CN105676589A - 一种采用刻蚀工艺在基材表面加工cd纹的方法 - Google Patents

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李建勳
郑松森
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Abstract

本发明提供一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，包括如下步骤：1)制作掩膜版；2)涂布光阻薄膜、烘烤；3)曝光、烘烤；4)显影、烘烤；5)刻蚀。所述方法提供一种效率高、精度高且适用范围广的采用干法或湿法刻蚀在基材表面加工出CD纹的方法。

Description

一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法
技术领域
本发明属于表面处理技术领域，具体地，涉及一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法。
背景技术
CD是英文CompactDisc的缩写，中文意思是“压缩光盘”，简称“光盘”，CD纹是应用精密的CD纹机在金属表面去除材料而得到的一种类似与CD光盘纹路的效果。
现有的CD纹加工方法分为三类：1)在金属材质上采用机加工（CNC机床进行精雕加工）的方法来加工CD纹；2)在硬性材质（如蓝宝石、玻璃）上，采用印刷油墨烘烤的方法来加工CD纹；3)在塑性材质（如聚碳酸酯、聚酯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯）上采用制作CD纹模具模压UV透明树脂进行固化来加工CD纹。
其中，对于第一种加工方法，机加工效率低，加工精度不高，无法做出纳米级别的CD纹，且只适用于对金属材料进行加工。
对于第二种加工方法，目前国内存在如下专利文献：
专利公开号：CN104626780A，该专利公开了一种具有CD纹的蓝宝石面板的加工方法，属于玻璃表面处理技术领域，为了解决现有的CD纹效果不佳和工艺复杂的问题，提供一种具有CD纹的蓝宝石面板的加工方法，该方法包括在蓝宝石面板的表面设计CD纹的线宽和线距，然后根据设计好的CD纹线宽和线距印刷相应的油墨，印刷完成后，进行烘烤，使初步形成具有CD纹的蓝宝石面板；再在表面镀上具有增强反射功能的金属氧化物膜层，然后，再在表面印刷油墨使形成主颜色层，烘烤后，得到具有CD纹的蓝宝石面板。该方法具有能够保证不会出现CD纹线条断裂等情况，且具有CD纹立体感强和完整性好的效果。然而，该专利中采用的油墨印刷在硬性材质表面，附着牢固度不够高，不能防止刮花，加工精度不高，无法做出纳米级别的CD纹。
对于第三种加工方法，CD纹模具的费用较高，模具寿命短，模压效率低，只适用于塑性材料的基材。
发明内容
为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，提供一种效率高、精度高且适用范围广的采用干法或湿法刻蚀在基材表面加工出CD纹的方法。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，包括如下步骤：
1)制作掩膜版
根据所加工CD纹规格不同，按照CD纹面积：掩膜版面积=1：1或4：1或5：1的比例设计、制作掩膜版，在掩膜版表面中部形成与所述CD纹相对应的CD纹图形区域，该CD纹图形区域包括透光区域和不透光区域；
2)涂布光阻薄膜、烘烤
取基材，在基材一表面均匀涂布一层光阻薄膜，该光阻薄膜厚度为10nm~50um；涂布完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
3)曝光、烘烤
取光刻机，将步骤1)所得掩膜版的图形区域放置于光刻机光源与步骤2)处理后所得基材光阻薄膜之间，光刻机打开遮光板对基材进行光照处理，光照时长100ms~60s，光刻机光源发射的光线通过所述掩膜版图形区域中的透光区域照射在基材的光阻薄膜上，接受光线照射的光阻薄膜发生反应，进行曝光，曝光后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
4)显影、烘烤
将步骤3)处理后的基材通过显影液进行显影处理，显影处理时长为30S~24h，使步骤3)中发生反应的光阻薄膜溶解于显影液中，未反应的光阻薄膜保留在基材表面，在光阻薄膜表面形成CD纹图形，去除显影液及溶解于其内的光阻薄膜，完成显影处理，将处理完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
5)刻蚀
在基材表面进行刻蚀处理，对未保留光阻薄膜的基材表面进行刻蚀，保留光阻薄膜的基材表面不被刻蚀，将步骤4)中在光阻薄膜表面形成的CD纹图形转移至基材表面，在基材表面形成所述CD纹，去除保留的光阻薄膜，完成所述采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹。
进一步，所述基材相对光阻薄膜的另一面涂覆有一层反光镀层，所述反光镀层材料选自油墨、树酯、紫外线固化胶、铬或镉；所述基材的材质为玻璃、石英、聚氯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或金属片材。
另，所述CD纹由若干同心圆环组成，每个圆环线宽相同，线宽范围为300nm~500um，每两个相邻圆环之间线距相等，线距为300nm~500um。
另有，所述掩膜版形状为一方形板体，材质为石英或玻璃，包括设置于中部的CD纹图形区域和位于所述CD纹图形区域外周的不透光区域，所述不透光区域表面间隔设置有若干对位标记。
再，步骤2)所述涂布方式为旋转涂布或喷雾涂布；所述光阻为正向光阻或负向光阻，光阻粘稠度为2~95。
再有，所述步骤2)、步骤3)、步骤4)中所述烘烤采用热板或烘箱进行烘烤，采用热板进行烘烤的温度范围70~130℃，时间为30秒~300秒；采用烘箱进行烘烤的温度范围为70~130℃，时间为1分钟~45分钟。
且，步骤2)中，如果所述基材的可见光穿透率大于80%：在光阻薄膜涂布前，先在基材表面涂布一层0.1~100nm的底部抗反射涂层，再进行光阻涂布；或者在光阻薄膜涂布后，在光阻薄膜表面涂布一层0.1~100nm的顶部抗反射涂层；或者在光阻薄膜涂布前，先在基材下表面镀一层不透明薄膜，然后按照所述步骤2)、步骤3)、步骤4)的顺序进行在基材表面进行CD纹加工，加工完成后去除所述不透明薄膜；或者选择单面抛光基材，在抛光面按照所述步骤2)、步骤3)、步骤4)的顺序进行在基材表面进行CD纹加工，加工完成后抛光所述基材另一表面。
另，步骤3)所述光刻机采用接触式光刻机、接近式光刻机、步进式光刻机或扫描式光刻机，光刻机光源选用G线、I线、KrF准分子激光或ArF准分子激光。
另有，步骤4)所述显影液采用浓度为1~10%的四甲基氢氧化氨、浓度为1~25%的氢氧化钠溶液或浓度为1~25%的氢氧化钾溶液，显影处理方式为：将显影液均匀的喷涂在基材表面进行显影或将基材直接或装入特定夹具后浸泡在显影液中进行显影。
再，步骤5)所述刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀采用反应离子刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀；所述湿法刻蚀采用湿式清洗台刻蚀。
本发明的有益效果在于：
所述采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，解决了现有加工方法的CD纹容易脱落和效果不佳的问题，提供一种采用半导体工艺，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀在基材表面加工CD纹的方法，将基材表面直接加工出现CD纹，CD纹的材质为基材自身材质，且加工方法属于半导体级别精密加工，因此可以最小做到纳米级的CD纹线宽和线距，其可以加工到的最小线宽为300nm，最小线距为300nm，具有保证不出现CD纹线条断裂和脱落等情况，具有CD纹坚固且不易损伤、眩光效果好和立体感强特性，而且可适用于金属材料、蓝宝石和玻璃等硬性材料表面，适用范围广。
附图说明
图1是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中步骤2)完成涂布光阻薄膜后的基材的侧视结构示意图；
图2是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中步骤3)曝光过程中基材、掩膜版、光刻机光线的侧视结构示意图；
图3是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中步骤4)完成显影处理后的基材侧视结构示意图；
图4是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中步骤5)中干法刻蚀工艺过程中基材的侧视结构示意图；
图5是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中步骤5)中湿法刻蚀过程中基材的侧视结构示意图；
图6是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法完成的CD纹加工后基材的侧视结构示意图；
图7是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中基材另一表明镀上反光镀层后的基材侧视结构示意图；
图8是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中加工所得CD纹图案的俯视结构示意图；
图9是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法中掩膜版的俯视结构示意图；
图10是本发明所提供的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法的流程图。
具体实施方式
参见图1~图10，本发明所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，包括如下步骤：
1)制作掩膜版
根据所加工CD纹1规格不同，按照CD纹1面积：掩膜版2面积=1：1或4：1或5：1的比例设计、制作掩膜版2，在掩膜版2表面中部形成与所述CD纹1相对应的CD纹图形区域21，该CD纹图形区域21包括透光区域211和不透光区域212；
其中，目前市面上有三种类型光刻机，分别为接近或接触式光刻机，其CD纹面积：掩膜版面积=1：1，线宽和线距宽度在1um以上时会选用此种光刻机；CD纹面积：掩膜版面积=4：1，选用ASML步进投影式光刻机，CD纹面积：掩膜版面积=5：1，选用佳能或尼康步进投影式光刻机，这两种光刻机会用在CD纹线宽和线距宽度在300nm以上时。
2)涂布光阻薄膜、烘烤
取基材3，在基材3一表面均匀涂布一层光阻薄膜31，该光阻薄膜31厚度为10nm~50um；涂布完成后的基材3在70~130℃温度下进行烘烤；
其中，涂布方法有两种：1)旋转涂布，基材3吸附在可控制旋转速率的吸盘上，在基材3中心区域滴适量光阻，并由吸盘按一定转速带动基材旋转，将基材中心的光阻甩开形成均匀且膜厚一定的光阻薄膜31，通过烘烤，使光阻薄膜固化；2)喷雾涂布，将基材3固定在可匀速移动的合适夹具上，将光阻装于可在基材3上方区域匀速移动的喷雾装置中，将光阻以雾状喷下并匀速移动喷雾装置和基材夹具，控制喷雾量和两者移动速度，可在基材3上形成均匀且膜厚一定的光阻薄膜31，通过烘烤，使光阻薄膜固化。
为使光阻中溶剂挥发及光阻固化，采用热板或烘箱进行烘烤：采用热板进行烘烤的温度范围70~130℃，时间为30秒~300秒；采用烘箱进行烘烤的温度范围为70~130℃，时间为1分钟~45分钟。
3)曝光、烘烤
取光刻机（未图示），将步骤1)所得掩膜版2的图形区域放置于光刻机光源（未图示）与步骤2)处理后所得基材3光阻薄膜31之间，光刻机打开遮光板对基材进行光照处理，光照时长100ms~60s，光刻机光源发射的光线4通过所述掩膜版2图形区域21中的透光区域211照射在基材3的光阻薄膜31上，接受光线4照射的光阻薄膜31发生反应，进行曝光，曝光后的基材3在70~130℃温度下进行烘烤；
其中，曝光所用光线4是用光刻机精确控制光照时间，且在一定区域内光照度均匀，掩膜版2放置于光源和基材3之间，光刻机打开一定时间的遮光板，光线4通过掩膜4的透明区区域照射上光阻薄膜31上，使其发生反应，光线4未照射到的光阻薄膜31区域不发生反应，曝光完成后，通过烘烤以消除驻波效应。根据CD纹1线宽和线距不同需求，光刻机采用接触式光刻机、接近式光刻机、步进式光刻机或扫描式光刻机；光刻机光源选用G线（436nm）、I线（365nm）、KrF准分子激光（248nm）或ArF准分子激光（193nm）；曝光后为消除驻波效应，对基材3用热板或烤箱进行烘烤：采用热板进行烘烤的温度范围70~130℃，时间为30秒~300秒；采用烘箱进行烘烤的温度范围为70~130℃，时间为1分钟~45分钟。
4)显影、烘烤
将步骤3)处理后的基材通过显影液进行显影处理，显影处理时长为30S~24h，使步骤3)中发生反应的光阻薄膜31溶解于显影液中，未反应的光阻薄膜31保留在基材3表面，在光阻薄膜31表面形成CD纹图形311（即在光阻薄膜31表现形成等距间隔排布的同心圆环），去除显影液及溶解于其内的光阻薄膜31，完成显影处理，将处理完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
其中，由于步骤3)中发生反应的光阻薄膜31可溶解于显影液，而未发生反应的光阻薄膜31不溶解于显影液，因此将曝光完成的基材3表面铺满显影液静置一定时间，使发生反应的光阻薄膜31溶解于显影液中，去掉显影液，则完成显影，如图3所示；也可采用将曝光完成的基材3全部浸泡在显影中一定时间，发生反应的光阻薄膜31溶解于显影液中，从显影液中取出基材，则完成显影，如图3所示。显影完成后，通过烘烤使光阻薄膜31充分固化，有利于提高刻蚀选择比，为增加刻蚀选择比，对基材用热板或烤箱进行烘烤；采用热板进行烘烤的温度范围70~130℃，时间为30秒~300秒；采用烘箱进行烘烤的温度范围为70~130℃，时间为1分钟~45分钟。
5)刻蚀
在基材3表面进行刻蚀处理，对未保留光阻薄膜31的基材3表面进行刻蚀，保留光阻薄膜31的基材3表面不被刻蚀，将步骤4)中在光阻薄膜31表面形成的CD纹图形311转移至基材3表面，在基材3表面形成所述CD纹1，去除保留的光阻薄膜31，完成所述采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹（如图6所示）。
进一步，如图7所示，所述基材3相对光阻薄膜31的另一面涂覆有一层反光镀层32，所述反光镀层32材料选自油墨、树酯、紫外线固化胶、铬或镉；所述基材3的材质为玻璃、石英、聚氯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或金属片材。
其中，将得到CD纹1的基材3下表面镀上具有反光性的反光镀层32，通过该反光镀层32起到增强CD纹1的眩光效果的作用；金属材质基材不用这一步步骤。
另，如图8所示，所述CD纹1由若干同心圆环11组成，每个圆环111线宽相同，线宽范围为300nm~500um，每两个相邻圆环11之间线距相等，线距为300nm~500um。
另有，如图9所示，所述掩膜版2形状为一方形板体，材质为石英或玻璃，包括设置于中部的CD纹图形区域21和位于所述CD纹图形区域21外周的不透光区域22，所述不透光区域22表面间隔设置有若干对位标记221。
再，步骤2)所述涂布方式为旋转涂布或喷雾涂布；所述光阻为正向光阻或负向光阻，光阻粘稠度为2~95。
再有，所述步骤2)、步骤3)、步骤4)中所述烘烤采用热板或烘箱进行烘烤，采用热板进行烘烤的温度范围70~130℃，时间为30秒~300秒；采用烘箱进行烘烤的温度范围为70~130℃，时间为1分钟~45分钟。
且，步骤2)中，如果所述基材3的可见光穿透率大于80%，对基材3进行如下预处理：
在光阻薄膜涂布前，先在基材表面涂布一层0.1~100nm的底部抗反射涂层（BARC），再进行光阻涂布；
或者在光阻薄膜涂布后，在光阻薄膜表面涂布一层0.1~100nm的顶部抗反射涂层（TARC）；
或者在光阻薄膜涂布前，先在基材下表面镀一层不透明薄膜，然后按照所述步骤2)、步骤3)、步骤4)的顺序进行在基材表面进行CD纹加工，加工完成后去除所述不透明薄膜；
或者选择单面抛光基材，在抛光面按照所述步骤2)、步骤3)、步骤4)的顺序进行在基材表面进行CD纹加工，加工完成后抛光所述基材另一表面。
另，步骤3)所述光刻机采用接触式光刻机、接近式光刻机、步进式光刻机或扫描式光刻机，光刻机光源选用G线、I线、KrF准分子激光或ArF准分子激光。
另有，步骤4)所述显影液采用浓度为1~10%的四甲基氢氧化氨（TMAH）、浓度为1~25%的氢氧化钠溶液（NaOH）或浓度为1~25%的氢氧化钾溶液（KOH），显影处理方式为：将显影液均匀的喷涂在基材3表面进行显影或将基材3直接或装入特定夹具后浸泡在显影液中进行显影。
再，步骤5)所述刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀采用反应离子刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀；所述湿法刻蚀采用湿式清洗台刻蚀。
其中，干法刻蚀如图4所示，将基材3固定在特定夹具中，载入电感耦合等离体子干法刻机反应腔室中，等离体子5以一定功率刻蚀基材3，被光阻薄膜31遮挡区域31a的基材3不被等离子体5刻蚀，未被光阻薄膜31遮挡的基材3被等离体子6刻蚀，因此将光阻薄膜31表面形成的CD纹图形311转移至基材3表面，在基材3表面形成所述CD纹1。
湿法刻蚀如图5所示，将基材3全部浸泡在可控制溶解基材1速率的溶液6中，被光阻薄膜31遮挡的基材3不被溶液6溶解，未被光阻薄膜31遮挡的基材3被溶液6以一定速率溶解，从而光阻薄膜31表面形成的CD纹图形311转移至基材3表面，在基材3表面形成所述CD纹1。
本发明所述的采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，解决了现有加工方法的CD纹容易脱落和效果不佳的问题，提供一种采用半导体工艺，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀在基材表面加工CD纹的方法，将基材表面直接加工出现CD纹，CD纹的材质为基材自身材质，且加工方法属于半导体级别精密加工，因此可以最小做到纳米级的CD纹线宽和线距，其可以加工到的最小线宽为300nm，最小线距为300nm，具有保证不出现CD纹线条断裂和脱落等情况，具有CD纹坚固且不易损伤、眩光效果好和立体感强特性，而且可适用于金属材料、蓝宝石和玻璃等硬性材料表面，适用范围广。
需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。

Claims (10)

1.一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，包括如下步骤：
制作掩膜版
根据所加工CD纹规格不同，按照CD纹面积：掩膜版面积=1：1或4：1或5：1的比例设计、制作掩膜版，在掩膜版表面中部形成与所述CD纹相对应的CD纹图形区域，该CD纹图形区域包括透光区域和不透光区域；
涂布光阻薄膜、烘烤
取基材，在基材一表面均匀涂布一层光阻薄膜，该光阻薄膜厚度为10nm~50um；涂布完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
曝光、烘烤
取光刻机，将步骤1)所得掩膜版的图形区域放置于光刻机光源与步骤2)处理后所得基材光阻薄膜之间，光刻机打开遮光板对基材进行光照处理，光照时长100ms~60s，光刻机光源发射的光线通过所述掩膜版图形区域中的透光区域照射在基材的光阻薄膜上，接受光线照射的光阻薄膜发生反应，进行曝光，曝光后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
显影、烘烤
将步骤3)处理后的基材通过显影液进行显影处理，显影处理时长为30S~24h，使步骤3)中发生反应的光阻薄膜溶解于显影液中，未反应的光阻薄膜保留在基材表面，在光阻薄膜表面形成CD纹图形，去除显影液及溶解于其内的光阻薄膜，完成显影处理，将处理完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤；
刻蚀
在基材表面进行刻蚀处理，对未保留光阻薄膜的基材表面进行刻蚀，保留光阻薄膜的基材表面不被刻蚀，将步骤4)中在光阻薄膜表面形成的CD纹图形转移至基材表面，在基材表面形成所述CD纹，去除保留的光阻薄膜，完成所述采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹。
2.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，所述基材相对光阻薄膜的另一面涂覆有一层反光镀层，所述反光镀层材料选自油墨、树酯、紫外线固化胶、铬或镉；所述基材的材质为玻璃、石英、聚氯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或金属片材。
3.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，所述CD纹由若干同心圆环组成，每个圆环线宽相同，线宽范围为300nm~500um，每两个相邻圆环之间线距相等，线距为300nm~500um。
4.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，所述掩膜版形状为一方形板体，材质为石英或玻璃，包括设置于中部的CD纹图形区域和位于所述CD纹图形区域外周的不透光区域，所述不透光区域表面间隔设置有若干对位标记。
5.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，步骤2)所述涂布方式为旋转涂布或喷雾涂布；所述光阻为正向光阻或负向光阻，光阻粘稠度为2~95。
6.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，所述步骤2)、步骤3)、步骤4)中所述烘烤采用热板或烘箱进行烘烤，采用热板进行烘烤的温度范围70~130℃，时间为30秒~300秒；采用烘箱进行烘烤的温度范围为70~130℃，时间为1分钟~45分钟。
7.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，步骤2)中，如果所述基材的可见光穿透率大于80%：
在光阻薄膜涂布前，先在基材表面涂布一层0.1~100nm的底部抗反射涂层，再进行光阻涂布；
或者在光阻薄膜涂布后，在光阻薄膜表面涂布一层0.1~100nm的顶部抗反射涂层；
或者在光阻薄膜涂布前，先在基材下表面镀一层不透明薄膜，然后按照所述步骤2)、步骤3)、步骤4)的顺序进行在基材表面进行CD纹加工，加工完成后去除所述不透明薄膜；
或者选择单面抛光基材，在抛光面按照所述步骤2)、步骤3)、步骤4)的顺序进行在基材表面进行CD纹加工，加工完成后抛光所述基材另一表面。
8.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，步骤3)所述光刻机采用接触式光刻机、接近式光刻机、步进式光刻机或扫描式光刻机，光刻机光源选用G线、I线、KrF准分子激光或ArF准分子激光。
9.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，步骤4)所述显影液采用浓度为1~10%的四甲基氢氧化氨、浓度为1~25%的氢氧化钠溶液或浓度为1~25%的氢氧化钾溶液，显影处理方式为：将显影液均匀的喷涂在基材表面进行显影或将基材直接或装入特定夹具后浸泡在显影液中进行显影。
10.根据权利要求1所述的一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法，其特征在于，步骤5)所述刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀采用反应离子刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀；所述湿法刻蚀采用湿式清洗台刻蚀。
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