CN109698612A - 一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路 - Google Patents

一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，包括谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管一、辅助开关管二、主开关管一、主开关管二以及主功率器件Q1；所述谐振电容Cr与谐振电感Lr串联，谐振电感Lr与辅助开关管一的源极相连，辅助开关管一的漏极与辅助开关管二的漏极相连，辅助开关管二的源极与主开关管一的源极、主开关管二的漏极以及主功率器件Q1的门极相连，主开关管一的漏极连接到正电源电压VCC，主开关管二的源极连接负电源电压VEE。本发明驱动电路利用谐振电感Lr和谐振电容Cr以及四个开关管S1～S4实现门极谐振驱动，驱动电路能够回收门极驱动功率，减小驱动回路损耗，缩短主功率器件的导通和关断时间。

Description

一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路
技术领域
本发明属于电路驱动领域，具体是涉及到一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路拓扑设计。
背景技术
随着电力电子器件的发展，宽禁带半导体器件越来越多的被人们所关注，电力电子装置朝着高频化、集成化的方向发展。目前电力电子器件的开关频率能够达到MHz以上，这对高频驱动电路的设计带来了很大的挑战。减小驱动回路寄生参数以及减小驱动电路损耗成了研究热点。
目前许多公司像CREE、罗姆等都设计出适合高频应用的驱动电路，它们使用最多的驱动电路结构就是将驱动的推挽输出级通过一个门极电阻Rg的形式加到功率开关管的门极，或者在门极使用不同的驱动电阻Ron和关断电阻Roff，这样不仅减缓了开关管的门极的导通速度和关断速度，而且增大了门极驱动损耗，同时门极杂散电感的存在也会影响到驱动脉冲的性能。因此需要设计出一款谐振门极驱动电路来加快开关速度和减小损耗。
发明内容
本发明的目的在于为解决现有技术的不足，提供一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，来提高开关速度和减小驱动损耗。
本发明采用的技术方案为：一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，包括谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管一、辅助开关管二、主开关管一、主开关管二以及主功率器件Q1；
所述谐振电容Cr与谐振电感Lr串联，谐振电感Lr与辅助开关管一的源极相连，辅助开关管一的漏极与辅助开关管二的漏极相连，辅助开关管二的源极与主开关管一的源极、主开关管二的漏极以及主功率器件Q1的门极相连，主开关管一的漏极连接到正电源电压VCC，主开关管二的源极连接负电源电压VEE；
所述的谐振门极驱动电路包括8个工作模态，通过顺序导通S1～S4可以有效的驱动主功率器件，8个工作模态包括：
模态1，[t0-t1]阶段：t0时刻之前，主开关管二处于导通状态，主功率器件Q1的门极电压被钳位在负电源电压VEE，主功率器件Q1处于关闭状态。在[t0-t1]阶段，辅助开关管二零电流导通，谐振电容Cr如同一个稳定的电压源开始对谐振电感Lr进行预充电，电流流通路径为谐振电容Cr-谐振电感Lr-辅助开关管一-辅助开关管二-主开关管二，电感电流iL线性上升，主功率器件Q1门极电压为负电源电压VEE并处于关断状态；
模态2，[t1-t2]阶段：t1时刻，主开关管二零电压关断，电感电流iL给门极充电，门极电流ig近似为一恒定值，实现恒流驱动，电流流通路径为谐振电容Cr-谐振电感Lr-辅助开关管一-辅助开关管二-门极电容Ciss，这时主功率器件Q1门极电压谐振上升；
模态3，在[t2-t3]阶段：t2时刻，门极电压Vgs上升到正电源电压VCC，二极管VD1导通，门极电压Vgs＝VCC+VD，这时主开关管一零电压导通，电感电流减小，储存在电感中的能量回馈给电源；
模态4，在[t3-t4]阶段：t3时刻，辅助开关管二零电流关断，主功率器件Q1门极与负电源电压VEE相连，主功率器件Q1可靠导通；
模态5，在[t4-t5]阶段：t4时刻，辅助开关管一零电流导通，电感电流反向上升，电流流通路径为正电源电压VCC-主开关管一-辅助开关管二-辅助开关管一-谐振电感Lr-谐振电容Cr，主功率器件Q1仍然处于导通状态；
模态6，在[t5-t6]阶段：t5时刻，主开关管一零电压关断，主功率器件Q1门极电容开始放电，放电路径为门极电容Ciss-辅助开关管二-辅助开关管一-谐振电感Lr-谐振电容Cr，主功率器件Q1门极电压谐振下降；
模态7，在[t6-t7]阶段：t6时刻，主开关管二导通，进入续流阶段，然后主开关管二零电压导通，电流通路为主开关管二-辅助开关管二-辅助开关管一-谐振电感Lr-谐振电容Cr，电感电流回馈给谐振电容Cr；
模态8，在[t7-t8]阶段：t7时刻，辅助开关管一零电流关断，主功率器件Q1门极与负电源电压VEE相连，门极电压钳位在负电源电压VEE，主功率器件Q1可靠关断。
作为优选，所述谐振电感Lr与主功率器件Q1的门极电容Cgs发生谐振，使得门极存储的能量回馈给谐振电容Cr。
作为优选，所述谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管二和主开关管二构成预充电回路，增大了门极驱动电流，加快了主功率器件的导通速度。
作为优选，所述谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管一和主开关管一构成预放电回路，增大了反向门极电流，加快了主功率器件的关断速度。
作为优选，所述谐振电感Lr吸收驱动回路中的杂散电感，从而避免了杂散电感引起的驱动波形变形的后果，保证了驱动脉冲的质量。
本发明驱动电路利用谐振电感Lr和谐振电容Cr以及四个开关管S1～S4实现门极谐振驱动，同时驱动电路能够回收门极驱动功率，减小驱动回路损耗，缩短主功率器件的导通时间和关断时间。该谐振门极驱动电路脉冲波形包括电感预充电、谐振上升、门极钳位、可靠导通、电感反向预充电、谐振下降、门极钳位、可靠关断这八个阶段。
所述的谐振门极驱动电路主开关管一导通时，与主开关管一漏极相连的正电源电压VCC为主功率器件的驱动电压，能够保证主功率器件可靠导通。主开关管二导通时，与主开关管二漏极相连的负电源电压VEE为主功率器件的关断电压，能够保证主功率器件可靠关断。
所述谐振电容Cr以及谐振电感Lr与主功率器件的门极电容Ciss构成谐振门极部分，能够实现能量的回馈，减小驱动回路损耗；正电源电压VCC可以实现主功率器件Q1可靠导通，负电源电压VEE可以实现主功率器件Q1的可靠关断，同时负向驱动电压可以抑制驱动回路干扰，防止开关管误导通。
有益效果：与现有技术相比，本发明的技术方案有以下优点：
(1)本发明利用谐振电感Lr和电容Cr能够实现门极能量的回馈，减小了电路的驱动损耗，提高驱动性能。
(2)本发明利用辅助开关管二，能够实现电感电流的预充电，加快了门极驱动电压的上升时间，提高开关速度。
(3)本发明利用辅助开关管一，能够实现电感电流的预放电，加快了门极驱动电压的下降时间，提高开关速度。
(4)本发明无需考虑门极杂散电感对于驱动电压波形的影响，谐振电感Lr可以吸收门极杂散电感,从而优化门极驱动电压波形。
(5)主开关管一和主开关管二工作在ZVS模式,辅助开关管一和辅助开关管二工作在ZCS模式,减小了主开关管和辅助开关管的开关损耗。
附图说明
图1是本发明驱动电路拓扑示意图；
图2为驱动电路各个开关管驱动信号以及电路关键参数波形图；
图3为本设计电路关键参数的波形图；
图4为SiC MOSFET门极驱动电压波形图；
图5为电容Cr两端电压波形图；
图6谐振门极与传统门极驱动脉冲波形对比图。
图7为实测辅助开关管驱动波形图。
图8为SiC MOSFET门极电压VGS与门极电流ig实验波形图。
图9为有无门极钳位电路驱动脉冲对比图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案做进一步说明。
如图1所示，一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，包括谐振电容Cr1、谐振电感Lr2、辅助开关管一3、辅助开关管二4、主开关管一5、主开关管二6以及主功率器件Q17；
所述谐振电容Cr1与谐振电感Lr2串联，谐振电感Lr2与辅助开关管一3的源极相连，辅助开关管一3的漏极与辅助开关管二4的漏极相连，辅助开关管二4的源极与主开关管一5的源极、主开关管二6的漏极以及主功率器件Q17的门极相连，主开关管一5的漏极连接到正电源电压VCC，主开关管二6的源极连接负电源电压VEE；
图2为驱动电路各开关管驱动信号以及电路关键参数波形图。
结合图2所示的时间参数作进一步说明。t0时刻之前，主开关管二6处于导通状态，SiC MOSFET的门极电压被钳位在VEE，SiC MOSFET处于关闭状态。在[t0-t1]阶段，辅助开关管二4零电流导通，谐振电容Cr 1如同一个稳定的电压源开始对谐振电感Lr2进行预充电，电流流通路径为谐振电容Cr1-谐振电感Lr2-辅助开关管一3-辅助开关管二4-主开关管二6，电感电流iL线性上升，SiC MOSFET门极电压为VEE，SiC MOSFET处于关断状态。在[t1-t2]阶段，t1时刻，主开关管二6零电压关断，电感电流iL给门极充电，门极电流ig近似为一恒定值，实现恒流驱动，电流流通路径为谐振电容Cr1-谐振电感Lr2-辅助开关管一3-辅助开关管二4-门极电容Ciss，这时SiC MOSFET门极电压谐振上升。在[t2-t3]阶段，t2时刻，Vgs上升到VCC，二极管VD1导通，门极电压Vgs＝VCC+VD，这时主开关管一5零电压导通，电感电流减小，储存在电感中的能量回馈给电源。在[t3-t4]阶段，t3时刻，辅助开关管二4零电流关断，SiC MOSFET门极与VEE相连，SiC MOSFET可靠导通。在[t4-t5]阶段，t4时刻，辅助开关管一3零电流导通，电感电流反向上升，电流流通路径正电源电压VCC-主开关管一5-辅助开关管二4-辅助开关管一3-谐振电感Lr2-谐振电容Cr1，SiC MOSFET仍然处于导通状态。在[t5-t6]阶段，t5时刻，主开关管一5零电压关断，SiC MOSFET门极电容开始放电，放电路径为门极电容Ciss-辅助开关管二4-辅助开关管一3-谐振电感Lr2-谐振电容Cr1，SiC MOSFET门极电压谐振下降。在[t6-t7]阶段，t6时刻，VD2导通，进入续流阶段，然后主开关管二6零电压导通，电流通路为主开关管二6-辅助开关管二4-辅助开关管一3-谐振电感Lr2-谐振电容Cr1，电感电流回馈给谐振电容Cr 1。在[t7-t8]阶段，t7时刻，辅助开关管一3零电流关断，SiC MOSFET门极与VEE相连，门极电压钳位在VEE，SiC MOSFET可靠关断。
图3所示为该谐振门极驱动电路的关键参数的仿真波形图，从仿真结果可以看出，仿真与理论一致。
图4所示为SiC MOSFET门极驱动波形图，从波形可以看出，门极电压的上升时间为25ns，下降时间也为25ns，可以实现SiC MOSFET的快速开关，满足高频驱动的基本要求。
图5所示为谐振电容Cr 1两端电压波形，从波形可以看出，电容在放电和充电阶段可以自己保持自身电压不变，即有电压自动调节功能，可以近似为一个恒压源。具体计算公式如下：
式中t10为电感电流预充电时间，t32为电感电流下降时间，一般可以认为t10＝t32，从而可以得出电容Cr两端电压表达式为：
图6所示为本发明的谐振门极驱动与传统门极驱动波形对比图，从图6可以看出本发明的谐振门极驱动的开通时间和关断时间都比传统门极短。本发明的谐振门极驱动电路VDS的上升时间为23.5ns，下降时间为6.2ns；而传统门机驱动电路的，VDS的上升时间为25ns，下降时间为9.4ns，因此可以提高开关速度。
谐振门极驱动电路包括主控板DSP、驱动电路、外部供电电源以及驱动隔离电源。驱动电路主要包括谐振电感Lr、谐振电容Cr、主开关管一、主开关管二、辅助开关管一、辅助开关管二以及它们的驱动。外部供电电源一个为6V供电，为主开关管一、主开关管二、辅助开关管一和辅助开关管二的驱动供电；一个为15V供电，为SiC MOSFET驱动隔离电源供电。驱动隔离电源采用的是QA01C电源模块，输入电压为15V，输出电压为20/-4V。
图7所示为主开关管一、主开关管二、辅助开关管一和辅助开关管二的驱动波形图，从图7可以看出，当开关频率达到1MHz时，驱动脉冲有明显的电压尖峰与振荡。
图8所示为SiC MOSFET两端的驱动电压和驱动电流波形，从图8可以看出，驱动电压VGS为方波，满足SiC MOSFET驱动，驱动电流ig在导通时刻近似为一个恒定值，该驱动可认为是一个恒流源型驱动。
图9所示为有无门极钳位电路驱动电压对比图，门极钳位电路这里使用的是稳压二极管进行钳位。从图9中可以看出，在加上门极钳位电路后，驱动电压正向电压尖峰由25V降为24V，反向电压尖峰由-12V将为-9.4V。驱动波形得到改善。
应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。

Claims (5)

1.一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，其特征在于：包括谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管一、辅助开关管二、主开关管一、主开关管二以及主功率器件Q1；
所述谐振电容Cr与谐振电感Lr串联，谐振电感Lr与辅助开关管一的源极相连，辅助开关管一的漏极与辅助开关管二的漏极相连，辅助开关管二的源极与主开关管一的源极、主开关管二的漏极以及主功率器件Q1的门极相连，主开关管一的漏极连接到正电源电压VCC，主开关管二的源极连接负电源电压VEE；
所述的谐振门极驱动电路包括8个工作模态，通过顺序导通S1～S4可以有效的驱动主功率器件，8个工作模态包括：
模态1，[t0-t1]阶段：t0时刻之前，主开关管二处于导通状态，主功率器件Q1的门极电压被钳位在负电源电压VEE，主功率器件Q1处于关闭状态。在[t0-t1]阶段，辅助开关管二零电流导通，谐振电容Cr如同一个稳定的电压源开始对谐振电感Lr进行预充电，电流流通路径为谐振电容Cr-谐振电感Lr-辅助开关管一-辅助开关管二-主开关管二，电感电流iL线性上升，主功率器件Q1门极电压为负电源电压VEE并处于关断状态；
模态2，[t1-t2]阶段：t1时刻，主开关管二零电压关断，电感电流iL给门极充电，门极电流ig近似为一恒定值，实现恒流驱动，电流流通路径为谐振电容Cr-谐振电感Lr-辅助开关管一-辅助开关管二-门极电容Ciss，这时主功率器件Q1门极电压谐振上升；
模态3，在[t2-t3]阶段：t2时刻，门极电压Vgs上升到正电源电压VCC，二极管VD1导通，门极电压Vgs＝VCC+VD，这时主开关管一零电压导通，电感电流减小，储存在电感中的能量回馈给电源；
模态4，在[t3-t4]阶段：t3时刻，辅助开关管二零电流关断，主功率器件Q1门极与负电源电压VEE相连，主功率器件Q1可靠导通；
模态5，在[t4-t5]阶段：t4时刻，辅助开关管一零电流导通，电感电流反向上升，电流流通路径为正电源电压VCC-主开关管一-辅助开关管二-辅助开关管一-谐振电感Lr-谐振电容Cr，主功率器件Q1仍然处于导通状态；
模态6，在[t5-t6]阶段：t5时刻，主开关管一零电压关断，主功率器件Q1门极电容开始放电，放电路径为门极电容Ciss-辅助开关管二-辅助开关管一-谐振电感Lr-谐振电容Cr，主功率器件Q1门极电压谐振下降；
模态7，在[t6-t7]阶段：t6时刻，主开关管二导通，进入续流阶段，然后主开关管二零电压导通，电流通路为主开关管二-辅助开关管二-辅助开关管一-谐振电感Lr-谐振电容Cr，电感电流回馈给谐振电容Cr；
模态8，在[t7-t8]阶段：t7时刻，辅助开关管一零电流关断，主功率器件Q1门极与负电源电压VEE相连，门极电压钳位在负电源电压VEE，主功率器件Q1可靠关断。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，其特征在于：所述谐振电感Lr与主功率器件Q1的门极电容Cgs发生谐振，使得门极存储的能量回馈给谐振电容Cr。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，其特征在于：所述谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管二和主开关管二构成预充电回路，增大了门极驱动电流，加快了主功率器件的导通速度。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，其特征在于：所述谐振电容Cr、谐振电感Lr、辅助开关管一和主开关管一构成预放电回路，增大了反向门极电流，加快了主功率器件的关断速度。
5.根据权利要求1所述的一种适用于高频应用的谐振门极驱动电路，其特征在于：所述谐振电感Lr吸收驱动回路中的杂散电感，从而避免了杂散电感引起的驱动波形变形的后果。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110943718A (zh) * 2019-12-26 2020-03-31 电子科技大学 一种高侧开关的输出级电路
CN111313660A (zh) * 2019-11-21 2020-06-19 华中科技大学 一种混合式谐振驱动电路及其控制方法
CN111884491A (zh) * 2020-06-23 2020-11-03 华为技术有限公司 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源
CN112260522A (zh) * 2020-09-03 2021-01-22 西安理工大学 用于mosfet的e2类谐振驱动电路及其调制方法
CN112491251A (zh) * 2020-12-09 2021-03-12 华中科技大学 一种占空比可调节的一体化谐振驱动电路及控制方法
CN113489334A (zh) * 2021-07-09 2021-10-08 北方工业大学 基于二次侧有源回路的高压直流变换器及其控制方法
CN115313803A (zh) * 2022-08-22 2022-11-08 天津大学 一种谐振无损驱动电路结构
WO2024016997A1 (zh) * 2022-07-20 2024-01-25 华为技术有限公司 一种驱动电路及开关电源

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106533224A (zh) * 2016-12-08 2017-03-22 东北大学 一种新型谐振直流环节软开关逆变器及其调制方法
CN106877635A (zh) * 2017-03-07 2017-06-20 浙江大学 隔离型高频低损驱动电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106533224A (zh) * 2016-12-08 2017-03-22 东北大学 一种新型谐振直流环节软开关逆变器及其调制方法
CN106877635A (zh) * 2017-03-07 2017-06-20 浙江大学 隔离型高频低损驱动电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIANZHONG ZHANG等: "A Resonant Gate Driver for Silicon Carbide MOSFETs", 《IEEE ACCESS》 *
吴海富等: "SiC_MOSFET驱动技术及其在电力系统中的应用", 《太原理工大学学报》 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111313660A (zh) * 2019-11-21 2020-06-19 华中科技大学 一种混合式谐振驱动电路及其控制方法
CN111313660B (zh) * 2019-11-21 2021-04-20 华中科技大学 一种混合式谐振驱动电路及其控制方法
CN110943718B (zh) * 2019-12-26 2023-03-31 电子科技大学 一种高侧开关的输出级电路
CN110943718A (zh) * 2019-12-26 2020-03-31 电子科技大学 一种高侧开关的输出级电路
WO2021259319A1 (zh) * 2020-06-23 2021-12-30 华为技术有限公司 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源
CN111884491A (zh) * 2020-06-23 2020-11-03 华为技术有限公司 一种具有能量回收功能的驱动电路及开关电源
EP4156484A4 (en) * 2020-06-23 2023-11-29 Huawei Technologies Co., Ltd. DRIVER CIRCUIT HAVING AN ENERGY RECOVERY FUNCTION AND SWITCHING POWER SUPPLY
CN112260522B (zh) * 2020-09-03 2022-04-05 西安理工大学 用于mosfet的e2类谐振驱动电路及其调制方法
CN112260522A (zh) * 2020-09-03 2021-01-22 西安理工大学 用于mosfet的e2类谐振驱动电路及其调制方法
CN112491251B (zh) * 2020-12-09 2021-12-03 华中科技大学 一种占空比可调节的一体化谐振驱动电路及控制方法
CN112491251A (zh) * 2020-12-09 2021-03-12 华中科技大学 一种占空比可调节的一体化谐振驱动电路及控制方法
CN113489334A (zh) * 2021-07-09 2021-10-08 北方工业大学 基于二次侧有源回路的高压直流变换器及其控制方法
WO2024016997A1 (zh) * 2022-07-20 2024-01-25 华为技术有限公司 一种驱动电路及开关电源
CN115313803A (zh) * 2022-08-22 2022-11-08 天津大学 一种谐振无损驱动电路结构

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