CN109661703B - 电子打击乐器及其发音控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够实现与原声铙钹上的闷音演奏法近似的操作的电子打击乐器及其发音控制方法。电子铙钹(1)在打击传感器(3)检测到对打击面(2)的打击时，根据所述检测结果，对乐音进行发音控制(S8)。当在所述乐音的发音中，用户触碰到打击面(2)时，从静电电容传感器(5)输出与所述触碰状况相应的输出值，并对应于所述输出值，进行发音中的乐音的衰减控制(S4)。因此，能够对应于用户对打击面(2)的触碰状况，进行发音中的乐音的衰减控制，因此能够通过用户触碰打击面(2)这样的与原声铙钹上的闷音演奏法近似的操作来实现乐音的消音处理。

Description

电子打击乐器及其发音控制方法

技术领域

本发明涉及一种电子打击乐器。本发明尤其涉及一种能够实现与原声打击乐器上的闷音(choke)演奏法近似的操作的电子打击乐器及其发音控制方法。

背景技术

作为一种电子打击乐器，有电子铙钹。在专利文献1的电子铙钹中，在构成打击面的铙钹垫(cymbal pad)的周缘部(边缘部分)，配设有带状的压力传感器(边缘传感器(edgesensor))。当用户抓住铙钹垫的边缘部分而使边缘传感器导通时，进行发音中的乐音的闷音控制(消音控制)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2002-207481号公报

专利文献2：日本专利特开平09-311679号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在所述电子铙钹中，即使用户抓住铙钹垫，所抓住的位置会进入至铙钹垫的内周，如果在所述部分没有配设边缘传感器，边缘传感器也不会导通。因此，无法进行闷音控制。并且，即使抓住配设有边缘传感器的边缘部分，如果没有某种程度强力地抓住，边缘传感器就也不会导通。因此，被迫进行与在原声铙钹(acoustic cymbal)等之上的闷音演奏法不同的操作。进而，无法实现触碰打击面而消音这样的原声铙钹等之上的演奏法。

另外，在专利文献2的电子打击乐器装置中，公开了如下的技术：检测对导电性打击体的触摸(touch)，对发音中的乐音信号进行消音控制。但是，在所述电子打击乐器装置中，即使能够检测到触摸的有无，也难以检测到触摸的状况(程度)。

本发明是为了解决所述问题而完成的，目的在于提供一种能够实现与原声打击乐器上的闷音演奏法近似的操作的电子打击乐器。

解决问题的技术手段

为了达成所述目的，本发明的电子打击乐器包括打击面、检测对所述打击面的打击的打击传感器、及对应于所述打击传感器的检测结果对乐音进行发音控制的发音控制部件，还包括：静电电容传感器，将电极配设于所述打击面的相反侧；以及衰减控制部件，对应于所述静电电容传感器的输出值，利用所述发音控制部件进行发音中的乐音的衰减控制。

本发明的电子打击乐器的发音控制方法，检测对电子打击乐器的打击面的打击，并对应于所述打击的检测结果来对乐音进行发音控制。其中通过于所述打击面的相反侧形成电极来构成静电电容传感器；当使用者碰触到所述打击面时，所述静电电容传感器的输出值对应于触碰状况而变化，且对应于所述静电电容传感器的输出值来进行发音中的乐音的衰减控制。

发明的效果

根据技术方案1的电子打击乐器，静电电容传感器的电极是配设于打击面的相反侧，所以即使在用户触碰到打击面的情况下，打击面也介于电极与用户之间。因此，并非用户与静电电容传感器的电极直接触碰的结构，所以如果存在用户对打击面的触碰，那么对应于所述触碰状况(触碰面积)，静电电容传感器的输出值会发生变化。

在这里，如果打击传感器检测到对打击面的打击，那么根据所述检测结果，通过发音控制部件对所述乐音进行发音控制。当在所述乐音的发音中，例如用户触碰到打击面时，从静电电容传感器输出与所述触碰状况相应的输出值，并对应于所述输出值，利用衰减控制部件进行发音中的乐音的衰减控制。因此，可以对应于用户对打击面的触碰状况，进行发音中的乐音的衰减控制。因此，具有如下的效果：能够通过用户触碰打击面这样的与原声打击乐器上的闷音演奏法近似的操作而实现乐音的消音处理。

另外，如上所述，采用如下的方式：打击面介于静电电容传感器的电极与用户之间，通过静电电容传感器的输出值的变化来检测用户的手等的接近。因此，即使在用户触碰到未配设静电电容传感器的电极的打击面的情况下，也具有如下的效果：可以通过配设于用户所触碰的位置附近的电极，而检测出所述触碰，进行发音中的乐音的衰减控制。

此外，静电电容传感器的电极是配设于打击面的相反侧，因此不会因为电极而破坏打击面的外观。而且，能够避免电极被直接打击，所以具有能够抑制电极的耐久性下降的效果。

根据技术方案2的电子打击乐器，除了技术方案1所获得的效果以外，还获得如下的效果。例如，当快速进行闷音演奏法而使手猛地触碰到打击面时，打击面上会产生微弱的振动。当打击传感器检测到所述振动时，尽管未受打击，也会发出乐音。

根据技术方案2，在通过静电电容传感器的输出值，检测到手靠近打击面的情况下，通过阈值变更部件，而将打击传感器的打击检测的阈值变更为高于通常时的阈值的值。因此，即使由快速的闷音演奏法而使打击面产生有振动，在所述情况下，打击传感器的打击检测的阈值也会变更为高于通常时的阈值的值，因此具有能够抑制将所述闷音操作错误检测为打击的效果。

根据技术方案3的电子打击乐器，除了技术方案1或技术方案2所获得的效果以外，还获得如下的效果。例如，当在打击面的相反侧遍及大范围而整面状地形成静电电容传感器的电极时，在利用手掌使打击面产生闷音的情况、及轻轻抓住打击面而产生闷音的情况下，静电电容传感器的输出值大不相同。因此，难以进行“手已触碰”这样的识别的调整。即，当配合轻轻抓住的闷音而进行了调整时，如果使手掌靠近打击面，那么手虽然未触碰到打击面，也会错误识别为“手已触碰”。相反地，当配合利用手掌触碰到打击面的闷音而进行了调整时，即使进行轻轻抓住的闷音，也无法识别出所述闷音。

与此相对，根据技术方案3，静电电容传感器的一个电极是形成为多条线状，所以能够减小在利用手掌使打击面产生闷音的情况下、与轻轻地抓住打击面而产生闷音的情况下静电电容传感器的输出值的差。因此，具有如下的效果：能够在两者的闷音操作中识别为“手已触碰”，即，能够识别两者的闷音操作，而进行发音中的乐音的衰减控制。

根据技术方案4的电子打击乐器，除了技术方案3所获得的效果以外，还获得如下的效果。即，形成为多条线状的一个电极是配设于打击面的内周侧及外周侧，所述内周侧的电极与所述外周侧的电极形成为不同的面积。因此，在用户触碰到打击面的外周侧(端侧)的情况、与触碰到打击面的内周侧的情况下，静电电容传感器的输出值不同，所以能够对这些情况进行区分而加以识别。因此，具有能够进行与所触碰的部分相应的发音中的乐音的衰减控制的效果。

根据技术方案5的电子打击乐器，除了技术方案1或技术方案2所获得的效果以外，还获得如下的效果。即，静电电容传感器设置有多个，所述设置有多个的一个静电电容传感器的电极是配设于打击面的内周侧，设置有多个的其它静电电容传感器的电极是配设于打击面的外周侧。因此，能够通过多个静电电容传感器的输出值，对用户触碰到打击面的外周侧(端侧)的情况与触碰到打击面的内周侧的情况进行区分而加以识别。因此，具有能够进行与所触碰的部分相应的发音中的乐音的衰减控制的效果。

根据技术方案6的电子打击乐器，除了技术方案1或技术方案2所获得的效果以外，还获得如下的效果。技术方案6的静电电容传感器的一个电极是形成为网眼状或有孔状，所以能够消除在打击面的相反侧遍及大范围而整面状地形成有静电电容传感器的电极时的问题点。即，能够在利用手掌使打击面产生闷音的情况、及轻轻抓住打击面而产生闷音的情况下，减小静电电容传感器的输出值的差。因此，具有如下的效果：能够在两者的闷音操作中识别为“手已触碰”，即能够识别出两者的闷音操作，而进行发音中的乐音的衰减控制。

根据技术方案7的电子打击乐器，除了技术方案6所获得的效果以外，还获得如下的效果。即，形成为网眼状或有孔状的一个电极是以其电极面积在打击面的内周侧及外周侧不同的方式而形成。因此，在用户触碰到打击面的外周侧(端侧)的情况、与触碰到打击面的内周侧的情况下，静电电容传感器的输出值不同，所以能够对这些情况进行区分而加以识别。因此，具有能够进行与所触碰的部分相应的发音中的乐音的衰减控制的效果。

根据技术方案8的电子打击乐器，除了技术方案1或技术方案2所获得的效果以外，由于静电电容传感器的电极形成为一条线状，所以还具有能够简单地制造电极的效果。

附图说明

图1是作为本发明的一个实施方式的电子铙钹的立体图。

图2(a)是示意性地表示静电电容传感器的电性结构的图。图2(b)是表示电子铙钹的电性结构的框图。

图3(a)是定期处理的流程图。图3(b)是打击探测处理的流程图。

图4是静电电容传感器处理的流程图。

图5(a)是边缘传感器处理的流程图。图5(b)是闷音处理的流程图。

图6是表示第二实施方式的静电电容传感器的图。

图7是表示第二实施方式的电子铙钹的电性结构的框图。

图8是第二实施方式的定期处理的流程图。

图9(a)是第二实施方式的第二静电电容传感器处理的流程图。图9(b)是第二实施方式的第二闷音处理的流程图。

图10是表示变形例中的静电电容传感器的电极的形状的图。

图11(a)～图11(j)是表示变形例中的静电电容传感器的电极的形状的图。

图12(a)～图12(c)是表示变形例中的静电电容传感器的电极的形状的图。

图13(a)是变形例的电子鼓垫的前视图。图13(b)是在图13(a)的XIIIb部分的电子鼓垫的截面图。图13(c)是在图13(b)的XIIIc部分的电子鼓垫的示意图。

[符号的说明]

1：电子铙钹(电子打击乐器)

2：打击面

3：打击传感器

5：静电电容传感器

S8：发音控制部件

S4：衰减控制部件

S6、S7：阈值变更部件

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。参照图1～图5(a)及图5(b)，对本发明的第一个实施方式进行说明。首先，参照图1，说明作为本发明的电子打击乐器的电子铙钹1的概略结构。图1是作为本发明的一个实施方式的电子铙钹1的立体图。

电子铙钹1包括打击面2、打击传感器3、边缘传感器4及静电电容传感器5。打击面2包含受到用户的棒槌(stick)的打击的橡胶(rubber)制的圆盘状构件，覆盖配设于打击面2的相反侧的圆盘状的板(未图示)而形成。

打击传感器3是用于探测打击面2的打击的压电传感器，配设于圆盘状的板上的两处，所述圆盘状的板是配设于打击面2的相反侧。打击传感器3在用户敲打了打击面2时，检测其振动，将其振动的强度发送至电子铙钹1的中央处理器(central processing unit，CPU)10(参照图2(b))。CPU10根据振动的强度，算出速率(velocity)，并基于所述速率生成乐音。

边缘传感器4是检测用户已抓住打击面2的外周部的压力传感器，沿配设于打击面2的相反侧的圆盘状的板的外周而配设。边缘传感器4分别在“导通(ON)”状态的情况下将“1”发送至CPU10，在“断开(OFF)”状态的情况下将“0”发送至CPU10。CPU10是以边缘传感器4处于“导通(ON)”状态为条件，进行发音中的乐音的衰减控制。因此，可以通过边缘传感器4检测用户抓住打击面2的外周部，来模拟使演奏中的乐音衰减的闷音演奏法。

静电电容传感器5是检测用户的手等人体触碰到打击面2上的传感器，在打击面2与配设于打击面2的相反侧的圆盘状的板之间配设电极5a。静电电容传感器5将人体触碰所引起的虚拟的静电电容的增减(变化)发送至CPU10。当通过所述静电电容传感器5的输出值，被CPU10检测出人体接近时，进行发音中的乐音的衰减控制。因此，通过静电电容传感器5，可以通过用户触碰打击面2，来模拟使演奏中的乐音衰减的闷音演奏法。打击面2及配设于打击面2的相反侧的圆盘状的板包含绝缘体或与基准电位点或静电电容传感器5不连接的导体，以减少对静电电容传感器5的影响。

参照图2(a)，对静电电容传感器5进行说明。图2(a)是示意性地表示静电电容传感器5的电性结构的图。如图2(a)所示，静电电容传感器5的电极5a经由电阻5c而连接于控制部5b。电极5a形成为两条线状，在外周侧配设有粗的(面积大的)电极5a1，在内周侧配设有细的(面积小的)电极5a2。两条电极5a1、电极5a2相互连接而形成为一条电极5a。

电极5a与聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)材料层叠。由此，即使用户的打击通过打击面2而传递至电极5a，也可以防止电极5a的破损。并且，电极5a是在设置有“游隙”的状态下粘接于打击面2的相反侧的圆盘状的板。即，并非将电极5a的整个面与板粘接，而是将电极5a部分地与板粘接。由此，即使在因为温度的变化而使电极5a或打击面2的相反侧的板产生有伸缩的情况下，也可以防止电极5a因为“游隙”而破裂等的破损。

控制部5b是搭载各种开关或CPU等的控制电路。电阻5c是用于静电保护的元件。取样用电容器(condenser)5d是用于测量使充入至后述寄生电容电容器5e的电荷重复移动，直至取样用电容器5d的电压达到规定值以上为止的重复次数的电容器。

寄生电容电容器5e是形成于电极5a与人体等被检测导体之间的虚拟的电容器。人体具有大的静电电容，因此人体越接近电极5a，寄生电容电容器5e的静电电容越增加。因此，人体越接近电极5a，充入至寄生电容电容器5e的电荷的量越多。

静电电容传感器5重复进行如下的处理：通过控制部5b内部的开关动作向电极5a输送电荷而使寄生电容电容器5e充电，并使所充入的电荷移动至取样用电容器5d。静电电容传感器5基于取样用电容器5d的电压达到规定值以上为止的重复次数，检测寄生电容电容器5e的静电电容的变化，判断人体向电极5a的接近。

再者，寄生电容电容器5e的静电电容越大(电极5a与人体的距离越短)，在一次循环(cycle)中从寄生电容电容器5e向取样用电容器5d移动的电荷量越多，因此重复次数越少。静电电容传感器5的输出值是输出与所述重复次数相应的值，因此可以判断为静电电容传感器5的输出值越小，人体越接近电极5a。在本实施方式中，静电电容传感器5对应于重复次数而输出650～850的值。并且，电阻5c的电阻值或取样用电容器5d的静电电容也可以设为对应于所需的性能而适当设定的结构。以上，关于静电电容传感器5，已对一般的自我电容式进行了描述，但是也可以使用其它方式的静电电容传感器。

其次，参照图2(b)，对电子铙钹1的电性结构进行说明。图2(b)是表示电子铙钹1的电性结构的框图。电子铙钹1包括CPU10、只读存储器(Read Only Memory，ROM)11、随机存取存储器(random access memory，RAM)12、打击传感器3、边缘传感器4、静电电容传感器5及声源13，分别经由总线(bus line)16而连接。在声源13上连接着放大器14，在放大器14上连接着扬声器(speaker)15。

CPU10是对通过总线16而连接着的各部进行控制的运算装置。ROM11是无法改写的存储器。在ROM11中，存储着使CPU10执行的控制程序11a、执行所述控制程序11a时被CPU10参照的固定值数据(未图示)等。当通过CPU10而执行控制程序11a时，执行图3(a)及图3(b)的定期处理及打击探测处理。

RAM12是CPU10执行控制程序11a等程序时可改写地存储各种工作数据或旗标(flag)等的存储器。在RAM12中，分别设置有速率存储器12a、速率阈值变更旗标12b、速率阈值变更中计数器12c、打击位置存储器12d、边缘传感器输出值存储器12e、边缘传感器值存储器12f、边缘传感器检测待机计数器12g、静电电容传感器输出值存储器12h、静电电容传感器值存储器12i及闷音设定值存储器12j。

速率存储器12a是用于存储根据打击传感器3的输出值而算出的乐音的速率的存储器。在电子铙钹1通电时，以表示未存储速率的“0”而初始化。在图3(b)的打击探测处理中，基于来自打击传感器3的输出值而算出速率，并存储于速率存储器12a(图3(b)，S5)。接着，生成与所述速率存储器12a相应的乐音(图3(b)，S8)。速率存储器12a对应于打击传感器3所检测到的打击的强度，采用0(弱)～127(强)的范围内的值。

速率阈值变更旗标12b是以人体已接近打击面2为条件，判别是否变更打击传感器3的打击检测的阈值的旗标。在电子铙钹1通电时，或者在图3(a)的定期处理的一开始(图3(a)，S1)，以表示不变更打击检测的阈值的“断开(OFF)”而初始化。在图4的静电电容传感器处理中，在静电电容传感器5的输出值(即，后述的静电电容传感器输出值存储器12h的值)小于后述的速率变更阈值的情况，并且在后述的速率阈值变更中计数器12c的值短于后述的阈值变更时间的情况下，速率阈值变更旗标12b设定为导通(ON)。

当触碰打击面2所引起的闷音演奏法在短时间内进行时(快速进行时)，存在将用户的手触碰到打击面2错误检测为打击的情况。因此，为了防止所述错误检测，在图4的静电电容传感器处理中，在静电电容传感器输出值存储器12h的值小于速率变更阈值的情况下，在阈值变更时间的期间内，将速率阈值变更旗标12b设为导通(ON)。在图3(b)的打击探测处理中，在速率阈值变更旗标12b为导通(ON)的情况下，在速率存储器12a的值大于后述的打击阈值时进行乐音的发音，在速率存储器12a的值为打击阈值以下时不进行乐音的发音。并且，在速率阈值变更旗标12b为断开(OFF)的情况下，即使速率存储器12a的值为打击阈值以下，也进行乐音的发音。即，在速率阈值变更旗标12b为导通(ON)的情况下，用于发出乐音的速率存储器12a的值的阈值增大。由此，通过闷音演奏法的对打击面2的撞击，可以防止误发出乐音。

速率阈值变更中计数器12c是对速率阈值变更旗标12b为导通(ON)的持续时间进行计数的计数器。在电子铙钹1通电时，或者在图4的静电电容传感器处理中，当静电电容传感器输出值存储器12h的值为速率变更阈值以上时，设定“0”(图4，S25)。当静电电容传感器输出值存储器12h的值小于速率变更阈值时，在速率阈值变更中计数器12c中加上1(图4，S23)。即，当速率阈值变更旗标12b从断开(OFF)变为导通(ON)时，在速率阈值变更中计数器12c的值上定期地加上1。在速率阈值变更中计数器12c的值变为后述的阈值变更时间以上的时点，速率阈值变更旗标12b变为断开(OFF)。通过所述速率阈值变更中计数器12c，而在固定时间内(即，阈值变更时间的期间内)，变更用于发出乐音的速率存储器12a的值的阈值。因此，当使握着棒槌的手接近打击面2而进行演奏时，如果超过阈值变更时间，用于发出乐音的速率存储器12a的值的阈值就会复原，所以能够将对演奏的不适感控制在最小限度。

打击位置存储器12d是用于存储根据由打击传感器3的输出值而算出的乐音的打击位置的存储器。在电子铙钹1通电时，以表示未存储打击位置的“0”而初始化。在图3(b)的打击探测处理中，基于来自打击传感器3的输出值而算出打击位置，并存储于打击位置存储器12d(图3(b)，S5)。在本实施方式中，打击位置是从打击面2的中心部算起的距离。并且，生成与所述打击位置存储器12d相应的乐音(图3(b)，S8)。

边缘传感器输出值存储器12e是存储来自边缘传感器4的传感器输出值的存储器。在电子铙钹1通电时，或者在图3(a)的定期处理开始后不久，以表示边缘传感器4未检测出的“0”而初始化。接着，在图5(a)的边缘传感器处理中，存储边缘传感器4的输出值(图5(a)，S30)。在本实施方式中，分别在探测出边缘传感器4的情况下，从边缘传感器4输出“1”，在未探测出边缘传感器4的情况下，从边缘传感器4输出“0”。即，在边缘传感器输出值存储器12e的值为“0”的情况下，表示边缘传感器4未检测出，在边缘传感器输出值存储器12e的值为“1”的情况下，表示边缘传感器4已检测出。

边缘传感器值存储器12f是存储边缘传感器4的导通(ON)/断开(OFF)状态的存储器。在电子铙钹1通电时，以表示边缘传感器4为断开(OFF)的“0”而初始化。在边缘传感器输出值存储器12e为“1”，并且后述的边缘传感器检测待机计数器12g为检测待机时间以上的情况下，在边缘传感器值存储器12f中设定“1”。

利用边缘传感器值存储器12f来判断边缘传感器4的导通(ON)/断开(OFF)状态，是为了防止边缘传感器4的震颤(chattering)等所引起的意外的闷音演奏法。电子铙钹1是通过用户用手指握住(抓住)边缘传感器4而进行闷音演奏法。当用户在演奏中想要抓住边缘传感器4时，有时会在演奏中误碰边缘传感器4。在此类情况下，如果将边缘传感器4的传感器输出值直接作为闷音演奏法的信息，就会造成意外的闷音演奏法。为了防止此现象，只在边缘传感器输出值存储器12e为“1”，并且后述的边缘传感器检测待机计数器12g变为检测待机时间以上的情况下，边缘传感器值存储器12f变为“1”。因此，当边缘传感器4的输出值稳定后，可判断闷音演奏法中所使用的边缘传感器4的导通(ON)/断开(OFF)状态，所以能够防止意外的闷音演奏法。根据运算所述边缘传感器值存储器12f及后述的静电电容传感器值存储器12i的值的结果，进行发音中的乐音的衰减控制(即，闷音处理)。

边缘传感器检测待机计数器12g是对边缘传感器4的传感器输出值为“1”的持续时间进行计数的计数器。在电子铙钹1通电时，或者在图5(a)的边缘传感器处理中，当边缘传感器输出值存储器12e的值为“0”时，设定“0”(图5(a)，S35)。在边缘传感器输出值存储器12e的值为“1”的情况，并且，在边缘传感器检测待机计数器12g的值短于后述的检测待机时间的情况下，在边缘传感器检测待机计数器12g中加上1(图5(a)，S33)。即，边缘传感器输出值存储器12e的值变为“1”之后，利用边缘传感器检测待机计数器12g对直至检测待机时间经过之前的时间进行计数。

静电电容传感器输出值存储器12h是存储来自静电电容传感器5的传感器输出值的存储器。在电子铙钹1通电时，或者在图3(a)的定期处理开始后不久，以表示静电电容传感器5未检测出的“0”而初始化。并且，在图4的静电电容传感器处理的一开始，存储静电电容传感器5的输出值(图4，S20)。

静电电容传感器值存储器12i是存储基于静电电容传感器输出值存储器12h而算出的静电电容传感器5的传感器值的存储器。在电子铙钹1通电时，或者在图4的静电电容传感器处理中，当静电电容传感器输出值存储器12h的值为后述的静电电容传感器检测阈值以上时，设定表示静电电容传感器5未检测出的“0”。在图4的静电电容传感器处理中，在静电电容传感器输出值存储器12h的值小于静电电容传感器检测阈值的情况下，将从静电电容传感器检测阈值减去静电电容传感器输出值存储器12h的值所得的值存储于静电电容传感器值存储器12i(图4，S27)。即，将静电电容传感器输出值存储器12h与静电电容传感器检测阈值的差分存储于静电电容传感器值存储器12i。根据运算所述静电电容传感器值存储器12i的值及边缘传感器值存储器12f的值的结果，进行发音中的乐音的衰减控制(即，闷音处理)。

闷音设定值存储器12j是存储针对发音中的乐音的闷音处理中的衰减的设定值的存储器。在电子铙钹1通电时，或者在图5(b)的闷音处理开始后不久，设定表示不进行衰减控制的“0”。并且，在图5(b)的闷音处理中，将衰减的设定值存储于闷音设定值存储器12j，所述衰减的设定值是通过对边缘传感器检测待机计数器12g的值与静电电容传感器值存储器12i的值进行加权运算而求出(图5(b)，S40)。电子铙钹1通过对发音中的任意乐音进行与所述闷音设定值存储器12j的值相应的衰减控制，而模拟闷音演奏法。

声源13是按照来自CPU10的指示对所产生的乐音的音色或各种效果等进行控制的装置。放大器14是将声源13所产生的乐音信号加以放大的装置，将经放大的乐音信号输出至扬声器15。扬声器15将通过放大器14而放大的乐音信号作为乐音而放出(输出)。

其次，参照图3(a)及图3(b)～图5(a)及图5(b)，说明电子铙钹1的CPU10中所执行的控制程序。图3(a)是定期处理的流程图。获取边缘传感器4及静电电容传感器5的状态，根据各传感器的状态，进行针对发音中的任意乐音的闷音处理。通过静电电容传感器5的检测状态，并且通过闷音演奏法等，来判断用户是否与打击面2发生触碰。定期处理是通过每100毫秒的间隔中断处理，而每隔100毫秒重复执行。

首先，将速率阈值变更旗标12b设定为断开(OFF)(S1)。在后述的静电电容传感器处理(S2)中，对应于静电电容传感器5的输出值，将速率阈值变更旗标12b设定为导通(ON)，因此在重复执行的定期处理的一开始将速率阈值变更旗标12b设定为断开(OFF)。在S1的处理之后，执行静电电容传感器处理(S2)。参照图4，说明静电电容传感器处理。

图4是静电电容传感器处理的流程图。静电电容传感器处理是获取静电电容传感器5的输出值，并对应于静电电容传感器5的输出值，判断是否变更打击传感器3的打击检测的阈值。并且，根据静电电容传感器5的输出值，算出用于图5(b)的闷音处理的静电电容传感器5的传感器值，并存储于静电电容传感器值存储器12i。

首先，静电电容传感器处理是将静电电容传感器5的输出值保存至静电电容传感器输出值存储器12h(S20)。在S20的处理之后，确认静电电容传感器输出值存储器12h的值是否小于速率变更阈值(例如820)(S21)。速率变更阈值是对应于人体轻触打击面2时的来自静电电容传感器5的输出值而设定。速率变更阈值对应于静电电容传感器5的检测能力(灵敏度)或打击面2的原材料，既可以设定为820以上，也可以设定为820以下。

当静电电容传感器输出值存储器12h的值小于速率变更阈值时(S21：是(Yes))，确认速率阈值变更中计数器12c是否小于阈值变更时间(例如5000。即，0.5秒)(S22)。当速率阈值变更中计数器12c短于阈值变更时间时(S22：是(Yes))，在速率阈值变更中计数器12c中加上1(S23)，在速率阈值变更旗标12b上设定导通(ON)(S24)。另一方面，当速率阈值变更中计数器12c为阈值变更时间以上时(S22：否(No))，跳过S22～S24的处理。

当静电电容传感器输出值存储器12h的值小于速率变更阈值时，在阈值变更时间的期间内，在速率阈值变更旗标12b上变为导通(ON)。另一方面，当速率阈值变更中计数器12c为阈值变更时间以上时，在速率阈值变更旗标12b上设定断开(OFF)。阈值变更时间的值为5000，静电电容传感器处理是每隔100毫秒而执行，所以速率阈值变更旗标12b为导通(ON)的时间为最大0.5秒。在后述的打击探测处理中，如果速率阈值变更旗标12b为导通(ON)，那么增大用于发出乐音的速率存储器12a的值的阈值。由此，可以防止通过闷音演奏法对打击面2进行撞击而发出乐音。并且，用于发出乐音的速率存储器12a的值的阈值在0.5秒后复原，所以能够将对其后的演奏动作的不适感控制在最小限度。再者，只要是不会带来对演奏动作的不适感的程度，阈值变更时间的值既可以设定为5000以上，也可以设定为5000以下。

当静电电容传感器输出值存储器12h的值为速率变更阈值以上时(S21：否(No))，将0保存于速率阈值变更中计数器12c，并跳过S22～S24的处理。即，静电电容传感器输出值存储器12h的值为速率变更阈值以上，所以说明人体是远离静电电容传感器5。因此，将0保存于速率阈值变更中计数器12c，以准备用于下一次人体接近静电电容传感器5的情况。

在S24、S25的处理之后，确认静电电容传感器输出值存储器12h的值是否小于静电电容传感器检测阈值(例如790)(S26)。当静电电容传感器输出值存储器12h的值小于静电电容传感器检测阈值时(S26：是(Yes))，将从静电电容传感器检测阈值减去静电电容传感器输出值存储器12h的值所得的值保存于静电电容传感器值存储器12i(S27)。即，将静电电容传感器检测阈值与静电电容传感器输出值存储器12h的值的差分保存于静电电容传感器值存储器12i。基于所述静电电容传感器值存储器12i，通过图5(b)的闷音处理，进行发音中的乐音的衰减控制。

另一方面，当静电电容传感器输出值存储器12h的值为静电电容传感器检测阈值以上时(S26：否(No))，将0保存于静电电容传感器值存储器12i(S28)。在S27、S28的处理之后，结束静电电容传感器处理，返回至图3(a)的定期处理。

返回至图3(a)。执行静电电容传感器处理(S2)之后，执行边缘传感器处理(S3)。参照图5(a)，说明边缘传感器处理的详细情况。图5(a)是边缘传感器处理的流程图。边缘传感器处理根据边缘传感器4的输出值，算出用于图5(b)的闷音处理的边缘传感器4的传感器值，并保存于边缘传感器值存储器12f。首先，获取边缘传感器4的输出值，并保存于边缘传感器输出值存储器12e(S30)。在边缘传感器4为“导通(ON)”状态的情况下，将“1”保存于边缘传感器输出值存储器12e，在“断开(OFF)”状态的情况下，将“0”保存于边缘传感器输出值存储器12e。

在S30的处理之后，确认边缘传感器输出值存储器12e的值是否为“1”(S31)。当边缘传感器输出值存储器12e的值为“1”时(S31：是(Yes))，即，当边缘传感器4为“导通(ON)”状态时，确认边缘传感器检测待机计数器12g是否为检测待机时间(例如500。即，0.05秒)以上(S32)。当边缘传感器检测待机计数器12g为检测待机时间以上时(S32：是(Yes))，在边缘传感器值存储器12f中设定1(S34)。另一方面，当边缘传感器检测待机计数器12g短于检测待机时间时(S32：否(No))，在边缘传感器检测待机计数器12g中加上1(S33)，在边缘传感器值存储器12f中设定0(S36)。

检测待机时间的值为500，边缘传感器处理是每隔100毫秒而执行，因此当边缘传感器4为“导通(ON)”状态持续了0.05秒以上时，在边缘传感器值存储器12f中设定1。这是为了防止因边缘传感器4的震颤等而引起的意外的闷音演奏法。当边缘传感器4为“导通(ON)”状态持续了0.05秒时，可以判断为“导通(ON)”状态稳定，所以在所述时点在边缘传感器值存储器12f中设定1。由此，在边缘传感器4的输出值稳定后，可判断闷音演奏法中所使用的边缘传感器4的导通(ON)/断开(OFF)状态(即，变更边缘传感器值存储器12f的值)，因此能够防止意外的闷音演奏法。

在S31的处理中，边缘传感器输出值存储器12e的值不为“1”时(S31：否(No))，在边缘传感器检测待机计数器12g中设定0(S35)，在边缘传感器值存储器12f中设定0(S36)。即，边缘传感器4为断开(OFF)状态，所以在边缘传感器检测待机计数器12g中设定0，以准备用于下一次边缘传感器4变为导通(ON)状态的情况。在S34、S36的处理之后，结束边缘传感器处理，而返回至图3(a)的定期处理。

返回至图3(a)。执行边缘传感器处理(S3)之后，执行闷音处理(S4)。闷音处理是对应于边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值，进行针对发音中的乐音的衰减处理。

首先，根据边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值，算出闷音设定值，并保存于闷音设定值存储器12j(S40)。具体地说，将利用边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值进行加权运算的结果保存于闷音设定值存储器12j。加权运算为以下的数式1。

[数式1]

Value_CK＝Value_ED*Coef_ED+Value_CS*Coef_CS……(数式1)

在这里，Value_CK是闷音设定值。Value_ED是边缘传感器值存储器12f的值。Value_CS是静电电容传感器值存储器12i的值。Coef_ED及Coef_CS分别是针对边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值的加权成分。Coef_ED是“64”，Coef_CS是“0.9”。通过数式1的加权运算，而算出与边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值相应的闷音设定值，将所述闷音设定值用于针对发音中的乐音的衰减处理。

在S40的处理之后，对发音中的任意乐音进行与闷音设定值存储器12j的值相应的衰减控制(S41)。在S41的处理之后，结束闷音处理，而返回至图3(a)的定期处理。定期处理是在执行闷音处理(S4)之后结束。

其次，参照图3(b)，对打击探测处理进行说明。图3(b)是打击探测处理的流程图。打击探测处理是在打击传感器3检测到已打击打击面2的情况下，根据所述打击传感器3的输出值算出打击位置及速率，发出与打击位置及速率相应的乐音。并且，对应于速率阈值变更旗标12b的导通(ON)/断开(OFF)状态，变更发出乐音的速率的大小，即，变更打击检测的阈值。打击探测处理是通过以打击传感器3探测到打击为契机而进行的中断处理来执行。

首先，根据打击传感器3的输出值，算出速率及打击位置，并保存于速率存储器12a及打击位置存储器12d(S5)。具体地说，对打击传感器3的输出值的波形进行分析，推断出其打击强度(速率)及打击位置(从打击面2的中心算起的距离)，并分别保存于速率存储器12a及打击位置存储器12d。

在S5的处理之后，确认速率阈值变更旗标12b是否为导通(ON)(S6)。当速率阈值变更旗标12b为导通(ON)时(S6：是(Yes))，确认速率存储器12a的值是否大于打击阈值(例如10)(S7)。当速率存储器12a的值大于打击阈值时(S7：是(Yes))，发出与速率存储器12a的值及打击位置存储器12d的值相应的乐音(S8)。另一方面，当速率存储器12a的值为打击阈值以下时(S7：否(No))，跳过S8的处理。即，人体接近静电电容传感器5，在阈值变更时间的期间内(在0.5秒内)，如果速率存储器12a的值大于打击阈值，就发出乐音，如果速率存储器12a的值为打击阈值以下，就不发出乐音。

在S6的处理中，在速率阈值变更旗标12b不为导通(ON)的情况下(S6：否(No))，跳过S7的处理，发出与速率存储器12a的值及打击位置存储器12d的值相应的乐音(S8)。在S7、S8的处理之后，打击探测处理结束。

根据第一个实施方式的电子铙钹1，当打击传感器3检测出对打击面2的打击时，根据所述检测结果，对乐音进行发音控制。在所述乐音的发音中，如果例如用户触碰到打击面2，就从静电电容传感器5输出与所述触碰状况相应的输出值，并对应于所述输出值，进行发音中的乐音的衰减控制。因此，对应于用户对打击面2的触碰状况，可以进行发音中的乐音的衰减控制。因此，可以通过用户触碰至打击面2这样的与原声铙钹上的闷音演奏法近似的操作来实现乐音的消音处理。

另外，采用如下的方式：打击面2介于静电电容传感器5的电极5a与用户之间，通过静电电容传感器5的输出值的变化来检测用户的手等的接近。因此，即使在用户触碰至未配设静电电容传感器5的电极5a的打击面2的情况下，也可以通过配设于用户所触碰的位置的附近的电极5a，而检测出触碰，进行发音中的乐音的衰减控制。

当通过静电电容传感器5的输出值，而检测出手靠近打击面2时，将打击传感器3的打击检测的阈值变更为高于通常时的阈值的值(即，打击阈值)。因此，即使利用快速的闷音演奏法在打击面2上产生了撞击，在所述情况下，打击传感器3的用于发出乐音的速率的阈值也会变更为高于通常时的阈值的值。因此，能够抑制将所述闷音操作错误检测为打击。

静电电容传感器5的电极5a是配设于打击面2与配设于打击面2的相反侧的圆盘状的板之间。因此，不会因为电极5a而破坏打击面2的外观。而且，可以避免电极5a被直接打击，所以能够抑制电极5a的耐久性下降。

另外，电极5a构成为分别配设于外周侧及内周侧的两条电极5a1、电极5a2，将所述两条电极5a1、电极5a2相互连接而形成为一条电极5a。因此，能够减小在利用手掌使打击面2产生闷音的情况下、与轻轻地抓住打击面2而产生闷音的情况下静电电容传感器5的输出值的差。因此，能够在两者的闷音操作中识别为“手已触碰”，即能够识别两者的闷音操作，而进行发音中的乐音的衰减控制。

此外，外周侧的电极5a1及内周侧的电极5a2形成为不同的面积。因此，在用户触碰到打击面2的外周侧(端侧)的情况下、与触碰到打击面2的内周侧的情况下，静电电容传感器5的输出值不同，所以能够对这些情况进行区分而加以识别。因此，能够进行与所触碰的部分相应的发音中的乐音的衰减控制。

其次，参照图6～图9(a)及图9(b)，对本发明的第二实施方式进行说明。在所述第一个实施方式中，是利用一个静电电容传感器5，检测人体的接近，并对应于静电电容传感器5的输出值进行闷音处理，变更打击传感器3的打击的检测阈值。在第二实施方式中，是利用两个静电电容传感器5、静电电容传感器6，来进行闷音处理及打击传感器3的打击的检测阈值的变更。在第二实施方式中，对与所述第一个实施方式相同的部分，标注相同的符号，并且省略其说明。

图6是表示第二实施方式的静电电容传感器5、静电电容传感器6的图。如图6所示，在打击面2的外周侧，配置静电电容传感器5的电极5a，此外，在打击面2的内周侧配置第二静电电容传感器6的电极6a。电极5a、电极6a是形成为一条线状。此外，静电电容传感器5、第二静电电容传感器6的结构与第一个实施方式的静电电容传感器5相同，所以省略说明。在第二实施方式的电子铙钹1中，利用静电电容传感器5来检测打击面2的外周侧的人体的接近，利用静电电容传感器6来检测打击面2的内周侧的人体的接近。

图7是表示第二实施方式的电子铙钹100的电性结构的框图。电子铙钹100包括CPU10、ROM11、RAM12、打击传感器3、边缘传感器4、静电电容传感器5、第二静电电容传感器6及声源13，分别经由总线16而连接。在声源13上连接着放大器14，在放大器14上连接着扬声器15。

RAM12是在CPU10执行控制程序11a等程序时可改写地存储各种工作数据或旗标等的存储器。在RAM12中，分别设置有速率存储器12a、速率阈值变更旗标12b、速率阈值变更中计数器12c、打击位置存储器12d、边缘传感器输出值存储器12e、边缘传感器值存储器12f、边缘传感器检测待机计数器12g、静电电容传感器输出值存储器12h、静电电容传感器值存储器12i、闷音设定值存储器12j、第二静电电容传感器值存储器12k及第二速率阈值变更中计数器12l。

第二静电电容传感器值存储器12k是存储基于静电电容传感器输出值存储器12h而算出的第二静电电容传感器6的传感器值的存储器。在电子铙钹100通电时，或者在图9(a)及图9(b)的第二静电电容传感器处理中，在静电电容传感器输出值存储器12h的值为静电电容传感器检测阈值以上的情况下，设定表示第二静电电容传感器6未检测出的“0”(图9(a)，S98)。在图9(a)及图9(b)的第二静电电容传感器处理中，在静电电容传感器输出值存储器12h的值小于静电电容传感器检测阈值的情况下，将从静电电容传感器检测阈值减去静电电容传感器输出值存储器12h的值所得的值存储于第二静电电容传感器值存储器12k(图9(a)，S97)。根据运算所述第二静电电容传感器值存储器12k的值、静电电容传感器值存储器12i的值及边缘传感器值存储器12f的值的结果，进行发音中的乐音的衰减控制。

第二速率阈值变更中计数器12l是通过第二静电电容传感器6的状态，对速率阈值变更旗标12b为导通(ON)的持续时间进行计数的计数器。在电子铙钹100通电时，或者在图9(a)及图9(b)的第二静电电容传感器处理中，在静电电容传感器输出值存储器12h的值为速率变更阈值以上的情况下，设定“0”(图9(a)，S95)。在静电电容传感器输出值存储器12h的值小于速率变更阈值的情况下，在第二速率阈值变更中计数器12l中加上1(图4，S93)。即，当速率阈值变更旗标12b从断开(OFF)变为导通(ON)时，在第二速率阈值变更中计数器12l的值上定期地加上1。在第二速率阈值变更中计数器12l的值变为阈值变更时间以上的时点，速率阈值变更旗标12b变为断开(OFF)。

其次，参照图8、图9(a)及图9(b)，对第二实施方式的电子铙钹100的CPU10中所执行的控制程序进行说明。图8是定期处理的流程图。首先，将速率阈值变更旗标12b设定为断开(OFF)(S1)，执行静电电容传感器处理(S2)。在S2的处理之后，执行第二静电电容传感器处理(S9)。参照图9(a)，说明第二静电电容传感器处理。

图9(a)是第二静电电容传感器处理的流程图。第二静电电容传感器处理是获取第二静电电容传感器6的输出值，并对应于第二静电电容传感器6的输出值，判断是否变更打击传感器3的打击检测的阈值。并且，根据第二静电电容传感器6的输出值，算出用于图5(b)的闷音处理的第二静电电容传感器6的传感器值，并存储于第二静电电容传感器值存储器12k。

首先，第二静电电容传感器处理是将第二静电电容传感器6的输出值保存至静电电容传感器输出值存储器12h(S90)。在S90的处理之后，确认静电电容传感器输出值存储器12h的值是否小于速率变更阈值(S91)。当静电电容传感器输出值存储器12h的值小于速率变更阈值时(S91：是(Yes))，确认第二速率阈值变更中计数器12l是否小于阈值变更时间(S92)。当第二速率阈值变更中计数器12l短于阈值变更时间时(S92：是(Yes))，在第二速率阈值变更中计数器12l中加上1(S93)，在速率阈值变更旗标12b上设定导通(ON)(S94)。另一方面，当第二速率阈值变更中计数器12l为阈值变更时间以上时(S92：否(No))，跳过S93～S94的处理。

当静电电容传感器输出值存储器12h的值为速率变更阈值以上时(S91：否(No))，将0保存于第二速率阈值变更中计数器12l，并跳过S92～S94的处理。即，静电电容传感器输出值存储器12h的值为速率变更阈值以上，所以说明人体远离第二静电电容传感器6。因此，将0保存于第二速率阈值变更中计数器12l，以准备用于下一次的人体接近第二静电电容传感器6的情况。

在S94、S95的处理之后，确认静电电容传感器输出值存储器12h的值是否小于静电电容传感器检测阈值(S96)。当静电电容传感器输出值存储器12h的值小于静电电容传感器检测阈值时(S96：是(Yes))，将从静电电容传感器检测阈值减去静电电容传感器输出值存储器12h的值所得的值保存于第二静电电容传感器值存储器12k(S97)。即，将静电电容传感器检测阈值与静电电容传感器输出值存储器12h的值的差分保存于第二静电电容传感器值存储器12k。基于所述第二静电电容传感器值存储器12k，通过图9(b)的第二闷音处理，进行发音中的乐音的衰减控制。

另一方面，当静电电容传感器输出值存储器12h的值为静电电容传感器检测阈值以上时(S96：否(No))，将0保存于第二静电电容传感器值存储器12k(S98)。在S97、S98的处理之后，结束第二静电电容传感器处理，而返回至图8的定期处理。

返回至图8。执行第二静电电容传感器处理(S9)之后，执行边缘传感器处理(S3)。在S3的处理之后，执行第二闷音处理(S10)。第二闷音处理是对应于边缘传感器值存储器12f的值、静电电容传感器值存储器12i的值及第二静电电容传感器值存储器12k的值，进行针对发音中的乐音的衰减处理。

首先，根据边缘传感器值存储器12f的值、静电电容传感器值存储器12i的值及第二静电电容传感器值存储器12k的值，算出闷音设定值，并保存于闷音设定值存储器12j(S100)。具体地说，将利用边缘传感器值存储器12f的值、静电电容传感器值存储器12i的值及第二静电电容传感器值存储器12k的值进行加权运算的结果保存于闷音设定值存储器12j。加权运算为以下的数式2。

[数式2]

Value_CK＝Value_ED*Coef_ED+Value_CS*Coef_CS+Value_CS2*Coef_CS2……(数式2)

在这里，Value_CK是闷音设定值。Value_ED是边缘传感器值存储器12f的值。Value_CS是静电电容传感器值存储器12i的值。Value_CS2是第二静电电容传感器值存储器12k的值。Coef_ED及Coef_CS以及Coef_CS2分别是针对边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值以及第二静电电容传感器值存储器12k的值的加权成分。Coef_ED是“64”，Coef_CS是“0.45”，Coef_CS2是“0.45”。通过数式2的加权运算，算出与边缘传感器值存储器12f的值及静电电容传感器值存储器12i的值以及第二静电电容传感器值存储器12k的值相应的闷音设定值，并将所述闷音设定值用于针对发音中的乐音的衰减处理。

在S100的处理之后，针对发音中的任意乐音，进行与闷音设定值存储器12j的值相应的衰减控制(S101)。S101的处理之后，结束闷音处理，而返回至图8的定期处理。定期处理是在执行第二闷音处理(S10)之后结束。

根据第二实施方式的电子铙钹100，分别将静电电容传感器5配置于打击面2的外周侧，将第二静电电容传感器6配置于打击面2的内周侧，所以能够对用户的手是接近打击面2的外周侧还是接近内周侧进行区分而加以判断。由此，也可以通过两个静电电容传感器5、静电电容传感器6，而对应于用户触碰打击面2的位置，改变乐音的衰减控制。

以上，基于实施方式对本发明进行了说明，但是本发明丝毫不限定于所述实施方式，可以容易地推测，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种改良变更。

在第一个实施方式中，静电电容传感器5的电极5a是设为在外周侧配置粗的电极5a1，在内周侧配置细的电极5a2的结构。但是，不一定限定于所述形状，也可以适当采用其它形状。例如，如图10所示，也可以去除内周侧的电极5a2，只由外周侧的电极5a1构成电极5a。通过如上所述将电极5a形成为一条线状，可以简单地制造电极。

另外，如图11(a)～图11(j)及图12(a)～图12(c)所示，也可以形成静电电容传感器5的电极5a。如图11(a)～图11(j)所示，作为电极5a的其它形状，可举出呈“蜘蛛网”状(有孔状)配置有电极5a的形状(图11(a))、呈“网眼”状配置有电极5a的形状(图11(c))、在电极5a上等间隔地设置有孔的形状(有孔状)(图11(e))、从中央呈放射状设置有电极5a的形状(多条线状)(图11(g))、从内周侧向外周侧将多个电极5a的圆弧连接成“一笔画”状(多条线状)的形状(图11(i))。并且，电极5a并不限于半圆状的形状，也可以设为全圆状的形状。图11(b)、图11(d)、图11(f)、图11(h)、图11(j)分别是将图11(a)、图11(c)、图11(e)、图11(g)、图11(i)形成为全圆状的图。

静电电容传感器5的电极5a是形成为多条线状、网眼状或有孔状，所以能够减小在利用手掌使打击面2产生闷音的情况下、与轻轻地抓住打击面2而产生闷音的情况下静电电容传感器5的输出值的差。因此，能够在两者的闷音操作中识别为“手已触碰”，即能够识别两者的闷音操作，而进行发音中的乐音的衰减控制。

另外，在图11(a)～图11(j)中，也可以在内周侧及外周侧，形成为电极的面积不同的形状。由此，在用户触碰到打击面2的外周侧(端侧)的情况下、与触碰到打击面2的内周侧的情况下，静电电容传感器5的输出值不同，所以能够对这些情况进行区分而加以识别。因此，可以进行与所触碰的部分相应的发音中的乐音的衰减控制。

在第一个实施方式中，是设为在外周侧配置粗的电极，在内周侧配置细的电极的结构，但是也可以如图12(a)、图12(b)所示，在外周侧及内周侧，将静电电容传感器5的电极5a的粗细度设为相同。

另外，在第一个实施方式中是利用一个静电电容传感器5探测人体的接近，在第二实施方式中利用两个静电电容传感器5及第二静电电容传感器6而探测人体的接近。但是，不一定限定于此，如图12(c)所示，也可以设为除了外周侧、内周侧以外，还在其间设置静电电容传感器，利用共计三个静电电容传感器来检测闷音操作。在所述情况下，追加如下的处理：获取第三个静电电容传感器的传感器值，对应于所述传感器值，进行速率阈值变更旗标12b的导通(ON)/断开(OFF)(即，相当于第二静电电容传感器处理的处理)；以及进行包括第三个静电电容传感器的传感器值在内的乐音的衰减控制(即，相当于第二闷音处理的处理)。再者，当然，也可以设为利用四个以上的静电电容传感器来检测闷音操作。

在本实施方式中，作为包括静电电容传感器的电子打击乐器，已说明电子铙钹1、电子铙钹100。但是，不一定限定于此，也可以应用于其它电子打击乐器。作为其中一例，可举出图13(a)～图13(c)所示的电子鼓垫20。

图13(a)是变形例的电子鼓垫20的前视图。图13(b)是在图13(a)的XIIIb部分的电子鼓垫20的截面图。图13(c)是在图13(b)的XIIIc部分的电子鼓垫20的示意图。在电子鼓垫20的中央部配设橡胶制的打击面21。在打击面21的下部配设铁板22，在打击面21与铁板22之间配设静电电容传感器5。在铁板22的下部，配设打击传感器23。打击传感器23是用于探测打击的压电传感器。通过用户对打击面21进行打击，而将所述撞击通过铁板22传播至打击传感器23，而检测出所述打击。根据所述检测结果，发出乐音，但当判断为已利用手触碰到打击面21时，则使发音中的乐音减弱(消音)。

不含静电电容传感器5的现有的电子鼓垫通过重复进行打击，而使得静电(即，电荷)滞留于打击面21与铁板22的周边。通过所述静电传递至打击传感器23，有时使得与打击传感器23连接的声源(未图示)产生故障或错误动作。为了防止此现象，通过对铁板22进行接地，来消除打击面21与铁板22的周边的静电。在这里，静电电容传感器5可以使电荷重复移动。因此，在本变形例的电子鼓垫20中，通过使静电电容传感器5与铁板22重合，而使得滞留于铁板22的电荷也定期地移动，电荷不再继续滞留，所以不需要使铁板22接地。由此，可以减少电子鼓垫20的零件个数。

再者，在本变形例中，是设为在铁板22上层叠静电电容传感器5的结构，但是也可以设为将铁板22用作静电电容传感器5的电极5a的结构。

在本实施方式中，是对应于边缘传感器4、静电电容传感器5、第二静电电容传感器6的检测结果，识别出闷音操作。但是，不一定限定于此，也可以设为去除了边缘传感器4的结构，还可以设为只利用静电电容传感器5、第二静电电容传感器6来识别闷音操作的结构。在此情况下，不需要边缘传感器输出值存储器12e、边缘传感器值存储器12f、边缘传感器检测待机计数器12g。并且，不需要执行图5(a)的边缘传感器处理。这时，只要适当变更图5(b)的边缘传感器处理的S40及图9(b)的第二边缘传感器处理的S100中的Coef_CS及Coef_CS2，即，变更针对静电电容传感器值存储器12i的值及第二静电电容传感器值存储器12k的值的加权成分的值即可。

Claims (9)

1.一种电子打击乐器，包括打击面、检测使用者对所述打击面的打击及对应于检测结果对乐音进行发音控制的发音控制部件，所述电子打击乐器的特征在于包括：

静电电容传感器，将电极配设于所述打击面,检测出使用者碰触到所述打击面所引起的静电电容的变化；以及

衰减控制部件，对应于所述静电电容的变化，利用所述发音控制部件进行发音中的乐音的衰减。

2.根据权利要求1所述的电子打击乐器，其特征在于，

所述静电电容传感器的一个电极形成为多条线状。

3.根据权利要求2所述的电子打击乐器，其特征在于，

所述形成为多条线状的一个电极是配设于所述打击面的内周侧及外周侧，所述内周侧的电极与所述外周侧的电极形成为不同。

4.根据权利要求1所述的电子打击乐器，其特征在于，

所述静电电容传感器设置有多个，所述多个静电电容传感器的一个静电电容传感器的电极是配设于所述打击面的内周侧，所述多个静电电容传感器的其它静电电容传感器的电极是配设于所述打击面的外周侧。

5.根据权利要求1所述的电子打击乐器，其特征在于，

所述静电电容传感器的一个电极形成为网眼状或有孔状。

6.根据权利要求5所述的电子打击乐器，其特征在于，

所述形成为网眼状或有孔状的一个电极是以其电极面积在所述打击面的内周侧与外周侧不同的方式而形成。

7.根据权利要求1所述的电子打击乐器，其特征在于，

所述静电电容传感器的电极形成为一条线状。

8.一种电子打击乐器的发音控制方法，检测对电子打击乐器的打击面的打击，并对应于所述打击的检测结果来对乐音进行发音控制，

所述发音控制方法的特征在于，

通过于所述打击面的相反侧形成电极来构成静电电容传感器，

当所述打击面被碰触时，所述静电电容传感器的输出值对应于触碰状况而变化，

对应于所述静电电容传感器的输出值来进行发音中的乐音的衰减控制。

9.根据权利要求8所述的电子打击乐器的发音控制方法，其特征在于，

所述静电电容传感器的电极形成为一条线状。

Images