CN109610003A - 一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法 - Google Patents

一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109610003A
CN109610003A CN201910002575.XA CN201910002575A CN109610003A CN 109610003 A CN109610003 A CN 109610003A CN 201910002575 A CN201910002575 A CN 201910002575A CN 109610003 A CN109610003 A CN 109610003A
Authority
CN
China
Prior art keywords
platform
translation stage
scraper
thermally conductive
conductive sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910002575.XA
Other languages
English (en)
Inventor
胡文平
汪涛
任晓辰
耿博文
赵生盛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201910002575.XA priority Critical patent/CN109610003A/zh
Publication of CN109610003A publication Critical patent/CN109610003A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54—Organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/02—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent
    • C30B7/06—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent using non-aqueous solvents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法。该设备包括基座板、电动平移台、升降台、俯仰台、刮臂、刮刀、散热底座、半导体电制冷片、导热片；散热底座固定设置在电动平移台的动作平台上，半导体电制冷片固定于散热底座上，导热片设置于半导体电制冷片上；升降台位于电动平移台的一侧并固定在基座板上，刮臂的一端固定安装在俯仰台的动作台上，刮臂的另一端安装刮刀。本设备可以调节基底与刮刀的间距，通过精确控温控制溶剂蒸发速率，通过电动平移台精确控制刮刀匀速刮涂有机溶液，从而实现大面积有机单晶的生长。本设备特别适用于高校、科研院所或者企业研发部门作为实验设备使用。

Description

一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法
技术领域
本发明属于有机电子学技术领域，具体涉及一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法。
背景技术
二维有机半导体晶体有效地结合了有机单晶中分子排列长程有序、无晶界、杂质与缺陷少以及二维材料柔韧性好、透明性高、易于制做高集成度器件的优点，是研究材料结构与性能关系、揭示有机半导体材料的本征性能、探索载流子传输模式、构筑高性能晶体管器件和大规模柔性集成电路的最佳选择，近年来吸引了人们越来越多的专注。单晶既是广泛应用于半导体器件、固体激光器件、光学仪器和仪表等的重要材料，同时在固体理论研究中发挥了重要作用。在实际应用中，人们总是希望获得更大体积、更高质量的晶体，这就需要不断探索晶体的生长技术，研究晶体的生长规律，按实际需求生长晶体。较于相应三维块材晶体，超薄的二维晶体除了与生俱来的柔韧性，还可以体现出材料增强的本征性能，同时还可能因量子局域效应产生一些块材所不具有的新性质。有机晶体靠弱的范德华力结合，这种弱的相互作用导致有机单晶的生长极易受到外界条件(溶剂种类、溶液浓度、温度、湿度等)的影响，使得有机单晶多以微纳晶或者多晶的状态存在。有机单晶的生长涉及到复杂的分子间相互作用，包括同种分子之间与异质分子之间的相互作用，如何了解、控制和利用这些相互作用，设计恰当的晶体生长方法，制备得到满足需求的二维有机半导体晶体，就成了一个亟待解决的难题。
目前，二维有机半导体晶体的研究存在几个突出问题：晶体的可控生长。不同于无机晶体，有机晶体中分子以弱的范德华力相结合，影响分子结晶的因素十分复杂。同时，与无机半导体材料相比，有机半导体分子种类繁多，在有机合成学家们的持续努力下，新的有机半导体分子不断涌现。如何从大量的有机半导体分子中寻找到合适的分子并设计相应的晶体生长技术，对于制备二维有机半导体晶体来说，是一个非常大的挑战。传统的无机半导体材料和器件目前使用自上而下的制造方法制造，该方法涉及多个数千华氏度的高温处理步骤。溶液法制备有机半导体的主要挑战之一是在印刷/涂覆过程中对薄膜形态的控制，往往不同的薄膜形态构筑的器件性能具有数量级上的差异。所以我们在溶液加工有机半导体时，对半导体薄膜的形态控制是非常重要的。目前主流的有机半导体材料制备方法主要有热蒸镀、提拉法、溶液外延法。这些都不能达到对有机半导体成膜过程中精确的控制。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法。该设备针对各种有机物为溶剂时的晶体生长，可以通过显微镜具体调节基底与刮刀的间距；基底通过精确控温控制溶剂蒸发速率，通过电动平移台精确控制刮刀匀速刮涂有机溶液，从而实现大面积有机单晶的生长。本设备特别适用于高校、科研院所或者企业研发部门作为实验设备使用。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种新型可控有机晶体生长设备，包括基座板、电动平移台、升降台、俯仰台、刮臂、刮刀、散热底座、半导体电制冷片、导热片；
所述电动平移台固定安装在基座板上，散热底座固定设置在电动平移台的动作平台上，所述半导体电制冷片固定于散热底座的上表面，所述导热片设置于半导体电制冷片上；
所述升降台位于电动平移台的一侧并固定在基座板上，俯仰台安装在升降台上，所述刮臂的一端固定安装在俯仰台的动作台上，刮臂的另一端安装刮刀，通过升降台调节刮刀的高度，通过俯仰台调节刮刀俯仰角度。
在上述技术方案中，所述导热片采用一铜片。
在上述技术方案中，铜片上设置有用于安装热电阻探头的安装孔，将热电阻探头嵌入在该安装孔中，用于采集导热片的实时温度数据。
在上述技术方案中，半导体电制冷片外接直流电源，根据导热片上的热电阻探头反馈的实时温度数据，通过对半导体电制冷片输入电流的控制，可实现对导热片的高精度温度控制。
在上述技术方案中，所述刮刀为立方体形状，立方体的一个顶边作为刀刃。
在上述技术方案中，所述的为半导体电制冷片供电的直流电源采用可编程直流电源，其与PC连接，该可编程直流电源选用Henghui PLD-3605M型号；PC通过数据采集器与热电阻探头连接，PC通过labview编程，采用PID算法，实现对导热片的高精度温度控制。
在上述技术方案中，所述电动平移台的型号为Thorlabs的直驱线性平移台DDSM100，其提供精度为0.5um的100mm行程，该电动平移台的伺服驱动电机连接PC，通过Kinesis软件控制电动平移台的各项参数。
在上述技术方案中，所述升降台的型号为GCM-162。
在上述技术方案中，所述俯仰台的型号为GCM-190，俯仰角度±3°，线程10mm。
利用所述新型可控有机晶体生长设备制备有机单晶的方法如下：
将洗净的硅片放置于导热片上，调节升降台和俯仰台，使刮刀的刀刃距离硅片一定距离并且保持与硅片平行，在电动平移台的旁边设置有显微镜，调节过程中，利用显微镜观察刀刃和硅片的距离；然后设置导热片温度，待温度稳定后，通过移液枪向硅片上滴入有机晶体生长原液，设置电动平移台移速，并启动电动平移台，等待刮刀完全移过硅片，在硅片上获得了整块单晶。
进一步的，刮刀的刀刃距离硅片40-80um；设置电动平移台移速为0.2-0.6mm/s。
本发明的优点和有益效果为：
本发明的新型可控有机晶体生长设备针对各种有机物为溶剂时的晶体生长，可以通过显微镜具体调节基底与刮刀的间距。基底通过精确控温控制溶剂蒸发速率，通过电动平移台精确控制刮刀匀速刮涂有机溶液，从而实现大面积有机单晶的生长。本设备适用于并五苯、C6-DPA、C8-BTBT等目前主流的各种有机单晶的大面积生长，从而有利于实现有机晶体管的集成。本设备特别适用于高校、科研院所或者企业研发部门作为实验设备使用。
附图说明
图1是本发明的新型可控有机晶体生长设备的结构示意图。
其中：
1：基座板，2：电动平移台，3：升降台，4：俯仰台，5：刮臂，6：刮刀，7：散热底座，8：半导体电制冷片，9：导热片，10：硅片。
对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据以上附图获得其他的相关附图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
实施例一
参见附图，一种新型可控有机晶体生长设备，包括基座板1、电动平移台2、升降台3、俯仰台4、刮臂5、刮刀6、散热底座7、半导体电制冷片8、导热片9。
所述电动平移台2固定安装在基座板1上，散热底座7通过螺丝固定设置在电动平移台的动作平台21上，所述半导体电制冷片8通过双面胶贴合固定于散热底座7的上表面，所述导热片9水平设置于半导体电制冷片8上。
所述升降台3位于电动平移台2的一侧并固定在基座板1上，俯仰台4安装在升降台3上，所述刮臂5的一端固定安装在俯仰台4的动作台上，刮臂的另一端安装刮刀6。通过升降台调节刮刀的高度，通过俯仰台调节刮刀俯仰角度。
进一步的说，所述导热片9采用一铜片，铜片上设置有用于安装热电阻探头的安装孔，将热电阻探头嵌入在该安装孔中，用于采集导热片的实时温度数据。
进一步的说，所述半导体制冷片既能制冷，又能加热，因此使用一个片件就可以代替分立的加热系统和制冷系统。半导体电制冷片外接直流电源，根据导热片上的热电阻探头反馈的实时温度数据，通过对半导体电制冷片输入电流的控制，可实现对导热片的高精度温度控制。更进一步的说，所述的为半导体电制冷片供电的直流电源采用可编程直流电源，其与PC连接，该可编程直流电源选用Henghui PLD-3605M型号；PC通过数据采集器与热电阻探头连接(热电阻探头的信号输出端连接数据采集器，数据采集器型号为MPS-150601，数据采集器连接PC串口，将采集的温度数据发送给PC)，PC通过labview编程，采用PID算法，实现对导热片的高精度温度控制。
进一步的说，所述刮刀为立方体形状，立方体的一个顶边作为刀刃。
进一步的说，所述刮刀还可以是其他形状。
实施例二
进一步的说，所述电动平移台的型号为Thorlabs的直驱线性平移台DDSM100，其提供精度为0.5um的100mm行程，该平移台适合用于高精度的控制场合，该电动平移台的伺服驱动电机连接PC，通过Kinesis软件控制电动平移台的各项参数。
所述升降台的型号为GCM-162。所述俯仰台的型号为GCM-190，俯仰角度±3°，线程10mm。
实施例三
使用上述实施例的新型可控有机晶体生长设备制备C6-DPA有机单晶的方法如下：
首先配置C6-DPA溶液，然后将洗净的硅片10放置于导热片9上，调节升降台3和俯仰台4，使刮刀的刀刃距离硅片50um并且保持与硅片10平行(在电动平移台的旁边设置有显微镜，调节过程中，利用显微镜观察刀刃和硅片的距离)，设置导热片温度40℃，精度±0.1℃，待稳定后，通过移液枪向硅片10上滴入10uL的C6-DPA溶液，设置电动平移台2移速为0.4mm/s，等待刮刀6完全移过硅片10，在硅片上获得了整块C6-DPA单晶。
以上对本发明做了示例性的描述，应该说明的是，在不脱离本发明的核心的情况下，任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：包括基座板、电动平移台、升降台、俯仰台、刮臂、刮刀、散热底座、半导体电制冷片、导热片；
所述电动平移台固定安装在基座板上，散热底座固定设置在电动平移台的动作平台上，所述半导体电制冷片固定于散热底座的上表面，所述导热片设置于半导体电制冷片上；
所述升降台位于电动平移台的一侧并固定在基座板上，俯仰台安装在升降台上，所述刮臂的一端固定安装在俯仰台的动作台上，刮臂的另一端安装刮刀，通过升降台调节刮刀的高度，通过俯仰台调节刮刀俯仰角度。
2.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述导热片采用一铜片。
3.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：铜片上设置有用于安装热电阻探头的安装孔，将热电阻探头嵌入在该安装孔中，用于采集导热片的实时温度数据。
4.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：半导体电制冷片外接直流电源，根据导热片上的热电阻探头反馈的实时温度数据，通过对半导体电制冷片输入电流的控制，可实现对导热片的高精度温度控制。
5.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述刮刀为立方体形状，立方体的一个顶边作为刀刃。
6.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述的为半导体电制冷片供电的直流电源采用可编程直流电源，其与PC连接，该可编程直流电源选用Henghui PLD-3605M型号；PC通过数据采集器与热电阻探头连接，PC通过labview编程，采用PID算法，实现对导热片的高精度温度控制。
7.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述电动平移台的型号为Thorlabs的直驱线性平移台DDSM100，其提供精度为0.5um的100mm行程，该电动平移台的伺服驱动电机连接PC，通过Kinesis软件控制电动平移台的各项参数。
8.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述升降台的型号为GCM-162。
9.根据权利要求1所述的新型可控有机晶体生长设备制备有机单晶的方法，其特征在于：将洗净的硅片放置于导热片上，调节升降台和俯仰台，使刮刀的刀刃距离硅片一定距离并且保持与硅片平行，在电动平移台的旁边设置有显微镜，调节过程中，利用显微镜观察刀刃和硅片的距离；然后设置导热片温度，待温度稳定后，通过移液枪向硅片上滴入有机晶体生长原液，设置电动平移台移速，并启动电动平移台，等待刮刀完全移过硅片，在硅片上获得了整块有机单晶。
10.根据权利要求9所述的新型可控有机晶体生长设备制备有机单晶的方法，其特征在于：刮刀的刀刃距离硅片40-80um；设置电动平移台移速为0.2-0.6mm/s。
CN201910002575.XA 2019-01-02 2019-01-02 一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法 Pending CN109610003A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910002575.XA CN109610003A (zh) 2019-01-02 2019-01-02 一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910002575.XA CN109610003A (zh) 2019-01-02 2019-01-02 一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109610003A true CN109610003A (zh) 2019-04-12

Family

ID=66016040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910002575.XA Pending CN109610003A (zh) 2019-01-02 2019-01-02 一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109610003A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113981541A (zh) * 2021-12-27 2022-01-28 天津大学 一种生长有机半导体单晶的方法及装置
CN114622163A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种简单且可控的分子蒸发方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200421931A (en) * 2003-03-07 2004-10-16 Junji Kido Coating apparatus and method for manufacturing organic electronic device
KR100818614B1 (ko) * 2007-04-09 2008-04-02 주식회사 나래나노텍 플레이트-투-플레이트 인쇄방식을 이용한 반도체 웨이퍼코팅용 장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 코팅방법
CN104608507A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 南京华印半导体有限公司 一种印刷半导体集成制造设备
CN105437542A (zh) * 2014-08-25 2016-03-30 上海联泰科技有限公司 用于光固化快速成型的自动调节涂覆装置
CN105789104A (zh) * 2016-03-16 2016-07-20 浙江晶能光电有限公司 一种用于制备电池片的生产系统
CN106585069A (zh) * 2016-12-23 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板、面板及丝网印刷机制作柔性基板、面板的方法
CN108475644A (zh) * 2016-02-03 2018-08-31 富士胶片株式会社 有机半导体膜的制造方法
CN108496245A (zh) * 2016-02-03 2018-09-04 富士胶片株式会社 有机半导体膜的制造装置
CN209906928U (zh) * 2019-01-02 2020-01-07 天津大学 一种新型可控有机晶体生长设备

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200421931A (en) * 2003-03-07 2004-10-16 Junji Kido Coating apparatus and method for manufacturing organic electronic device
US20060162650A1 (en) * 2003-03-07 2006-07-27 Junji Kido Coating apparatus and organic electronic device fabricating method
KR100818614B1 (ko) * 2007-04-09 2008-04-02 주식회사 나래나노텍 플레이트-투-플레이트 인쇄방식을 이용한 반도체 웨이퍼코팅용 장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 코팅방법
CN105437542A (zh) * 2014-08-25 2016-03-30 上海联泰科技有限公司 用于光固化快速成型的自动调节涂覆装置
CN104608507A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 南京华印半导体有限公司 一种印刷半导体集成制造设备
CN108475644A (zh) * 2016-02-03 2018-08-31 富士胶片株式会社 有机半导体膜的制造方法
CN108496245A (zh) * 2016-02-03 2018-09-04 富士胶片株式会社 有机半导体膜的制造装置
CN105789104A (zh) * 2016-03-16 2016-07-20 浙江晶能光电有限公司 一种用于制备电池片的生产系统
CN106585069A (zh) * 2016-12-23 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板、面板及丝网印刷机制作柔性基板、面板的方法
CN209906928U (zh) * 2019-01-02 2020-01-07 天津大学 一种新型可控有机晶体生长设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114622163A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种简单且可控的分子蒸发方法
CN114622163B (zh) * 2020-12-10 2022-12-27 中国科学院大连化学物理研究所 一种简单且可控的分子蒸发方法
CN113981541A (zh) * 2021-12-27 2022-01-28 天津大学 一种生长有机半导体单晶的方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tao et al. The effect of seed layer on morphology of ZnO nanorod arrays grown by hydrothermal method
CN109610003A (zh) 一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法
CN106283195B (zh) 连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法
CN107287578B (zh) 一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法
CN101106092A (zh) Ⅳ-ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法
CN103820769A (zh) 一种反应腔室和mocvd设备
CN105040103A (zh) 一种优质碳化硅晶体生长装置
CN110284189A (zh) 微距升华法生长分子晶体方法与装置
CN105261671A (zh) 一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法
CN100400717C (zh) 控制胶体微球自组装及制备二维、三维光子晶体的方法
CN112647126A (zh) 用于大颗粒mpcvd单晶金刚石控温连续生长的内嵌式水冷台及其应用
CN209906928U (zh) 一种新型可控有机晶体生长设备
CN111733448B (zh) 锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置及调节方法
CN205313716U (zh) 一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构
CN203546203U (zh) 一种用于生长SiC晶体的坩埚
CN206109529U (zh) 一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置
CN105002555B (zh) 一种ZnO单晶纳米片的生长方法
Schwuttke Low cost silicon for solar energy application
CN105442044A (zh) 一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构
CN104875402B (zh) 一种基于可控温、控压、摩擦成膜装置制备聚四氟乙烯有序模板的方法
CN111394794A (zh) 大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用
CN103603040B (zh) 一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法
CN103352251B (zh) 一种溶剂热法制备Sm2O3 纳米阵列的方法
CN219490241U (zh) 一种pecvd多晶硅镀膜腔体循环温控装置
Watanabe et al. Single Crystallization of an Organic Semiconductor in Hydrogel Capillaries for Transferring onto Substrates

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination