CN109696794A - 一种超短焦抗光结构的制作方法 - Google Patents

一种超短焦抗光结构的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109696794A
CN109696794A CN201811531764.8A CN201811531764A CN109696794A CN 109696794 A CN109696794 A CN 109696794A CN 201811531764 A CN201811531764 A CN 201811531764A CN 109696794 A CN109696794 A CN 109696794A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
reflecting layer
ultrashort
production method
light structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811531764.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109696794B (zh
Inventor
廖巧生
黄少云
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan Diyuan Optical Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Yantai Tieyuan Guangke Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yantai Tieyuan Guangke Co Ltd filed Critical Yantai Tieyuan Guangke Co Ltd
Priority to CN201811531764.8A priority Critical patent/CN109696794B/zh
Publication of CN109696794A publication Critical patent/CN109696794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109696794B publication Critical patent/CN109696794B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/54Accessories
    • G03B21/56Projection screens
    • G03B21/60Projection screens characterised by the nature of the surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明涉及短焦投影技术领域,提供了一种超短焦抗光结构的制作方法,包括在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层;在反射层上均匀覆盖光阻材料;选定区域进行曝光;显影去除被曝光的光阻材料,露出所述区域内的反射层;刻蚀掉露出的反射层上的金属材料,形成抗光侧;去除剩余的光阻材料,露出反射层,得所述抗光结构。借此,本发明通过在光学微结构上均匀沉积金属材料,再在金属材料上覆盖光阻材料;之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影,再去除掉露出的金属材料,形成抗光侧;最后去除剩余的光阻材料形成反射层。获得了特定分布的反射层结构,避免了现有技术的缺陷,得到了高品质的抗光结构。

Description

一种超短焦抗光结构的制作方法
技术领域
本发明涉及短焦投影技术领域,尤其涉及一种超短焦抗光结构的制作方法。
背景技术
目前,超短焦正投幕已广泛用作家庭影院的屏幕。类似于图1中的结构,为降低环境光对使用效果的影响,通常在光学纹理面上朝投影机方向的一侧为反射层3,另一侧为抗光侧21,用于吸收环境光,从而实现抗光的目的。
目前,制作该结构的方法为:先在基板1上采用模压方式制作一层光学微结构2;然后再在微结构的预定区域上覆盖一层金属材料形成反射层3,另一侧不覆盖形成抗光侧21。目前,覆盖金属材料方法是印刷、喷涂或蒸镀等方式。但是现有的方法均存在缺陷,如在需要制作反射层3一侧出现金属材料覆盖不完全,致使部分投影光穿过微结构被吸收,导致光能利用率降低;或抗光侧21覆盖上了金属材料,致使部分环境光反射到屏幕前方,从而降低了色彩饱和度和黑白对比度。因此,采用现有技术无法获得特定分布的反射层3,因此也就无法制得高品质的抗光结构。
综上可知,现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷,所以有必要加以改进。
发明内容
针对上述的缺陷,本发明的目的在于提供一种超短焦抗光结构的制作方法,通过在光学微结构上均匀沉积金属材料,再在金属材料上覆盖光阻材料;之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影,再去除掉露出的金属材料,形成抗光侧;最后去除剩余的光阻材料形成反射层。通过本发明的方法获得了特定分布的反射层结构,避免了现有技术的缺陷,得到了高品质的抗光结构。
为了实现上述目的,本发明提供一种超短焦抗光结构的制作方法,包括如下步骤:
第一步,在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层;
第二步,在反射层上均匀覆盖光阻材料;
第三步,使用照射光对选定区域进行曝光;
第四步,显影去除选定区域内被曝光的光阻材料,露出所述区域内的反射层;
第五步,刻蚀掉露出的反射层上的金属材料,形成抗光侧;
第六步,去除剩余的光阻材料,露出反射层,得所述抗光结构。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述第一步中沉积金属材料的方法为蒸镀、磁控溅射或化学镀。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述反射层的厚度不大于5μm。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述反射层的厚度为0.1-5μm。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述金属材料为银、铝或镍。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述第三步中使用掩膜版使照射光选择性的透过并照射到选定区域。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述掩膜版设有交叉的透光区和遮光区,照射光从透光区照下对选定区域曝光。
根据本发明的超短焦抗光结构的制作方法,所述光阻材料和照射光分别为UV胶和紫外光。
根据发明的超短焦抗光结构的制作方法制得的超短焦抗光结构。
本发明通过的目的在于提供一种超短焦抗光结构的制作方法,通过在光学微结构上均匀沉积金属材料,再在金属材料上覆盖光阻材料;之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影,再去除掉露出的金属材料,形成抗光侧;最后去除剩余的光阻材料形成反射层。通过本发明的方法获得了特定分布的反射层结构,避免了现有技术的缺陷,得到了高品质的抗光结构。
附图说明
图1是本发明抗光结构的示意图;
图2是本发明抗光结构的制作方法过程图;
在图中,1-基板,2-光学微结构,21-抗光侧;3-反射层,4-光阻材料,41-照射光;5-掩膜版。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参见图1,本发明提供了一种超短焦抗光结构,包括基板1以及在基板1模压出的光学微结构2;光学微结构2上的预定区域覆盖金属材料形成反射层3,其他区域形成抗光侧21;
参见图2,本发明还提供了一种超短焦抗光结构的制作方法,包括如下步骤:
第一步,在基板1模压出的光学微结构2的表面上均匀沉积金属材料形成反射层3;
沉积金属材料的方法可以采用蒸镀、磁控溅射或化学镀等镀膜工艺。
金属材料可以为银、铝或镍,形成的反射层3的厚度不大于5μm,本发明优选0.1-5μm。
第二步,在反射层3上均匀覆盖光阻材料4;
第三步,使用照射光41对选定区域进行曝光;
本发明优选使用掩膜版5使照射光41选择性的透过并照射到选定区域;掩膜版5设有交叉的透光区和遮光区,照射光41从透光区照下对选定区域曝光,未选定区域处于遮光区下,因此不进行曝光。
光阻材料4和照射光41分别优选UV胶和紫外光。选定区域即为将来形成抗光结构中的抗光侧21。光阻材料4优选采用正向光阻,也可以选用负向光阻。
第四步,显影去除选定区域内被曝光的光阻材料4,露出所述区域内的反射层3;
可以使用显影液清洗,选定区域内被曝光的光阻材料4被清洗掉,漏出底下的反射层3,其他区域的反射层3依然被光阻材料4覆盖。
第五步,刻蚀掉露出的反射层3上的金属材料,形成抗光侧21;
可以使用腐蚀液侵蚀掉露出的反射层3上的金属材料。其他区域反射层3的在光阻材料4的保护下得以保留。
第六步,去除剩余的光阻材料4,露出反射层3,得所述抗光结构。使用光阻剥离液去除剩余的光阻材料4,光阻剥离液的主要成分为正丁基乙酯。
通过本发明的方法获得了特定分布的反射层结构,避免了现有技术的缺陷,得到了高品质的抗光结构为进一步制作高品质的抗光幕打下基础。
综上所述,本发明通过在光学微结构上均匀沉积金属材料,再在金属材料上覆盖光阻材料;之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影,再去除掉露出的金属材料,形成抗光侧;最后去除剩余的光阻材料形成反射层。通过本发明的方法获得了特定分布的反射层结构,避免了现有技术的缺陷,得到了高品质的抗光结构为进一步生产高品质的抗光幕打下基础。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步,在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层;
第二步,在反射层上均匀覆盖光阻材料;
第三步,使用照射光对选定区域进行曝光;
第四步,显影去除选定区域内被曝光的光阻材料,露出所述区域内的反射层;
第五步,刻蚀掉露出的反射层上的金属材料,形成抗光侧;
第六步,去除剩余的光阻材料,露出反射层,得所述抗光结构。
2.根据权利要求1所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述第一步中沉积金属材料的方法为蒸镀、磁控溅射或化学镀。
3.根据权利要求1所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述反射层的厚度不大于5μm。
4.根据权利要求3所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述反射层的厚度为0.1-5μm。
5.根据权利要求1所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述金属材料为银、铝或镍。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述第三步中使用掩膜版使照射光选择性的透过并照射到选定区域。
7.根据权利要求6所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述掩膜版设有交叉的透光区和遮光区,照射光从透光区照下对选定区域曝光。
8.根据权利要求7所述的超短焦抗光结构的制作方法,其特征在于,所述光阻材料和照射光分别为UV胶和紫外光。
9.根据权利要求7或8所述的超短焦抗光结构的制作方法制得的超短焦抗光结构。
CN201811531764.8A 2018-12-14 2018-12-14 一种超短焦抗光结构的制作方法 Active CN109696794B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811531764.8A CN109696794B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 一种超短焦抗光结构的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811531764.8A CN109696794B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 一种超短焦抗光结构的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109696794A true CN109696794A (zh) 2019-04-30
CN109696794B CN109696794B (zh) 2021-04-13

Family

ID=66231653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811531764.8A Active CN109696794B (zh) 2018-12-14 2018-12-14 一种超短焦抗光结构的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109696794B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112433440A (zh) * 2020-11-11 2021-03-02 成都菲斯特科技有限公司 一种光学投影屏幕的制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1906503A (zh) * 2003-12-23 2007-01-31 Lg电子株式会社 非球面微透镜阵列及其制造方法以及使用所述非球面微透镜阵列的应用
WO2008027412A2 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to improve filter characteristics of optical filters
CN102436150A (zh) * 2011-12-15 2012-05-02 深圳市华星光电技术有限公司 曝光装置及曝光方法
CN105676589A (zh) * 2016-03-25 2016-06-15 南京京晶光电科技有限公司 一种采用刻蚀工艺在基材表面加工cd纹的方法
CN108822325A (zh) * 2018-06-05 2018-11-16 张家港宝视特影视器材有限公司 一种投影幕布及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1906503A (zh) * 2003-12-23 2007-01-31 Lg电子株式会社 非球面微透镜阵列及其制造方法以及使用所述非球面微透镜阵列的应用
WO2008027412A2 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to improve filter characteristics of optical filters
CN102436150A (zh) * 2011-12-15 2012-05-02 深圳市华星光电技术有限公司 曝光装置及曝光方法
CN105676589A (zh) * 2016-03-25 2016-06-15 南京京晶光电科技有限公司 一种采用刻蚀工艺在基材表面加工cd纹的方法
CN108822325A (zh) * 2018-06-05 2018-11-16 张家港宝视特影视器材有限公司 一种投影幕布及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112433440A (zh) * 2020-11-11 2021-03-02 成都菲斯特科技有限公司 一种光学投影屏幕的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109696794B (zh) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017049878A1 (zh) 一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置
JP2006085146A (ja) 液晶表示装置用カラーフィルター基板及びその製造方法
CN103969944B (zh) 紫外掩膜及其制作方法
US9910356B2 (en) Method of patterning thin films
CN104516164A (zh) 一种显示基板及其制作方法和显示装置
JP2009545002A (ja) マイクロパターンが形成されたフィルムの製造方法及びこれにより製造されたフィルム
TW201339622A (zh) 光學鏡片及其製作方法
JP4220796B2 (ja) ブラックマトリックス作製用組成物及び感光性転写材料、ブラックマトリックス及びその製造方法、カラーフィルター、液晶表示素子並びにブラックマトリックス基板
TW200302393A (en) Mask for photolithography, method of forming thin film, liquid crystal display device, and method of producing the liquid crystal display device
CN107086181A (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
CN109696794A (zh) 一种超短焦抗光结构的制作方法
WO2019061556A1 (zh) 一种显示器的基板的制造方法及光罩
CN107132724B (zh) 一种掩膜版以及阵列基板的制备方法
CN103376481A (zh) 光学镜片及其制作方法
CN102654591B (zh) 一种柱透镜光栅及其制作方法
CN104779145B (zh) 掩膜板及其制备方法
CN104614948B (zh) 一种紫外线固化掩膜板及其制作方法和显示装置
WO2017071343A1 (zh) 膜层图案化的方法
CN109545800A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN109491131B (zh) 滤光片的制备方法、滤光片及显示面板
CN109616442B (zh) 金属线及阵列基板的制作方法、阵列基板
CN108010923A (zh) Tft基板制作方法
CN108051981A (zh) 曝光方法、uv掩膜板及其制备方法
CN111580340B (zh) 一种中红外滤光片的制备方法
KR100334012B1 (ko) 액정디스플레이용컬러필터의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220302

Address after: 423000 Room 101, building 7, industrial park, Chenzhou strategic information zone, east of Linyi Avenue, high tech Industrial Park, Chenzhou City, Hunan Province

Patentee after: Hunan Diyuan Optical Technology Co.,Ltd.

Address before: 264000 No. 36, No. three road, Yantai high tech Zone, Shandong

Patentee before: YANTAI DIYUAN OPTICAL TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right