1310222 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於將矽晶圓等半導體晶圓表面研磨之方 法0 【先前技術】 製造石夕晶圓之製程之一，有將石夕晶圓表面研磨成鏡面 鲁狀之研磨製程。 研磨製程，係由複數段之粗研磨製程與最終研磨製程 而構成，矽晶圓的表面係階段性的被研磨。 粗研磨製程，係為了將由於其之前的磨光或钱刻製程 對於:夕晶圓所造成的表面損傷，且為了提高平坦度而進 仃。取終研磨製程係為了改善其之前之製程（包含粗研磨製 程）所造成之晶圓表面之粗度（粗糙度）而進行。 在研磨製程中，研磨用懸浮液係一邊供給於石夕晶圓盘 籲^布之間’-邊將發晶圓壓在研磨布側，來研磨石夕晶圓 表面。 在研磨製程中所使用的研磨用懸浮液，係混合研磨粒 (膠體二氧化梦）鱼加工游「拉 …八、加工液(鹼性水溶液)者’藉由研磨粒與 進灯機械研磨，藉由加工液來進行化學研磨(蝕 幻。如此之研磨製程，係藉由機械化學拋光來進行。 研磨布’會隨著使㈣間（次數）的增加而劣化。研磨 之劣化t μ阻塞的現象而顯現。在研磨布的孔 研磨中所發…或研磨粒進入而引起阻塞。研磨4 7054-8039-PF;Ahddub 5 1310222 曰„ ’即表示研磨布表面粗糙，若就這樣研磨矽 曰曰圓’則研磨布表面的粗度會直接複寫於石夕晶圓表面，不 僅矽晶圓表面變粗’且會產生刮傷、缺陷等。 因此為除去殘存於研磨布的研磨粒或石夕肩，防止研磨 布表面粗度複寫㈣晶圓表面，在每隔—定時間，進行研 磨布表面之修整作業（緩和）。在修整作業中，研 時被中斷。 〃 冑由進行修整來研削研磨布之表面，研磨布表面之阻 塞（凹凸）消失，可使布表面清靜且平滑，防止布表面粗度 複寫於晶圓表面使矽晶圓表面變粗，或是刮傷、缺陷等之 發生。又，作為將研磨布修整之方法，一般而言，'係將研 磨布一邊沖水，一邊藉由使鑽石電鐘之薄板或是施以陶竟 表面施以加工之工具’來刷洗研磨布。 在後述專利文獻1 _，記载著··若粗研磨製程終了後， 則在研磨布一邊流過與接下來的最終研磨製程所使用的研 •磨用懸浮液相同pH(pH=8以上）之鹼水溶液，一邊刷洗研磨 布，刷洗結束後，實施最終研磨製程之發明。 又’在後述專利文獻2上，記載著：為除去最終研磨 製程後之在石夕晶圓表面上觀察到的刮傷，僅以不包含研磨 粒之加工液（驗水溶液）來將石夕晶圓表面最終研磨之發明。 【專利文獻1】日本專利特開2003-39310號公報 【專利文獻2】日本專利第3202305號公報 【發明内容】 7054-8039-PF;Ahddub 6 U1uzzz 【發明所欲解決之課題】 實施專利文獻1所記載之於明 結束後，需要一時中斷研磨作 之情况，在粗研磨製程 於沒有進行晶圓表面之研磨作業Y進行刷洗。刷洗中，由 下。 、，所以晶圓之生產效率低 另一方面，實施專利文獻 然可以將在最終研磨製程後之發明之情況，雖 減少到某種程度，但最終研磨製^圓f面所觀察到的到傷 度，反而惡化，特別是塵霧⑷叙石夕晶圓表面之粗 士欲 疋塵霧（周期小的面粗幻劣化。 本發明，係有鑒於如此之情 、 况，以不在途中中斷# 4研磨作業，而可除去殘存於 ^ Η M - 、磨布之矽屑，使晶圓的生 產放羊个降低’不僅可降去 种M日门φ 除去日日圓表面的刮傷、缺陷，也可 改舌日日圓表面粗度作為解決課題。 /第1發明’係一邊將混合了研磨粒與加工液之研磨用 懸淨液供給於半導體晶圓與研磨布之間，一邊將半導體晶 圓屢在研磨布側’將半導體晶圓之表面研磨的製程，以粗 研磨製程、最終研磨製程來進行之半導體晶圓的研磨方 法，其特徵在於：在粗研磨製程於與最終研磨製程之間， 實施一邊將加工液供給於半導體晶圓與研磨布之間，一邊 將半導體晶圓壓在研磨布側，來研磨半導體晶圓之表面之 化學研磨製程。 第2發明’係在第1發明中’接在粗研磨製程後，進 行一邊將潤濕液供給於半導體晶圓與研磨布之間，一邊將 半導體晶圓壓在研磨布側’將半導體晶圓表面研磨之水研 7054-803 9-PF;Ahddub 7 1310222 磨製程Γ磨方法，與水研磨製程並行，或是藉由在水研 1中以加工液取代潤濕液來供給，進行化學研磨製程。 磨=發明’係在第1發明中，供給於半導體晶圓與研 間的液體’藉由從研磨用懸浮液切換為加工液，來 ’且研磨製程移往化學研磨製程為特徵。 第4發明，係在第卜第3發明中，加工液為ρΗ8以上 下之驗水溶液為特徵。 5秒二5發明，係在第1〜第3發明中，化學研磨製程係在 ^ 15分以下之範圍之時間來進行為特徵。 根據本發明，在粗研磨製 儲存槽m 祖研以程與讀研磨製程之間，從 門液1Gb-邊供給於晶圓6與研磨布2之 ;磨之：將晶圓6壓在研磨布2㈣，實施將石夕晶圓6表面 研磨之化學製程。（第1發明） 製^實^本發明時，與水研磨製程並行，或是在水研磨 ’ 错由供給加工液1 Ob取代供认們、怎％ . 研磨也可。（第2發明）來進行化學 間的2在實施本發明時’供給於石夕晶圓6與研磨布2之 加工 @如藉由切換閥8，從研磨用懸浮液1G切換成 J U〇b’來從粗研磨製程移往化學研磨製程 發明，圖1)。 化學研磨製程所使用的加工液10b，以邱值8以上12 r到=水溶液為佳(第4發明)。餘刻矽晶圓6之表面而 :顯著善面粗縫的效果’使糊6之表面的面粗荒變的 t-8039-pp;Ahddub 1310222 化學研磨製程，以在5秒以上15分以下的時 盔技，a J 來進杵 ，·、、佳（第5發明）。這是因為有必要根據施以 而Π* ^予所磨晶圓 面時之晶圓的面狀態或是研磨布2之面狀態，來調整4 2 研磨製程的時間。例如’在低壓的面壓力進行粗研磨：： 況時，由於對於石夕晶目6表面所造成之機械研磨損傷小: 所以可在短時間藉由化學研磨來除去損傷，所以將化風 磨製程時間設定為短時間。相反的，在高壓的面壓/研 -m ^ π门&的面壓力進行 之情況時’由於對於矽晶圓6表面所造成 磨損傷大，所芸 取 <機械研 暴大所以右不化充分時間實施化學研磨就益 損傷’所以將化學研磨製程時間設定為長時間。…、矛、 根據本發明，可得到下述之效果。 1)化學研磨製程中，不使用研磨粒i〇a 6,藉由加工液10b之蝕刻 研磨夕曰曰圓 乍用，可洛解成為研磨布2阻夷 的原因之矽屑。因此，在 ^ 1 # 研磨布2上，不會殘存研磨粒l〇a 或夕屑’由於藉由不會阻塞 曰PI R L ^ Z來研磨’所以在矽 日日0 6上不會形成新的研 , m J以有效除去由於前 對於石夕晶1 6所造叙表 程 舻。ώ π / ^ 研磨傷，而可改善表面粗 ^ 由於在如此之矽晶圓6 —盐丁氺制 面粗度改善之狀態下來進 盯接下來之裝程之最終研磨， 所Μ表面粗度合爭姑令盖 特別可以抑制塵霧之劣化。 Ζ皮文口 2)藉由加工液1〇b之蝕刻作 ^ A 用可—邊溶解成為研磨 布2之阻塞原因的矽屑，一 ^ ’夕日日圓6之表面化學研磨。 因此，不需要-時中斷研磨作 的生產效率提高。 朿進订刷洗，而可使晶圓 7054-8039-PF/Ahddub 9 1310222 3)特別是，在同樣的研磨裝置令，進行使用研磨她 之粗研磨與不使用研磨粒10a之化學研磨之情況，藉由加 工液10b之㈣作用，可溶解在粗研磨時所使用之研磨粒 他，亦即造成研磨布2阻塞之原因的研磨粒1Ga。又，藉 由加工液10b(驗水溶液）中的氫氧離子可防止研磨粒i〇a 再凝集。又，即使是一度凝集之研磨& ，也可使其 再刀散。因此’與上述^相同’由於係藉由不阻塞之研磨 布2來研磨晶圓之故，所以可在晶圓面改善的狀態下，移 往接下來之製程的最終研磨’藉由最終研磨表面粗操更改 善，而可抑制塵霧的劣化。又，與上述2)相同，由於可一 ^溶解成為研磨布2之阻塞的原园之石夕屑或研磨粒10a， 邊將石夕晶圓6之表面化學研磨，所以不需要一時中斷研 磨作業來進行刷洗，而可提高晶圓之生產效率。 【實施方式】 以下，參照圖式來對與本發明有關之本導體晶圓之研 磨方法之實施形態做說明。 第1圖係表示使用於實施例之粗研磨製程之研磨裝置 的構成。又，在實施形態中’想定研磨矽晶圓之單面（表面） 之單面研磨裝置。x ’在實施形態中，想定同時研磨複數 片之矽晶圓之批量式研磨裝置。 如同第1圖所示，在粗研磨用研磨裝置中，圓盤狀之 回轉疋盤1係精由回轉軸la而自在地回轉來設置。在回轉 定盤1上面，研磨布2係使用例如雙面膠而貼附。 7〇54-8〇39-pp；Ahddub 10 !310222 在研磨布9 方’設置可上下方向移動可能且自在地 回轉之上定盤3。 研磨用境4係位於上定盤3下方。在研磨用塊4上， 透過臘5,貼附著複數片之石夕晶圓6。使石夕晶圓6之研磨面 (表面）與研磨布2對向。將石夕晶圓6貼附於研磨用塊4。 在研磨布2上方，可對石夕晶圓6與研磨布2之間供給 液體之位置，設置供給用噴嘴7。 • 供給用喷嘴7，係藉由切換閥8,與儲存槽9、儲存槽 11連通。料槽9切存著混合研錄IGa(膠體：氧化石/) 與加工液10(驗性水溶液）之研磨用懸浮⑨1〇。在儲存槽 9(應為儲存槽⑴中，儲存著從研磨懸浮液1G中去除研磨 粒10a之加工液lob。 切換閥8位於切換位置8A時，研磨用懸浮液ι〇被從 儲存槽9吸出，通過噴嘴7,石夕晶圓6與研磨布2之間供 給研磨用懸浮液1〇。另-方面，若切換閥位於切換位置8 •時，加工液1〇b被從儲存槽Π吸出，通過供給用噴嘴7, 在矽晶圓6與研磨布2之間供給加工液1〇be 若從圖上沒有表示之操控器，輸出為使粗研磨作業進 行之指令，則上定盤3被從上方一邊施加荷重，上定盤3 -邊回轉。又，回轉定盤i回轉。藉由此，矽晶圓6之表 面-邊被壓在研磨布2上，一邊在研磨布2上滑行，石夕晶 圓6之表面被研磨。又，切換閥8位於切換位置μ。藉Z 此，研磨用懸浮粒10被從儲存槽9吸出，通過喷嘴7，曰在 矽晶圓6與研磨布2之間，供給研磨用懸浮液。 7054-8039-pp；Ahddub 11 1310222 另方面，使用於實施形態之最終研磨製程之研磨裝 置，係與第1圖所示者相同構造，除了上述粗研磨用研磨 裝置以外而另外準傷。 但是，使用適合最終研磨之研磨布2。又，在最終研 磨用研磨裝置中’儲存槽u中，係儲存著潤濕液來取代加 工液1 Ob。 一般而言，粗研磨製程係主要以改善矽晶圓6的平坦 .度為目的，所以粗研磨用之研磨布2使用硬質墊。另一方 面，最終研磨製程係主要以改善石夕晶圓6之表面粗度為目 的，所以最終研磨用之研磨布2，使用軟質墊。其他，研 磨粒l〇a之粒徑、研磨時間#，有因為粗研磨製程與最終 研磨製程而使其相異之情況。 、 本實施形態之研磨製程，係甴複數段之研磨製程與最 終研磨製程所構成，想定將石夕晶圓6之表面階丰;性:研: 之情況。 私進行複數段之粗研磨製程之情況，可分別在各階段之 粗研磨製程，個別設置如第丨圖所示之構成的研磨裝=， 也可以共通之粗研磨用裝置來實施各階段之粗研磨製程。 在各個階段之粗研磨製程中，分別設置研磨裝置之情 況時，在最終之粗研磨製程用而準備的研磨裝置之儲存槽 11中，儲存著加工液l〇b，而在為較其之前段的粗研磨製 程用而準備之研磨裝置之儲存槽u中，係儲存著潤濕液來 取代加工液l〇b。 石夕晶圓6透過臘5而貼附之研磨用塊4，係在各製程、 7054-8039-PF/Ahddub 12 1310222 各研磨裝置共通。石夕晶圓6，係在貼附於共通之研磨用塊4 之狀態下，搬運至各製程之回轉定盤1(研磨布上。又 最終研磨製程結束後，石夕晶圓6被搬出後，與貼附著未研 磨狀態之石夕晶圓6之研磨用塊4交換，同樣的，依序進〜 各研磨製程。 订 以下，對於各實施例來說明。 (第1實施例） 在本實施例中，想定進行2階段之粗研磨製程，亦即 依序進行第1階段之粗研磨製程、第2階段之粗研磨製程， 最後進行最終研磨製程之情況。然後，在第2階段之粗研 磨製程與最終研磨製程之間，將加工液i0b從儲存槽U， -邊供給於^日日圓6與研磨布2之間，—邊㈣晶圓6壓 在研磨布2側，實施研磨石夕晶圓6之表面的化學研磨製超。 化學研磨製程中所使用的加工液1〇b，為邱值8以上 12以下之驗水溶液。作為在化學研磨製程中所使用之加工 液10b，只要為钱刻石夕晶圓6之表面而得到改善面粗糖之 效果’矽晶圓6之表面粗荒不會變的顯著之pH值即可。 作為加工液1〇b，例如可使用Κ0Η或Na〇H等強鹼基之 驗性水溶液。 進仃化學研磨時之晶圓面的面壓力，係使其成為與粗 研磨時同等之面壓力，來調整施加於上定盤3之荷重。這 ，由於若為較粗研磨時還低之面遷力，則由於姓刻造成之 晶圓面之面粗荒容易發生，若為較粗研磨時還高之面歷 貝J由於研磨布2所造成之晶圓面受到之機械研磨損傷 7054-8039-PF；Ahddub 13 1310222 會變大。 又，化學研磨製程，以5秒以上15分以下之範圍的時 於來進行。作為化學研磨製程之時間，只要為可將殘存 於研磨布2之石夕屑或研磨粒1〇a除去的時間即可。又，根 據貫施化學研磨晶圓面時之晶圓面狀態或研磨布2之面狀 來又疋化學研磨製程之時間。例如，以低磨之面壓力 來進行粗研磨之情況，由於在石夕晶圓6表面上所造成之機 φ械研磨損傷小，所以藉由化學研磨可在短時間除去損傷， 斤、化子短時間。相反的，在高壓的面壓力進行粗研磨之 情況時，由於對於矽晶圓6表面所造成之機械研磨損傷 大，所以若不花充分時間實施化學研磨就無法去除損傷， 所以將化學研磨製程時間設定為長時間。 在本實施例中，第1階段之粗研磨製程、第2階段之 粗研磨製程，係分別設置研磨裝置。化學研磨製程，係利 用第2段粗研磨用之研磨裝置。 ® 以下，對於本實施例之各製程所進行的處理來說明。 (第1階段之粗研磨製程） 將研磨用懸浮液10，從儲存槽9透過供給用喷嘴7， —邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，一邊進行既定時間 之石夕晶圓6之第1階段之粗研磨。 接著’將满濕液，從儲存槽〗i透過供給用噴嘴7，_ 邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，一邊進行既定時間之 矽晶圓6之水研磨。 之後’將貼附著矽晶圓6之研磨用塊4，搬運到接下 7054-8039-PF;Ahddub 14 1310222 來之第2階段之粗研磨 上〇 用研磨裝置之回轉定盤 1 (研磨布2) (第2階段之粗研磨製程） 將研磨用懸浮液10，從儲存槽9透過供认 邊供給於梦晶圓6與研磨布2之門 ”、··σ用嘴嘴7 ’ <「司，一^邊谁 之矽晶圓6之第2階段之粗研磨。 、仃既定時間 (化學研磨製程） 接著，將加工液〗0b，從儲存槽u透過 -邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，—邊:二用噴嘴7, 之矽晶圓6之化學研磨。 、進行既定時間 之後’將點附著石夕晶圓6之研磨用塊 來之最終研磨用研磨裝置之回轉定盤1(研磨運到接下 (最終研磨製程） 2)上。 將研磨用懸浮液1〇，從儲存槽9透 〜卜、給用喑峰7 一邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，— 之石夕晶圓6之最終研磨。 邊進行既定時間 7，— 時間之 接著，將潤濕液，從儲存槽n透過供给用噴嘴 邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，一邊進行既定 石夕晶圓6之水研磨。 (第2實施例） 在本實施例中，係分別在第1階段之粗研磨製程、第 2階段之粗研磨製程、化學研磨製程，準備研磨裝置。 化學研磨用之研磨裝置’係與第1圖之構成相同。但 是，不需要切換研磨用懸浮液10與加工液l〇b來供给用之 7054-8039-PP；Ahddub 15 1310222 之處理來說明 切換構成，只要可供給加工液1 〇b即可 以下’對本實施例之各製程所進行 (第1階段之粗研磨製程） 透過供給用喷嘴7， ’—邊進行既定時間 將研磨用懸浮液1 0，從儲存槽g 一邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間 之矽晶圓6之第1階段之粗研磨。
接著’將潤濕液’從儲存槽丨丨透過供 邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，_、息、 透進行既定時間之 給用噴嘴7， 矽晶圓6之水研磨 來 之後，將貼附著矽晶圓 之第2階段之粗研磨用研 6 磨 上 之研磨用塊4，搬運到接下 裝置之回轉定盤U研磨布2) (第2階段之粗研磨製程） 將研磨用懸浮液1〇,從儲存槽9透過供給用喷嘴7 一邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，一 、 之矽晶圓6之第2階段之粗研磨。 仃既疋時間 接著，將潤濕液’從儲存槽11透過供给用噴嘴7,— 邊供給於矽晶圓6與研磨布2之間，一 、 ，— 门 邊進行既定時間$ 矽晶圓6之水研磨。 u N < 之後，將貼附著矽晶圓 來之化學研磨用研磨裝置之 (化學研磨製程） 6之研磨用塊4，搬運到接下 回轉定盤1(研磨布2)上。 將加工液1Gb，從館存槽11透過供給用噴嘴 供給於碎晶圓6與研磨布2之間 —邊進行既定時間 ~邊 之石夕 7054-8039-PF/Ahddub 16 .1310222 晶圓6之化學研磨。 之後’將貼附著矽晶圓6之研磨用祕< 1A ^ , <研逛用塊4，搬運到接下 來之最終研磨用研磨農置之回轉定盤丨（研磨布上。 (最終研磨製程） 將研磨用懸浮液10,從儲存# 9透過供給用喷嘴7, -邊供給於心日日® 6與研磨布2之間，—邊進行既定時間 之碎晶圓6之最終研磨。 接著’將潤濕液，從儲存槽1 1裱、两 〜帕廿粕1 1遗過供給用喷嘴7，一 邊供給於梦晶圓6與研磨布2之門， * 叩Z之間，一邊進行既定時間之 梦晶圓6之水研磨。 (第3貫施例） 在第1階段之粗研磨製寇、楚0抑 厲衣程第2階段之粗研磨製程、 化學研磨製程中也可使用共通之研磨裝置。
在此情況之研磨裝置中，霞I ， r而要切換研磨用懸浮液10與 加工液1 Ob再加上潤濕液來 +供^ ’或是需要以另外設置之 鲁噴嘴來供給潤濕液之構成。 以下’對本實施例之各奥』 (堆、 ^'私所進行之處理來說明。 (第1階段之粗研磨製程） 將研磨用懸浮液10,從儲存 碎存槽9透過供給用噴嘴7， —邊供給於矽晶圓6與研磨布2 、 之間，一邊進行既定時間 之矽日日圓6之第1階段之粗研磨。 接著，將潤濕液，從別的儲 — 存槽透過供給用噴嘴7， 邊供、Ό於矽晶圓6與研磨 之 帀2之間，一邊進行既定時間 <矽晶圓6之水研磨。 17 7〇54-8〇39-PF；Ahddub 1310222 (第2階段之粗研磨製程） 將研磨用懸浮 及1 〇從儲存槽9透過供給用噴嘴7， 一邊供給於矽晶圓6盥研磨布9 圓0，、研厲▼ 2之間，一邊進行既定時 矽晶圓6之第2階段之粗研磨。 (化學研磨製程） —接著將加工液10b，從儲存槽^透過供給用喷嘴7, —邊供給於矽晶圓6與研磨布2 /、π/名呷Z之間，一邊進行既定 之石夕晶圓6之化學研磨。 之後’將貼附著石夕晶圓6之研磨用塊4,搬運到接下 之最終研磨用研磨裝置之回轉定盤i(研磨布2)上。 (最終研磨製程） —將研磨用懸浮液10，從儲存槽9透過供給用嗔嘴[ —邊供給於以圓6與研㈣2之間，—邊進行既定時間 之矽晶圓6之最終研磨。 接著將潤濕液，從儲存槽i i透過供給用喷嘴7，— 邊供給於矽晶圓6與研磨布2之門 ，、w谋唧z之間，一邊進行既定時間 石夕晶圓6之水研磨。 如以上，根據本實施例，在第2階段之粗研磨製程與 :終研磨製程之間，將加工液⑽’從儲存槽U 一邊供給 J矽曰曰圓6與研磨布2之間，一邊將矽晶圓6壓在研磨布 2側’實施研磨矽晶圓6表面之化學研磨製程，所以可得 到如下的效果。 1)化學研磨製程中，不使用研磨粒i 〇a而研磨矽晶 曰由加工液10b之蝕刻作用，可溶解成為研磨布2阻塞 7〇54-8Q39-PP;Allddub 18 1310222 的原因之石夕屬。因此’在研磨布2上，不會殘存研磨粒1〇a 或石夕属’由於藉由不會阻塞的研磨布2來研磨，所以在石夕 晶圓6上不會形成新的研磨傷，可以有效除去由於前製程 對於石夕晶圓6所造成之表面的研磨傷，而可改善表面粗 韓°由於在如此之發晶圓G的矣 /曰日111 b的表面粗度改善之狀態下來進 行接下來之製程之最終研磨，所以表面粗度會更被改善， 特別可以抑制塵霧之劣化。 2)藉由加工液1〇b之敍刻作用，可一邊溶解成為研磨 阻塞原因㈣4，—邊❹晶圓6之表面化學研磨。 因此’不需要-時中斷研磨作業來進行刷洗 的生產效率提高。 曰曰圓 3)特別是，如第^實施例、第 磨裝置中，n 只施例，在同樣的研 10a之化風、订W磨粒W之粗研磨與不使用研磨粒 10a之化學研磨之情況，藉由加工液i〇b之姓刻作用，可 溶=在粗研磨時所使用之研磨粒1Ga，亦即造成研磨 阻塞之原因的研磨粒J 0a。又， P 籍由加液i0b(鹼水溶液） 中的風乳離子可防止研磨粒10a之再凝集。又，即使是一 ㈣之研磨粒10a，也可使其再分散。因此，與上述U 相同二由於係藉由不阻塞之研磨布2來研磨晶圓之故，所 Γ二T善的狀態下’移往接下來之製程的最終研 磨’精由最終研磨表面粗操更改善，而可抑制塵霧的劣化。 又’與上述2)相同，由於可-邊溶解成為研磨布2之阻塞 的=因之石夕屑或研磨粒1〇a，一邊將石夕晶圓6之表面化學 研磨’所以不需要一時中斷研磨作業來進行刷洗，而可提 7054-8039-PF;Ahddub 1310222 高晶圓之生產效率。 又在第1實施例之第2階段粗研磨用之研磨裝置， 在水研磨製冑中供給從研磨用懸浮液除去研磨之加工 液1 〇b來取代供給潤濕液，來進行化學研磨製程。因此， 在既存之研磨裝置之儲存槽u内僅儲存加工液10b來取代 錯存濁渴液，而可構築可實施本發明之裝置，大幅降低裝 置成本。 φ 又在第1實施例，雖供給加工液i Ob來取代潤濕液， 但也可並行供給潤濕液與加工液1Gb。但是，若並行供給 ^㈣與加工液10 ’則潤濕液與加工液10b混合而pH值 有變低之可能性’所以加工液⑽之pH值預先調整為不會 低於未滿8之值為佳。 又，在上述各實施例中，想定進行2階段之粗研磨製 私接下來實施化學研磨製程，最後進行最終研磨製程之 清況，但進行1階段之粗研磨製程，接下來實施化學研磨 φ製程，最後進行最終研磨製程也可，又，進行3階段以上 之粗研磨製程’接著實施化學研磨製程，最後進行最終研 磨製程也可。 接著，舉出具體數值對本實施例之效果來說明。 實驗，也可將上述第2實施例根據下述來進行。 .研磨對象之矽晶圓6 20片以cz法製造之p型，結晶方位〈1 之直徑 200mm之矽晶圓6作為研磨對象之晶圓。 •研磨布2 7054-8039-Pp；Ahddub 1310222 達到 在化學研磨製程所使 6〇〇〇分鐘程度之物。 .加工液10 b 用之研磨布 係使用使用時間 稀釋高濃度之驗水、'交 & 夂液，在化學研磨製程令，使用啁 整於與粗研磨時所使甩 /使用肩 恩：/子液10相同之pH值之加 工液。 •研磨粒l〇a 粗研磨時、最終研磨時， π 叮你便用此合了作為研磨粒1 〇a 之膠體二氧化矽膠體二氧化矽之研磨用懸浮液10。 在實施例中，經過切片製程、取面製程、磨光製程、 罐程’依序實施第i階段之粗研磨製程、冑2階段之 粗研磨製程、化學研磨製程、最終研磨製程。最終研磨製 程結束後，將矽晶® 6洗淨，乾燥。化學研磨，係進行了 7分鐘。對於此實施例，將上述各製程中僅沒有進行化學 研磨製程者作為比較例，同樣的，在最終研磨製程結束後， 將梦晶圓6洗淨，乾燥。 對於乾燥後之矽晶圓6,測定晶圓表面之粒子數（LpD 數）、長波長之表面粗度、短波長之表面粗度。 •粒子數測定 使用天柯爾（Tencor)公司製之表面掃描SP1，測定石夕 曰曰圓6之表面粒子（LPD)數。測疋直控為〇 _ 〇 8 5ηπι以上之粒 子0 •長波長之表面粗度測定 使用ZYG0公司製之「New View200」，測定石夕晶圓 7054-8039-PP；Ahddub 21 Ϊ310222 之表面之長波長（數十〜數百"m)之粗度。以均方表面粗度 (RMS)來進行記測。 •短波長之表面粗度測定 使用「Schnitt Measurement Sytem，Inc」公司製之 「TMS-3〇〇〇W」，測定矽晶圓6表面之短波長（數〜數十以… 之粗度。以均方表面粗度（RMS)來進行記測。 第2圖係表示粒子數測定結果，第3圖係表示長波長 %之表面粗度測定結果，第4圖係表示短.波長之表面粗度。 在第2圖、第3圖、第4圖中，係將.實施例、比較例對比 表示。 如第2圖所示，實施例之矽晶圓6之表面粒子數，相 較於比較例之矽晶圓6之表面粒子數，變的較小，確認到 根據本發明，矽晶圓6表面之刮傷、缺陷等減低。 又，如第3圖、第4圖，實施例之矽晶圓6之表面粗 度，在長波長與短波長，相較於比較例之矽晶圓6之表面 •粗度，都變的較小，確認到根據本發明，矽晶圓6之表面 粗度改善，塵霧之程度變低。 在上述實施形態中，係想定批量式之研磨裝置來說 明，但對於在研磨用塊4貼附1片之矽晶圓6，一片片進 行矽晶圓6之研磨的枚葉式研磨裝置，也可適用本發明。 又，係想定研磨矽晶圓6之單面（表面）之單面研磨裝置來 說明，但對於同時研磨矽晶圓6之兩面之兩面研磨裝置， 也可適用本發明。又，本發明對於矽以外之鎵砷等各種半 導體晶圓之研磨，也可適用。 7054-8039-PF;Ahddub 22 1310222 【圖式簡單說明】 第1圖係表示實施形態之研磨襞置之構成。 第2圖係將粒子數測定結果以實施例、比較例來對比 表示之圖。 以實施例、比較 之表面粗度測定 第3圖係長波長之表面粗度測定结果 例來對比表示之圖。
第4圖係長（從後文來看應為短）波長 結果以實施例、比較例來對比表示之圖。 【主要元件符號說明】 卜回轉定盤； 2〜研磨布； 4〜研磨用塊； 6〜矽晶圓； 9〜儲存槽； 10a〜研磨粒； 11 ~儲存槽。 13〜回轉軸； 3〜上定盤； 5〜臘，· 7供給用喷嘴； 10〜研磨用懸浮液； 10b〜加工液； 7054-8039-PF;Ahddub 23