A。反应时间为5分钟。反应结束后,在氮气环境中钝化6小时后,在冷凝壁上收集到灰白色样品。
图11给出上述条件下制备的样品的SEM图,确认制得的是的微米级块体材料。图12给出上述条件下制备的样品的XRD图谱,证明样品为Al粉,含有少量的AlN。
实施例5制备AlN纳米线的全过程(对比例)。
取出5g的Al粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压成的块放入石墨锅,再放入卧式直流电弧放电装置的反应室阳极中,阴极为钨电极,阴极与阳极相对水平放置,阴极和阳极保持间距为2cm。将卧式直流电弧放电装置的反应室抽成真空(小于5Pa),然后充80kPa氮气。石墨锅和冷凝壁通入循环冷却水后,开始放电。在放电过程中,阴极钨杆旋转,转速为2π/min,保持电压为30V,电流为100A,反应时间为5分钟。反应结束后,在氮气气环境中钝化7小时,在冷凝壁上收集到白色绒毛状的AlN纳米线。
图13给出上述条件下制备的Mn2+掺杂AlN纳米线PL谱图,在325nm紫光激发下样品发出很弱和宽的发光峰,这是由于AlN本身的缺陷产生的。图14 给出上述条件下制备的Mn2+掺杂AlN纳米线的在室温下的磁滞回线图,证明样品在室温下不具有铁磁性。
Claims (5)
1.一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,有如下步骤:将Al粉与Mn粉按摩尔比100:1~7的比例混合均匀,压成密度为3.5~4g/cm3的压块;将压块置于石墨锅内作为阳极,一并放入卧式直流电弧放电装置内,采用钨棒作为阴极,阴极与阳极相对水平放置,间距为0.5~2cm;对卧式直流电弧放电装置的反应腔抽真空后,充入反应气体氮气,氮气气压为40~80kPa;对卧式直流电弧放电装置通入循环冷却水后,开始放电,并旋转阴极钨杆;放电过程中,电压为20~40V,电流为80~120A,反应时间2~5分钟;反应结束后,在氮气环境中钝化6~7小时,在反应腔内收集到黄色毛绒粉末为AlN:Mn纳米线。
2.按照权利要求1所述的Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,其特征在于,所述的Al与Mn粉末,摩尔比为100:3。
3.按照权利要求1所述的Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,其特征在于,所述的充入反应气体氮气,气压为60kPa。
4.按照权利要求1所述的Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,其特征在于,所述的放电过程,电压为20V,电流为100A。
5.按照权利要求1所述的Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法,其特征在于,所述的旋转阴极钨杆,旋转速度为2π/min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910237206.9A CN109775672B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910237206.9A CN109775672B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109775672A true CN109775672A (zh) | 2019-05-21 |
CN109775672B CN109775672B (zh) | 2022-09-30 |
Family
ID=66490549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910237206.9A Expired - Fee Related CN109775672B (zh) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | 一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109775672B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114517091A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-05-20 | 渤海大学 | 一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法 |
CN116179196A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-30 | 渤海大学 | 一种高灵敏度光学测温材料及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102304699A (zh) * | 2011-09-30 | 2012-01-04 | 新疆大学 | 一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法 |
CN102321915A (zh) * | 2011-10-08 | 2012-01-18 | 新疆大学 | 一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法 |
CN108408699A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-08-17 | 渤海大学 | 一种三价镝掺杂氮化铝纳米材料的制备方法 |
CN109455681A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-03-12 | 陕西理工大学 | 一种制备镁掺杂氮化铝条形结构材料的方法 |
-
2019
- 2019-03-27 CN CN201910237206.9A patent/CN109775672B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102304699A (zh) * | 2011-09-30 | 2012-01-04 | 新疆大学 | 一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法 |
CN102321915A (zh) * | 2011-10-08 | 2012-01-18 | 新疆大学 | 一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法 |
CN108408699A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-08-17 | 渤海大学 | 一种三价镝掺杂氮化铝纳米材料的制备方法 |
CN109455681A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-03-12 | 陕西理工大学 | 一种制备镁掺杂氮化铝条形结构材料的方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114517091A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-05-20 | 渤海大学 | 一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法 |
CN114517091B (zh) * | 2022-03-09 | 2023-09-12 | 渤海大学 | 一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法 |
CN116179196A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-30 | 渤海大学 | 一种高灵敏度光学测温材料及其制备方法 |
CN116179196B (zh) * | 2023-03-07 | 2024-02-06 | 渤海大学 | 一种高灵敏度光学测温材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109775672B (zh) | 2022-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102616757B (zh) | 一种自组装氮化碳纳米管的制备方法以及由该方法制得的纳米管 | |
Dai et al. | Fabrication and characterization of In2O3 nanowires | |
CN100372776C (zh) | 一种超细氧化锌纳米线及其制备方法 | |
CN110205118A (zh) | 表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用 | |
CN102910598B (zh) | 钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法 | |
Li et al. | Preparation, conversion, and comparison of the photocatalytic property of Cd (OH) 2, CdO, CdS and CdSe | |
Xu et al. | Hydrothermal synthesis and luminescent properties of Y2O3: Tb3+ and Gd2O3: Tb3+ microrods | |
CN110938428B (zh) | 一种高效合成Cs2AgCl3全无机非铅钙钛矿的方法 | |
CN109775672A (zh) | 一种Mn2+掺杂AlN纳米线的制备方法 | |
Xiaoxu et al. | Synthesis of Y2O3 phosphor by a hydrolysis and oxidation method | |
CN104726736B (zh) | 一种从中心到边缘组分连续可调层状MoS2(1-x)Se2x合金纳米片材料及其制备方法和装置 | |
CN108408699A (zh) | 一种三价镝掺杂氮化铝纳米材料的制备方法 | |
Jayasimhadri et al. | Conversion of green emission into white light in Gd2O3 nanophosphors | |
Khan et al. | Synthesis, growth mechanism, photoluminescence and field emission properties of metal–semiconductor Zn–ZnO core–shell microcactuses | |
CN101538467A (zh) | 绿色发光七铝酸十二钙粉体制备方法 | |
Yang et al. | Solvothermal growth of highly oriented wurtzite‐structured ZnO nanotube arrays on zinc foil | |
Zhai et al. | Hydrothermal synthesis, characterization and luminescence properties of orange–red-emitting phosphors SnO 2: Eu | |
CN114517091B (zh) | 一种稀土离子掺杂氮化硅纳米线及其制备方法 | |
Kwon et al. | Synthesis of vertical arrays of ultra long ZnO nanowires on noncrystalline substrates | |
Jiang et al. | Fabrication of Mg0. 48Zn0. 52O nanowires ultraviolet photosensors via catalyst-free chemical vapor deposition | |
Pandey et al. | Doped zinc oxide nanoceramics for the enhancement of optoelectronic properties | |
CN100582014C (zh) | 一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法 | |
Yang et al. | ZnO: Ga nanowires with low turn-on field for field-emission lighting | |
Yang et al. | Synthesis of rare earth doped Si3N4 nanowires with excellent luminescence properties by plasma-assisted direct nitridation method | |
CN108557782B (zh) | 一种二价铕掺杂氮化铝纳米分级结构的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220930 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |