CN109643641A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109643641A
CN109643641A CN201780052825.XA CN201780052825A CN109643641A CN 109643641 A CN109643641 A CN 109643641A CN 201780052825 A CN201780052825 A CN 201780052825A CN 109643641 A CN109643641 A CN 109643641A
Authority
CN
China
Prior art keywords
disk
magnetic gear
electrostatic chuck
rotary
board treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780052825.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109643641B (zh
Inventor
辛昇澈
刘真赫
李敏秀
崔东焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jusung Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jusung Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Engineering Co Ltd filed Critical Jusung Engineering Co Ltd
Publication of CN109643641A publication Critical patent/CN109643641A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109643641B publication Critical patent/CN109643641B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种基板处理装置可包括：第一盘，其设置在腔室中并且被配置为执行转动运动，第一盘包括周期性地布置在距中心轴的特定半径内的多个座孔；多个第二盘，其分别设置在座孔中并且被配置为根据第一盘的转动运动进行绕转及旋转运动；第一旋转连接器结构，其设置在第二盘和座孔之间，以允许第二盘的旋转运动及与第二盘的电连接；静电卡盘，其设置在第二盘上并配置成使用通过第一旋转连接器结构提供的电力保持基板；第一磁性齿轮，其固定到第二盘并配置成在第二盘上施加扭矩；和第二磁性齿轮，其设置在腔室中，以与第一磁性齿轮相互作用但被阻止转动。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种能够提高在处理多个基板的工艺中的均匀性的基板处理装置。该基板处理装置包括：主盘，其被配置为执行转动运动；以及辅助盘，其被配置为执行绕转及旋转运动。
背景技术
通常，为了制造半导体存储器件、液晶显示器件、有机发光器件等，需要在基板上进行多次半导体制造工艺。例如，为了在基板上形成所需图案，沉积和图案化工艺应重复几次。
详细地，半导体制造工艺包括在基板上形成薄膜的沉积工艺、打开薄膜的期望区域的光刻工艺、以及去除薄膜的开口区域的蚀刻工艺。在半导体制造工艺中，每个工艺在处理室中进行，该处理室被制备为具有优化的工艺环境。
通常，用于处理诸如晶片的圆形基板的装置被放置在处理室中，并且被配置为具有一圆形的第一盘和多个圆形的第二盘，每个第二盘的直径小于第一盘的直径。
在使用基板处理装置的情况下，基板处理工艺包括将基板装载在第二盘上，然后在转动第一盘并绕转及旋转第二盘的同时将源材料注入到基板上。通过重复基板处理工艺，可以在基板上形成所需形状的结构。
这里，附加部件(其被配置为注入空气或任何其他气体)用于使第二盘绕其中心转动或旋转(即，实现第二盘的旋转运动)。在这种情况下，包含在空气或气体中的污染物质可能被吸附在基板上，这可能导致半导体产品的故障。
韩国专利公开No.10-2016-0073281公开了一种基于Argo原理通过改变磁体相对于圆形金属板的一部分周边区域的相对位置来转动或旋转圆形金属板的方法。然而，在使用Argo原理转动或旋转圆形金属板时，难以精确地控制旋转速度并使圆形金属板精确地停止在所需位置。
因此，有必要开发一种旋转方式来绕转第一盘并稳定地旋转装配到第一盘的第二盘。此外，有必要开发一种稳定地保持装载在第二盘上的基板的位置的方法，以抵抗施加在其上的离心力。
发明内容
技术问题
本发明构思的一些实施例提供了一种基板处理装置，包括：第一盘，其被配置为执行旋转运动；以及第二盘，其被装配到第一盘并被配置为执行绕转及旋转运动。基板处理装置被配置为稳定地支撑装载在第二盘上的基板并稳定地转动或旋转第二盘。
技术方案
根据本发明构思的一些实施例，基板处理装置可包括：第一盘，其设置在腔室中并且被配置为执行转动运动，第一盘包括周期性地布置在距中心轴的特定半径内的多个座孔；多个第二盘，其分别设置在座孔中并且被配置为根据第一盘的转动运动执行绕转及旋转运动；第一旋转连接器结构，其设置在第二盘和座孔之间，以允许第二盘的旋转运动及与第二盘的电连接；静电卡盘，其设置在第二盘上并配置成使用通过第一旋转连接器结构提供的电力保持基板；第一磁性齿轮，其固定到第二盘并配置成在第二盘上施加扭矩；和第二磁性齿轮，其设置在腔室中，以与第一磁性齿轮相互作用但被阻止转动。
在一些实施例中，第一磁性齿轮可包括：与第二盘固定连接的旋转磁体支撑板，旋转磁体支撑板具有圆盘形状；和多个第一永磁体，其具有交替的磁化方向并且彼此间隔特定距离地设置在旋转磁体支撑板的外周表面上。第二磁性齿轮可包括：设置在腔室的底面和第一盘之间的固定磁体支撑板，固定磁体支撑板具有垫圈或圆环形状；和多个第二永磁体，其具有交替的磁化方向，布置在固定磁体支撑板的外周表面上。第一永磁体和第二永磁体可以被配置为根据第二盘的旋转状态而在第二盘上施加吸引力或排斥力，从而转动第二盘。
在一些实施例中，静电卡盘可包括：静电卡盘主体；电极安置部分，其形成在静电卡盘主体的顶面中以具有凹陷形状；填充电极安置部分的绝缘构件；以及埋入绝缘构件中的一对静电电极。
在一些实施例中，一对静电电极中的每一个可具有半圆形状或同心垫圈形状。
在一些实施例中，基板处理装置还可包括以下中的至少一个：第一盘中心轴，其从第一盘的中心轴垂直延伸；波纹管结构，其设置成围绕第一盘中心轴并以真空方式气密地密封第一盘中心轴，波纹管结构从腔室的底面延伸到腔室的外部；第二旋转连接器结构，其设置成穿过波纹管结构并轴耦合至第一盘中心轴的一端，第二旋转连接器结构被配置为允许第一盘中心轴的旋转运动和与第一盘中心轴的电连接；以及旋转驱动单元，其被配置为旋转第一盘中心轴。
在一些实施例中，基板处理装置还可包括磁性齿轮垂直移动单元，其被配置为沿直接垂直方向移动第二磁性齿轮并且用于允许第一磁性齿轮的布置平面与第二磁性齿轮的布置平面重合。磁性齿轮垂直移动单元可包括：磁性齿轮垂直驱动单元，其被放置在腔室外部并被配置为执行线性运动；以及连杆，其被配置为将磁性齿轮垂直驱动单元连接到第二磁性齿轮。
在一些实施例中，第一旋转连接器结构可包括：在垂直方向上彼此间隔开的上轴承和下轴承；设置在上轴承和下轴承之间的滑环主体；布置在滑环主体的外周表面上的多个滑环；和电连接到滑环的电刷。
在一些实施例中，静电卡盘可包括：静电卡盘主体；设置在静电卡盘主体的顶面上的绝缘构件，该绝缘构件具有垫圈或圆环形状；以及设置在绝缘构件的顶面上的静电电极，该静电电极具有图案化形状。
有益效果
根据本发明构思的一些实施例，基板处理装置可包括：第一磁性齿轮，其被配置为执行绕转及旋转运动；以及第二磁性齿轮，其与第一磁性齿轮相互作用但被阻止转动。通过使用第一和第二磁性齿轮，可以产生用于基板旋转运动的扭矩并防止基板因离心力而偏离。
可以改变磁性齿轮的齿轮比以获得期望的角速度。即使当基板的位置改变或者第一盘的布置平面在处理中改变时，也可以稳定地控制磁性齿轮的操作性能。
虽然已经具体示出和描述了本发明构思的示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节的变化。
附图说明
通过以下结合附图的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示本文所述的非限制性示例实施例。
图1是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的基板处理装置的截面图。
图2是示意性地示出图1的基板处理装置的磁性齿轮的平面图。
图3A是示出图1的静电卡盘的平面图。
图3B是示出图3A的静电卡盘的截面图。
图4A是示出根据本发明构思的其他实施例的静电卡盘的平面图。
图4B是示出图4A的静电卡盘的截面图。
图5A是示出根据本发明构思的又一实施例的静电卡盘的平面图。
图5B是示出图5A的静电卡盘的截面图。
应当注意，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不精确地反映任何给定实施例的精确结构或性能特征，并且不应被解释为限定或限制示例实施例所包含的值或属性的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在表示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参照附图更全面地描述本发明构思的示例实施例，附图中示出了示例实施例。然而，本发明构思的示例实施例可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例是为了使本公开彻底和完整，并且将示例实施例的概念完全传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。附图中相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略其描述。
应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一个元件时，不存在中间元件。全文中，相同的数字表示相同的元素。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其他词语应以类似的方式解释(例如，“在……之间”与“直接在……之间”，“相邻”与“直接相邻”，“在……上”与“直接在……上”)。
应当理解，尽管这里可以使用术语“第一”，“第二”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
这里可以使用空间相对术语，例如“下方”、“之下”、“低”、“上方”、“高”等，以便于说明书描述如图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。应当理解，除了图中所示的取向之外，空间相对术语旨在包括使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向在其他元件或特征“之上”。因此，示例性术语“下方”可以包括上方和下方的取向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位)，并且相应地解释本文使用的空间相对描述。
这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制示例实施例。如这里所使用的，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解，术语“包含”和/或“包括”，如果在本文中使用，则指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其构成的组。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明构思的示例实施例所述领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的意义，除非在此明确定义。
根据本发明构思的一些实施例，为了同时处理在单个腔室中装载在旋转基板支架上的多个基板，需要绕转和旋转每个基板并且抵抗由绕转及旋转运动引起的离心力来稳定地控制每个基板的位置。
可以使用机械卡盘来稳定地固定基板，但是难以将机械卡盘装配到绕转板或第一盘(其被配置为执行转动运动)和/或旋转板或第二盘(其被配置为不仅执行绕转运动而且执行旋转运动)。
相反，可以使用静电卡盘来稳定地固定基板，但是难以在绕转板或第一盘(其被配置为执行转动运动)和/或旋转板或第二盘(其被配置为不仅执行绕转运动而且执行旋转运动)中构造电力布线结构。
根据本发明构思的一些实施例，可以使用磁性齿轮来允许第二盘的绕转及旋转运动，可以在第二盘上设置静电卡盘以保持基板，并且可以使用旋转连接器结构来构建电互连结构。因此，可以在处理基板期间稳定地保持基板并旋转基板。结果，可以改善工艺均匀性。
磁性齿轮可以被配置为包括多个排列为具有交替的磁化方向的永磁体，而不是包括传统齿轮的锯齿。磁性齿轮可包括主磁性齿轮和多个辅助磁性齿轮，主磁性齿轮构造成绕中心轴旋转，每一辅助磁性齿轮构造成执行由主磁性齿轮的转动运动引起的旋转运动。然而，其中主磁性齿轮和辅助磁性齿轮构造成围绕它们各自的中心轴旋转的磁性齿轮不适合绕转系统。
根据本发明构思的一些实施例，旋转板或第二盘可以设置在绕转板或第一盘上，并且旋转板可以被配置为根据绕转板的转动运动执行绕转及旋转运动。因此，为了驱动磁性齿轮来转动旋转板，可以在腔室中固定地设置无转动运动的主磁性齿轮或第二磁性齿轮，并且辅助磁性齿轮或第一磁性齿轮可以耦合到旋转板以与旋转板一起进行旋转运动。
根据本发明构思的一些实施例，在改变固定板或第一盘的高度以调节基板的布置平面的情况下，可以改变辅助磁性齿轮或第一磁性齿轮的高度。因此，为了驱动磁性齿轮，可以控制主磁性齿轮或第二磁性齿轮的布置平面，使其与辅助磁性齿轮或第一磁性齿轮的布置平面共面。
为了使用静电卡盘，需要在第二盘和第一盘之间构造电互连结构。为此，绕转板(或第一盘)和旋转板(或第二盘)可以使用第一旋转连接器结构彼此互连，并且绕转板(或第一盘)可以通过第二旋转连接器结构连接到外部电力。
而且，在需要改变处理条件的情况下，可以改变基板的布置平面。在这种情况下，波纹管结构可用于改变绕转板或第一盘的布置平面。
图1是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的基板处理装置的截面图。
图2是示意性地示出图1的基板处理装置的磁性齿轮的平面图。
图3A是示出图1的静电卡盘的平面图。
图3B是示出图3A的静电卡盘的截面图。
参照图1、图2和图3，根据本发明构思的一些实施例的基板处理装置100可包括第一盘124、第二盘162、第一旋转连接器结构150、静电卡盘170、第一磁性齿轮140及第二磁性齿轮130。第一盘124可以包括多个座孔124a，这些座孔周期性地布置在距第一盘124的中心轴的特定半径内，第一盘124可以设置在腔室102中，并且可以配置为执行旋转运动。在一些实施例中，多个第二盘162可以分别设置在座孔中，并且可以配置成根据第一盘124的旋转运动执行绕转及旋转运动。第一旋转连接器结构150可以设置在第二盘162和座孔124a之间，以允许第二盘162的旋转运动并允许与第二盘162的电连接。静电卡盘170可以配置成使用通过第一旋转连接器结构150供应的电力保持基板，并可以设置在第二盘162上。第一磁性齿轮140可以固定到第二盘162，并且可以配置成在第二盘上施加扭矩。第二磁性齿轮130可以放置在腔室102中，以与第一磁性齿轮140相互作用但被阻止转动。
腔室102可以是圆柱形腔室。腔室102可用于执行薄膜沉积工艺或基板表面处理工艺。气体分配单元180可以设置在腔室102的内部空间的上部。气体分配单元180可以是具有矩形截面的环形结构。气体分配单元180可包括穿透底面形成的多个气体注入孔。当执行沉积工艺时，气体注入孔可以被配置为将气体注入到基板10上。
第一盘124可以是圆形板。第一盘124可以配置为绕其中心轴旋转。第一盘124可包括多个座孔124a，这些座孔沿具有特定半径的圆的圆周布置并且彼此间隔开相同的距离。在一些实施例中，座孔的数量是五个。第一盘124可以具有通道，该通道构造成允许电线穿过并沿径向延伸。
第二盘162可以放置成插入到座孔124a中。第二盘162可以根据第一盘124的转动运动执行绕转运动。第二盘162可以通过磁性齿轮140和130执行绕转及旋转运动。可以通过磁性齿轮的齿轮比确定旋转运动的角速度。第二盘162可以是圆盘形状，并且可以由金属、石墨或石英中的至少一种形成，或包括金属、石墨或石英中的至少一种。
第一旋转连接器结构150可以设置为围绕第二盘162，并且可以放置成插入到座孔124a中。第一旋转连接器结构150可包括：上轴承154a和下轴承154b，它们在垂直方向上彼此间隔开；滑环主体155，其设置在上轴承和下轴承之间；多个滑环151，它们设置在滑环主体的外周表面上；和电刷，其电连接至滑环151。上轴承154a可以设置成具有与第一盘124的顶面基本共面的顶面，下轴承154b可以设置成具有与第二盘162的底面基本共面的底面。上轴承和下轴承中的每一个可以设置成具有环形形状。滑环主体155可以是环形结构，其设置在上轴承和下轴承之间并且电绝缘或由绝缘材料形成，并且可以构造成可旋转的。滑环151可以埋在滑环主体中，可以通过滑环主体的外周表面暴露，并且可以电连接到电刷。电刷可以设置在第一盘124上或第一盘124中，并且可以用作电连接到转动的滑环151的电连接路径。
静电卡盘170可以设置在第二盘162的顶面上。电力可以通过电线提供给静电卡盘170，该电线设置成穿过形成在第二盘162中的线路通道。静电卡盘170可以被配置为具有线路通道，并且电线可以被设置为穿过线路通道并且可以电连接到静电卡盘170的电极。静电卡盘170可以包括：静电卡盘主体171；电极安置部分171a，其形成在静电卡盘主体的顶面上并具有凹陷形状；绝缘构件174，其填充电极安置部分171a；和一对静电电极172，它们埋在绝缘构件中。静电卡盘170可以配置为用作双极静电卡盘。静电卡盘170可以具有高于第一盘124的顶面的底面。电极安置部分171a可以是盘形区域，并且静电卡盘主体171和电极安置部分171a的顶面可以彼此基本共面。可以提供绝缘构件174以围绕一对静电电极。设置在静电电极的底面上的下绝缘构件174a的厚度可以大于设置在静电电极的顶面上的上绝缘构件174b的厚度。下绝缘构件可以通过喷涂方法形成在静电卡盘主体上，并且静电电极可以通过印刷方法涂覆。此后，可以图案化静电电极，然后，可以通过喷涂方法形成上绝缘构件。根据绝缘构件174的电阻率，绝缘构件174可以提供库仑型静电力或Jonsen-Rahbek型静电力。一对静电电极172可包括第一和第二静电电极172a和172b，每个静电电极具有同心的垫圈形状。第二静电电极172b可以以同心的方式围绕第一静电电极172a，并且第一静电电极172a和第二静电电极172b可以设置在同一平面上。
在某些实施例中，静电电极172可以由铝形成或包括铝，并且下绝缘构件174a和上绝缘构件174b可以通过阳极氧化方法同时形成。
静电电极172可以包括以同心方式布置的第一和第二静电电极172a和172b，并且可以在第一和第二静电电极172a和172b之间施加高DC电压。因此，可以通过静电保持力将基板固定在静电卡盘170上。
第一盘中心轴122可以在从第一盘124的中心轴朝向腔室102的底面的方向上延伸。第一盘中心轴122可以具有圆柱形状并且可以包括允许在其中提供电线的线路通道。第一盘中心轴122可以固定地耦合到第一盘124。
可以提供波纹管结构116以围绕第一盘中心轴122。波纹管结构116可以被配置为以真空方式气密地密封第一盘中心轴122并且可以从腔室102的底面延伸到腔室102的外部。波纹管结构116可以设置成穿过腔室102的底面的中心区域，并且可以配置成相对于第一盘中心轴122执行垂直运动。第一盘中心轴122的一部分可以通过波纹管结构116暴露于外部。
第二旋转连接器结构112可以轴耦合至第一盘中心轴122的一端，第一盘中心轴122设置成穿过波纹管结构116，并且第二旋转连接器结构112可以配置为允许第一盘中心轴122的旋转运动和允许与第一盘中心轴122的电连接。第二旋转连接器结构112可以被配置为执行与第一旋转连接器结构150的功能基本相同的功能。第二旋转连接器结构112可以被配置为允许第一盘中心轴122旋转，并且连接到外部电源114的电刷可用于向设置在第一盘中心轴122的线路通道中的电线提供电力。可以通过第一旋转连接器结构150将电力提供给静电卡盘170。
旋转驱动单元110可以耦合到第一盘中心轴122的一端，并且可以用于旋转第一盘中心轴122。旋转驱动单元110可以是马达。在波纹管结构116伸展或扩展的情况下，旋转驱动单元110、第二滑环112、第一盘中心轴122和第一盘124可以在垂直方向上移动。
第一磁性齿轮140可以耦合到第二盘162的底面，以在第二盘162上施加扭矩。第一磁性齿轮140可以包括：旋转磁体支撑板142，其与第二盘162固定耦合并且具有圆盘形状；和多个第一永磁体144，它们具有交替的磁化方向，布置在旋转磁体支撑板142的圆周表面上并且彼此间隔特定距离。旋转磁体支撑板142可以是具有圆盘形状或垫圈形状的圆形板。在一些实施例中，多个第一永磁体144可以固定地布置在旋转磁体支撑板142的外周表面上，彼此间隔开相同的距离。第一永磁体144的磁化方向可以是正径向方向或负径向方向，并且第一永磁体144的磁化方向可以根据它们的角度交替地改变。旋转磁体支撑板142可以由介电材料形成或包括介电材料，以减少由涡流引起的功率损耗。
第二磁性齿轮130可以与第一磁性齿轮140啮合以在第一磁性齿轮140上施加扭矩。第二磁性齿轮130可以设置在腔室102的底面和第一盘124之间，并且可以包括具有垫圈形状的固定磁体支承板132和多个第二永磁体134，这些第二永磁体设置在固定磁体支承板的圆周表面上以具有交替的磁化方向。固定磁体支承板132可以是垫圈形圆板，固定磁体支承板的布置平面可以与旋转磁体支承板142的布置平面大致相同。固定磁体支承板132的中心轴可与第一盘124的中心轴重合。为了抑制由涡流引起的功率损耗，固定磁体支承板132可以由介电材料形成或包括介电材料。第二永磁体134的磁化方向可以是正径向方向或负径向方向。第二永磁体134可以布置成在固定磁体支撑板132的边缘圆周表面上以相同的距离彼此间隔开。第一永磁体144和第二永磁体134可以被配置为取决于第二盘162的旋转状态而在第二盘162上施加吸引力或排斥力，并且吸引力或排斥力可用于允许第二盘162执行绕转及旋转运动。
在根据工艺条件而使用波纹管结构116垂直移动第一盘124的情况下，可以使用磁性齿轮垂直移动单元136来改变第二磁性齿轮130的垂直位置，以便对准磁性齿轮。
磁性齿轮垂直移动单元136可以被配置为使第二磁性齿轮130沿直接垂直方向移动，因此可以用于允许第一磁性齿轮140的布置平面与第二磁性齿轮130的布置平面重合。磁性齿轮垂直移动单元136可包括：磁性齿轮垂直驱动单元136b，其被放置在腔室102的外部并被配置为执行线性运动；以及连杆136a，其被配置为将磁性齿轮垂直驱动单元136b连接到第二磁性齿轮130。
静电卡盘170和第二盘162中的每一个可包括至少三个垂直通孔。静电卡盘170和第二盘162的垂直通孔可以彼此垂直对齐。在第一盘124和第二盘162停止的情况下，可以将用于提升基板的升降销194插入垂直通孔。可以提供升降销驱动单元192以允许升降销194执行垂直线性运动。
图4A是示出根据本发明构思的其他实施例的静电卡盘的平面图。
图4B是示出图4A的静电卡盘的截面图。
参见图4A和4B，静电卡盘270可以放置在第二盘162的顶面上。可以通过电线向静电卡盘270供应电力，该电线设置成穿过形成在第二盘162中的线路通道。静电卡盘270可以被配置为具有线路通道，并且电线可以穿过线路通道并且可以电连接到静电卡盘270的电极。静电卡盘270可以包括：静电卡盘主体171；电极安置部分171a，其形成在静电卡盘主体的顶面上并具有凹陷形状；绝缘构件274，其填充电极安置部分171a；以及埋入绝缘构件274中的一对静电电极272。静电卡盘270可以构造成用作双极静电卡盘。静电卡盘270可以具有高于第一盘124的顶面的底面。电极安置部分171a可以是盘形区域，静电卡盘主体171和电极安置部分171a的顶面可以基本上彼此共面。可以提供绝缘构件274以围绕一对静电电极272a和272b。一对静电电极272a和272b中的每一个静电电极可以具有半圆形形状，并且静电电极272a和272b可以以半圆形形状的线性部分彼此面对的方式布置。
图5A是示出根据本发明构思的又一实施例的静电卡盘的平面图。
图5B是示出图5A的静电卡盘的截面图。
参见图5A和5B，静电卡盘370可以放置在第二盘162的顶面上。电力可以通过电线提供给静电卡盘370的静电电极372，该电线设置成穿过第二盘162中形成的线路通道。静电卡盘370可以被配置为具有线路通道，并且电线可以穿过线路通道并且可以电连接到静电卡盘370的静电电极372。静电卡盘370可包括：静电卡盘主体371；绝缘构件374，其设置在静电卡盘主体371的顶面上并具有垫圈或圆环形状；和静电电极372，其设置在绝缘构件的顶面上并具有图案化形状。静电电极372可以设置在具有两个不同半径(例如，第一半径和大于第一半径的第二半径)的两个圆之间，以在方位角方向上以扭曲的形状延伸。静电电极372可以由导电材料(例如，钨)形成，并且可以用作电流路径。在一些实施例中，静电电极372的形状可以像是扭曲的细线。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，包括：
第一盘，其设置在腔室中并且构造成执行转动运动，所述第一盘包括多个座孔，所述座孔周期性地布置在距中心轴的特定半径内；
多个第二盘，其分别设置在所述座孔中并构造成根据所述第一盘的所述转动运动执行绕转及旋转运动；
第一旋转连接器结构，其设置在所述第二盘和所述座孔之间，以允许所述第二盘的旋转运动和与所述第二盘的电连接；
静电卡盘，其设置在所述第二盘上并配置成使用通过所述第一旋转连接器结构供应的电力来保持基板；
第一磁性齿轮，其固定至所述第二盘并被配置为在所述第二盘上施加扭矩；和
第二磁性齿轮，其设置在所述腔室中，以与所述第一磁性齿轮相互作用但被阻止转动。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一磁性齿轮包括：
旋转磁体支撑板，其与所述第二盘固定耦合，所述旋转磁体支撑板具有圆盘形状；和
多个第一永磁体，其设置在所述旋转磁体支撑板的外周表面上，具有交替的磁化方向并且彼此间隔特定距离，
其中所述第二磁性齿轮包括：
固定磁体支撑板，其设置在所述腔室的底面和所述第一盘之间，所述固定磁体支撑板具有垫圈或圆环形状；和
多个第二永磁体，其具有交替的磁化方向，设置在所述固定磁体支撑板的外周表面上，
其中，所述第一永磁体和所述第二永磁体构造成根据所述第二盘的旋转状态而在所述第二盘上施加吸引力或排斥力，从而转动所述第二盘。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述静电卡盘包括：
静电卡盘主体；
电极安置部分，其形成在所述静电卡盘主体的顶面中，以具有凹陷形状；
绝缘构件，其填充所述电极安置部分；和
埋在所述绝缘构件中的一对静电电极。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述一对静电电极中的每一个静电电极具有半圆形状或同心垫圈形状。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括以下中的至少一个：
第一盘中心轴，其从所述第一盘的中心轴垂直延伸；
波纹管结构，其设置成围绕所述第一盘中心轴并以真空方式气密地密封所述第一盘中心轴，所述波纹管结构从所述腔室的底面延伸到所述腔室的外部；
第二旋转连接器结构，其设置成穿过所述波纹管结构并轴耦合至所述第一盘中心轴的一端，所述第二旋转连接器结构被构造为允许所述第一盘中心轴的旋转运动以及与所述第一盘中心轴的电连接；和
旋转驱动单元，其被配置为旋转所述第一盘中心轴。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括磁性齿轮垂直移动单元，其被配置为沿直接垂直方向移动所述第二磁性齿轮并且用于允许所述第一磁性齿轮的布置平面与所述第二磁性齿轮的布置平面重合，
其中所述磁性齿轮垂直移动单元包括：
磁性齿轮垂直驱动单元，其放置在所述腔室的外部并配置成执行线性运动；和
连杆，其连接所述磁性齿轮垂直驱动单元和所述第二磁性齿轮。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一旋转连接器结构包括：
上轴承和下轴承，其在垂直方向上彼此间隔开；
滑环主体，其设置在所述上轴承和所述下轴承之间；
多个滑环，其设置在所述滑环主体的外周表面上；和
电刷，其电连接到所述滑环。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述静电卡盘包括：
静电卡盘主体；
绝缘构件，其设置在所述静电卡盘主体的顶面上，所述绝缘构件具有垫圈或圆环形状；和
静电电极，其设置在所述绝缘构件的顶面上，所述静电电极具有图案化形状。
CN201780052825.XA 2016-08-30 2017-08-22 基板处理装置 Active CN109643641B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0110879 2016-08-30
KR1020160110879A KR102669903B1 (ko) 2016-08-30 2016-08-30 기판 처리 장치
PCT/KR2017/009107 WO2018043976A1 (en) 2016-08-30 2017-08-22 Substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109643641A true CN109643641A (zh) 2019-04-16
CN109643641B CN109643641B (zh) 2023-06-23

Family

ID=61300894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780052825.XA Active CN109643641B (zh) 2016-08-30 2017-08-22 基板处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11361984B2 (zh)
JP (1) JP7055806B2 (zh)
KR (1) KR102669903B1 (zh)
CN (1) CN109643641B (zh)
TW (1) TWI716632B (zh)
WO (1) WO2018043976A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309829A (zh) * 2019-07-26 2021-02-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN112701075A (zh) * 2021-03-24 2021-04-23 上海隐冠半导体技术有限公司 一种微动台、交接方法及运动设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102408889B1 (ko) * 2017-06-16 2022-06-14 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795448A (en) * 1995-12-08 1998-08-18 Sony Corporation Magnetic device for rotating a substrate
JP2003133233A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003347228A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および熱処理装置
CN101194108A (zh) * 2005-06-09 2008-06-04 西门子公司 通过定向受控换油进行位置修正的被动液压控制器
CN102032862A (zh) * 2009-10-06 2011-04-27 Asm自动化传感器测量技术有限公司 通过位置编码器磁体检测一次以上旋转的组合件
US20130025155A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP2013044047A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Kobe Steel Ltd 真空成膜装置
KR20130085842A (ko) * 2012-01-20 2013-07-30 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN104081514A (zh) * 2012-01-31 2014-10-01 应用材料公司 多腔室基板处理系统
CN105603391A (zh) * 2014-11-13 2016-05-25 东京毅力科创株式会社 成膜装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5276388B2 (ja) 2008-09-04 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び基板処理装置
JP2011187566A (ja) 2010-03-05 2011-09-22 Sharp Corp 搬送システム、搬送方法および薄膜形成装置
KR20120065841A (ko) * 2010-12-13 2012-06-21 삼성전자주식회사 기판 지지 유닛과, 이를 이용한 박막 증착 장치
CN102534527B (zh) * 2010-12-21 2014-12-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种磁控溅射源及磁控溅射设备
TW201321542A (zh) 2011-11-29 2013-06-01 Chenming Mold Ind Corp 製造ic屏蔽鍍膜之設備及ic之金屬屏蔽膜層
JP6400977B2 (ja) * 2013-09-25 2018-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
KR102399075B1 (ko) * 2014-12-16 2022-05-18 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 가공장치
US20160230269A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Applied Materials, Inc. Radially outward pad design for electrostatic chuck surface

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795448A (en) * 1995-12-08 1998-08-18 Sony Corporation Magnetic device for rotating a substrate
JP2003133233A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003347228A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および熱処理装置
CN101194108A (zh) * 2005-06-09 2008-06-04 西门子公司 通过定向受控换油进行位置修正的被动液压控制器
CN102032862A (zh) * 2009-10-06 2011-04-27 Asm自动化传感器测量技术有限公司 通过位置编码器磁体检测一次以上旋转的组合件
US20130025155A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP2013044047A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Kobe Steel Ltd 真空成膜装置
KR20130085842A (ko) * 2012-01-20 2013-07-30 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN104081514A (zh) * 2012-01-31 2014-10-01 应用材料公司 多腔室基板处理系统
CN105603391A (zh) * 2014-11-13 2016-05-25 东京毅力科创株式会社 成膜装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112309829A (zh) * 2019-07-26 2021-02-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN112309829B (zh) * 2019-07-26 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN112701075A (zh) * 2021-03-24 2021-04-23 上海隐冠半导体技术有限公司 一种微动台、交接方法及运动设备
CN112701075B (zh) * 2021-03-24 2021-06-04 上海隐冠半导体技术有限公司 一种微动台、交接方法及运动设备

Also Published As

Publication number Publication date
US11361984B2 (en) 2022-06-14
US20200335387A1 (en) 2020-10-22
TW201807740A (zh) 2018-03-01
TWI716632B (zh) 2021-01-21
CN109643641B (zh) 2023-06-23
KR20180024520A (ko) 2018-03-08
JP2019528581A (ja) 2019-10-10
KR102669903B1 (ko) 2024-05-28
JP7055806B2 (ja) 2022-04-18
WO2018043976A1 (en) 2018-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110678971B (zh) 基板处理装置和用于真空的旋转电连接器
CN109643641A (zh) 基板处理装置
JP2001524259A (ja) マイクロエレクトロニクス製造装置用プログラマブル超クリーン電磁サブストレート回転装置及び方法
KR100229008B1 (ko) 진공코팅시스템의 고정식 자전관 스퍼터링 음극
US20240186064A1 (en) Soft magnetic multilayer desposition apparatus, methods of manufacturing and magnetic multilayer
WO2007145131A1 (ja) 静電モータ
CN102356460A (zh) 处理盘状制品的设备
WO2009157186A1 (ja) 磁場発生装置及びプラズマ処理装置
CN114221580B (zh) 磁悬浮装置以及转子位置调节方法
KR102408889B1 (ko) 기판 처리 장치
US20210021187A1 (en) Multi-degree-of-freedom electromagnetic machine including planar coils
KR101633694B1 (ko) 스핀 모터 및 스핀 회전 부재
CN112968559A (zh) 一种磁浮旋转装置
WO2004061941A1 (ja) 静電チャック
CN114142189A (zh) 一种顺序式波导开关及使用方法
TW583690B (en) Arrangement to align the magnetization-direction of magnetic-layers, vacuum-coating device with a coating room, substrate with at least one magnetic layer and production method for said substrate
TWI843331B (zh) 磁懸浮裝置以及轉子位置調節方法
CN113922544B (zh) 一种微型扁平式马达
WO2021149420A1 (ja) ２自由度電動機
JPH04304990A (ja) 回転式電導装置
TW201829832A (zh) 氣體供應裝置及方法
JPS63136981A (ja) 静電アクチユエ−タ
JPS6395863A (ja) 静電アクチユエ−タ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant