CN109750350A - 一种调整单晶炉加热器功率的方法及单晶炉 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种调整单晶炉加热器功率的方法、单晶炉及计算机可读存储介质，涉及单晶硅技术领域。所述方法包括：实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。一方面，上述加热方式能够满足坩埚内不同熔硅量对加热功率的需求，加热效率较高；另一方面，底加热器分担了部分加热功率，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；主加热器及其周围的石墨器件中的杂质、底加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升晶体品质。

Description

一种调整单晶炉加热器功率的方法及单晶炉

技术领域

本发明涉及单晶硅技术领域，特别是涉及一种调整单晶炉加热器功率的方法、单晶炉及计算机可读存储介质。

背景技术

硅材料是制作太阳能电池的主要原料，将硅材料加工成单晶硅目前常用的生产工艺为在单晶炉中的直拉法拉晶工艺。直拉法拉晶工艺的主要过程为：加料、熔料、引晶、放肩、转肩、等径等过程。在直拉法拉晶工艺的各个过程中均需要高温加热。

目前，在熔料过程中，主要通过单晶炉的热场中的加热器加热坩埚中的硅材料，熔料时加热器的功率较大且固定，随着坩埚和热场的尺寸越来越大，加料时间越来越长，大功率长时间使用加热器会对加热器损坏较大，尤其是加热器中石墨件会腐蚀，降低了加热器的使用寿命。

发明内容

本发明提供一种调整单晶炉加热器功率的方法，旨在增长加热器的使用寿命。所述方法包括：

实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；

根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

可选的，所述方法，所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，还包括：

将所述主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将所述底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。

可选的，所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围之后，所述方法还包括：

将所述底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将所述主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。

可选的，所述坩埚包括：锅帮和拖杆，所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，包括：

在所述质量比例小于等于第一预设比例的情况下，调整所述坩埚的位置，使所述坩埚的锅帮与所述主加热器的上沿平齐；

在所述质量比例大于所述第一预设比例的情况下，下降所述坩埚的位置，使所述坩埚的拖杆至所述底加热器的距离为第一预设距离范围。

可选的，所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，还包括：

获取所述坩埚内所述总物料的质量；

实时获取从所述坩埚内拉出晶棒的质量；

所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例，包括：

实时用所述总物料的质量减去所述拉出晶棒的质量，得到所述坩埚内剩余熔硅的质量；

实时用所述剩余熔硅的质量除以所述总物料的质量，得到所述坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

可选的，所述第一预设加热功率范围，包括：36至54千瓦；所述第二预设加热功率范围，包括：25至37.5千瓦。

可选的，所述第一预设比例，包括：30％。

可选的，所述第五预设加热功率范围，包括：1至3千瓦。

根据本发明的第二方面，还提供一种单晶炉，所述单晶炉包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如前所述的任一项所述的调整单晶炉加热器功率的方法的步骤。

根据本发明的第三方面，还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如前所述的任一项所述的调整单晶炉加热器功率的方法的步骤。

在本发明实施例中，实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。熔硅占坩埚内总物料的质量比例，能够体现坩埚内熔硅的占比多少等，根据坩埚内熔硅的占比多少等，调整坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围，一方面，上述加热方式能够满足坩埚内不同熔硅量对加热功率的需求，且加热效率较高；另一方面，降低主加热器的加热功率，升高底加热器的加热效率，相当于由底加热器分担了部分加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；而且，主加热器、底加热器在上述加热功率情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于提升单晶硅的品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例一中的一种调整单晶炉加热器功率的方法的流程图；

图2示出了本发明实施例一中的第一种单晶炉加热示意图；

图3示出了本发明实施例一中的一种调整坩埚位置的流程图；

图4示出了本发明实施例一中的第二种单晶炉加热示意图；

图5示出了本发明实施例二的一种调整单晶炉加热器功率的方法的流程图；

图6是本发明实施例三的一种调整单晶炉加热器功率的装置的结构框图；

图7是本发明实施例四的一种单晶炉的结构示意图。

附图标记说明：

11-坩埚，12-主加热器，13-底加热器，111-坩埚的锅帮，112-坩埚的拖杆，121-主加热器的上沿。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

参照图1，示出了本发明实施例一中的一种调整单晶炉加热器功率的方法的流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤101，实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

在本发明实施例中，坩埚内总物料可以为坩埚内硅原料与熔硅的总和。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，可以实时获取坩埚内熔硅的质量，获得坩埚内总物料的质量，然后实时用坩埚内熔硅的质量，除以坩埚内总物料的质量，得到坩埚内熔硅占坩埚内总物料质量的比例。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

具体的，可以实时获取坩埚内熔硅的质量，通过质量计等，获得加入硅原料的质量，用熔硅的质量加上，加入硅原料的质量，得到坩埚内总物料的质量。然后用坩埚内熔硅的质量，除以坩埚内总物料的质量，得到坩埚内熔硅占坩埚内总物料质量的比例。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，可选的，可以在加料阶段实时获取坩埚内熔硅占该坩埚内总物料的质量比例，上述加料阶段可以包括：拉晶前的加料阶段以及拉晶一段时间后的循环加料阶段等。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

步骤102，根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

在本发明实施例中，调整坩埚的位置，可以包括上升坩埚或下降坩埚等。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，主加热器可以为直拉法拉晶过程中，主要提供热量的加热器。从加热器可以为直拉法拉晶过程中，辅助上述主加热器提供热熔的加热器。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，上述第一预设加热功率范围，第二预设加热功率范围，可以根据实际需要进行确定。如，在设置第一预设加热功率范围，第二预设加热功率范围过程中，还可以基于主加热器的原始加热功率、底加热器的原始加热功率进行设定等。如，主加热器的原始功率若为40至60千瓦，底加热器的原始加热功率若为20至30千瓦，第一预设加热功率范围，可以为在40至60千瓦的基础上，减少10％对应的功率范围，如，第一预设加热功率范围可以为36至54千瓦。第二预设加热功率范围，可以为在20至30千瓦的基础上，增加25％对应的范围。如，第二预设加热功率范围可以为35至37.5千瓦。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，实时获取坩埚内熔硅占坩埚内总物料的质量比例，能够体现坩埚内熔硅的占比多少等。例如，坩埚内熔硅占坩埚内总物料的质量比例若为20％，说明坩埚内熔硅较少，可能需要较多的热量，以熔化硅原料，可以将坩埚调整至距离主加热器较近的位置，由主加热器提供较多的热量，以满足熔料需求。降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围，相当于由底加热器分担了部分加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低由于更换主加热器带来的成本。而且，主加热器在第一预设加热功率范围、底加热器在第二预设加热功率范围情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于提升单晶硅的品质。

在本发明实施例中，可选的，参照图2所示，图2示出了本发明实施例一中的第一种单晶炉加热示意图。坩埚11可以包括锅帮111和拖杆112。

参照图3，图3示出了本发明实施例一中的一种调整坩埚位置的流程图，所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，可以包括：

子步骤S1，在所述质量比例小于等于第一预设比例的情况下，调整所述坩埚的位置，使所述坩埚的锅帮与所述主加热器的上沿平齐。

子步骤S2，在所述质量比例大于所述第一预设比例的情况下，下降所述坩埚的位置，使所述坩埚的拖杆至所述底加热器的距离为第一预设距离范围。

具体的，该第一预设比例可以根据实际需要进行设定。可选的，该第一预设比例可以包括：30％。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，参照图2所示，在坩埚11内熔硅占坩埚11内总物料的质量比例小于等于第一预设比例的情况下，说明坩埚内熔硅较少，可能需要较多的热量，以熔化硅原料，可以将坩埚调整至距离主加热器较近的位置，调整坩埚11的位置，使坩埚11的锅帮111与主加热器12的上沿121平齐，进而主加热器12与坩埚11具有更多的重叠区域，主加热器12能够为坩埚11提供更多的热量，以满足熔料需求，并降低主加热器12的加热功率至第一预设加热功率范围，升高底加热器13的加热功率至第二预设加热功率范围，以对坩埚加热。降低主加热器12的加热功率至第一预设加热功率范围，升高底加热器13的加热功率至第二预设加热功率范围，以对坩埚加热，相当于由底加热器13分担了部分加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器12的损耗，增加主加热器12的寿命，有利于降低由于更换主加热器12带来的成本。而且，主加热器12在第一预设加热功率范围、底加热器13在第二预设加热功率范围情况下，主加热器12和底加热器13的加热效率较高，主加热器12及其周围的石墨器件杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

参照图4所示，图4示出了本发明实施例一中的第二种单晶炉加热示意图。在坩埚11内熔硅占坩埚11内总物料的质量比例大于上述第一预设比例的情况下，说明坩埚11内熔硅较多，可能不需要较多的热量以熔料，可以下降坩埚11的位置，使坩埚11的拖杆112至底加热器13的距离为第一预设距离范围d，并降低主加热器12的加热功率至上述第一预设加热功率范围，升高底加热器13的加热功率至上述第二预设加热功率范围，进而不仅能够满足加热需求，同样还能够增加主加热器12的寿命，有利于降低由于更换主加热器12带来的成本。且引入熔硅中杂质减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

在本发明实施例中，该第一预设距离范围d同样可以根据实际需要进行设定，例如，该第一预设距离范围d可以为10毫米mm。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，可选的，上述第一预设加热功率范围，可以包括：36至54千瓦，第二预设加热功率范围，可以包括：25至37.5千瓦。通过调整坩埚11位置，降低主加热器的加热功率至36至54千瓦，升高底加热器的加热功率至25至37.5千瓦，相当于由底加热器13分担了25至37.5千瓦的加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器12的损耗，增加主加热器12的寿命，有利于降低由于更换主加热器12带来的成本。而且，主加热器12的加热功率为36至54千瓦，底加热器13的加热功率为25至37.5千瓦，主加热器12和底加热器13的加热效率均较高。同时，主加热器12及其周围的石墨器件杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

在本发明实施例中，若该第一预设比例为30％，该第一预设加热功率范围可以为36至54千瓦，第二预设加热功率范围可以为25至37.5千瓦，则加热过程可以如下表1所示，即，在坩埚11内熔硅占坩埚11内总物料的质量比例小于等于30％情况下，说明坩埚11内熔硅较少，可能需要较多的热量以熔料，可以将坩埚11的锅帮111与主加热器12的上沿121调整为平齐，进而主加热器12与坩埚11具有更多的重叠区域，主加热器12能够为坩埚11提供更多的热量，以满足熔料需求，并降低主加热器12的加热功率至36至54千瓦，升高底加热器13的加热功率至25至37.5千瓦。

在坩埚11内熔硅占坩埚11内总物料的质量比例大于30％的情况下，说明坩埚11内熔硅较多，可能不需要较多的热量以熔料，可以下降坩埚11的位置，使坩埚11的拖杆112至底加热器13的距离为第一预设距离范围d，并降低主加热器12的加热功率至36至54千瓦，升高底加热器13的加热功率至25至37.5千瓦，进而不仅能够满足加热需求，同样还能够增加主加热器12的寿命，有利于降低由于更换主加热器12带来的成本。且引入熔硅中杂质减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

表1

在本发明实施例中，可选的，上述坩埚可以包括石英坩埚，石英坩埚的主要成分为二氧化硅，石英坩埚具有较好的耐热性能。同时，在整个拉晶过程中，石英坩埚不会给熔硅中带入新的杂质，有利于拉晶。

在本发明实施例中，底加热器的加热功率在第二预设加热功率范围下，如，25至37.5千瓦范围下，底加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解较少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。且，底加热器的加热功率在第二预设加热功率范围下，使用寿命较长。

在本发明实施例中，实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。熔硅占坩埚内总物料的质量比例，能够体现坩埚内熔硅的占比多少等，根据坩埚内熔硅的占比多少等，调整坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围，以对坩埚加热，一方面，上述加热方式能够满足坩埚内不同熔硅量对加热功率的需求，且加热效率较高；另一方面，降低主加热器的加热功率，升高底加热器的加热效率，相当于由底加热器分担了部分加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；而且，主加热器、底加热器在上述加热功率情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

实施例二

参照图5，图5示出了本发明实施例二的一种调整单晶炉加热器功率的方法的流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤201，将所述主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将所述底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。

在本发明实施例中，第三预设加热功率范围可以根据实际需要进行设定，在本发明实施例中，对此不作具体限定。例如，该第三预加热功率范围可以为，主加热器原有的加热功率的90％对应的加热功率。

如，主加热器的原始加热功率若为40至60千瓦，则本申请实施例中，可以将主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围36至54千瓦。

在本发明实施例中，第四预设加热功率范围，同样可以根据实际需要进行设定，在本发明实施例中，对此不作具体限定。例如，该第四预加热功率范围可以为，底加热器原有的加热功率基础上，增加25％的加热功率。

如，底加热器的原始加热功率若为20至30千瓦，则本申请实施例中，可以将底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围25至37.5千瓦。

在本发明实施例中，可选的，可以在首段熔料阶段，将主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。该首段熔料阶段可以为在坩埚内第一次加入硅原料，第一次熔化上述硅原料的阶段。

如，可以在首段熔料阶段，可以将主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围36至54千瓦，可以将底加热器的升高至第四预设加热功率范围25至37.5千瓦。

在本发明实施例中，可选的，首段熔料阶段，需要较多的热量，因此可以将坩埚的位置设置为与主加热器重叠区域较多的位置，例如，坩埚的位置可以参照上述图2所示的坩埚位置，可以将坩埚11设置为坩埚11的锅帮与主加热器12的上沿121平齐的位置。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，可选的，在首段熔料阶段，将主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围，一方面，上述加热方式能够满足首段熔料阶段，对加热功率的需求，且加热效率较高；另一方面，降低主加热器的加热功率，升高底加热器的加热效率，相当于由底加热器分担了部分加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；而且，主加热器、底加热器在上述加热功率情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

在本发明实施例中，底加热器的加热功率在第四预设加热功率范围下，如，25至37.5千瓦范围下，底加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解较少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。且，底加热器的加热功率在第四预设加热功率范围下，使用寿命较长。

步骤202，获取所述坩埚内所述总物料的质量。

在本发明实施例中，可以获取坩埚内总物料的质量。

具体的，可以由籽晶上携带的提拉传感器，获取坩埚内总物料的质量。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

步骤203，实时获取从所述坩埚内拉出晶棒的质量。

在本发明实施例中，可以实时获取从坩埚内拉出晶棒的质量。

具体的，同样可以通过籽晶上携带的提拉传感器，实时获取从坩埚内拉出晶棒的质量。或者，可以实时获取从坩埚内拉出晶棒的高度和直径等尺寸，实时计算获得从坩埚内拉出晶棒的体积，再实时用该体积乘以晶棒的密度，进而实时获取从坩埚来拉出晶棒的质量。或者，可以提前获得不同尺寸的单个晶棒的质量，实时根据从坩埚内拉出晶棒的数量和尺寸等，实时得到从坩埚内拉出晶棒的质量。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

步骤204，实时用所述总物料的质量减去所述拉出晶棒的质量，得到所述坩埚内剩余熔硅的质量。

在本发明实施例中，可以实时用上述总物料的质量减去该拉出晶棒的质量，得到坩埚内剩余熔硅的质量。

步骤205，实时用所述剩余熔硅的质量除以所述总物料的质量，得到所述坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

在本发明实施例中，可以实时用上述剩余熔硅的质量除以上述总物料的质量，得到坩埚内熔硅占坩埚内总物料的质量比例。

例如，获取坩埚内总物料的质量若为w1，实时获取从上述坩埚内拉出晶棒的质量若为w2，则，坩埚内剩余熔硅的质量可以为：w1-w2。上述坩埚内熔硅占上述坩埚内总物料的质量比例可以为：(w1-w2)/w1。

步骤206，根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

在本发明实施例中，该步骤206可以参照上述步骤102，为了避免重复，此处不再赘述。

步骤207，将所述底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将所述主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。

在本发明实施例中，上述第五预设加热功率、第六预设加热功率均可以根据实际需要进行设定，在本发明实施例中，对此不作具体限定。

例如，第五预设加热功率范围可以为：底加热器原始加热功率5％的功率范围。如，底加热器原始加热功率若为40千瓦，该第五预设加热功率可以为2千瓦。

在本发明实施例中，可选的，上述第五预设加热功率与第六预设加热功率可以相等，进而可以保证主加热器和底加热器提供的总热量相对较为稳定，熔硅液面不会有较大气流扰动，有利于拉晶。例如，若将底加热器13的加热功率保持在2千瓦，则可以将主加热器的加热功率降低2千瓦，进而主加热器12和底加热器13提供的总热量，相对较为稳定，熔硅液面不会有较大气流扰动，有利于拉晶。

在本发明实施例中，可选的，上述第五预设加热功率范围，可以包括：1至3千瓦。即，由底加热器提供1至3千瓦的加热功率，底加热器提供的加热功率较小，熔硅相对较为稳定，熔硅液面不会有较大气流扰动，有利于拉晶。同时，底加热器分担了1至3千瓦的加热功率，则能够从一定程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；而且，主加热器、底加热器在上述加热功率情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质、底加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

在本发明实施例中，底加热器的加热功率在第五预设加热功率范围下，如，1至3千瓦范围下，底加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解较少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。且，底加热器的加热功率在第五预设加热功率范围下，使用寿命较长。

在本发明实施例中，可选的，可以在拉晶阶段，将底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。该拉晶阶段可以为，采用籽晶从上述坩埚内的熔硅中，提拉晶棒的过程。如，在拉晶阶段由底加热器提供1至3千瓦的加热功率，底加热器提供的加热功率较小，熔硅相对较为稳定，熔硅液面不会有较大气流扰动，有利于拉晶。

在本发明实施例中，可选的，在拉晶阶段，需要熔硅液面较为稳定,可以将将坩埚的位置设置为与主加热器重叠区域较多的位置，主加热器提供的热量较为稳定，例如，坩埚的位置可以参照上述图2所示的坩埚位置，可以将坩埚11设置为坩埚11的锅帮与主加热器12的上沿121平齐的位置。在本发明实施例中，对此不作具体限定。

在本发明实施例中，相对于现有技术中，在拉晶阶段关闭底加热器而言，本发明实施例，在拉晶阶段将底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，并将主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围，一方面，在底加热器功率保持在第五预设加热功率范围，以及主加热器降低第六预设加热功率范围的情况下，熔硅受热依然较为均匀、稳定，熔硅液面不会有较大气流扰动，有利于拉晶。另一方面，在上述功率情况下，底加热器分担了上述第五预设加热功率范围的加热功率，主加热器的加热功率降低，能够从较大程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；而且，主加热器、底加热器在上述加热功率情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

在本发明实施例中，实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。熔硅占坩埚内总物料的质量比例，能够体现坩埚内熔硅的占比多少等，根据坩埚内熔硅的占比多少等，调整坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围，以对坩埚加热，一方面，上述加热方式能够满足坩埚内不同熔硅量对加热功率的需求，且加热效率较高；另一方面，降低主加热器的加热功率，升高底加热器的加热效率，相当于由底加热器分担了部分加热功率，能够从较大程度上，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；而且，主加热器、底加热器在上述加热功率情况下，主加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升单晶硅的晶体品质。

实施例三

参照图6，示出了本发明的一种调整单晶炉加热器功率的装置的结构框图，如图6所示，调整单晶炉加热器功率的装置600可以包括：

质量比例获取模块601，用于实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；

第一调整模块602，用于根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

可选的，所述调整单晶炉加热器功率装置还可以包括：

第二调整模块，用于将所述主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将所述底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。

可选的，所述调整单晶炉加热器功率的装置还可以包括：

第三调整模块，用于将所述底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将所述主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。

可选的，所述坩埚包括：锅帮和拖杆，所述第一调整模块602，可以包括：

坩埚位置第一调整单元，用于在所述质量比例小于等于第一预设比例的情况下，调整所述坩埚的位置，使所述坩埚的锅帮与所述主加热器的上沿平齐；

坩埚位置第二调整单元，用于在所述质量比例大于所述第一预设比例的情况下，下降所述坩埚的位置，使所述坩埚的拖杆至所述底加热器的距离为第一预设距离范围。

可选的，所述调整单晶炉加热器功率的装置还可以包括：

总物料指令获取模块，用于获取所述坩埚内所述总物料的质量；

拉出晶棒质量获取模块，用于实时获取从所述坩埚内拉出晶棒的质量；

所述质量比例获取模块601可以包括：

剩余熔硅质量获取单元，用于实时用所述总物料的质量减去所述拉出晶棒的质量，得到所述坩埚内剩余熔硅的质量；

质量比例获取单元，用于实时用所述剩余熔硅的质量除以所述总物料的质量，得到所述坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

可选的，所述第一预设加热功率范围，包括：36至54千瓦；

所述第二预设加热功率范围，包括：25至37.5千瓦。

可选的，所述第一预设比例，包括：30％。

可选的，所述第五预设加热功率范围，包括：1至3千瓦。

综上，本发明实施例三所述的调整单晶炉加热器功率的装置，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。

实施例四

图7是本发明实施例四的一种单晶炉的结构示意图，如图7所示，本发明实施例提供的单晶炉可以包括：接口71、处理器72、存储器73及总线74；其中，所述总线74，用于实现所述接口71、所述处理器72和所述存储器73之间的连接通信；所述存储器73存储有可执行程序，所述处理器72，用于执行所述存储器73中存储的可执行程序，以实现以下步骤：

实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；

根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

进一步的，所述处理器72，用于执行所述可执行程序，以具体实现以下步骤：

所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，将所述主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将所述底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。

进一步的，所述处理器72，用于执行所述可执行程序，以具体实现以下步骤：

所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围之后，将所述底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将所述主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。

进一步的，所述坩埚包括：锅帮和拖杆，所述处理器72，用于执行所述可执行程序，以具体实现以下步骤：

在所述质量比例小于等于第一预设比例的情况下，调整所述坩埚的位置，使所述坩埚的锅帮与所述主加热器的上沿平齐；

在所述质量比例大于所述第一预设比例的情况下，下降所述坩埚的位置，使所述坩埚的拖杆至所述底加热器的距离为第一预设距离范围。

进一步的，所述处理器72，用于执行所述可执行程序，以具体实现以下步骤：

所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，获取所述坩埚内所述总物料的质量；

实时获取从所述坩埚内拉出晶棒的质量；

实时用所述总物料的质量减去所述拉出晶棒的质量，得到所述坩埚内剩余熔硅的质量；

实时用所述剩余熔硅的质量除以所述总物料的质量，得到所述坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

进一步的，所述处理器72，用于执行所述可执行程序，所述第一预设加热功率范围，包括：36至54千瓦；

所述第二预设加热功率范围，包括：25至37.5千瓦。

进一步的，所述处理器72，用于执行所述可执行程序，所述第一预设比例，包括：30％。

进一步的，所述处理器72，还用于执行所述可执行程序，所述第五预设加热功率范围，包括：1至3千瓦。

本实施例四的单晶炉，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。

本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个可执行程序，所述一个或者多个可执行程序可被一个或者多个处理器执行，以实现以下步骤：

实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；

根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

进一步的，所述一个或者多个可执行程序可被所述一个或者多个处理器执行，以具体实现以下步骤：

所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，将所述主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将所述底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。

进一步的，所述一个或者多个可执行程序还可被所述一个或者多个处理器执行，以实现以下步骤：

所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围之后，将所述底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将所述主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。

进一步的，所述坩埚包括：锅帮和拖杆，所述一个或者多个可执行程序可被所述一个或者多个处理器执行，以具体实现以下步骤：

在所述质量比例小于等于第一预设比例的情况下，调整所述坩埚的位置，使所述坩埚的锅帮与所述主加热器的上沿平齐；

在所述质量比例大于所述第一预设比例的情况下，下降所述坩埚的位置，使所述坩埚的拖杆至所述底加热器的距离为第一预设距离范围。

进一步的，所述一个或者多个可执行程序还可被所述一个或者多个处理器执行，以实现以下步骤：

所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，获取所述坩埚内所述总物料的质量；

实时获取从所述坩埚内拉出晶棒的质量；

实时用所述总物料的质量减去所述拉出晶棒的质量，得到所述坩埚内剩余熔硅的质量；

实时用所述剩余熔硅的质量除以所述总物料的质量，得到所述坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

进一步的，所述一个或者多个可执行程序还可被所述一个或者多个处理器执行，所述第一预设加热功率范围，包括：36至54千瓦；

所述第二预设加热功率范围，包括：25至37.5千瓦。

进一步的，所述一个或者多个可执行程序还可被所述一个或者多个处理器执行，所述第一预设比例，包括：30％。

进一步的，所述一个或者多个可执行程序还可被所述一个或者多个处理器执行，所述第五预设加热功率范围，包括：1至3千瓦。

本实施例的计算机可读存储介质，可以用于执行上述所示方法实施例的技术方案，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种调整单晶炉加热器功率的方法，其特征在于，所述方法包括：

实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；

根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，还包括：

将所述主加热器的加热功率降低至第三预设加热功率范围，将所述底加热器的加热功率升高至第四预设加热功率范围。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围之后，还包括：

将所述底加热器的加热功率保持在第五预设加热功率范围，以及将所述主加热器的加热功率降低第六预设加热功率范围。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述坩埚包括：锅帮和拖杆，所述根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，包括：

在所述质量比例小于等于第一预设比例的情况下，调整所述坩埚的位置，使所述坩埚的锅帮与所述主加热器的上沿平齐；

在所述质量比例大于所述第一预设比例的情况下，下降所述坩埚的位置，使所述坩埚的拖杆至所述底加热器的距离为第一预设距离范围。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例之前，还包括：

获取所述坩埚内所述总物料的质量；

实时获取从所述坩埚内拉出晶棒的质量；

所述实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例，包括：

实时用所述总物料的质量减去所述拉出晶棒的质量，得到所述坩埚内剩余熔硅的质量；

实时用所述剩余熔硅的质量除以所述总物料的质量，得到所述坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设加热功率范围，包括：36至54千瓦；

所述第二预设加热功率范围，包括：25至37.5千瓦。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一预设比例，包括：30％。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第五预设加热功率范围，包括：1至3千瓦。

9.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如权利要求1至8中任一项所述的调整单晶炉加热器功率的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如权利要求1至8中任一项所述的调整单晶炉加热器功率的方法的步骤。