CN109605207A - 晶圆处理方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶圆处理方法和装置，晶圆处理方法包括以下步骤：抛光晶圆的切口；抛光晶圆的边缘，重复交替执行抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘，并以抛光晶圆的边缘结束。根据本发明的晶圆处理方法，通过抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘重复交替进行，并以抛光晶圆的边缘结束，改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，通过上述方法处理晶圆不会降低产能，能够通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，减少再作业率，增强晶圆边缘的研磨效果。通过晶圆处理装置能够实现上述的方法，保证晶圆的研磨品质。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆技术领域，特别涉及一种晶圆处理方法和装置。
背景技术
边缘抛光在半导体工程的多个阶段中涂覆时予以防止边缘附近的缺陷导致的不均匀的涂覆，相较于仅被研磨的面状态，被抛光的边缘面的表面强度更高，因而有着予以减少外部冲击导致的裂纹的产生的目的。
就晶圆边缘抛光工程而言，由于其研磨圆面不是平坦面的机构特性，无法在所有方向上进行均匀的研磨，尤其，多发边缘圆边侧研磨不良，且由此产生的边缘再加工降低装备产能，成为提升制造费用的原因。此外，通过毡式垫的边缘收尾工程，边缘粗糙度相对高于表面，因而颗粒有可能陷落于边缘区域，有可能会对后续清洗工程造成不良影响。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种晶圆处理方法。
本发明还提供一种晶圆处理装置，通过晶圆处理装置能够实现晶圆处理方法，能够改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，增强晶圆边缘的研磨效果，提高晶圆的研磨品质。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
根据本发明第一方面实施例的晶圆处理方法，包括以下步骤：
步骤S1，抛光所述晶圆的切口；
步骤S2，抛光所述晶圆的边缘；
重复交替执行步骤S1和步骤S2，并以步骤S2结束。
进一步地，在步骤S2结束之后还包括：
步骤S3，通过绒式垫抛光所述晶圆的边缘。
进一步地，在步骤S1中，通过毡式垫抛光所述晶圆的切口；在步骤S2中，通过毡式垫抛光所述晶圆的边缘。
进一步地，在步骤S1中，所述毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；
在步骤S2中，所述毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
进一步地，在步骤S3中，所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
根据本发明第二方面实施例的晶圆处理装置，包括：
第一抛光结构，用于抛光晶圆的切口；
第二抛光结构，用于抛光所述晶圆的边缘。
进一步地，所述晶圆处理装置还包括：
第三抛光结构，所述第三抛光结构包括绒式垫，所述绒式垫用于抛光所述晶圆的边缘。
进一步地，所述第一抛光结构包括毡式垫，所述第一抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的切口；所述第二抛光结构包括毡式垫，所述第二抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的边缘。
进一步地，所述第一抛光结构用于控制所述第一抛光结构中的毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；
所述第二抛光结构用于控制所述第二抛光结构中的毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
进一步地，所述第三抛光结构用于控制所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：
根据本发明的晶圆处理方法，通过抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘重复交替进行，并以抛光晶圆的边缘结束，改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，通过上述方法处理晶圆不会降低产能，能够通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，减少再作业率，增强晶圆边缘的研磨效果。通过晶圆处理装置能够实现上述的方法，保证晶圆的研磨品质。
附图说明
图1为本发明实施例的晶圆处理方法的流程示意图；
图2a为晶圆局部边缘的一个电镜图；
图2b为晶圆局部边缘的另一个电镜图；
图2c为晶圆局部边缘的又一个电镜图；
图2d为晶圆局部边缘的又一个电镜图；
图3为本发明实施例的晶圆处理装置中第三抛光结构抛光晶圆时的示意图；
图4为本发明实施例的晶圆处理装置中第一抛光结构中的毡式垫抛光晶圆切口时的一个示意图；
图5为本发明实施例的晶圆处理装置中第二抛光结构中的毡式垫抛光晶圆边缘时的示意图；
图6为本发明实施例的晶圆处理装置中第二抛光结构的一个结构示意图。
附图标记：
第一抛光结构10；毡式垫11；
第二抛光结构20；毡式垫21；晶圆夹22；
第三抛光结构30；绒式垫31；
晶圆40；切口41。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面首先具体描述根据本发明实施例的晶圆处理方法。
根据本发明实施例的晶圆处理方法，包括以下步骤：
步骤S1，抛光晶圆的切口；
步骤S2，抛光晶圆的边缘；
重复交替执行步骤S1和步骤S2，并以步骤S2结束。
也就是说，先抛光晶圆的切口，再抛光晶圆的边缘，然后可以依次抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘，步骤S1和步骤S2可以交替进行多次，在最后以抛光晶圆的边缘结束，晶圆完成抛光后，可以将晶圆卸载，浸渍于输送盒中保管。比如，如图1所示，先抛光晶圆的切口，再抛光晶圆的边缘，然后依次抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘，通过交替抛光切口和边缘，能够提高抛光效果，有效去除晶圆上的缺陷。
在重复抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘的过程中，每次抛光晶圆的切口的具体条件可以相同，也可以不同，比如，可以都通过毡式垫进行抛光晶圆的切口，毡式垫的转速可以相同，也可以不同；抛光晶圆的边缘的具体条件可以相同，也可以不同，可以通过毡式垫或绒式垫进行抛光晶圆的边缘。在晶圆未进行抛光之前，晶圆的边缘存在许多缺陷，影响晶圆的质量，如图2a至图2d所示为晶圆局部边缘的电镜图，在图2a中，晶圆的边缘有杂屑；在图2b中，晶圆的边缘被污染，表面不均匀；在图2c中，晶圆的边缘存在裂纹；在图2d中，晶圆的边缘存在刻蚀缺陷，上述缺陷会影响晶圆的质量，通过上述的晶圆处理方法处理之后，能够有效避免上述缺陷，保证晶圆的质量。
现在技术中，一般先一次或连续多次抛光晶圆的切口，切口抛光后再一次或连续多次抛光晶圆的边缘，比如，连续两次抛光切口后，进行缓冲待机，然后再连续两次抛光晶圆的边缘，这样导致边缘的抛光质量下降。而通过上述的晶圆处理方法，可以先抛光晶圆的切口，再抛光晶圆的边缘，切口抛光和边缘抛光可以交替进行多次，比如，先抛光晶圆的切口，再抛光晶圆的边缘，然后依次抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘，最后再通过绒式垫抛光晶圆的边缘。通过绒式垫可以将边缘粗糙度改善至以下，为了补充与之相关的边缘研磨量，可以在缓冲待机阶段中追加晶圆的边缘抛光步骤来补充研磨时间。由于也可以适用与现有工艺相同的各个阶段的研磨时间或其以下的研磨时间，因而不存在步骤追加所带来的产能减少，可以通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，因而能够减少再作业率，通过在最后步骤中用比毡式垫更柔和的绒式垫，能够改善晶圆边缘。
通过上述方法能够改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，能够通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，减少再作业率，增强晶圆边缘的研磨效果。
在一些实施例中，在步骤S1中，可以通过毡式垫抛光晶圆的切口，切口的角度可以为30-50°，毡式垫的抛光时的柔和度小于绒式垫，通过毡式垫进行抛光能够有效去除切口位置的微颗粒或缺陷，改善切口表面；在步骤S2中，可以通过毡式垫抛光晶圆的边缘，通过毡式垫能够有效去除晶圆边缘的污染物，改善晶圆的边缘，提高对晶圆边缘的抛光效果，抛光速度快。
在另一些实施例中，在步骤S1中，毡式垫的转速可以为500-800rpm，毡式垫的转速越快，抛光时间越短，能够提高抛光效率，抛光时间可以为20-60s，浆料的供应速度可以为1-5L/min，抛光时浆料的供应速度越大，越易于抛光，能够提高抛光效果，综合考虑抛光效果和抛光效率，毡式垫的转速选择为500-800rpm，抛光时间选择为20-60s，浆料的供应速度选择为1-5L/min，以便在较短的时间内用较少的浆料达到所需的抛光效果。
在步骤S2中，毡式垫的转速可以为100-400rpm，晶圆的转速可以为5-30rpm，通过毡式垫对晶圆进行抛光，晶圆与毡式垫都转动且相互作用，增强抛光效果，为了保证稳定均匀抛光，晶圆与毡式垫的转速不宜过大，所以毡式垫的转速选择为100-400rpm，晶圆的转速选择为5-30rpm。抛光时间可以为20-60s，浆料的供应速度可以为1-5L/min，浆料的供应速度越大，抛光效果越好，越容易抛光，但是消耗的浆料较多，增加成本，考虑到上述转速和抛光效果，选择抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min，能够达到较好的抛光效果。
根据一些实施例，在步骤S2结束之后还包括：步骤S3，通过绒式垫抛光晶圆的边缘，通过绒式垫可以将边缘粗糙度改善至以下。
优选地，在步骤S3中，绒式垫的转速可以为100-400rpm，晶圆的转速可以为5-30rpm，抛光时间可以为20-60s，浆料的供应速度可以为1-5L/min，通过绒式垫抛光主要为了改善晶圆边缘的表面，晶圆与毡式垫的转速不宜过大，抛光时间过短，浆料的供应速度过小，会使抛光效果不明显，综合考虑抛光效果以及抛光时间，在利用绒式垫进行抛光时选择上述参数。
比如，在具体实施过程中，可以先通过毡式垫抛光晶圆的切口，再通过毡式垫抛光晶圆的边缘，然后通过毡式垫抛光晶圆的切口，再通过毡式垫抛光晶圆的边缘，最后通过绒式垫抛光晶圆的边缘。
根据本发明的晶圆处理方法，通过抛光晶圆的切口和抛光晶圆的边缘重复交替进行，并以抛光晶圆的边缘结束，改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，通过上述方法处理晶圆不会降低产能，能够通过增加边缘面的整体研磨量来减少边缘未研磨导致的缺陷，减少再作业率，增强晶圆边缘的研磨效果。
本发明还提供一种晶圆处理装置，如图3至图6所示，晶圆处理装置包括：第一抛光结构10和第二抛光结构20，第一抛光结构10用于抛光晶圆40的切口41，第二抛光结构20用于抛光晶圆40的边缘。
在一些实施例中，晶圆处理装置还可以包括第三抛光结构30，如图3所示，第三抛光结构30包括绒式垫31，绒式垫31用于抛光晶圆40的边缘。
在另一些实施例中，如图4所示，第一抛光结构10包括毡式垫11，第一抛光结构10中的毡式垫11用于抛光晶圆40的切口41；如图5所示，第二抛光结构20包括毡式垫21，第二抛光结构20中的毡式垫21用于抛光晶圆40的边缘，如图6所示，第二抛光结构20可以包括晶圆夹22，晶圆夹22可以带动晶圆40旋转，毡式垫21可以包括多个，可以同时通过多个毡式垫21进行抛光。晶圆处理装置还可以包括用于装载晶圆的装载结构和用于卸载晶圆的卸载结构，晶圆抛光完成后可以将晶圆通过卸载结构卸载，并保存在输送盒中。
具体地，第一抛光结构10用于控制第一抛光结构10中的毡式垫11的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；
第二抛光结构20用于控制第二抛光结构20中的毡式垫21的转速为100-400rpm，晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
优选地，第三抛光结构30用于控制绒式垫31的转速为100-400rpm，晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
本发明的晶圆处理装置与上述实施例中的晶圆处理方法相对应，具体请参见上述实施例中的晶圆处理方法，在此不再赘述。
通过晶圆处理装置能够实现上述的晶圆处理方法，能够改善切口角附近的突起去除率，提高切口研磨品质，降低边缘区域降落的颗粒对后续工序的影响，增强晶圆的抛光效果。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，抛光所述晶圆的切口；
步骤S2，抛光所述晶圆的边缘；
重复交替执行步骤S1和步骤S2，并以步骤S2结束。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S2结束之后还包括：
步骤S3，通过绒式垫抛光所述晶圆的边缘。
3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，通过毡式垫抛光所述晶圆的切口；在步骤S2中，通过毡式垫抛光所述晶圆的边缘。
4.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S1中，所述毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；
在步骤S2中，所述毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
5.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，在步骤S3中，所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
6.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：
第一抛光结构，用于抛光晶圆的切口；
第二抛光结构，用于抛光所述晶圆的边缘。
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：
第三抛光结构，所述第三抛光结构包括绒式垫，所述绒式垫用于抛光所述晶圆的边缘。
8.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一抛光结构包括毡式垫，所述第一抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的切口；所述第二抛光结构包括毡式垫，所述第二抛光结构中的毡式垫用于抛光所述晶圆的边缘。
9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一抛光结构用于控制所述第一抛光结构中的毡式垫的转速为500-800rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min；
所述第二抛光结构用于控制所述第二抛光结构中的毡式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
10.根据权利要求7所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第三抛光结构用于控制所述绒式垫的转速为100-400rpm，所述晶圆的转速为5-30rpm，抛光时间为20-60s，浆料的供应速度为1-5L/min。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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