CN109616482B - 阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置，属于显示技术领域。本发明的阵列基板，包括至少两行像素区中存在未设置有像素单元的像素区，且至少部分行中未设置像素单元的像素区的个数不同；该阵列基板包括：共用补偿电容和开关单元；共用补偿电容的电容值为与之连接的像素单元数量最少的一行像素区所需要补偿的电容值；具有未设置像素单元的像素区的多行像素区中，每行像素区所对应的栅线均连接有差值补偿电容和开关单元；差值补偿电容的电容值为与之连接的一行像素区所需要补偿的电容值与共用补偿电容的电容值之差；其中，每个差值补偿电容和共用补偿电容的第一端均连接与之对应的栅线，第二端均连接参考电压端。

Description

阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其驱动方法、显示面板及显示装置。
背景技术
传统的矩形显示屏在某些设备上并不适用，尤其在目前较流行的全面屏手机中，需要采用“异形屏”避让摄像头和听筒以实现显示区域的最大化。对屏幕“异形区”的像素驱动管栅极信号需要进行电容补偿，从而确保“异形区”与其他区域的显示均一性。
传统的补偿方式为逐行补偿，在每行栅线上连接其所缺失的电容。假设异形区共K行，其第n行需要补偿的电容值为Cn，则共需补偿(C1+C2+…+Cn+…+CK)，补偿电容总值较大，需要占用较大的面积，导致边框宽度难以缩小。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以减小显示面板边框的阵列基板及驱动方法、显示面板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线；多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置，并限定出多个像素区；其中，至少两行所述像素区中存在未设置有像素单元的像素区，且至少部分行中未设置所述像素单元的像素区的个数不同；其特征在于，所述阵列基板还包括：共用补偿电容和开关单元；
所述共用补偿电容的电容值为与之连接的像素单元数量最少的一行像素区所需要补偿的电容值；
具有未设置像素单元的像素区的多行像素区中，除像素单元最少的一行像素区外，每行像素区所对应的栅线均连接有差值补偿电容和开关单元；
所述差值补偿电容的电容值为与之连接的一行像素区所需要补偿的电容值与所述共用补偿电容的电容值之差；
其中，每个所述差值补偿电容和所述共用补偿电容的第一端均连接与之对应的栅线，第二端均连接参考电压端；
所述开关单元，用于在对应与之连接的所述差值补偿电容的栅线被选通时打开，并通过该栅线输出的工作电平信号给所述差值补偿电容和共用电容充电。
优选的是，所述阵列基板还包括：复位单元；其中，
所述复位单元，用于在所述栅线被关断时，对与该栅线连接的所述共用补偿电容进行复位。
优选的是，所述共用补偿电容的数量为两个，记作第一共用补偿电容和第二共用补偿电容；所述复位单元的数量为两个，记作第一复位单元和第二复位单元；其中，
位于奇数行的所述栅线连接所述第一共用补偿电容的第一端，位于偶数行的所述栅线连接所述第二共用补偿电容的第一端；所述第一共用补偿电容的第二端和所述第二共用补偿电容的第二端均连接所述参考电压端；
所述第一复位单元连接所述第一共用补偿电容的第一端；所述第二复位单元连接所述第二共用补偿电容的第一端。
优选的是，所述第一复位单元包括第一复位晶体管；所述第二复位单元包括第二复位晶体管；其中，
所述第一复位晶体管的第一极连接与之对应的所述栅线和所述第一共用补偿电容的第一端，第二极连接复位信号端，控制极连接第一复位控制信号端；
所述第二复位晶体管的第一极连接与之对应的所述栅线和所述第二共用补偿电容的第一端，第二极连接复位信号端，控制极连接第二复位控制信号端。
优选的是，所述开关单元包括开关晶体管；其中，
所述开关晶体管的第一极和栅极均连接与之对应的所述栅线，第二极连接与之对应的所述共用补偿电容的第一端。
优选的是，所述阵列基板还包括与所述栅线连接的栅极驱动电路，且每条栅线的第一端和第二端分别连接不同的所述栅极驱动电路。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述阵列基板的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包括：在栅线被选通时，开关单元被选通，通过栅极上输出的工作电平信号为差值补偿电容和共用补偿电容进行充电。
优选的是，所述阵列基板包括：复位单元；所述驱动方法还包括：
在所述栅线被关断时，控制复位单元打开，对与之连接的所述共用补偿电容进行复位。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，其包括上述的阵列基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的显示面板。
附图说明
图1为本发明的实施例1的阵列基板的一种结构示意图；
图2为本发明的实施例1的阵列基板的另一种结构示意图；
图3为本发明的实施例2的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
本发明提供一种阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线；多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置，并限定出多个像素区；其中，至少两行所述像素区中存在未设置有像素单元的像素区，且至少部分行中未设置所述像素单元的像素区的个数不同。也就是说，在本实施例的阵列基板中，至少存在两行的像素单元的个数与其它行像素单元的个数不同。为了便于对本发明的理解，在下述实施例中均以阵列基板包括呈阵列排布的像素区；其中第一行至第N行具有未设置的像素单元的像素区，N为大于等于2的整数为例；且在这N行中第一行的像素单元数最多，也即第一行中具有最少未设置像素单元的像素区。在此需要说明的是，在对本实施例的阵列基板制备之前，通过模拟测试，测试得到第一行至第N行中各行需要补偿的电容值，分别用C1、C2、C3……Cn表示，并其中最小的记作Cmin，而由于第一行中像素单元的数量最少，故可以理解的是，Cmin＝C1。
当然，应当理解的是，阵列基板中任何一行都有可能具有未设置像素单元的像素区，在此不再一一列举。
实施例1：
如图1所示，本实施例提供一种阵列基板，包括：多条栅线(Gate1-Gate N+2)和多条数据线(Data1-Data M)；多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置，并限定出多个像素区；其中，第一行至第N行具有未设置的像素单元Pixel的像素区，N为大于等于2的整数，在本实施例的阵列基板中还包括N个开关单元1、N-1个差值补偿电容(也即图1中所示的Cx2-Cxn-1)，一个共用补偿电容Cmin。若在第一行至第N行中，第一行未设置像素单元Pixel的像素区最少，也即该行的像素单元Pixel的个数最多，那么需要补偿的电容值最小，此时可以将C1作为共用补偿电容Cmin，那么出第一行外的其余行还需要补偿的电容值则由差值补偿电容，从第二行至第N行，N-1个差值补偿电容(Cx2-Cxn-1)的电容值分别为(C2-Cmin)、(C3-Cmin)……(Cn-Cmin)。
具体的，第一行栅线Gate1上除连接与之对应的像素单元Pixel外，其上还连接有一个开关单元1；该开关单元1还与共用补偿电容Cmin的第一端连接，并在第一行栅线Gate1被选通时工作，通过该栅线Gate1的工作电平信号对共用补偿电容Cmin进行充电，完成第一行像素单元Pixel的电容补偿。
第二行至第N行栅线分别连接与之对应的差值补偿电容和开关单元1，每行所对应的差值补偿电容的电容值分别为(C2-Cmin)、(C3-Cmin)……(Cn-Cmin)；每行栅线还均与共用补偿电容Cmin的第一端连接；这样一来，在每行栅线被选通时工作，通过该栅线的工作电平信号对差值补偿电容和共用补偿电容Cmin进行充电，以完成与该行栅线对应的像素单元Pixel的电容补偿。
各个差值补偿电容的第二端、共用补偿电容Cmin的第二端均连接参考电压端。
由于本实施例中通过多个差值补偿电容(Cx2-Cxn-1)和一个共用补偿电容Cmin进行电容补偿，其中，共用补偿电容Cmin为需要进行补偿电容的像单元行中最小的一者，且该行通过共用补偿电容Cmin补偿即可，较现有技术中每行采用与之对应的电容来补偿而言，电容的设置个数相同，但是差值补偿电容由于电容值小于该像素单元Pixel行中需要补偿的电容值，故差值补偿电容的面积可以小于现有技术中的与之相对应的补偿电容的面积，因此，本实施例的阵列基板可以解决现有技术中，将每行补偿电容及走线沿未设置像素单元Pixel的像素区边框布置，导致边框变宽的问题。
具体的，本实施例的开关单元1可以采用开关晶体管T1；其中，该开关晶体管T1的第一极和控制极连接与之对应的栅线，第二极连接共用补偿电容Cmin的第一端；若在开关晶体管T1所连接的栅线上连接有差值补偿电容，该开关晶体管T1的第一极还连接差值补偿电容的第一端。该开关晶体管T1的类型取决于栅线的被选通的工作电压，当栅线在高电平信号的控制下导通，此时开关晶体管T1的类型选用N型晶体管；而当栅线在低电平信号的控制下导通，此时开关晶体管T1的类型则选用P型晶体管。在本实施例中以栅线被输入低电平信号时选通为例进行说明。
其中，当第一行栅线Gate1被写入低电平信号时，连接在第一行栅线Gate1上的开关晶体管T1被打开，此时，栅线Gate1上的低电平信号通过开关晶体管T1给共用补偿电容Cmin充电，以完成第一行像素单元Pixel的电容补偿；当第一行栅线Gate1扫描结束，给第二行栅线Gate2写入低电平信号，连接在第二行栅线Gate2上的开关晶体管T1被打开，此时，栅线Gate2上输出的低电平信号的低电平给差值补偿电容Cx1充电，并通过连接其上的开关晶体管T1给共补偿电容充电，以完成第二行像素单元Pixel的电容补偿；之后，按照第二行的补偿方法，依次完成第三行至第N行像素单元Pixel的电容补偿。
其中，由于第一行至第N行像素单元Pixel连接同一个共用补偿电容Cmin，当前行的栅线扫描信号通过共用补偿电容Cmin时，共用补偿电容Cmin的电位发生相位改变，为避免下一行栅线被选通时受到该电位的影响，如图2所示，在本实施例的阵列基板中还设置一个复位单元2，用于在当前行栅线被关断后，下一行栅线被选通之前，通过复位信号对共用补偿电容Cmin的第一端的电位进行复位，以使每一行像素单元Pixel在进行电容补偿时，共用补偿电容Cmin的电位初始状态都相同，以保证共用补偿电容Cmin对每一行栅线都一致。
具体的，该复位单元2包括复位晶体管T2；其中，该复位晶体管T2的第一极连接共用补偿电容Cmin的第一端，第二极连接复位信号端VGH，控制极连接复位控制信号端GCL；为了方便阵列基板的制备，复位晶体管T2的类型可以选用与开关晶体管T1相同的类型，也即采用P型晶体管；当然，采用N型晶体管也是可行的，只是复位控制信号端GCL输出的工作电平信号为高电平信号而已。当复位晶体管T2采用P型晶体管时，复位信号端VGH输出高电平信号作为复位信号；这样一来，复位信号端VGH可以采用高电平信号端。
其中，当其中一行栅线扫描结束后，复位控制信号端GCL被输入低电平信号，复位晶体管T2打开，复位信号端VGH输入高电平信号，以对共用补偿电容Cmin进行复位。
相应的，在本实施例中还提供了一种上述阵列基板的驱动方法，包括：对于第一行至第N行栅线进行逐行扫描时，对相应行的栅线扫描时，通过给栅线输入的工作电平信号，控制开关单元1工作，并通过该工作电平信号给差值补偿电容和共用补偿电容Cmin进行充电，以完成每一行像素单元Pixel的电容补偿。
本实施例的驱动方法还可以包括在每一行栅线扫描结束，另一行栅线扫描开始之前，通过复位单元2对共用补偿电容Cmin进行复位的步骤。
为了更清楚本实施例阵列基板的驱动方法，以开关单元1为开关晶体管T1，复位单元2为复位晶体管T2，且开关晶体管T1和复位晶体管T2为p型晶体管为例，对本实施例中的驱动方法进行说明。该驱动方法包括如下步骤：
给第一行栅线Gate1输入工作电平信号(低电平信号)，该行栅线连接的开关晶体管T1被打开，栅线输出的低电平信号给共用补偿电容Cmin充电，以完成第一行像素单元Pixel的电容补偿。
第一行栅线Gate1输入非工作电平信号(高电平信号)，该行栅线被关断，给复位控制信号端GCL输入低电平信号，复位晶体管T2打开，通过复位信号端VGH输入的复位信号对共用补偿电容Cmin进行复位。
给第二行栅线Gate2输入低电平信号，与该行栅线Gate2连接的开关晶体管T1被打开，第二行栅线Gate2上连接的差值补偿电容Cx1通过开关晶体管T1与共用补偿电容Cmin，并通过栅线Gate2输出的低电平信号给差值补偿电容Cx1和共用补偿电容Cmin进行充电，以完成第二行像素单元Pixel的电容补偿。
按照第一行电容补偿完成后对共用补偿电容Cmin复位的方法，在第二行电容补偿完成后，对共用补偿电容Cmin复位。
按照对第二行进行电容补偿的方式依次完成，其余行的电容补偿，以及在每一行电容补偿完成后，均对共用补偿电容Cmin进行复位。
实施例2：
如图3所示，本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板的结构与实施例1中的阵列基板的结构大致相同，区别在于，该阵列基板包括N-2个差值补偿电容，两个共用补偿电容Cmin，分别用第一共用补偿电容Cmin1和第二共用补偿电容Cmin2表示。具体的，将第一行至第N行按照奇偶划分，其中，以N为偶数，奇数行中具有未设置像素单元Pixel的像素区最少的一者为第一行，偶数行中具有未设置像素单元Pixel的像素区最少的一者为第二行为例进行说明。这样一来，可以将第一行像素单元Pixel需要补偿的电容作为第一共用补偿电容Cmin1，将第二行像素单元Pixel需要补偿的电容作为第二补偿电容。除第一行外的奇数行栅线上连接的差值补偿电容的电容值为该行像素单元Pixel需要补偿的电容值与第一共用补偿电容Cmin1的差值；除第二行外的偶数行栅线上连接的差值补偿电容的电容值为该行像素单元Pixel需要补偿的电容值与第二共用补偿电容Cmin2的差值。
具体的，在第一行栅线Gate1通过与之对应的开关单元1与第一共用补偿电容Cmin1的第一端连接；第二行栅线Gate2通过与之对应的开关单元1与第二共用补偿电容Cmin2的第一端连接。
在第三行至第N行栅线(Gate3-GateN)中，每行栅线上均连接与各自对应的差值补偿电容的第一端，每个差值补偿电容的第一端还连接与之对应开关单元1，且位于奇数行栅线通过该开关单元1将差值补偿电容的第一端和第一共用补偿电容Cmin1的第一端连接，位于偶数行的栅线通过开关单元1将差值补偿电容的第一端和第二共用补偿的第一端连接。
可以看出的是，本实施例的阵列基板较实施例1而言，区别在于，位于奇数行的像素单元Pixel和位于偶数行的像素单元Pixel是通过不同的共用补偿电容Cmin进行电容补偿的，也即在本实施例的阵列基板中设置了为奇数行进行电容补偿的第一共用补偿电容Cmin1，为偶数行进行电容补偿的第二共用补偿电容Cmin2。之所以如此设置，是因为在对栅线进行扫描时，为保证每行栅线能够很好的充电，任意两行的栅线工作电平存在交叠，若采用一个共用补偿电容Cmin则会造成一个共用补偿电容Cmin同时给两行像素单元Pixel进行补偿，导致电容补偿不够精准，而在本实施例中将两相邻行像素单元Pixel采用不同的共用补偿电容Cmin，则可以有效的解决前述问题。
具体的，本实施例的开关单元1可以采用开关晶体管T1；其中，对于连接在位于奇数行栅线的开关晶体管T1，该开关晶体管T1的第一极和控制极连接与之对应的栅线，第二极连接第一共用补偿电容Cmin1的第一端；对于连接在位于偶数行栅线上的开关晶体管T1，该开关晶体管T1的第一极和控制极连接与之对应的栅线，第二极连接第二共用补偿电容Cmin2的第一端；若在开关晶体管T1所连接的栅线上连接有差值补偿电容，该开关晶体管T1的第一极还连接差值补偿电容的第一端。该开关晶体管T1的类型取决于栅线的被选通的工作电压，当栅线在高电平信号的控制下导通，此时开关晶体管T1的类型选用N型晶体管；而当栅线在低电平信号的控制下导通，此时开关晶体管T1的类型则选用P型晶体管。在本实施例中以栅线被输入低电平信号时选通为例进行说明。
其中，当第一行栅线Gate1被写入低电平信号时，连接在第一行栅线Gate1上的开关晶体管T1被打开，此时，栅线Gate1上的低电平信号通过开关晶体管T1给第一共用补偿电容Cmin1充电，以完成第一行像素单元Pixel的电容补偿；当第一行栅线Gate1扫描结束，给第二行栅线Gate2写入低电平信号，连接在第二行栅线Gate2上的开关晶体管T1被打开，此时，栅线Gate2上低电平信号通过连接其上的开关晶体管T1给第二共用补偿电容Cmin2充电，以完成第二行像素单元Pixel的电容补偿；之后，给第三行栅线Gate3写入低电平信号，连接在第三行栅线Gate3上的开关晶体管T1被打开，此时栅线Gate3将其上连接差值补偿电容Cx2和第一共用补偿电容Cmin1连接，通过差值补偿电容Cx2和第一共用补偿电容Cmin1对第三行像素单元Pixel进行电容补偿；接下来，给第四行栅线Gate4写入低电平信号，连接在第四行栅线Gate4上的开关晶体管T1被打开，此时栅线将其上连接差值补偿电容Cx3和第二共用补偿电容Cmin2连接，通过差值补偿电容Cx3和第二共用补偿电容Cmin2对第四行像素单元Pixel进行电容补偿；同理，在对奇数行进行扫描时，按照第三行像素单元Pixel的补偿方法，依次对其余奇数行的像素单元Pixel进行电容补偿；在对偶数行进行扫描时，按照第四行像素单元Pixel的补偿方法，依次对其余偶数行的像素单元Pixel进行电容补偿。
由于在本实施例的阵列基板中具有第一共用补偿电容Cmin1和第二共用补偿电容Cmin2这两个共用补偿电容Cmin，相应的，在本实施例的阵列基板中设置两个复位单元2，分别用第一复位单元21和第二复位单元22表示；其中，第一复位单元21，用于在与之连接的栅线关断时，对第一共用补偿电容Cmin1进行复位；第二复位单元22，用于在与之连接的栅线关断时，对第二补偿电容进行复位。
具体的，第一复位单元21包括第一复位晶体管T21；其中，第一复位晶体管T21的第一极连接位于奇数行的栅线，以及第一共用补偿电容Cmin1的第一端，第二极连接复位信号端VGH，控制极连接第一复位信号控制端；第二复位单元22包括第二复位晶体管T22；其中，第二复位晶体管T22的第一极连接位于偶数行的栅线，以及第二共用补偿电容Cmin2的第一端，第二极连接复位信号端VGH，控制极连接第二复位控制信号端GCB。
其中，第一复位晶体管T21和第二复位晶体管T22均可以P型晶体管，这样一来，与开关晶体管T1类型相同，以便于植被；当然，采用N型晶体管也是可行的，只是复位控制信号端GCL输出的工作电平信号为高电平信号而已。对于位于奇数行的栅线中的每行，在扫描完成后，第一复位控制信号端GCK则被输入低电平信号，以使第一复位晶体管T21打开，此时通过复位信号端VGH输入的复位信号对第一共用补偿电容Cmin1第一端的电位进行复位；同理，于位于偶数行的栅线中的每行，在扫描完成后，第二复位控制信号端GCB则被输入低电平信号，以使第二复位晶体管T22打开，此时通过复位信号端VGH输入的复位信号对第二共用补偿电容Cmin2第一端的电位进行复位。
其中，本实施例中的阵列基板可以是双边驱动型阵列基板，也即在每行栅线的两端均设置有栅极驱动电路，也即每条栅线的第一端和第二端连接不同的栅极驱动电路。
相应的，在本实施例中还提供了一种上述阵列基板的驱动方法，包括：对于第一行至第N行栅线(Gate1-GateN)进行逐行扫描时，对奇数行栅线的行的栅线扫描时，通过给栅线输入的工作电平信号，控制开关单元1工作，并通过该工作电平信号给差值补偿电容和第一共用补偿电容Cmin1进行充电，以完成奇数行中的每行像素单元Pixel的电容补偿；对偶数行进行的栅线扫描时，通过给栅线输入的工作电平信号，控制开关单元1工作，并通过该工作电平信号给差值补偿电容和第二共用补偿电容Cmin2进行充电，以完成偶数行中的每行像素单元Pixel的电容补偿。
本实施例的驱动方法还可以包括在奇数行中的每行栅线扫描结束，与之相邻的栅线扫描开始之前，通过第一复位单元21对第一共用补偿电容Cmin1进行复位；在偶数行中的每行栅线扫描结束，与之相邻的栅线扫描开始之前，通过第二复位单元22对第二共用补偿电容Cmin2进行复位的步骤。
为了更清楚本实施例阵列基板的驱动方法，以开关单元1为开关晶体管T1，第一复位单元21为第一复位晶体管T21，第二复位单元22为第二复位晶体管T22，且开关晶体管T1和第一复位晶体管T21、第二复位晶体管T22为p型晶体管为例，对本实施例中的驱动方法进行说明。该驱动方法包括如下步骤：
给第一行栅线输入工作电平信号(低电平信号)，该行栅线连接的开关晶体管T1被打开，栅线输出的低电平信号给第一共用补偿电容Cmin1充电，以完成第一行像素单元Pixel的电容补偿。
第一行栅线Gate1输入非工作电平信号(高电平信号)，该行栅线Gate1被关断，给第一复位控制信号端GCK输入低电平信号，第一复位晶体管T21打开，通过复位信号端VGH输入的复位信号对第一共用补偿电容Cmin1进行复位。
给第二行栅线Gate2输入低电平信号，该行栅线Gate2连接的开关晶体管T1被打开，栅线Gate2输出的低电平信号给第二共用补偿电容Cmin2充电，以完成第二行像素单元Pixel的电容补偿。
第二行栅线Gate3输入高电平信号，该行栅线被关断，给第二复位控制信号端GCB输入低电平信号，第二复位晶体管T22打开，通过复位信号端VGH输入的复位信号对第二共用补偿电容Cmin2进行复位。
给第三行栅线Gate3输入低电平信号，与该行栅线Gate3连接的开关晶体管T1被打开，第三行栅线Gate3上连接的差值补偿电容Cx2通过开关晶体管T1与第一共用补偿电容Cmin1，并通过栅线输出的低电平信号给差值补偿电容和第一共用补偿电容Cmin1进行充电，以完成第三行像素单元Pixel的电容补偿。
按照第一行电容补偿完成后对共用补偿电容Cmin复位的方法，在第三行电容补偿完成后，对共用补偿电容Cmin复位。
给第四行栅线Gate4输入低电平信号，与该行栅线Gate4连接的开关晶体管T1被打开，第四行栅线Gate4上连接的差值补偿电容Cx3通过开关晶体管T1与第二共用补偿电容Cmin2，并通过栅线Gate4输出的低电平信号给差值补偿电容Cx3和第二共用补偿电容Cmin2进行充电，以完成第四行像素单元Pixel的电容补偿。
按照第二行电容补偿完成后对共用补偿电容Cmin复位的方法，在第四行电容补偿完成后，对共用补偿电容Cmin复位。
按照对第三行进行电容补偿的方式，依次完成其余奇数行的电容补偿，以及在每一行电容补偿完成后，均对共用补偿电容Cmin进行复位。
按照对第四行进行电容补偿的方式，依次完成其余偶数行的电容补偿，以及在每二行电容补偿完成后，均对共用补偿电容Cmin进行复位。
实施例3:
本实施例中提供了一种显示装置，该显示装置包括实施例1或2中的阵列基板，故其性能较好。
该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线；多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置，并限定出多个像素区；其中，至少两行所述像素区中存在未设置有像素单元的像素区，且至少部分行中未设置所述像素单元的像素区的个数不同；其特征在于，所述阵列基板还包括：共用补偿电容和开关单元；
所述共用补偿电容的电容值为与之连接的像素单元数量最少的一行像素区所需要补偿的电容值；
具有未设置像素单元的像素区的多行像素区中，除像素单元最少的一行像素区外，每行像素区所对应的栅线均连接有差值补偿电容和开关单元；
所述差值补偿电容的电容值为与之连接的一行像素区所需要补偿的电容值与所述共用补偿电容的电容值之差；
其中，每个所述差值补偿电容和所述共用补偿电容的第一端均连接与之对应的栅线，第二端均连接参考电压端；
所述开关单元，用于在对应与之连接的所述差值补偿电容的栅线被选通时打开，并通过该栅线输出的工作电平信号给所述差值补偿电容和共用电容充电；
所述阵列基板还包括：复位单元；其中，
所述复位单元，用于在所述栅线被关断时，对与该栅线连接的所述共用补偿电容进行复位。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述共用补偿电容的数量为两个，记作第一共用补偿电容和第二共用补偿电容；所述复位单元的数量为两个，记作第一复位单元和第二复位单元；其中，
位于奇数行的所述栅线连接所述第一共用补偿电容的第一端，位于偶数行的所述栅线连接所述第二共用补偿电容的第一端；所述第一共用补偿电容的第二端和所述第二共用补偿电容的第二端均连接所述参考电压端；
所述第一复位单元连接所述第一共用补偿电容的第一端；所述第二复位单元连接所述第二共用补偿电容的第一端。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一复位单元包括第一复位晶体管；所述第二复位单元包括第二复位晶体管；其中，
所述第一复位晶体管的第一极连接与之对应的所述栅线和所述第一共用补偿电容的第一端，第二极连接复位信号端，控制极连接第一复位控制信号端；
所述第二复位晶体管的第一极连接与之对应的所述栅线和所述第二共用补偿电容的第一端，第二极连接复位信号端，控制极连接第二复位控制信号端。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关单元包括开关晶体管；其中，
所述开关晶体管的第一极和栅极均连接与之对应的所述栅线，第二极连接与之对应的所述共用补偿电容的第一端。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述栅线连接的栅极驱动电路，且每条栅线的第一端和第二端分别连接不同的所述栅极驱动电路。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包括：在栅线被选通时，开关单元被选通，通过栅极上输出的工作电平信号为差值补偿电容和共用补偿电容进行充电。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法还包括：
在所述栅线被关断时，控制复位单元打开，对与之连接的所述共用补偿电容进行复位。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。
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