CN109594113A - 设备壳体及其加工方法、电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种设备壳体及其加工方法、电子设备，该加工方法可以包括：针对电子设备的金属壳体上的待加工区域实施高光处理，形成高光区域；将所述金属壳体上的高光区域与腐蚀源进行隔离；对所述金属壳体实施阳极氧化处理，以在所述高光区域的表面形成氧化层。

Description

设备壳体及其加工方法、电子设备

技术领域

本公开涉及终端技术领域，尤其涉及一种设备壳体及其加工方法、电子设备。

背景技术

在相关技术中，越来越多的电子设备采用金属材质的设备壳体，并通过在设备壳体上的部分区域进行高光处理，可使相应区域实现高光效果，有助于提升电子设备的整体美观度。

但是，当金属材质中包含较为活泼的金属元素时，设备壳体上经过高光处理后的区域容易发生腐蚀现象，极大地降低了设备壳体的良品率，限制了对高光处理的应用。

发明内容

本公开提供一种设备壳体及其加工方法、电子设备，以解决相关技术中的不足。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种设备壳体的加工方法，包括：

针对电子设备的金属壳体上的待加工区域实施高光处理，形成高光区域；

将所述金属壳体上的高光区域与腐蚀源进行隔离；

对所述金属壳体实施阳极氧化处理，以在所述高光区域的表面形成氧化层。

可选的，所述针对电子设备的金属壳体上的待加工区域实施高光处理，包括：

对所述待加工区域实施高光C角处理。

可选的，所述金属壳体的材质包括：铝镁锌铜合金。

可选的，所述将所述金属壳体上的高光区域与腐蚀源进行隔离，包括：

将所述金属壳体浸泡于针对所述腐蚀源的防腐蚀液剂中。

可选的，所述防腐蚀液剂包括：酒精。

可选的，所述腐蚀源包括：含酸根离子的纯净物或混合物。

可选的，所述对所述金属壳体实施阳极氧化处理，包括：

在完成所述高光处理后的预设时长内，对所述金属壳体实施阳极氧化处理；其中，所述预设时长为有效隔离时长。

可选的，所述预设时长不大于2小时。

可选的，所述待加工区域包括所述金属壳体的侧边框的外侧顶部区域，且所述待加工区域与所述侧边框的顶面相邻。

可选的，还包括：

在对所述待加工区域实施高光处理之前，对所述侧边框的顶部边沿处实施预倒角处理，以在所述侧边框的顶部边沿处形成预倒角结构。

可选的，还包括：

在对所述待加工区域实施高光处理之前，对所述预倒角结构和所述侧边框的外侧进行探针检测；

根据检测结果确定所述待加工区域的信息，以用于对所述待加工区域实施高光处理。

可选的，所述预倒角结构与所述侧边框的顶面之间的夹角度数，小于所述高光区域与所述侧边框的顶面之间的夹角度数。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种设备壳体，所述设备壳体由上述实施例中任一所述的设备壳体的加工方法进行加工得到。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种电子设备，包括：如上述实施例所示的设备壳体。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

由上述实施例可知，本公开在针对金属壳体的待加工区域进行高光处理后，增加了高光区域与腐蚀源之间的隔离处理，可以在针对金属壳体实施阳极氧化处理之前，尽可能地降低高光区域发生腐蚀的概率或程度，有助于提升金属壳体的良品率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种设备壳体的加工方法的流程图。

图2是根据一示例性实施例示出的另一种设备壳体的加工方法的流程图。

图3是根据一示例性实施例示出的一种设备壳体的立体结构示意图。

图4是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的立体结构示意图。

图5是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的侧视图。

图6是图5中标示的虚线区域的一示例性实施例的局部放大示意图。

图7是图5中标示的虚线区域的另一示例性实施例的局部放大示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

图1是根据一示例性实施例示出的一种设备壳体的加工方法的流程图，如图1所示，该方法可以包括以下步骤：

在步骤102中，针对电子设备的金属壳体上的待加工区域实施高光处理，形成高光区域。

在一实施例中，针对待加工区域实施的高光处理可以包括高光C角处理，即高光45°倒角处理。在其他实施例中，还可以针对金属壳体实施其他形式的高光处理，比如采取45°之外的其他角度，本公开并不对此进行限制。

在一实施例中，待加工区域可以包括所述金属壳体的侧边框的外侧顶部区域，且所述待加工区域与所述侧边框的顶面相邻。在其他实施例中，还可以针对金属壳体的其他部位实施高光处理，本公开并不对此进行限制。

在一实施例中，当待加工区域包括金属壳体的侧边框的外侧顶部区域，且该待加工区域与所述侧边框的顶面相邻时，在对所述待加工区域实施高光处理之前，可以对所述侧边框的顶部边沿处实施预倒角处理，以在所述侧边框的顶部边沿处形成预倒角结构。通过在高光处理之前形成预倒角结构，使得在针对待加工区域实施高光处理时，不会在该侧边框的顶部边沿处形成微观毛刺、避免在阳极氧化处理后形成锯齿状卷边，并且可使该侧边框的顶部边沿处实现平滑过渡、避免用户手持时感到尖锐割手。

在一实施例中，在对所述待加工区域实施高光处理之前，可以对所述预倒角结构和所述侧边框的外侧进行探针检测；然后，根据检测结果确定所述待加工区域的信息，以用于对所述待加工区域实施高光处理。通过实施探针检测，可以准确了解待加工区域的信息，比如待加工区域的位置、姿态等，再比如待加工区域与预倒角结构之间的相对位置关系等，可使高光处理后的高光区域与预倒角结构之间实现均匀过渡。其中，通过提高探针精度、增加探针的探测点数量等，可以在一定程度上提升检测结果的准确度，以进一步提升高光区域与预倒角结构之间的过渡效果。

在一实施例中，所述预倒角结构与所述侧边框的顶面之间的夹角度数，小于所述高光区域与所述侧边框的顶面之间的夹角度数，使得高光区域、预倒角结构与侧边框的顶面之间实现逐步过渡，有助于提升用户的握持手感。

在步骤104中，将所述金属壳体上的高光区域与腐蚀源进行隔离。

在一实施例中，所述金属壳体的材质可以包括：铝镁锌铜合金，即7系铝合金；在其他实施例中，本公开的技术方案还可以应用于其他任意类型的金属材料，本公开并不对此进行限制。

在一实施例中，可以将所述金属壳体浸泡于针对所述腐蚀源的防腐蚀液剂中，以实现高光区域与腐蚀源的隔离。例如，该防腐蚀液剂可以包括：酒精。

在一实施例中，腐蚀源可以包括：含酸根离子的纯净物或混合物。例如，空气、自来水等，本公开并不对此进行限制。

在步骤106中，对所述金属壳体实施阳极氧化处理，以在所述高光区域的表面形成氧化层。

在一实施例中，在完成所述高光处理后的预设时长内，对所述金属壳体实施阳极氧化处理，即高光处理与阳极氧化处理之间的间隔不超过该预设时长。其中，所述预设时长为有效隔离时长，因而通过对上述间隔的严格管控，可以避免高光区域发生腐蚀，防止金属壳体由此导致报废。

在一实施例中，通过将金属壳体浸泡于酒精内，以实现高光区域与腐蚀源的隔离时，该预设时长可以不大于2小时，以防止酒精过度挥发而导致隔离效果消失或减弱。

由上述实施例可知，本公开在针对金属壳体的待加工区域进行高光处理后，增加了高光区域与腐蚀源之间的隔离处理，可以在针对金属壳体实施阳极氧化处理之前，尽可能地降低高光区域发生腐蚀的概率或程度，有助于提升金属壳体的良品率。

图2是根据一示例性实施例示出的另一种设备壳体的加工方法的流程图，如图2所示，该方法可以包括以下步骤：

在步骤202中，获取铝材坯料。

在一实施例中，本公开的设备壳体可以采用相关技术中的7系铝材，该7系铝材通常为铝镁锌铜合金，具有硬度高、耐磨性好、质量轻等特点，有助于提升设备壳体的耐用性，并满足针对设备壳体的轻量化需求。

在步骤204中，针对铝材坯料实施CNC粗加工，得到粗加工设备壳体。

在一实施例中，上述的CNC粗加工可以包括增加设备壳体正面抓胶的相关结构、增加设备壳体反面抓胶的相关结构、增加USB接口塑胶的相关结构等，本公开并不对此进行限制。

在一实施例中，在实施CNC粗加工之前，还可以包括针对铝材坯料的其他处理操作，比如通过平面磨床对铝材坯料进行平面研磨加工等，本公开并不对此进行限制。

在步骤206中，对粗加工设备壳体进行纳米注塑，以形成所需的塑胶结构。

在一实施例中，可以通过其他处理方式替代纳米注塑的处理方式，甚至取消该纳米注塑的处理步骤，本公开并不对此进行限制。

在步骤208中，对纳米注塑后的粗加工设备壳体实施CNC精加工，得到精加工设备壳体。

在一实施例中，CNC精加工可以包括若干加工步骤，例如：加工正面结构、加工反面结构、加工外观面、加工侧孔、加工USB孔等，本公开并不对此进行限制。

在一实施例中，在加工正面结构的过程中，可以增加预倒角处理步骤，以在精加工设备壳体上形成预倒角结构。

举例而言，图3是根据一示例性实施例示出的一种设备壳体的立体结构示意图、图4是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的立体结构示意图、图5是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的侧视图；如图3-5所示，假定本公开的技术方案需要加工得到设备壳体300，该设备壳体300包括基本呈矩形的侧边框30，该侧边框30的顶面301用于配合于电子设备400的屏幕模组401，该侧边框30的外侧302形成该电子设备400的侧向外观面，而该侧边框30的底部与电子设备400的背板402进行装配。在一些实施例中，背板402也可能被包含于设备壳体300中，即侧边框30、背板402等可能为一体结构，本公开并不对此进行限制。

图6是图5中标示的虚线区域的局部放大示意图。在上述的步骤208中，可以针对侧边框30的外侧302与顶面301之间的顶部边沿处实施上述的预倒角处理，以形成如图6所示的预倒角结构303。

在步骤210中，对精加工设备壳体进行打磨抛光外观面。

在步骤212中，喷砂处理。

在步骤214中，高光C角处理。

在一实施例中，高光C角的处理区域可以位于图3-6所示的侧边框30的外侧302上；进一步地，高光C角的处理区域可以包括该外侧302的顶部区域，并与顶面301相近或相邻。例如，经过上述的高光C角处理，可以得到如图6所示的高光C角结构304。

在一实施例中，可以省去上述的预倒角处理，使得直接实施上述的高光C角处理后，由于高光C角结构304呈斜面状，因而在该高光C角结构304与顶面301之间将形成如图7所示的夹角结构305，该夹角结构305的夹角较小、较为尖锐，容易在用户握持该电子设备400时造成强烈的割手感。同时，由于高光C角处理的过程中，刀具会与顶面301的外侧边沿直接发生接触，容易在该夹角结构305处形成微观毛刺，该微观毛刺在后续的阳极氧化处理的过程中会形成锯齿状卷边，从而影响电子设备400在该夹角结构305处的外观美感。

而通过增加上述的预倒角处理，使得在高光C角结构304与顶面301之间可以形成如图6所示的预倒角结构303，该预倒角结构303与顶面301之间的夹角小于高光C角结构304与顶面301之间的夹角，从而使得该预倒角结构303可以在高光C角结构304与顶面301之间实现缓冲过渡，从而极大地缓解上述的割手感。同时，通过增加上述的预倒角处理，使得在预倒角结构303的缓冲作用下，高光C角处理的过程中，可以避免刀具与顶面301的外侧边沿直接发生接触，不会形成上述的微观毛刺或锯齿状卷边，以确保电子设备400的外观美感。

在一实施例中，在实施高光C角处理之前，可以通过探针对设备壳体上的预倒角结构和需要高光C角处理的区域进行探测，以确保处理得到的高光C角结构304与预倒角结构303之间能够实现均匀过渡，确保高光C角结构304与预倒角结构303在侧边框30上不同位置处的宽度等规格基本一致，有助于保障电子设备400在该侧边框30处的外观一致性和美观度。

在步骤216中，将高光C角处理后的设备壳体浸泡于酒精内。

在一实施例中，由于7系铝合金等金属内含有锌等较为活泼的金属元素，因而容易被腐蚀而导致高光C角结构304出现发暗等情况，从而影响电子设备400的外观面。7系铝合金可能存在空气、自来水等多种腐蚀源，主要是由于相应腐蚀源包含的酸根离子容易对上述较为活泼的金属元素造成腐蚀，因而通过将高光C角处理后的设备壳体浸泡于酒精内，可以通过酒精将该设备壳体与上述的腐蚀源进行有效隔离，尤其是避免高光C角结构304发生腐蚀。

在步骤218中，对设备壳体进行阳极氧化处理。

在一实施例中，可以对步骤216进行时效控制，比如确保设备壳体在完成高光C角处理后的2小时内，必须转入步骤218中的阳极氧化处理，以避免酒精挥发而影响对高光C角结构304的隔离效果。

在一实施例中，通过阳极氧化处理，可以在高光C角结构304的表面形成氧化层，该氧化层可以对高光C角结构304进行隔离保护，从而保持高光C角结构304的高光效果。

在步骤220中，对设备壳体实施后续处理，本公开并不对此进行限制。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (14)

1.一种设备壳体的加工方法，其特征在于，包括：

针对电子设备的金属壳体上的待加工区域实施高光处理，形成高光区域；

将所述金属壳体上的高光区域与腐蚀源进行隔离；

对所述金属壳体实施阳极氧化处理，以在所述高光区域的表面形成氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对电子设备的金属壳体上的待加工区域实施高光处理，包括：

对所述待加工区域实施高光C角处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属壳体的材质包括：铝镁锌铜合金。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述金属壳体上的高光区域与腐蚀源进行隔离，包括：

将所述金属壳体浸泡于针对所述腐蚀源的防腐蚀液剂中。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述防腐蚀液剂包括：酒精。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀源包括：含酸根离子的纯净物或混合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金属壳体实施阳极氧化处理，包括：

在完成所述高光处理后的预设时长内，对所述金属壳体实施阳极氧化处理；其中，所述预设时长为有效隔离时长。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述预设时长不大于2小时。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待加工区域包括所述金属壳体的侧边框的外侧顶部区域，且所述待加工区域与所述侧边框的顶面相邻。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在对所述待加工区域实施高光处理之前，对所述侧边框的顶部边沿处实施预倒角处理，以在所述侧边框的顶部边沿处形成预倒角结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

在对所述待加工区域实施高光处理之前，对所述预倒角结构和所述侧边框的外侧进行探针检测；

根据检测结果确定所述待加工区域的信息，以用于对所述待加工区域实施高光处理。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预倒角结构与所述侧边框的顶面之间的夹角度数，小于所述高光区域与所述侧边框的顶面之间的夹角度数。

13.一种设备壳体，其特征在于，所述设备壳体由权利要求1-12中任一项所述的设备壳体的加工方法进行加工得到。

14.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求13所示的设备壳体。