CN109690793B - 半导体层序列 - Google Patents

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Abstract

在一个实施方式中，半导体层序列基于AlInGaN并且设置用于光电子半导体芯片并且以所提出的顺序从n型传导的n型侧起观察具有如下层：‑由AlGaN构成的前势垒层，‑由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱，所述前量子阱不设计用于产生辐射，‑多量子阱结构，所述多量子阱结构具有多个交替的主量子阱和主势垒层，所述主量子阱具有第二带隙，由InGaN构成，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中第二带隙大于第一带隙，并且主量子阱设计用于产生如下辐射，所述辐射具有在365nm和490nm之间的最大强度的波长，其中包括边界值，和‑由AlGaN构成的电子阻挡层，其中前势垒层的铝含量和厚度的乘积是主势垒层的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。

Description

半导体层序列
技术领域
提出一种半导体层序列。
发明内容
待实现的目的在于：提出一种用于产生短波辐射的高质量的半导体层序列。
该目的尤其通过根据本发明的半导体层序列来实现。优选的改进形式在下文中描述。
根据至少一个实施方式，半导体层序列基于AlInGaN。这就是说，半导体层序列的各个层由AlxInyGa1-x-yN构成，其中0 ≤ x ≤ 1、0 ≤ y ≤ 1并且0 ≤ x+y < 1。在此，附加地能够存在掺杂剂，如硅或镁。然而，为了简单起见，仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、In、Ga和N，即使所述组成部分通过少量其他元素取代也如此。特别地，在下文中，当杂质或混合物占AlInGaN的份额至多为0.1质量%时不考虑所述杂质或混合物。
根据至少一个实施方式，半导体层序列包括前势垒层。前势垒层由AlGaN构成。在此，前势垒层的铝含量优选为至少2%或20%和/或至多50%或40%或30%。特别地，铝含量在20%和30%之间，其中包括边界值。前势垒层优选没有铟。在本文中，百分比数据代表AlxInyGa1-x-yN中的下标x、y。例如30%的铝含量表示：x=0.30，关于y相应地适用于铟含量。
可选地，可行的是：前势垒层具有少量的铟进而由AlxInyGa1-x-yN构成。在该情况下，上述值在AlGaN前势垒层的情况下以相同的方式适用于铝。铟含量优选为至多1%或0.5%或0.2%。
根据至少一个实施方式，前势垒层具有至少1nm或2.5nm和/或至多4nm或10nm的厚度。特别地，前势垒层的厚度为2.5nm和3.5nm之间，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，半导体层序列包括前量子阱层。前量子阱层由InGaN形成。前量子阱层具有第一带隙，第一发射能量可与所述第一带隙相关联。可行的是：前量子阱在半导体层序列常规使用时不设计用于产生辐射。这就是说，在该情况下在前量子阱中在半导体层序列常规使用时不产生辐射或不产生显著的辐射份额，并且前量子阱能够称作为暗的量子阱。替选地，可行的是：前量子阱例如在与主量子阱不同波长的情况下有助于产生辐射。
根据至少一个实施方式，前量子阱具有至少0.2%或1%或2%的铟含量或替选地没有铟。替选地或附加地，前量子阱的铟含量为至多6%或15%。特别地，铟含量在4%和5.5%之间，其中包括边界值。尤其优选地，前量子阱没有铝。
根据至少一个实施方式，前量子阱具有至少1.5nm或2.2nm和/或至多5nm或3.4nm的厚度。特别地，前量子阱的厚度在2.4nm和2.8nm之间，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，半导体层序列包括多量子阱结构。多量子阱结构包含多个交替的主量子阱和主势垒层。在此，主量子阱优选由InGaN构成并且主势垒层优选由AlGaN或AlInGaN形成。主量子阱具有对应于第二发射能量的第二带隙，所述第二带隙大于或等于前量子阱的第一带隙。主量子阱设计用于产生如下辐射，所述辐射具有为至少365nm或375nm或385nm和/或至多490nm或410nm或395nm的最大强度的波长。
根据至少一个实施方式，主量子阱的铟含量为至少0.2%或2%或4%，或者主量子阱替选地没有铟。替选地或附加地，主量子阱的铟含量为至多5%或15%。特别地，主量子阱的铟含量在5%和6.5%之间，其中包括边界值。主量子阱尤其优选没有铝。
根据至少一个实施方式，主量子阱具有至少1.5nm或2.2nm和/或至多5nm或3.4nm的厚度。特别地，主量子阱的厚度在2.4nm和2.8nm之间，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，主势垒层具有至少2%或10%和/或至多20%或30%的铝含量。特别地，主势垒层的铝含量在12%和18%之间，其中包括边界值。优选地，主势垒层没有铟，但是也能够具有至多1%或0.5%或0.2%的小的铟份额。
根据至少一个实施方式，主势垒层具有至少0.5nm或0.9nm和/或至多5nm或2.3nm的厚度。特别地，主势垒层的厚度在1.5nm和2nm之间，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，半导体层序列包括电子阻挡层。电子阻挡层由AlGaN形成并且能够没有铟或具有小的铟份额，例如至多0.5%或1%或2%。电子阻挡层的厚度优选为至少6nm或8nm或10nm和/或至多20nm或15nm或12nm。此外优选的是：电子阻挡层的铝含量和平均铝含量为至少15%或20%或30%和/或至多80%或70%或60%。
根据至少一个实施方式，前势垒层的铝含量和厚度的乘积是多个主势垒层或离得最近的主势垒层的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。优选地该系数为至少1.5或2或2.5或3。还可行的是：该系数至多为7或5或4。
在至少一个实施方式中，半导体层序列基于AlInGaN并且设置用于光电子半导体芯片，尤其发光二极管或激光二极管。半导体层序列在所提出的顺序中从n型传导的n型侧起观察具有如下层：
- 由AlGaN构成的前势垒层，
- 由InGaN构成的具有第一带隙的前量子阱，
- 多量子阱结构，所述多量子阱结构具有多个交替的主量子阱和主势垒层，所述主量子阱由InGaN构成，具有第二带隙，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中第二带隙大于或者等于第一带隙，并且主量子阱设计用于产生如下辐射，所述辐射具有在365nm和490nm之间的最大强度的波长，其中包括边界值，和
- 由AlGaN构成的电子阻挡层，
其中前势垒层的铝含量和厚度的乘积是多个主势垒层或离得最近的主势垒层的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。
专门对于UVA光谱范围的发光二极管而言，过高的铝含量在光学有源层中的，尤其在量子膜或量子阱中铟含量降低的同时导致拉伸应变的层堆叠。这例如能够导致裂纹形成进而导致质量问题，尤其在无衬底的薄膜发光二极管中。
还要注意的是：量子阱处的载流子捕获和载流子运输必须通过将铝添加到量子阱之间的势垒中来调节。过高的铝浓度对多重量子阱结构中的均匀的载流子分布起不利的作用。如果铝含量过低，那么尤其在电流密度高和在温度较高的情况下由于过低的载流子捕获率而使非放射性损失增加。在此可行的是：电子和空穴离开多量子阱结构，以便随后在邻接的层中非放射性地重组。
在此所描述的半导体层序列具有由前势垒层和前量子阱构成的组合并且优选也具有由后势垒层和后量子阱构成的组合。前势垒层、后势垒层、前量子阱和后量子阱紧邻多量子阱结构。通过前势垒层和/或后势垒层的较高的铝含量和/或较大的厚度，由于压电场，紧邻的量子阱的对应于带隙的跃迁能量在能量方面可能是更低的，这可能导致在量子阱之内的不均匀的载流子分布。
由于上述内容，在此处所描述的半导体层序列中，紧邻多量子阱结构以及紧邻前势垒层和后势垒层的前量子阱和后量子阱以具有少量的铟和/或更小的层厚度的方式生长。替选地，所述前量子阱和后量子阱在压电效应适当大的情况下在铟含量类似的情况下也能够是更薄的。此外，主势垒层在主量子阱之间具有比前势垒层和后势垒层更小的厚度和/或更小的铝含量。
根据至少一个实施方式，前量子阱的铟含量和/或厚度小于主量子阱的铟含量和/或厚度。例如，以主量子阱的厚度和/或铟含量计，铟含量和/或厚度彼此相差至少5%或10%和/或至多40%或25%。
根据至少一个实施方式，后量子阱沿远离n型侧的方向连接到多量子阱结构处。后量子阱具有第三带隙，所述第三带隙小于主量子阱的第二带隙。后量子阱能够与前量子阱完全一样地构成，使得第三带隙能够等于第一带隙。上述关于前量子阱的厚度、铟含量和铝含量的数据因此以相同的方式适用于后量子阱。替选地，可行的是：前量子阱和后量子阱彼此不同地构成。
特别地，后量子阱没有铝并且其铟含量为至少0.2%或1%和/或至多6%或15%或没有铟。特别地，铟含量在4%和5.5%之间，其中包括边界值。例如，后量子阱具有至少1.5nm或2.2nm和/或至多5nm或3.4nm的厚度。特别地，前量子阱的厚度在2.4nm和2.8nm之间，其中包括边界值。
根据至少一个实施方式，后势垒层沿远离n型侧的方向跟随多量子阱结构。后势垒层由AlGaN或AlInGaN制成。后势垒层能够与前势垒层完全一样地构成。上述关于前势垒层的厚度、组分和带隙的说明优选同样适用于后势垒层。优选地，后势垒层跟随后量子阱，使得后量子阱处于多量子阱结构和后势垒层之间。
根据至少一个实施方式，电子阻挡层沿远离n型侧的方向跟随后势垒层。在此，对于电子而言电子阻挡层的厚度优选为厚势垒层的至少1.5倍或2倍或3倍和/或至多10倍或6倍或4倍。优选地，电子阻挡层的势垒高度与后势垒层的势垒高度也至少是相同的，尤其优选是后势垒层的势垒高度的至少1.25倍或1.5倍或2倍。换言之，电子阻挡层比后势垒层更强地阻挡电子。
根据至少一个实施方式，在电子阻挡层和后势垒层之间存在间隔层。优选地，间隔层紧邻电子阻挡层和/或后势垒层。间隔层由GaN或InGaN或AlGaN或AlInGaN构成。优选地，间隔层的厚度为至少5nm或8nm和/或至多20nm或15nm或12nm。间隔层的铝含量优选为至多5%或2%或0.5%或者间隔层没有铝。间隔层的铟含量优选为至多5%或2%或1%和/或至少0.5%或1%，替选地，间隔层没有铟。
根据至少一个实施方式，电子阻挡层多级地构成。替选地，可行的是：电子阻挡层由多个彼此间隔开的子层组成。电子阻挡层的铝含量或平均铝含量优选至少为15%。可行的是：沿远离n型侧的方向，铝含量在电子阻挡层的子层中或者对于电子阻挡层而言整体观察单调下降或严格单调下降。
根据至少一个实施方式，铝含量在前势垒层和/或主势垒层和/或后势垒层之内是恒定的，尤其在制造公差的范围内。替选地或附加地，可行的是：铟含量在前量子阱、主量子阱和后量子阱中是恒定的，再次在制造公差的范围内。
根据至少一个实施方式，在前量子阱的一侧或两侧处存在调节层。调节层的厚度优选为至少0.1nm或1nm和/或至多5nm或2nm，尤其在1.6nm和2nm之间，其中包括边界值。调节层优选基于GaN。替选地，可行的是：调节层具有少量的铟，例如至多2%或1%，尤其0.1%和0.3%之间，其中包括边界值。调节层能够没有铝。
替选地，可行的是：调节层包含铝。在此，调节层的铝含量优选至多为离得最近的主势垒层的铝含量的100%或50%或20%或5%。
根据至少一个实施方式，一个或两个调节层分别直接存在于主量子阱处。主量子阱处的调节层能够与前量子阱和/或后量子阱处的调节层完全相同地构成。与其不同可行的是：前量子阱处和/或后量子阱处的调节层与主量子阱处的调节层不同地构成。
根据至少一个实施方式，通过调节层将主势垒层和邻接的前量子阱或邻接的主量子阱之间的各一个带隙跃迁划分成两个较小的跃迁。这两个较小的跃迁能够分别为较大的整个带隙跃迁的50%。替选地，这两个跃迁中的一个为较大的整个带隙跃迁的至少25%或35%或40%和/或至多45%或40%。
根据至少一个实施方式，调节层或调节层的一部分具有铟梯度，所述铟梯度具有朝向邻接的前量子阱或主量子阱或后量子阱的提高的铟含量。替选地或附加地，适用的是：存在铝梯度，所述铝梯度具有远离邻接的前量子阱或主量子阱或后量子阱提高的铝含量。通过这种梯度，可实现半导体层序列中朝向量子阱的改进的晶体质量和/或可实现改进的电子光学特性。
根据至少一个实施方式，半导体层序列具有刚好一个前量子阱和/或刚好一个后量子阱。替选地，存在多个前量子阱和/或多个后量子阱。前量子阱和/或后量子阱的数量优选分别至多为5个或3个。
根据至少一个实施方式，半导体层序列在多量子阱结构中具有至少四个或八个或十二个和/或至多50个或30个或20个主量子阱。主量子阱的数量优选是前量子阱和后量子阱的数量的总和的至少2倍或4倍或8倍。
根据至少一个实施方式，在多量子阱结构中由主势垒层和主量子阱以及可选地存在的调节层构成的所有对相同地构成。替选地，可行的是：主势垒层和主量子阱，并且可选地，调节层在多量子阱结构上可变地构成。
根据至少一个实施方式，前势垒层，并且可选地，后势垒层以及主势垒层具有相同的铝含量，尤其公差为至多20%或10%或2%或在制造公差的范围中。换言之，于是，仅主势垒层的厚度与前势垒层和/或后势垒层的厚度不同。
根据至少一个实施方式，主量子阱的第二带隙分别为前量子阱和/或后量子阱的第一带隙的至少70%或80%或85%和/或至多95%或90%或85%。主量子阱优选在制造公差的范围中全部具有相同的带隙。
附图说明
在下文中，参照附图根据借助于实施例详细阐述在此所描述的半导体层序列。在此，相同的附图标记在各个附图中说明相同的元件。然而，在此不以合乎比例的关系示出，更确切地说，为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
附图示出：
图1根据带隙的变化曲线示出在此描述的半导体层序列的示意图，
图2示出具有在此描述的半导体层序列的半导体芯片的一个实施例的示意剖面图，和
图3A和3B示出在此描述的半导体层序列的主势垒层和前势垒层的亮度与厚度比的相关性的示意图。
具体实施方式
在图1中根据沿着生长方向G的带隙的变化曲线示意地说明半导体层序列2的实施例。生长方向G从n型传导的n型侧20朝向p型传导的p型侧40。
可选地，半导体层序列2在前势垒层21之前具有超晶格，所述超晶格具有交替的层。沿着生长方向G，其他层，如缓冲层、成核层或生长层能够超前于超晶格，其中所述层为了简化视图未在图1中说明。
前势垒层21用作为空穴阻挡层。前势垒层21的厚度例如为2.9mm。前势垒层21由铝含量为30%的AlGaN构成，即由Al0.3Ga0.7N构成。
调节层22跟随前势垒层21。调节层22是由InGaN构成的、具有0.2%的小的铟含量的（薄的）层。调节层22的厚度为1.8nm。
不主要设置用于产生辐射的前量子阱23跟随调节层。前量子阱23由InGaN构成并且具有5%的铟份额和2.6nm厚度。
多量子阱结构3跟随前量子阱23，所述多量子阱结构设置用于产生辐射，例如用于产生近紫外辐射，所述近紫外辐射具有在390nm和395nm之间的最大强度的波长，其中包括边界值。在多量子阱结构3中，主势垒层31和主量子阱32彼此交替。
优选地，在此在相邻的主势垒层31和所属的主量子阱32之间分别存在调节层22之一。在此，全部调节层22能够彼此相同地构成。多量子阱结构3例如包括主量子阱32中的20个。优选地，多量子阱结构3始于和终止于主势垒层31之一。
主量子阱32的带隙或发射能量在此小于前量子阱23的带隙或发射能量或与其一样大。
可选地存在的调节层22能够如在图1中作为虚线所表明的那样分别具有铟梯度和/或铝梯度，使得在调节层22中，带能量的变化曲线倾斜于生长方向G取向并且使得实现带隙从所属的势垒层21、31、27朝后量子阱23、32、26的均匀的过渡。特别地，调节层22能够相对于所属的量子阱23、32、26对称地构成。
多量子阱结构3之内的主量子阱32和主势垒层31彼此相同地构成。由InGaN构成的主量子阱32例如具有2.6nm的厚度和6%的铟含量。AlGaN主势垒层31的厚度为1.7nm并且铝含量为15%。
后量子阱26紧随最后的主势垒层31和所属的调节层22。后量子阱26能够与前量子阱23完全相同地构成并且例如具有2.6nm的厚度和5%的铟含量。在后量子阱26的两侧也存在调节层22。
调节层22的沿生长方向G最后者或全部跟随所属的量子阱23、32、26的调节层22可选地能够比超前于所属的量子阱23、32、26的调节层22更厚和/或更富含铟，并且例如具有至少1%和/或至多15%或6%的铟含量，或者没有铟，并且具有至少1.5nm或2.2nm和/或至多3.45nm或5nm的厚度。
尤其优选地，紧接着沿着生长方向G跟随后量子阱26的最后一个调节层22，存在后势垒层27。与所跟随的电子阻挡层29相比，后势垒层27是用于电子的、具有相对小势垒高度的势垒层。例如，后势垒27与前势垒层21相同地构成或者也能够与前势垒层21不同。根据图1，AlGaN后势垒层27能够具有15%的铝含量和2.9nm的厚度。
间隔层28紧随后势垒层27，所述间隔层由InGaN构成并且优选没有铝并且具有例如至多1%的小的铟含量。间隔层28的厚度为10nm。
两级的电子阻挡层29紧随间隔层28。电子阻挡层29的厚度整体上为11nm。电子阻挡层29中的平均的铝含量为25%，其中铝含量沿着生长方向G分级地下降。
优选p型掺杂的GaN层以及接触层连接到电子阻挡层29上，所述接触层能够由高度掺杂的GaN形成。
在图1中示出层的优选彼此紧随。优选地，全部示出的层，除调节层22和/或电子阻挡层29之外，可选地具有恒定的材料组分。全部沿着生长方向3设置在多量子阱结构3上游的层优选是n型掺杂的并且全部设置在下游的层优选是p型掺杂的。多量子阱结构3能够是掺杂的或也能够是未掺杂的。
在此处描述的半导体层序列中，由于尤其前势垒层21和可选的后势垒层27，尤其在与前量子阱23和/或后量子阱26的组合中，主势垒层31能够更薄地构成，由此对于所产生的辐射可实现在多量子阱结构3的区域中的更高的透明度。此外，在电流密度更高的情况下显示出显著的优点，因为载流子能够更好地分布在主量子阱32上。尽管如此，仍通过前势垒层21和后势垒层27将载流子保持在多量子阱结构3中并且防止漏电流。因为载流子本身在环境温度更高的情况下不会显著地经由前势垒层21和/或后势垒层27从多量子阱结构中逸出，所以出现改进的温度稳定性。由此得到高效率的结构，所述结构能够通过主势垒层31和前势垒层21以及后势垒层27的铝含量和厚度匹配于主量子阱32的分别所期望的发射波长。
在图2中说明光电子半导体芯片1的一个实施例，所述半导体芯片具有这种半导体层序列2。半导体层序列2处于衬底6处，所述衬底能够为生长衬底。例如，衬底6是具有结构化的生长表面的蓝宝石衬底。半导体层序列2经由电接触部5是可电接触的。优选地，半导体层序列2以不变的组分在整个衬底6上延伸。
在图3中说明与商Q相关的任意单位的亮度L。商Q以百分比说明并且对应于主势垒层31的厚度除以前势垒层21的厚度。在此，根据图3，前势垒层21的厚度确定为3nm，主势垒层31的厚度是可变的。
在此，分别在芯片面积为1mm2时，在图3A中示出在1A的电流下的变化曲线，在图3B中用虚线示出在0.35A的电流下的变化曲线并且在图3B中以实线示出针对1.5A的电流的变化曲线。
从图3A和3B中可见：对于商Q的从50%至60%的值实现最佳值。这就是说，前势垒层21并且优选还有后势垒层27大致是主势垒层31的双倍厚。特别地，主势垒层31的厚度处于前势垒层21的厚度的40%和65%之间或45%和60%之间，其中包括边界值。
此外，从图3A和3B中可见：商Q对于更高的电流显示出朝向更厚的主势垒层31的更显著的下降。这就是说，借助在此描述的前势垒层21和主势垒层31尤其在电流密度更高的情况下可实现改进的效率。
在这里描述的发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身未详细地在实施例中说明时也如此。
本申请要求德国专利申请10 2016 117 477.7的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
附图标记列表
1 光电子半导体芯片
2 半导体层序列
20 n型侧
21 前势垒层
22 调节层
23 前量子阱
26 后量子阱
27 后势垒层
28 间隔层
29 电子阻挡层
3 多量子阱结构
31 主势垒层
32 主量子阱
40 p型侧
5 电接触部
6 衬底
G 半导体层序列的生长方向
L 任意单位（a.u.）的亮度
Q 主势垒层的厚度和前或后势垒层的厚度的商

Claims (14)

1.一种基于用于光电子半导体芯片（1）的AlInGaN的半导体层序列（2），所述半导体层序列从n型侧（20）起按所列出的顺序具有如下层：
- 由AlGaN构成的前势垒层（21），
- 由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱（23），
- 多量子阱结构（3），所述多量子阱结构具有多个交替的主量子阱（32）和主势垒层（31），所述主量子阱由InGaN构成，具有第二带隙，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中所述第二带隙小于所述第一带隙，并且所述主量子阱（32）设计用于产生如下辐射，所述辐射的最大强度的波长在365nm和490nm之间，其中包括边界值，
- 具有第三带隙的后量子阱（26），所述第三带隙大于所述第二带隙，
- 由AlGaN或AlInGaN构成的后势垒层（27），和
- 由AlGaN构成的电子阻挡层（29），
其中所述前势垒层（21）的铝含量和厚度的乘积并且所述后势垒层（27）的铝含量和厚度的乘积是所述主势垒层（31）的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。
2.根据上一项权利要求所述的半导体层序列（2），
其中所述最大强度的波长位于365nm和395nm之间，其中包括边界值，其中所述前势垒层（21）的铝含量和厚度的乘积是所述主势垒层（31）的铝含量和厚度的乘积的至少1.5倍和至多5倍，
其中所述前量子阱（23）不设计用于产生辐射，并且
其中所述前量子阱（23）的铟含量或厚度小于所述主量子阱（32）的铟含量或厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体层序列（2），
其中所述电子阻挡层（29）的铝含量为至少20%并且所述电子阻挡层（29）的厚度为至少8nm和至多15nm。
4.根据权利要求3所述的半导体层序列（2），
其中所述电子阻挡层（29）是多级的并且所述电子阻挡层（29）的铝含量沿远离所述n型侧（20）的方向严格单调下降。
5.根据权利要求1所述的半导体层序列（2），
其中所述电子阻挡层（29）沿远离所述n型侧（20）的方向跟随所述后势垒层（27），并且由GaN或AlGaN或AlInGaN构成的间隔层（28）直接处于所述后势垒层（27）和所述电子阻挡层（29）之间，所述间隔层具有在5nm和15nm之间的厚度和至多5%的铝含量，其中厚度包括边界值，
其中所述电子阻挡层（29）对于电子而言是比所述后势垒层（27）厚和/或高至少1.5倍的势垒。
6.根据权利要求2所述的半导体层序列（2），其中所述铝含量在所述前势垒层（21）、所述主势垒层（31）和所述后势垒层（27）之内以及所述铟含量在所述前量子阱（23）、所述主量子阱（32）和所述后量子阱（26）中分别是恒定的。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体层序列（2），
其中直接在所述前量子阱（23）的两侧并且直接在所述主量子阱（32）的两侧分别存在调节层（22），
其中所述调节层（22）的厚度分别在1nm和2nm之间，其中包括边界值，并且
其中通过所述调节层（22）分别将所述主势垒层（31）和邻接的所述前量子阱（23）或主量子阱（32）之间的带隙跃迁划分成两个较小的跃迁。
8.根据上一项权利要求所述的半导体层序列（2），
其中所述调节层（22）具有铟梯度和/或铝梯度，所述铟梯度具有朝向邻接的所述前量子阱（23）或主量子阱（32）提高的铟含量，所述铝梯度具有远离邻接的所述前量子阱（23）或主量子阱（32）提高的铝含量。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体层序列（2），
其中所述主势垒层（31）具有在0.9nm和2.3nm之间的厚度和在10%和20%之间的铝含量，其中包括边界值，
其中刚好一个所述前势垒层（21）具有在2.5nm和4nm之间的厚度和在20%和40%之间的铝含量，其中包括边界值。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体层序列（2），
其中刚好一个所述前量子阱（23）具有在2.2nm和3.4nm之间的厚度和在0.5%和6%之间的铟含量，其中包括边界值，
其中至少四个和至多30个所述主量子阱（32）分别具有在2.2nm和3.4nm之间的厚度和在1%和7%之间的铟含量，其中包括边界值。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体层序列（2），
其中所述主量子阱（32）的所述第二带隙在所述前量子阱（23）的所述第一带隙的80%和95%之间，其中包括边界值。
12.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体层序列（2），
其中在所述多量子阱结构（3）中以相同的方式构成主势垒层（31）与主量子阱（32）的所有对。
13.一种光电子半导体芯片（1），其具有
- 根据权利要求1所述的半导体层序列（2），和
- 衬底（6），所述衬底是所述半导体层序列（2）的生长衬底。
14.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（1），
其中所述衬底（6）是具有结构化的生长表面的蓝宝石衬底，和
其中所述半导体层序列（2）以不变的组分在整个所述衬底（6）上延伸。
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