CN109698252A - 一种ibc电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种IBC电池制备方法，包括在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层；在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。本申请中采用高温推进的方式在硅片第一表面上先形成n+层和p+层，然后再形成钝化膜层，消除了钝化膜层对形成n+层和p+层的影响，使得形成n+层和p+层更加容易。此外，本申请还提供了一种具有上述优点的IBC电池。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池制备技术领域，特别是涉及一种IBC电池及其制备方法。
背景技术
太阳电池是一种可以将太阳能转化为电能的器件，具有非常大的应用前景，因此，近年来光伏行业发展迅速。随着光伏行业的发展，提高太阳电池的光电转换效率一直光伏企业不断追求的目标。
传统晶硅太阳电池的正面(受光面)分布有栅状电极，对光有遮挡效果，导致太阳电池对光线的利用率较低，因此，太阳电池的光电转换效率也低。IBC(InterdigitatedBack Contact，交叉背接触或全背电极接触)电池，是一种正面无栅状电极，正负电极交叉排列在电池背面的太阳电池。由于IBC电池正面没有电极遮挡、n+结构和p+结构都在电池背面的特点，其光电转换效率较传统晶硅太阳电池得到提高，逐渐成为研究热点。
现有的IBC电池制作方法如图1所示，先在硅片背面氮化硅薄膜，然后印刷浆料，再进行激光烧蚀，由于氮化硅薄膜的存在，增加了浆料的烧穿难度。
发明内容
本申请的目的是提供一种IBC电池及其制备方法，以降低浆料掺杂进入硅片的难度。
为解决上述技术问题，本申请提供一种IBC电池制备方法包括：
在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；
在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层；
在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。
可选的，所述高温推进的条件为：
在氮气氛围下，温度范围在700℃-850℃，时间范围在20min-60min，包括所有端点值。
可选的，所述在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层包括：
采用旋涂方式，在所述硅片的第一表面的局部区域覆盖磷浆，采用所述高温推进方式形成n+层。
可选的，所述在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层包括：
采用旋涂方式，在所述第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆，采用所述高温推进方式形成p+层。
可选的，所述在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层之后还包括：
去除磷硅玻璃和硼硅玻璃。
可选的，在所述在硅片的第一表面的局部区域形成n+层之前还包括：
对所述接受光照的表面进行制绒处理；
对所述第一表面进行抛光处理。
本申请还提供了一种IBC电池，包括上述任一种所述IBC电池制备方法制备的IBC电池。
可选的，减反膜层的厚度取值范围为50μm-100μm，包括端点值。
本申请所提供的IBC电池制备方法，包括在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层；在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。本申请中采用高温推进的方式在硅片第一表面上先形成n+层和p+层，然后再形成钝化膜层，消除了钝化膜层对形成n+层和p+层的影响，使得形成n+层和p+层更加容易。此外，本申请还提供了一种具有上述优点的IBC电池。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中制备IBC电池的流程图；
图2为本申请实施例所提供的IBC电池制备方法的一种流程图；
图3为本申请实施例所提供的IBC电池制备方法的另一种流程图；
图4为本申请实施例所提供的IBC电池制备方法的另一种流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有的IBC电池制作过程中，先在硅片背面氮化硅薄膜，然后印刷浆料，再进行激光烧蚀，由于氮化硅薄膜的存在，增加了浆料的烧穿难度。
有鉴于此，本申请提供了一种IBC电池制备方法，请参考图2，图2为本申请实施例所提供的IBC电池制备方法的一种流程图，该方法包括：
步骤S201：在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背。
具体的，在硅片的第一表面的局部区域覆盖磷浆，采用高温推进方式，在硅片的第一表面的局部区域形成n+层。在硅片的第一表面的局部区域覆盖磷浆，这一步骤位于形成钝化膜层之前，浆料更容易掺杂进硅片形成n+层；采用高温推进方式，得到磷分布均匀、深度适中的n+层。
需要指出的是，本实施例中对覆盖磷浆的方式不作具体限定，可以自行选择。
步骤S202：在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层。
具体的，在硅片第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆，采用高温推进方式，在n+层以外的区域形成p+层。在硅片的第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆，这一步骤位于形成钝化膜层之前，浆料更容易掺杂进硅片形成p+层；采用高温推进方式，可得到硼分布均匀、深度适中的p+层。
需要指出的是，本实施例中对覆盖硼浆的方式不作具体限定，可以自行选择。
步骤S203：在所述n+层的第二表面和所述p+层的第二表面形成掩膜层，所述第二表面分别为n+层和p+层背离所述硅片的表面。
具体的，在n+层的第二表面和p+的第二表面层形成掩膜层，且在n+层和p+层连接处留有缝隙，以便刻蚀n+层和p+层的连接处。
在n+层的第二表面和p+层的第二表面形成掩膜层时，在n+层和p+层连接处形成缝隙，从而减少了n+层和p+层连接区域，增强IBC电池的性能，如电流、开路电压等。
本实施例中，形成的掩膜层为聚酰亚胺掩膜层，但是本实施例对此并不做限定，可以视情况而定。
步骤S204：在所述n+层和所述p+层的连接处形成缝隙。
具体的，采用氢氟酸和硝酸刻蚀n+层和p+层连接处，形成缝隙，即使n+层和p+层连接处断开。
步骤S205：去除所述掩膜层。
具体的，当掩膜层为聚酰亚胺掩膜层时，采用硝酸和氢氟酸将聚酰亚胺掩膜层去除。
步骤S206：在所述接受光照的表面形成减反膜层。
在硅片接受光照的表面形成减反膜层，以增强硅片吸收光线的数量，提升光电转换效率。
需要说明的是，本实施例中对形成减反膜层的方法并不做具体限定，视情况而定。
具体的，在本申请的一个实施例中，可以采用等离子增强化学气相沉积方法，在硅片接受光照的表面形成减反膜层。在本申请的另一个实施例中，采用低压化学气相沉积在硅片接受光照的表面形成减反膜层。两种方法的具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
还需要说明的是，本实施例中在形成减反膜层时，对形成减反膜层的厚度不做具体限定，视情况而定。
可选的，在本申请的一个实施例中，形成减反膜层时，减反膜层的厚度取值范围为50μm-100μm，包括端点值，避免减反膜层的厚度太小，不能达到最优的减反增透效果；同时避免减反膜层的厚度太大，所需工艺时间延长，导致效率低，同时浪费材料，增加成本。
还需要说明的是，本实施例中对形成减反膜层时，形成减反膜层的层数不做具体限定，视情况而定。例如，可以形成一层减反膜层，或者形成两层减反膜层。
步骤S207：在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。
需要说明的是，本实施例中对形成钝化膜层的方法并不做具体限定，可视情况而定。
具体的，在本申请的一个实施例中，可以采用等离子增强化学气相沉积方法在n+层第二表面和p+层第二表面形成钝化膜层。在本申请的另一个实施例中，采用热丝化学气相沉积在n+层第二表面和p+层第二表面形成钝化膜层。两种方法的具体工作原理，已为本领域技术人员所熟知，对此不再详细赘述。
步骤S208：形成电极。
具体的，在钝化膜层对应n+层的位置处印刷负电极材料，在钝化膜层对应p+层的位置处印刷正电极材料，然后进行烧结，形成正电极和负电极。
在IBC电池制备过程中，在去除掩膜层之后，在接受光照的表面形成减反膜层之前，还会进行RCA清洗，具体的清洗方法以为本领域技术人员所熟知，此处不再详细赘述。
本申请所提供的IBC电池制备方法，包括在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层；在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。本申请中采用高温推进的方式在硅片第一表面上先形成n+层和p+层，然后再形成钝化膜层，消除了钝化膜层对形成n+层和p+层的影响，使得形成n+层和p+层更加容易。
具体的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，采用高温推进方式分别形成n+层和p+层时，所述高温推进的条件为：
在氮气氛围下，温度范围在700℃-850℃，时间范围在20min-60min，包括所有端点值。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层包括，采用旋涂方式，在所述硅片的第一表面的局部区域覆盖磷浆，采用高温推进方式形成n+层。采用旋涂方式在硅片第一表面的局部区域覆盖磷浆，不需要印刷网板，从而可以降低成本。但是，本申请对此并不做限定，在本申请另一个实施例中，采用印刷的方式在硅片第一表面的局部区域覆盖磷浆。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层包括，采用旋涂方式，在所述第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆采用所述高温推进方式形成p+层。采用旋涂方式在硅片第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆，不需要印刷网板，从而可以降低成本。但是，本申请对此并不做限定，在本申请另一个实施例中，采用印刷的方式在在硅片第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆。
请参考图3，图3为本申请实施例所提供的IBC电池制备方法的另一种流程图。
步骤S301：在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背。
步骤S302：在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层。
步骤S303：去除磷硅玻璃和硼硅玻璃。
具体的，采用氢氟酸将磷硅玻璃和硼硅玻璃去除。
步骤S304：在所述n+层的第二表面和所述p+层的第二表面形成掩膜层，所述第二表面分别为n+层和p+层背离所述硅片的表面。
步骤S305：在所述n+层和所述p+层的连接处形成缝隙。
步骤S306：去除所述掩膜层。
步骤S307：在所述接受光照的表面形成减反膜层。
步骤S308：在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。
步骤S309：形成电极。
在硅片的第一表面的局部区域覆盖磷浆，采用高温推进方式，在硅片的第一表面的局部区域形成n+层时，同时还形成磷硅玻璃，同理，在硅片第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆，采用高温推进方式形成p+层时，同时还形成硼硅玻璃，本实施例中，将磷硅玻璃和硼硅玻璃去除，减少对后续形成电极时的影响，降低形成电极的难度。
请参考图4，图4为本申请实施例所提供的IBC电池制备方法的另一种流程图。
步骤S401：对所述接受光照的表面进行制绒处理；对所述第一表面进行抛光处理。
本申请实施例中，对硅片的接收光照的表面进行制绒处理，增加硅片吸收光线的数量，从而提高IBC电池的光电转换效率，还对硅片的第一表面进行抛光处理，去除硅片表面的一些机械损伤和腐蚀斑，以得到光滑、平整、无任何损伤的表面。
步骤S402：在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背。
步骤S403：在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层。
步骤S404：在所述n+层的第二表面和所述p+层的第二表面形成掩膜层，所述第二表面分别为n+层和p+层背离所述硅片的表面。
步骤S405：在所述n+层和所述p+层的连接处形成缝隙。
步骤S406：去除所述掩膜层。
步骤S407：在所述接受光照的表面形成减反膜层。
步骤S408：在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。
步骤S409：形成电极。
下面以一具体情况，对本申请中IBC电池制备方法进行进一步阐述。
第一步：对硅片接受光照的表面进行制绒处理；对第一表面进行抛光处理，第一表面与硅片的接受光照的表面相背；
第二步：在硅片的第一表面的局部区域，印刷磷浆并采用高温推进方式形成n+层；
第三步：在第一表面n+层以外的区域，旋涂硼浆并采用高温推进方式形成p+层；
第四步：用氢氟酸溶液去除磷硅玻璃和硼硅玻璃；
第五步：在n+层的第二表面和p+层的第二表面，采用丝网印刷形成聚酰亚胺掩膜层，第二表面分别为n+层和p+层背离所述硅片的表面；
第六步：用氢氟酸和硝酸刻蚀n+层和p+层的连接处形成缝隙；
第七步：用氢氟酸和硝酸去除聚酰亚胺掩膜层；
第八步：采用等离子增强化学气相沉积法，在硅片接收光照的表面形成氧化硅膜层，然后在氧化硅膜层背离硅片的表面形成氮化硅减反膜层；
第九步：采用等离子增强化学气相沉积法，在n+层第二表面和p+层第二表面形成氧化硅层，在氧化硅层背离n+层和p+层表面形成氧化铝层，以及在氧化铝层背离氧化硅层表面形成氮化硅层。
第十步：采用丝网印刷，在氮化硅层对应p+层的位置印刷铝和银混合物浆料，在氮化硅层对应n+层的位置印刷银浆，且铝和银混合物浆料和银浆之间留有间隔；
第十一步：进行烧结，测试分选出合格的IBC电池。
本申请还提供了一种IBC电池，包括上述任意一种IBC电池制备方法实施例得到的IBC电池。
具体的，本实施例中减反膜层的材料为氮化硅，钝化膜层包括在n+层第二表面和p+层第二表面的氧化硅层，在氧化硅层背离n+层和p+层表面的氧化铝层，以及在氧化铝层背离氧化硅层表面的氮化硅层。
具体的，本实施例中电极材料为金属材料，分别为银、铝和银混合物。
需要说明的是，本实施例中对IBC电池的减反膜层的厚度并不做具体限定，视情况而定。
可选的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，IBC电池的减反膜层的厚度取值范围为50μm-100μm，包括端点值，避免减反膜层的厚度太小，不能达到最优的减反增透效果；同时避免减反膜层的厚度太大，所需工艺时间延长，导致效率低，同时浪费材料，增加成本。
还需要说明的是，本实施例中对IBC电池的减反膜层的层数并不做具体限定，可自行设定。
可选的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述减反膜层包括双层减反膜层，双层减反膜层可以取得更好的减反效果，增加IBC电池的光电转换效率。
本申请所提供的IBC电池，除包括掩膜层、减反膜层和电极外，还包括在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成的n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成的p+层；在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。本实施例中先在硅片第一表面上先形成n+层和p+层，然后再形成钝化膜层，消除了钝化膜层对形成n+层和p+层的影响，使得形成n+层和p+层更加容易，本实施例中的IBC电池性能增强，例如电流变大、开路电压变大。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本申请所提供的IBC电池及其制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
Claims (8)
1.一种IBC电池制备方法，其特征在于，包括：
在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；
在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层；
在所述n+层第二表面和所述p+层第二表面形成钝化膜层，其中，所述第二表面为所述n+层和所述p+层背离所述硅片的表面。
2.如权利要求1所述的IBC电池制备方法，其特征在于，所述高温推进的条件为：
在氮气氛围下，温度范围在700℃-850℃，时间范围在20min-60min，包括所有端点值。
3.如权利要求2所述的IBC电池制备方法，其特征在于，所述在硅片的第一表面的局部区域，采用高温推进方式形成n+层包括：
采用旋涂方式，在所述硅片的第一表面的局部区域覆盖磷浆，采用所述高温推进方式形成n+层。
4.如权利要求3所述的IBC电池制备方法，其特征在于，所述在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层包括：
采用旋涂方式，在所述第一表面n+层以外的区域覆盖硼浆，采用所述高温推进方式形成p+层。
5.如权利要求1至4任一项所述的IBC电池制备方法，其特征在于，所述在所述第一表面n+层以外的区域，采用所述高温推进方式形成p+层之后还包括：
去除磷硅玻璃和硼硅玻璃。
6.如权利要求5所述的IBC电池制备方法，其特征在于，在所述在硅片的第一表面的局部区域形成n+层之前还包括：
对所述接受光照的表面进行制绒处理；
对所述第一表面进行抛光处理。
7.一种IBC电池，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述IBC电池制备方法制备的IBC电池。
8.如权利要求6所述的IBC电池，其特征在于，减反膜层的厚度取值范围为50μm-100μm，包括端点值。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102842646A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-12-26 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种基于n型衬底的ibc电池的制备方法 |
| CN103035770A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-10 | 常州天合光能有限公司 | 背钝化的ibc太阳能电池结构及其制备方法 |
| CN105428453A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-03-23 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种叉指型背接触电池的制作方法 |
| CN205542815U (zh) * | 2016-02-25 | 2016-08-31 | 上海大族新能源科技有限公司 | Ibc太阳电池 |
| CN205723556U (zh) * | 2016-04-14 | 2016-11-23 | 中电投西安太阳能电力有限公司 | 一种n型ibc太阳能电池结构 |
| CN106340568A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-01-18 | 英利能源（中国）有限公司 | Ibc电池制备方法 |
| CN106653942A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-10 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 一种n型单晶硅双面电池的制作方法 |
| WO2017097722A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | Total Sa | Method for manufacturing inter-digitated back contact photovoltaic devices |
| CN206558521U (zh) * | 2017-01-22 | 2017-10-13 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种无栅线全背接触太阳能电池组件 |
| CN107799616A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-13 | 南通苏民新能源科技有限公司 | 一种叉指背接触太阳能电池片及其制作方法 |
| CN108666374A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构 |
-
2018
- 2018-12-25 CN CN201811612781.4A patent/CN109698252A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102842646A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-12-26 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种基于n型衬底的ibc电池的制备方法 |
| CN103035770A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-10 | 常州天合光能有限公司 | 背钝化的ibc太阳能电池结构及其制备方法 |
| CN105428453A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-03-23 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种叉指型背接触电池的制作方法 |
| WO2017097722A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | Total Sa | Method for manufacturing inter-digitated back contact photovoltaic devices |
| CN205542815U (zh) * | 2016-02-25 | 2016-08-31 | 上海大族新能源科技有限公司 | Ibc太阳电池 |
| CN205723556U (zh) * | 2016-04-14 | 2016-11-23 | 中电投西安太阳能电力有限公司 | 一种n型ibc太阳能电池结构 |
| CN106340568A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-01-18 | 英利能源（中国）有限公司 | Ibc电池制备方法 |
| CN106653942A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-10 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 一种n型单晶硅双面电池的制作方法 |
| CN206558521U (zh) * | 2017-01-22 | 2017-10-13 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种无栅线全背接触太阳能电池组件 |
| CN107799616A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-13 | 南通苏民新能源科技有限公司 | 一种叉指背接触太阳能电池片及其制作方法 |
| CN108666374A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-16 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种背面钝化矩阵点式激光开槽导电结构 |
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