CN109713159A - 一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法。该方法包括：对ITO导电玻璃进行清洁处理；在清洁后的ITO导电玻璃表面旋涂光刻胶，使光刻胶完全覆盖于所述ITO导电玻璃表面，得到光刻胶处理后的ITO导电玻璃；对光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，将ITO导电玻璃分成多个ITO导电模块，得到模块化底电极；在模块化底电极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层；对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，得到顶电极图案化有机电致发光器件。采用本发明的方法具有工艺流程简单，节约成本的优点。

Description

一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别是涉及一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

近些年来，有机电致发光器件已经普遍应用于照明显示领域，有机电子器件是以能够导电的有机材料为基础制备的具有特定功能的半导体器件。由于有机电子器件中的有机材料大部分是由碳和氢组成的，用它们来做电子器件具有很多好处，例如易制作、成本低、化学可调、透明易弯曲等。利用有机电子器件的这些优点可以将其应用于图案化大面积显示领域，如汽车尾灯、灯牌等。

目前，图案化有机电致发光器件的制备方法是将底电极图案化，这种方法虽然精准，但是工艺复杂，工序较多，且复杂的工艺设计不利于器件的封装。而且对于一些简单图形，利用底电极图案化的方法显得复杂冗长，不利于实际生产加工中节约成本的需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，具有工艺流程简单，节约成本的优点。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，包括：

对ITO导电玻璃进行清洁处理；

在清洁后的ITO导电玻璃表面旋涂光刻胶，使所述光刻胶完全覆盖于所述ITO导电玻璃表面，得到光刻胶处理后的ITO导电玻璃；

对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，将所述ITO导电玻璃分成多个ITO导电模块，得到模块化底电极；

在所述模块化底电极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层；

对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，得到顶电极图案化有机电致发光器件。

可选的，所述对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，具体包括：

对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行前烘处理；

在前烘处理后的ITO导电玻璃的上方放置掩模版；所述掩模版包括遮光区和曝光区，所述掩模版的遮光区和曝光区的分布情况根据待分块处理的ITO导电玻璃中各个ITO导电模块的大小和形状确定；

对放置掩模版的ITO导电玻璃进行曝光处理，得到曝光处理后的ITO导电玻璃；

对所述曝光处理后的ITO导电玻璃进行后烘处理；

用显影液去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶；

刻蚀曝光区域的ITO，得到刻蚀处理后的ITO导电玻璃；

用丙酮清洗所述刻蚀处理后的ITO导电玻璃遮光区域的光刻胶，得到模块化底电极。

可选的，所述用显影液去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶，具体包括：将所述后烘处理后的ITO导电玻璃置于显影液中浸泡，并对显影液浸泡后的ITO导电玻璃用去离子水冲洗，得到去除曝光部分光刻胶的ITO导电玻璃。

可选的，所述刻蚀曝光区域的ITO，具体包括：使用王水刻蚀曝光区域的ITO。

可选的，所述对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，还包括：得到所述模块化底电极后，在所述模块化底电极的每个ITO导电模块的ITO边缘印刷导线。

可选的，所述对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，具体包括：采用图案化的金属掩膜板对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极。

可选的，所述对ITO导电玻璃进行清洁处理，具体包括：

将所述ITO导电玻璃放入洗洁精清洗液中超声清洗90min；

在所述洗洁精清洗液中加入去离子水，继续超声清洗90min；

在所述加入去离子水的洗洁精清洗液中加入丙酮，继续超声清洗90min；

在所述加入丙酮的洗洁精清洗液中加入异丙酮，继续超声清洗90min；

对异丙酮清洗后的ITO导电玻璃进行烤干处理，得到清洁后的ITO导电玻璃。

可选的，所述ITO导电玻璃的ITO层厚度为140-160nm；所述旋涂后的光刻胶的厚度为190-210nm；所述空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的总厚度为90-110nm；所述蒸镀图案化金属电极为铝、银、铜中的一种，所述蒸镀图案化金属电极的厚度为190-210nm。

可选的，所述前烘处理的温度为125℃，前烘处理时间为90s；所述后烘处理的温度为130℃，后烘处理时间为90s。

可选的，ITO导电玻璃置于显影液中浸泡时间为60s。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提出了一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，先将ITO导电玻璃刻蚀为多个ITO导电模块，得到模块化底电极，然后整体蒸镀发光器件，最后在每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，完成了分立控制简单图案化有机电致发光器件的制备。通过控制不同ITO导电模块通电，实现不同图案的发光，解决了底电极图案化的方法工艺复杂，工序较多的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法截面流程图；

图2为本发明实施例中顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法俯视流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的目的是提供一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，具有工艺流程简单，节约成本的优点。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例

图1为本发明实施例中顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法截面流程图；

图2为本发明实施例中顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法俯视流程图。

如图1-2所示，本发明提供的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，包括：

步骤a：对ITO导电玻璃进行清洁处理。

ITO导电玻璃为在玻璃基板1上电镀一层ITO膜2，ITO导电玻璃的ITO膜层厚度为140-160nm。对ITO导电玻璃进行清洁处理，具体过程为：将所述ITO导电玻璃放入洗洁精清洗液中超声清洗90min，在所述洗洁精清洗液中加入去离子水，继续超声清洗90min，在所述加入去离子水的洗洁精清洗液中加入丙酮，继续超声清洗90min，在所述加入丙酮的洗洁精清洗液中加入异丙酮，继续超声清洗90min，对异丙酮清洗后的ITO导电玻璃进行烤干处理，得到清洁后的ITO导电玻璃。

步骤b：在清洁后的ITO导电玻璃表面旋涂光刻胶3，使所述光刻胶3完全覆盖于所述ITO导电玻璃表面，得到光刻胶处理后的ITO导电玻璃。

旋涂后的光刻胶的厚度为190-210nm。

步骤c：对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行前烘处理，前烘处理的温度为125℃，前烘处理时间为90s。在前烘处理后的ITO导电玻璃的上方放置掩模版(掩模版在图中未示出)；所述掩模版包括遮光区和曝光区，所述掩模版的遮光区和曝光区的分布情况根据待分块处理的ITO导电玻璃中各个ITO导电模块的大小和形状确定。对放置掩模版的ITO导电玻璃进行曝光处理，得到曝光处理后的ITO导电玻璃。对所述曝光处理后的ITO导电玻璃进行后烘处理，后烘处理的温度为130℃，后烘处理时间为90s。将后烘处理后的ITO导电玻璃置于显影液中浸泡60s，并对显影液浸泡后的ITO导电玻璃用去离子水冲洗，去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶。

步骤d：使用王水刻蚀曝光区域的ITO，得到刻蚀处理后的ITO导电玻璃。

步骤e：用丙酮清洗所述刻蚀处理后的ITO导电玻璃遮光区域的光刻胶，得到模块化底电极。

得到模块化底电极后，如图2步骤e所示，在模块化底电极的每个ITO导电模块的ITO边缘印刷导线4，印刷导线的作用是为了提高整片ITO导电模块的导电率。

步骤f：在所述模块化底电极上依次蒸镀有机材料层5，有机材料层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的总厚度为90-110nm。

步骤g：对每一ITO导电模块的电子注入层上采用图案化的金属掩膜板蒸镀图案化金属电极6，得到顶电极图案化有机电致发光器件。蒸镀图案化金属电极为铝、银、铜中的一种，蒸镀图案化金属电极的厚度为190-210nm。

本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

对ITO导电玻璃进行清洁处理；

在清洁后的ITO导电玻璃表面旋涂光刻胶，使所述光刻胶完全覆盖于所述ITO导电玻璃表面，得到光刻胶处理后的ITO导电玻璃；

对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，将所述ITO导电玻璃分成多个ITO导电模块，得到模块化底电极；

在所述模块化底电极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层；

对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，得到顶电极图案化有机电致发光器件。

2.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，具体包括：

对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行前烘处理；

在前烘处理后的ITO导电玻璃的上方放置掩模版；所述掩模版包括遮光区和曝光区，所述掩模版的遮光区和曝光区的分布情况根据待分块处理的ITO导电玻璃中各个ITO导电模块的大小和形状确定；

对放置掩模版的ITO导电玻璃进行曝光处理，得到曝光处理后的ITO导电玻璃；

对所述曝光处理后的ITO导电玻璃进行后烘处理；

用显影液去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶；

刻蚀曝光区域的ITO，得到刻蚀处理后的ITO导电玻璃；

用丙酮清洗所述刻蚀处理后的ITO导电玻璃遮光区域的光刻胶，得到模块化底电极。

3.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述用显影液去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶，具体包括：将所述后烘处理后的ITO导电玻璃置于显影液中浸泡，并对显影液浸泡后的ITO导电玻璃用去离子水冲洗，得到去除曝光部分光刻胶的ITO导电玻璃。

4.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀曝光区域的ITO，具体包括：使用王水刻蚀曝光区域的ITO。

5.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，还包括：得到所述模块化底电极后，在所述模块化底电极的每个ITO导电模块的ITO边缘印刷导线。

6.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，具体包括：采用图案化的金属掩膜板对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极。

7.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对ITO导电玻璃进行清洁处理，具体包括：

将所述ITO导电玻璃放入洗洁精清洗液中超声清洗90min；

在所述洗洁精清洗液中加入去离子水，继续超声清洗90min；

在所述加入去离子水的洗洁精清洗液中加入丙酮，继续超声清洗90min；

在所述加入丙酮的洗洁精清洗液中加入异丙酮，继续超声清洗90min；

对异丙酮清洗后的ITO导电玻璃进行烤干处理，得到清洁后的ITO导电玻璃。

8.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述ITO导电玻璃的ITO层厚度为140-160nm；所述旋涂后的光刻胶的厚度为190-210nm；所述空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的总厚度为90-110nm；所述蒸镀图案化金属电极为铝、银、铜中的一种，所述蒸镀图案化金属电极的厚度为190-210nm。

9.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述前烘处理的温度为125℃，前烘处理时间为90s；所述后烘处理的温度为130℃，后烘处理时间为90s。

10.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，ITO导电玻璃置于显影液中浸泡时间为60s。