CN108051981A - 曝光方法、uv掩膜板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种曝光方法、UV掩膜板及其制备方法，其中，所述UV掩膜板的制备方法利用在制备显示面板的过程中必需的黑矩阵掩膜板来进行UV掩膜板的制备，通过在基板上依次形成第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形以形成能够完全覆盖显示面板的显示区域的UV掩膜板，所述UV掩膜板的制备方法在制备UV掩膜板的过程中无需新开专用的掩膜板，降低了UV掩膜板的制备成本，也避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

Description

曝光方法、UV掩膜板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，特别涉及一种曝光方法、UV掩膜板及其制备方法。

背景技术

UV(Ultraviolet radiation，紫外)掩膜板在显示面板的阵列基板和彩膜基板用胶框贴合时用到的一种掩膜板。

参考图1，图1为显示面板的阵列基板和彩膜基板胶框贴合过程的示意图，在实际应用过程中，首先需要设置UV掩膜板20，使得UV掩膜板20完全覆盖显示面板的显示区域(AA区域)，并暴露出胶框所在区域(非AA区域)；然后利用紫外光UV对胶框10进行照射，以使胶框10固化，实现阵列基板和彩膜基板的贴合。在这个过程中，UV掩膜板20完全覆盖显示面板的显示区域的目的是避免盒内材料被紫外光照射分解而使得最终的显示面板出现显示不良的情况。

通常情况下，针对不同尺寸或不同型号的显示面板都需要为其配备专用的UV掩膜板来满足阵列基板和彩膜基板胶框贴合的要求，而每一种显示面板专用的UV掩膜板又需要新开专用的掩膜板来制作，而UV掩膜板制备完成后，制备该UV掩膜板的掩膜板就失去了利用的价值，不仅造成了资源的浪费，而且增加了UV掩膜板的制备成本。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种曝光方法、UV掩膜板及其制备方法，以实现利用现有的黑矩阵掩膜板制备UV掩膜板的目的，降低了UV掩膜板的制备成本，也避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

本发明实施例提供一种UV掩膜板的制备方法，包括：

提供基板；

在所述基板表面形成第一遮光材料层，在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第一遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第一覆盖图形；

在所述第一覆盖图形表面形成第二遮光材料层，在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第二图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第一方向移动第一预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第二覆盖图形；

在所述第二覆盖图形表面形成第三遮光材料层，在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第三图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第二方向移动第二预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第三覆盖图形；

所述第一方向与所述显示面板像素的长边或短边平行，所述第二方向与所述显示面板像素的另一边平行；

在所述第三覆盖图形表面形成第四遮光材料层，在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第四图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第三方向移动第三预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第四覆盖图形，所述第三方向与所述第一方向和第二方向均相交；

所述第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形重叠构成所述UV掩膜板。

一种UV掩膜板，由上述任一项所述的UV掩膜板的制备方法制备获得；

所述UV掩膜板为由遮光材料构成的遮光板，所述遮光板的覆盖面积大于或等于显示面板的显示区域的面积。

一种曝光方法，用于显示面板的胶框固化；所述曝光方法包括：

提供UV掩膜板，所述UV掩膜板为上述一项所述的UV掩膜板；

利用所述UV掩膜板覆盖所述显示面板的显示区域；

利用紫外光对覆盖有UV掩膜板的显示面板进行照射，以使显示面板的胶框固化。

与现有技术相比，本发明实施例提供了一种曝光方法、UV掩膜板及其制备方法，其中，所述UV掩膜板的制备方法利用在制备显示面板的过程中必需的黑矩阵掩膜板来进行UV掩膜板的制备，具体地，首先在基板上利用黑矩阵掩膜板形成第一覆盖图形，接着在第一覆盖图形上利用黑矩阵掩膜板形成第二覆盖图形，所述第二覆盖图形的形成位置与第一覆盖图形的形成位置在第一方向上相差第一预设距离，以使第二覆盖图形能够遮盖第一覆盖图形在显示面板的显示区域中第一方向上的缝隙；然后在第二覆盖图形上利用黑矩阵掩膜板形成第三覆盖图形，所述第三覆盖图形的形成位置与第一覆盖图形的形成位置在第二方向上相差第二预设距离，以使第三覆盖图形能够遮盖第一覆盖图形在显示面板的显示区域中第二方向上的缝隙；最后在第三覆盖图形上利用黑矩阵掩膜板形成第四覆盖图形，所述第四覆盖图形与第一覆盖图形的形成位置在第三方向上相差第三预设距离，以使第四覆盖图形能够覆盖第一覆盖图形在显示面包的显示区域中第三方向上的剩余缝隙，最终通过第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形形成能够完全覆盖显示面板的显示区域的UV掩膜板，该UV掩膜板的形成过程无需新开专用的掩膜板，降低了UV掩膜板的制备成本，也避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为显示面板制备过程中胶框固化的过程示意图；

图2为本发明的一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备方法的流程示意图；

图3-图7为本发明的一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备流程示意图；

图8(a)-图8(f)为本发明的一个实施例提供的遮光单元在第一方向、第二方向和第三方向移动上限距离和下限距离后的位置关系示意图；

图9为本发明的另一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备方法的流程示意图；

图10为本发明的一个实施例提供的一种第一覆盖图形的形成过程示意图；

图11为本发明的又一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备方法的流程示意图；

图12为本发明的一个实施例提供的一种第二覆盖图形的形成过程示意图；

图13为本发明的一个实施例提供的一种第三覆盖图形的形成过程示意图；

图14为本发明的一个实施例提供的一种第四覆盖图形的形成过程示意图；

图15为本发明的一个实施例提供的一种当显示面板像素为平行四边形时，覆盖图形的俯视结构示意图；

图16为本发明的一个实施例提供的一种UV掩膜板的结构示意图；

图17为本发明的一个实施例提供的一种曝光方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种UV掩膜板的制备方法，如图2所示，图2为本发明的一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备方法的流程示意图，所述UV掩膜板的制备方法包括：

S101：提供基板；

参考图3，图3为基板的俯视结构示意图；优选的，提供的所述基板为制备显示面板过程中使用的白玻璃基板，这样可以进一步降低UV掩膜板的制备成本，在显示面板的制备过程中所使用的白玻璃基板，通常用于一次性形成多个显示面板，参考图3，在图3中所示的白玻璃基板的表面具有9个用于形成显示面板的制备区域101，每个制备区域101中包括显示面板的显示区域和非显示区域。本发明对所述基板的种类和表面具有的显示面板的制备区域的个数并不做限定，具体视实际情况而定。

S102：在所述基板表面形成第一遮光材料层，在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第一遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第一覆盖图形；

参考图4，图4为经过步骤S102后形成的第一覆盖图形的俯视结构示意图；在图4中标号PR为构成第一覆盖图形的遮盖单元，每个遮盖单元的大小基本与显示面板的显示像素的大小相同，多个遮光单元构成第一覆盖图形Z10；标号AA的矩形框框选的区域为显示面板的显示区域，位于显示区域外部的遮光单元成为假(Dummy)色阻；在图4中，以具有像素形状为矩形的显示面板为例。所述第一遮光材料层需要能够符合具有遮光能力这一特性，另外，优选的，所述第一遮光材料层为光阻剂层，利用光阻剂层作为第一遮光材料层，可以利用黑矩阵掩膜板进行曝光和显影处理即可形成所述第一覆盖图形，制备工艺简便且成熟。

黑矩阵掩膜板(Black Matrix mask，BM mask)是指在制备彩膜基板的过程中使用到的一种掩膜板，主要用于在彩膜基板上形成黑色色阻矩阵。

S103：在所述第一覆盖图形表面形成第二遮光材料层，在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第二图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第一方向移动第一预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第二覆盖图形；

参考图5，图5为经过步骤S103后形成的第一覆盖图形及第二覆盖图形的俯视结构示意图；同样的，在图5中标号Z01第一覆盖图形，标号Z02为第二覆盖图形，在图5中，以第一方向为平行于显示面板像素的短边方向(平行方向)为例进行说明，当然地，在本申请的其他实施例中，所述第一方向还可以为平行于显示面板像素的长边方向(竖直方向)。优选的，所述第二遮光材料层为光阻剂层，当第一遮光材料层也为光阻剂层时，第一遮光材料层经过曝光和显影过程后形成的第一覆盖图形在曝光和显影后被固化，因此不会受到对第二遮光材料层进行曝光和显影的影响。

S104：在所述第二覆盖图形表面形成第三遮光材料层，在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第三图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第二方向移动第二预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第三覆盖图形；

所述第一方向与所述显示面板像素的长边或短边平行，所述第二方向与所述显示面板像素的另一边平行；

参考图6，图6为经过步骤S104后形成的第一覆盖图形、第二覆盖图形和第三覆盖图形的俯视结构示意图；图6中标号Z01为第一覆盖图形，Z02为第二覆盖图形，Z03为第三覆盖图形，从图6中可以发现，第一覆盖图形、第二覆盖图形和第三覆盖图形叠加成的共同覆盖图形在显示面板的显示区域中仍然保留有一些缝隙Z04，因此需要再次形成一个覆盖图形实现这些缝隙的覆盖。

S105：在所述第三覆盖图形表面形成第四遮光材料层，在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第四图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第三方向移动第三预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第四覆盖图形，所述第三方向与所述第一方向和第二方向均相交；

所述第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形重叠构成所述UV掩膜板。

参考图7，图7为经过步骤S105后形成的第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形的俯视结构示意图；图7中标号Z04为第四覆盖图形，从图7中可以发现，第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形叠加构成的UV掩膜板可以实现显示面板的显示区域的全覆盖，可以满足在显示面板的制备过程中阵列基板和彩膜基板胶框固化的要求。并且所述UV掩膜板的制备方法在制备UV掩膜板的过程中无需新开专用的掩膜板，降低了UV掩膜板的制备成本，也避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个具体实施例中，提供了一种第一预设距离、第二预设距离和第三预设距离的限定范围，参考图8(a)-图8(f)，图8(a)-图8(f)分别为遮光单元在第一方向、第二方向和第三方向移动上限距离和下限距离后的位置关系示意图，在图8(a)-图8(f)中，PR表示构成覆盖图形的遮光单元，每个遮光单元与显示面板的像素大小基本相同，α为所述第三预设方向与第二方向的夹角；具体地，

所述第一预设距离大于或等于显示面板的相邻像素之间在第一方向上的间距，小于所述显示面板的像素在第一方向上的边长。

参考图8(a)和图8(b)，图8(a)中的虚线框表示当第一预设距离的取值最小(即第一预设距离等于相邻遮光单元在第一方向上的间距)时，第二覆盖图形的遮光单元PR所在位置，图8(b)中的虚线框表示当第一预设距离的取值最大(即第一预设距离等于遮光单元在第一方向的边长)时，第二覆盖图形的遮光单元PR所在位置，通过图8(a)和图8(b)可以看出，将第一预设距离的取值范围限定在上述范围内即可实现后续形成第二覆盖图形能够覆盖第一覆盖图形在第一方向上的缝隙的目的；并且，更进一步的，所述第一预设距离的取值为所述显示面板的像素在第一方向上尺寸的二分之一，这样可以保证构成第二覆盖图形的遮盖单元的中央位置处于第一覆盖图形在第一方向上的缝隙的中央位置，即使在移动黑矩阵掩膜板的过程中出现一定程度上的误差，也可以保证后续形成的第二覆盖图形能够实现对第一覆盖图形在第一方向上的缝隙的遮盖。

相应的，所述第二预设距离大于或等于显示面板的相邻像素之间在第二方向上的间距，小于所述显示面板的像素在第二方向上的边长。

同样的，参考图8(c)和图8(d)，图8(c)中的虚线框表示当第二预设距离的取值最小(即第二预设距离等于相邻遮光单元在第二方向上的间距)时，第三覆盖图形的遮光单元PR所在位置，图8(d)中的虚线框表示当第二预设距离的取值最大(即第二预设距离等于遮光单元在第二方向上的边长)时，第三覆盖图形的遮光单元PR所在位置，通过图8(c)和图8(d)可以看出，将第二预设距离的取值范围限定在上述范围内即可实现后续形成的第三覆盖图形能够覆盖第一覆盖图形在第二方向上的缝隙的目的；并且，更进一步的，所述第二预设距离的取值为所述显示面板的像素在第二方向上尺寸的二分之一，这样可以保证构成第三覆盖图形的遮盖单元的中央位置处于第一覆盖图形在第二方向上的缝隙的中央位置，即使在移动黑矩阵掩膜板的过程中出现一定的误差，也可以保证后续形成的第三覆盖图形能够实现对第一覆盖图形在第二方向上的缝隙的遮盖。

对于第三方向和第三预设距离而言，需要保证所述第三方向与所述第三预设距离l满足下列条件；

d₁≤lsinα≤d₂且d₃≤lcosα≤d₄；

其中，d₁为所述显示面板相邻像素之间在第一方向上的距离，d₂为所述显示面板的像素在第一方向上的边长，d₃为所述显示面板相邻像素之间在第二方向上的距离，d₄为所述显示面板的像素在第二方向上的边长，l为所述第三预设距离，α为所述第三预设方向与第二方向的夹角。

参考图8(e)和图8(f)，图8(e)中的虚线框表示当第三预设距离的取值最小(即当lsinα＝d₁且lcosα＝d₃)时，第四覆盖图形的遮光单元PR所在位置，图8(f)中的虚线框表示当第三预设距离的取值最大(即当lsinα＝d₂且lcosα＝d₄)时，第四覆盖图形的遮光单元PR所在位置，在图8(e)和图8(f)中，标号MS的区域为所述第一覆盖图形、第二覆盖图形和第三覆盖图形叠加后在显示面板的显示区域中未覆盖的缝隙，通过图8(e)和图8(f)可以看出，在进行第三方向上的移动时，在第一方向上的移动距离(lsinα)需要大于或等于显示面板相邻像素之间在第一方向上的距离d₁，且不能大于显示面板的像素在第一方向上的边长d₂，而在第二方向上的移动距离(lcosα)需要大于或等于显示面板相邻像素之间在第二方向上的距离d₃，且不能大于显示面板的像素在第二方向上的边长d₄，以保证以移动后的黑矩阵掩膜板为掩膜对第四遮光材料层处理后形成的第四覆盖图形能够覆盖第一覆盖图形、第二覆盖图形和第三覆盖图形叠加后在显示面板的显示区域中未覆盖的缝隙(即图中MS所标示的区域)。

更进一步的，所述第三预设距离的取值满足

同样的，满足该取值的第三预设距离能够使得以移动后的黑矩阵掩膜板为掩膜形成的第四覆盖图形能够处于第一覆盖图形、第二覆盖图形和第三覆盖图形叠加后在显示面板的显示区域中未覆盖的缝隙的中央位置，即使在移动黑矩阵掩膜板的过程中出现一定的误差，也可以保证后续形成的第四覆盖图形能够实现对第一覆盖图形、第二覆盖图形和第三覆盖图形叠加后在显示面板的显示区域中未覆盖的缝隙的遮盖。

还需要说明的是，仍然参考图8(e)，根据物理学中运动的合成与分解可知，在图8(e)中，遮光单元PR在第三方向上的移动可以分解为在第一方向上移动d₁距离和在第二方向上移动d₁距离；也就是说，可以通过先向第一方向移动一定距离，然后向第二方向移动一定距离；或者先向第二方向移动一定距离，再向第一方向移动一定距离的方式来达到向第三方向移动第三预设距离等同的效果。

在实际的应用过程中，发明人发现，针对具有不同尺寸像素的显示面板而言，在利用本发明实施例提供的UV掩膜板的制备方法进行UV掩膜板的制备时，所述第一预设距离、第二预设距离和第三预设距离的取值通常在几十微米到几百微米之间即可满足要求，也就是说，所述第一预设距离、第二预设距离、第三预设距离的取值范围为M×10^-1μm-N×100^-2μm，其中，M和N均为大于0，且小于10的正数。

由于第一预设距离、第二预设距离和第三预设距离的取值范围都可以限定在微米级别，因此，最终形成的UV掩膜板的覆盖区域的精度也在微米级，避免在使用过程中向显示面板的显示区域漏光的情况出现。

另外，利用上述任一实施例制备的UV掩膜板无需针对不同的显示面板新开掩膜板，使用现有的黑矩阵掩膜板即可实现UV掩膜板的制备，并且所述UV掩膜板在制备完成后可以永久用于该类显示面板的胶框固化流程，降低了UV掩膜板的制备成本，简化了UV掩膜板的制备工艺，避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

在上述实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中提供了第一覆盖图形的具体形成方法，如图9所示，图9为本发明的另一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备方法的流程示意图；所述在所述基板表面形成第一遮光材料层，在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第一遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第一覆盖图形包括：

S1021：在所述基板表面成膜一层正性光阻剂层作为第一遮光材料层；

S1022：在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑色矩阵掩膜板为掩膜，对所述正性光阻剂层进行曝光和显影，以形成第一覆盖图形。

参考图10，图10为所述第一覆盖图形的形成过程的截面示意图，在图10中，标号100表示所述基板，200表示第一遮光材料层，Z01表示所述第一覆盖图形，BM表示所述黑矩阵掩膜板，Exposure表示曝光光线。

正性光阻剂是光阻剂的一种，在使用过程中，正性光阻剂的被曝光的区域，在后续的显影过程中被去除，而由于黑矩阵掩膜板的遮光部分与所需形成的第一覆盖图形的遮光部分相同，因此，采用正性光阻剂层作为第一遮光材料层可以直接使用黑矩阵掩膜板对第一遮光材料层进行曝光和显影，即可去除第一遮光材料层的被曝光部分，构成所述第一覆盖图形。

相应的，在本发明的又一个实施例中，如图11所示，图11为本发明的又一个实施例提供的一种UV掩膜板的制备方法的流程示意图；

所述在所述第一覆盖图形表面形成第二遮光材料层，在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第二覆盖图形包括：

S1031：在所述第一覆盖图形表面成膜一层正性光阻剂层作为第二遮光材料层；

S1032：在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行曝光和显影，以形成第二覆盖图形；

参考图12，图12为所述第二覆盖图形的形成过程的截面示意图，在图12中，标号100表示所述基板，201表示第二遮光材料层，Z02表示所述第二覆盖图形，BM表示所述黑矩阵掩膜板，Exposure表示曝光光线。

所述在所述第二覆盖图形表面形成第三遮光材料层，在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第三覆盖图形包括：

S1041：在所述第二覆盖图形表面成膜一层正性光阻剂层作为第三遮光材料层；

S1042：在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行曝光和显影，以形成第三覆盖图形；

参考图13，图13为所述第三覆盖图形的形成过程的截面示意图，在图13中，标号100表示所述基板，202表示第三遮光材料层，Z03表示所述第三覆盖图形，BM表示所述黑矩阵掩膜板，Exposure表示曝光光线。

所述在所述第三覆盖图形表面形成第四遮光材料层，在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第四覆盖图形包括：

S1051：在所述第三覆盖图形表面成膜一层正性光阻剂层作为第四遮光材料层；

S1052：在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行曝光和显影，以形成第四覆盖图形；

参考图14，图14为所述第四覆盖图形的形成过程的截面示意图，在图14中，标号100表示所述基板，203表示第四遮光材料层，Z04表示所述第四覆盖图形，BM表示所述黑矩阵掩膜板，Exposure表示曝光光线。

同样的，使用正性光阻剂层作为第二遮光材料层、第三遮光材料层和第四遮光材料层时，可以直接利用黑矩阵掩膜板为掩膜对它们进行曝光和显影，以去除黑矩阵掩膜板未遮盖部分，分别形成第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形。

正性光阻剂制备的遮光材料层在后续形成覆盖图形的过程中，被曝光部分的遮光材料层在显影的过程中被去除，这一特性使其可以完美地利用现有的黑矩阵掩膜板实现的覆盖图形的制备，这是因为主流的黑矩阵掩膜板的遮光部分的图形形状与覆盖图形的形状完全一致，在使用黑矩阵掩膜板为掩膜对由正性光阻剂材料制备的遮光材料层进行曝光时，即可实现对需要去除部分的正性光阻剂的曝光，在后续显影过程中，被曝光部分的正性光阻剂被显影液去除，留下的部分即为所述覆盖图形。

在上述实施例的基础上，在本发明的又一个实施例中，参考图4和图15，图15为本发明的一个实施例提供的一种第一覆盖图形的俯视结构示意图，所述显示面板的像素为矩形或平行四边形。

参考图4和图15，当所述显示面板的像素为矩形时，利用黑矩阵掩膜板形成的覆盖图形的遮光单元PR也为矩形，在利用本发明提供的方法形成UV掩膜板的过程中，只需要保证所述第一方向和第二方向分别与矩形的两边平行，也就是说所述第一方向与第二方向相互垂直即可；当所述显示像素的像素为平行四边形时，利用黑矩阵掩膜板形成的覆盖图形的遮光单元PR也为平行四边形，在利用本发明提供的方法形成UV掩膜板的过程中，只需要保证所述第一方向和第二方向分别与平行四边形的两边平行即可。也就意味着，当所述显示面板的像素的形状发生改变时，只需要调整第一方向、第二方向和第三方向即可使所述UV掩膜板的制备方法满足不同形状的像素的显示面板的UV掩膜板的制备要求。

相应的，本发明实施例还提供了一种UV掩膜板，参考图16，图16为本申请的一个实施例提供的一种UV掩膜板的示意图，所述UV掩膜板由上述任一实施例所述的UV掩膜板的制备方法制备获得；

所述UV掩膜板为由遮光材料构成的遮光板M10，所述遮光板M10的覆盖面积大于或等于显示面板的显示区域AA的面积。

应用上述任一实施例所述的UV掩膜板的制备方法制备UV掩膜板利用现有的黑矩阵掩膜板制备获得，无需针对不同的显示面板新开掩膜板，降低了UV掩膜板的制备成本，简化了UV掩膜板的制备工艺，避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

相应的，本发明实施例还提供了一种曝光方法，用于显示面板的胶框固化；参考图17，图17为本申请的一个实施例提供的一种曝光方法的流程示意图，所述曝光方法包括：

S201:提供UV掩膜板，所述UV掩膜板为上述实施例所述的UV掩膜板；

S202：利用所述UV掩膜板覆盖所述显示面板的显示区域；

S203：利用紫外光对覆盖有UV掩膜板的显示面板进行照射，以使显示面板的胶框固化。

利用上述实施例提供的UV掩膜板无需针对不同的显示面板新开掩膜板，使用现有的黑矩阵掩膜板即可实现UV掩膜板的制备，并且所述UV掩膜板在制备完成后可以永久用于该类显示面板的胶框固化流程，降低了UV掩膜板的制备成本，简化了UV掩膜板的制备工艺，避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

综上所述，本发明实施例提供了一种曝光方法、UV掩膜板及其制备方法，其中，所述UV掩膜板的制备方法利用在制备显示面板的过程中必需的黑矩阵掩膜板来进行UV掩膜板的制备，具体地，首先在基板上利用黑矩阵掩膜板形成第一覆盖图形，接着在第一覆盖图形上利用黑矩阵掩膜板形成第二覆盖图形，所述第二覆盖图形的形成位置与第一覆盖图形的形成位置在第一方向上相差第一预设距离，以使第二覆盖图形能够遮盖第一覆盖图形在显示面板的显示区域中第一方向上的缝隙；然后在第二覆盖图形上利用黑矩阵掩膜板形成第三覆盖图形，所述第三覆盖图形的形成位置与第一覆盖图形的形成位置在第二方向上相差第二预设距离，以使第三覆盖图形能够遮盖第一覆盖图形在显示面板的显示区域中第二方向上的缝隙；最后在第三覆盖图形上利用黑矩阵掩膜板形成第四覆盖图形，所述第四覆盖图形与第一覆盖图形的形成位置在第三方向上相差第三预设距离，以使第四覆盖图形能够覆盖第一覆盖图形在显示面包的显示区域中第三方向上的剩余缝隙，最终通过第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形形成能够完全覆盖显示面板的显示区域的UV掩膜板，该UV掩膜板的形成过程无需新开专用的掩膜板，降低了UV掩膜板的制备成本，也避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。

以上对本发明实施例所提供的曝光方法、UV掩膜板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (13)

1.一种UV掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板表面形成第一遮光材料层，在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第一遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第一覆盖图形；

在所述第一覆盖图形表面形成第二遮光材料层，在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第二图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第一方向移动第一预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第二覆盖图形；

在所述第二覆盖图形表面形成第三遮光材料层，在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第三图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第二方向移动第二预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第三覆盖图形；

所述第一方向与所述显示面板像素的长边或短边平行，所述第二方向与所述显示面板像素的另一边平行；

在所述第三覆盖图形表面形成第四遮光材料层，在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，所述第四图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第三方向移动第三预设距离后的位置重合，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第四覆盖图形，所述第三方向与所述第一方向和第二方向均相交；

所述第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形重叠构成所述UV掩膜板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设距离大于或等于显示面板的相邻像素之间在第一方向上的间距，小于所述显示面板的像素在第一方向上的边长。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设距离的取值为所述显示面板的像素在第一方向上尺寸的二分之一。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二预设距离大于或等于显示面板的相邻像素之间在第二方向上的间距，小于所述显示面板的像素在第二方向上的边长。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预设距离的取值为所述显示面板的像素在第二方向上尺寸的二分之一。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三方向与所述第三预设距离l满足下列条件；

d₁≤lsinα≤d₂且d₃≤lcosα≤d₄；

其中，d₁为所述显示面板相邻像素之间在第一方向上的距离，d₂为所述显示面板的像素在第一方向上的边长，d₃为所述显示面板相邻像素之间在第二方向上的距离，d₄为所述显示面板的像素在第二方向上的边长，l为所述第三预设距离，α为所述第三预设方向与第二方向的夹角。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三预设距离的取值满足

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板表面形成第一遮光材料层，在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第一遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第一覆盖图形包括：

在所述基板表面成膜一层正性光阻剂层作为第一遮光材料层；

在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板，并以所述黑色矩阵掩膜板为掩膜，对所述正性光阻剂层进行曝光和显影，以形成第一覆盖图形。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一覆盖图形表面形成第二遮光材料层，在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第二覆盖图形包括：

在所述第一覆盖图形表面成膜一层正性光阻剂层作为第二遮光材料层；

在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行曝光和显影，以形成第二覆盖图形；

所述在所述第二覆盖图形表面形成第三遮光材料层，在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第三覆盖图形包括：

在所述第二覆盖图形表面成膜一层正性光阻剂层作为第三遮光材料层；

在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行曝光和显影，以形成第三覆盖图形；

所述在所述第三覆盖图形表面形成第四遮光材料层，在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行处理，以在所述基板表面形成第四覆盖图形包括：

在所述第三覆盖图形表面成膜一层正性光阻剂层作为第四遮光材料层；

在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板，并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行曝光和显影，以形成第四覆盖图形。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设距离、第二预设距离、第三预设距离的取值范围为M×10^-1μm-N×100^-2μm，其中，M和N均为大于0，且小于10的正数。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显示面板的像素为矩形或平行四边形。

12.一种UV掩膜板，其特征在于，由权利要求1-11任一项所述的UV掩膜板的制备方法制备获得；

所述UV掩膜板为由遮光材料构成的遮光板，所述遮光板的覆盖面积大于或等于显示面板的显示区域的面积。

13.一种曝光方法，其特征在于，用于显示面板的胶框固化；所述曝光方法包括：

提供UV掩膜板，所述UV掩膜板为权利要求9所述的UV掩膜板；

利用所述UV掩膜板覆盖所述显示面板的显示区域；

利用紫外光对覆盖有UV掩膜板的显示面板进行照射，以使显示面板的胶框固化。