CN109759698B - 一种激光晶圆打标装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种激光晶圆打标装置，其在进行激光打标之前，沿着打标的移动方向，第一密封腔内释放氮气清洁气体，对晶圆上预先残留物进行清扫，同时利用真空抽气进行残留物的排出；在进行激光打标时，沿着打标的移动方向，第二密封腔内释放氮气清洁气体，对堆积物进行清扫，同时利用真空抽气进行堆积物的排出。这样能够防止晶圆划伤或割断。

Description

一种激光晶圆打标装置
技术领域
本发明涉及半导体工件加工领域，具体为一种激光晶圆打标装置。
背景技术
晶圆下线之后的第一步是在晶圆表面打标，打标是采用激光(laser)在晶圆的12点钟方向打出晶圆的批号。而批号实际上是由激光在晶圆表面打出的众多小孔组成的。激光在挖孔的同时，会把挖孔的副产物(硅，Si) 堆积在孔的旁边，堆积物过高会导致后续化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)的刮伤。对打标异常的晶圆切片发现：堆积物最多可以达到8000nm以上，而正常情形下应该小于1000nm。因此，该打标异常的晶圆进行到STI-SMP步骤时，CMP会在机械力的作用下将突起的部分割断，割断的部分会在晶圆表面划伤有源区SiN。还有一种情形是当打标机台出现异常的时候，打标孔旁边堆积物的厚度会出现异常，在后续的浅沟槽隔离二氧化硅-化学机械抛光(STI-CMP)步骤会造成晶圆划伤，因此需要对打标过程中打标孔周围堆积物进行去除。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种激光晶圆打标装置，包括：
壳体，其为圆柱状，具有一底面，所述底面上具有一凹槽，所述凹槽具有一定的深度；
环形的第一密封圈，设置于所述底面的最外围，且环绕在所述凹槽周围；
环形的第二密封圈，设置于所述底面的所述第一密封圈的内侧且与第一密封圈中心重合；相较于所述第一密封圈，所述第二密封圈更靠近所述凹槽；所述第一密封圈和第二密封圈之间的部分形成密封腔；
两个隔离密封条，设置于所述第一密封圈和第二密封圈之间，并将所述密封腔等分为第一密封腔和第二密封腔；其中，所述装置的移动方向为第一方向，而所述隔离密封条沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第一密封腔和第二密封腔内分别设置有真空抽气口和氮气清洁口；
可伸缩激光头，设置于所述壳体内，且从所述凹槽内露出。
根据本发明的实施例，在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述真空抽气口为单个弧形的条状口，所述真空抽气口关于所述第一方向对称。
根据本发明的实施例，在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述氮气清洁口为多个圆形口，所述氮气清洁口均匀分布在所述真空抽气口的两侧。
根据本发明的实施例，在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述真空抽气口为两个弧形的条状口，所述真空抽气口关于所述第一方向对称。
根据本发明的实施例，在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述氮气清洁口为多个圆形口，所述氮气清洁口均匀分布在两个所述真空抽气口的之间。
根据本发明的实施例，还包括隔热圈，所述隔热圈设置在所述第二密封圈与所述凹槽之间。
根据本发明的实施例，所述真空抽气口通过所述壳体内的抽气管与外部真空装置连接。
根据本发明的实施例，所述氮气清洁口通过所述壳体内的输气管与外部供气装置连接。
根据本发明的实施例，所述第一密封圈和第二密封圈的材质相同，例如均可以是橡胶材料或弹性塑料。
根据本发明的实施例，所述隔离密封条与所述第一密封圈和第二密封圈的材质相同。
本发明的优点如下：在进行激光打标之前，沿着打标的移动方向，第一密封腔内释放氮气清洁气体，对晶圆上预先残留物进行清扫，同时利用真空抽气进行残留物的排出；在进行激光打标时，沿着打标的移动方向，第二密封腔内释放氮气清洁气体，对堆积物进行清扫，同时利用真空抽气进行堆积物的排出。这样能够防止晶圆划伤或割断。
附图说明
图1为本发明的激光晶圆打标装置的剖视图；
图2为本发明的激光晶圆打标装置的仰视图（底面图）。
具体实施方式
本发明的目的在于提供一种能够防止晶圆划伤或割断的激光打标装置。
参加图1和2，本发明的激光晶圆打标装置，包括：
壳体，其为圆柱状，具有一底面，所述底面上具有一凹槽4，所述凹槽4具有一定的深度；
环形的第一密封圈1，设置于所述底面的最外围，且环绕在所述凹槽4周围；
环形的第二密封圈2，设置于所述底面的所述第一密封圈1的内侧且与第一密封圈1中心重合；相较于所述第一密封圈1，所述第二密封圈2更靠近所述凹槽4；所述第一密封圈1和第二密封圈2之间的部分形成密封腔；
两个隔离密封条3，设置于所述第一密封圈1和第二密封圈2之间，并将所述密封腔等分为第一密封腔5和第二密封腔6；其中，所述装置的移动方向为第一方向（即图中的T方向），而所述隔离密封条3沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第一密封腔5和第二密封腔6内分别设置有真空抽气口7和氮气清洁口8；
可伸缩激光头9，设置于所述壳体内，且从所述凹槽4内露出；
隔热圈10，所述隔热圈10设置在所述第二密封圈2与所述凹槽4之间。所述隔热圈10防止激光能量损坏密封圈1、2，其可以是隔热材料、保温材料；
参见图2，在所述第一密封腔5内或者在所述第二密封腔6内，所述真空抽气口7为单个弧形的条状口，所述真空抽气口7关于所述第一方向对称。然而，所述氮气清洁口8为多个圆形口，所述氮气清洁口8均匀分布在所述真空抽气口7的两侧。
作为优选的实施例（未示出），在所述第一密封腔5内或者在所述第二密封腔6内，所述真空抽气口7为两个弧形的条状口，所述真空抽气口7关于所述第一方向对称，即位于第一方向的两侧并间隔一端距离。此时，所述氮气清洁口8为多个圆形口，所述氮气清洁口8均匀分布在两个所述真空抽气口7的之间。该种设置，使得堆积物被吹到第一方向的两侧，然后被真空抽气口带走，防止打标方向残留。
其中，所述真空抽气口7通过所述壳体内的抽气管12与外部真空装置连接，向外抽气，例如抽气方向14。所述氮气清洁口8通过所述壳体内的输气管11与外部供气装置连接，向内输气，例如输气方向13。
所述隔离密封条10、所述第一密封圈1和第二密封圈2的材质可以相同或不同，例如均可以是橡胶材料或弹性塑料。
具体使用时，在进行激光打标之前，沿着打标的移动方向（T方向），第一密封腔内释放氮气清洁气体，对晶圆上预先残留物进行清扫，同时利用真空抽气进行残留物的排出；在进行激光打标时，沿着打标的移动方向，第二密封腔内释放氮气清洁气体，对堆积物进行清扫，同时利用真空抽气进行堆积物的排出。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种激光晶圆打标装置，包括：
壳体，其为圆柱状，具有一底面，所述底面上具有一凹槽，所述凹槽具有一定的深度；
环形的第一密封圈，设置于所述底面的最外围，且环绕在所述凹槽周围；
环形的第二密封圈，设置于所述底面的所述第一密封圈的内侧且与第一密封圈中心重合；相较于所述第一密封圈，所述第二密封圈更靠近所述凹槽；所述第一密封圈和第二密封圈之间的部分形成密封腔；
两个隔离密封条，设置于所述第一密封圈和第二密封圈之间，并将所述密封腔等分为第一密封腔和第二密封腔；其中，所述装置的移动方向为第一方向，而所述隔离密封条沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第一密封腔和第二密封腔内分别设置有真空抽气口和氮气清洁口；
可伸缩激光头，设置于所述壳体内，且从所述凹槽内露出。
2.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述真空抽气口为单个弧形的条状口，所述真空抽气口关于所述第一方向对称。
3.根据权利要求2所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述氮气清洁口为多个圆形口，所述氮气清洁口均匀分布在所述真空抽气口的两侧。
4.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述真空抽气口为两个弧形的条状口，所述真空抽气口关于所述第一方向对称。
5.根据权利要求4所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述氮气清洁口为多个圆形口，所述氮气清洁口均匀分布在两个所述真空抽气口的之间。
6.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：还包括隔热圈，所述隔热圈设置在所述第二密封圈与所述凹槽之间。
7.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述真空抽气口通过所述壳体内的抽气管与外部真空装置连接。
8.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述氮气清洁口通过所述壳体内的输气管与外部供气装置连接。
9.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述第一密封圈和第二密封圈的材质相同。
10.根据权利要求9所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述隔离密封条与所述第一密封圈和第二密封圈的材质相同。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE4210518C2 (de) * 1992-03-31 1994-09-15 Wissner Rolf Kopf für Laserfräs- und -graviermaschinen für die Bearbeitung von im wesentlichen plattenförmigem Gut
CN203426597U (zh) * 2013-08-30 2014-02-12 狄晓龙 一种可切割斜度的激光切割头
CN204893210U (zh) * 2015-09-08 2015-12-23 上海嘉强自动化技术有限公司 一种激光头手动伸缩调节机构
JP2017177155A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザ加工ヘッド
CN206764127U (zh) * 2017-03-22 2017-12-19 济南金威刻科技发展有限公司 一种自动聚焦式激光头
CN108568603B (zh) * 2018-04-18 2020-06-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 清洁组件及清洁方法、激光切割装置
CN108581195B (zh) * 2018-05-31 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 激光切割废气的收集系统及方法

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