CN109564259A - 评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置 - Google Patents

评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。

Description

评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置
技术领域
本发明涉及评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置。
背景技术
以往，对于以逆变器和PWM整流器等功率转换装置为代表的电气电子设备所产生的电磁噪声(传导和辐射)，按照EMC(电磁兼容)标准规定了限值，要求充分地降低电磁噪声。提出了通过仿真或简单的测定来评价这种功率转换装置在工作时产生的电磁噪声的方法(例如参照专利文献1～3)。
专利文献1：日本专利特开平6-309420号
专利文献2：日本专利特开2014-135095号
专利文献3：日本专利特开2005-233833号
本发明所要解决的技术问题
上述仿真使用分析模型。但该分析模型必须要在功率转换装置的电路基板和壳体的具体结构决定了之后才能生成。另外，通过简单的测定来评价电磁噪声也必须在功率转换装置制造完成之后才能进行评价。因此，在功率转换装置制造完成之后，电磁噪声的评价结果有可能是“不符合标准”，而在这种情况下，必须再次进行EMC滤波器设计、零部件选定、基板布线设计和结构研究等等。
发明内容
(第一项)
评价方法可以具备使半导体器件进行开关动作的阶段。
评价方法可以具备对正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间所发生的电压变化进行测定的阶段。
评价方法可以具备基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。
(第二项)
输出评价指标的阶段可以针对各个频率分量来计算半导体器件的电压变化并将其作为评价指标。
(第三项)
开关动作可以包含半导体器件的导通动作、截止动作、反向恢复动作、正向恢复动作中的至少2个动作。
(第四项)
半导体器件可以包含串联连接的第一器件和第二器件。
进行测定的阶段可以测定第一器件与第二器件之间的电压变化。
(第五项)
半导体器件可以包含串联连接的第一器件和第二器件。
进行测定的阶段可以测定第一器件与第二器件的电压变化。
(第六项)
进行测定的阶段可以将隔着绝缘构件安装有半导体器件的导电性构件的电位作为基准电位，来测定该导电性构件与半导体器件之间的电压变化。
(第七项)
评价方法可以具备将针对半导体器件输出的评价指标与针对不同于半导体器件的基准器件输出的评价指标进行比较的阶段。
评价方法可以具备根据比较结果来评价与半导体器件相对的基准器件的辐射噪声强度的阶段。
(第八项)
推定方法可以推定具备半导体器件的装置的辐射噪声。
推定方法可以具备利用第一至第七项中任一项所述的评价方法，获取与多个条件下的开关动作分别对应地输出的半导体器件的多个评价指标的阶段。
推定方法可以具备将多个评价指标组合起来推定装置的辐射噪声的阶段。
(第九项)
评价指标的组合可以是半导体器件的多个评价指标的最大值或多个评价指标之和。
(第十项)
评价指标的组合可以是半导体器件的多个评价指标的平均值。
(第十一项)
评价指标的组合可以是将多个条件下的各个加权乘以半导体器件的多个评价指标中的对应的评价指标而计算出的平均值。
(第十二项)
评价装置可以具备向作为评价对象的半导体器件提供预先设定的开关信号的信号提供部。
评价装置可以具备检测半导体器件的电压变化的检测部。
评价装置可以具备基于检测部的检测结果来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的评价指标输出部。
(第十三项)
评价指标输出部可以基于电压变化的频率分量，来计算与半导体器件的辐射噪声相对应的电场强度。
(第十四项)
信号提供部可以提供使半导体器件进行导通动作、截止动作、反向恢复动作、正向恢复动作中的至少2个动作的开关信号。
(第十五项)
半导体器件可以包含串联连接的第一器件和第二器件。
检测部可以测定第一器件与第二器件之间的电压变化。
(第十六项)
半导体器件可以包含串联连接的第一器件和第二器件。
检测部可以测定在第一器件与第二器件的主端子之间所发生的电压变化。
(第十七项)
评价装置可以具备存储评价指标输出部输出的评价指标的存储部。
评价装置可以具备将评价指标输出部输出的评价指标、与存储在存储部中的不同于半导体器件的基准器件的评价指标进行比较的比较部。
评价装置可以具备根据比较结果来评价半导体器件的辐射噪声的评价指标的相对强度变化的评价部。
(第十八项)
检测部可以将隔着绝缘构件安装有半导体器件的导电性构件的电位作为基准电位，来测定该导电性构件与半导体器件之间的电压变化。
(第十九项)
综合评价装置可以具备获取部，利用第十二至第十八项中任一项所述的评价装置，获取与多个条件下的开关信号分别对应地输出的半导体器件的多个评价指标。
综合评价装置可以具备将多个评价指标组合起来推定具备半导体器件的装置的辐射噪声的综合评价部。
上述发明的概要并不是对本发明的所有必要特征的列举。这些特征群的亚组合也可以构成发明。
附图说明
图1表示对半导体器件10的开关特性进行评价的评价电路100的结构例。
图2表示使用评价电路100测定半导体器件10的开关特性的结果的一例。
图3中一并示出了本实施方式的评价装置200的结构例和评价对象的半导体器件10。
图4表示本实施方式所涉及的评价装置200的工作流程。
图5A表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出的评价指标的一例。
图5B表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出的评价指标的一例。
图6表示搭载有本实施方式所涉及的半导体器件10的电动机驱动装置600的测定辐射噪声的结构例。
图7A表示图6所示的测定系统所测定的辐射噪声的一例。
图7B表示图6所示的测定系统所测定的辐射噪声的一例。
图8表示搭载有本实施方式所涉及的半导体器件10的电动机驱动装置600的测定驱动电动机的电信号的测定系统的结构例。
图9A表示图8所示的测定系统所测定的电压波形的一例。
图9B表示图8所示的测定系统所测定的电压波形的一例。
图10表示本实施方式所涉及的评价装置200的变形例。
图11A表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出半导体器件10的导通特性作为评价指标的例子。
图11B表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出半导体器件10的导通特性作为评价指标的例子。
图12中一并示出了本实施方式的综合评价装置300的结构例和数据库410。
图13表示本实施方式所涉及的综合评价装置300的工作流程。
图14A表示本实施方式所涉及的综合评价装置300将图11A和图11B所示的多个评价指标组合起来对辐射噪声综合评价的结果的一例。
图14B表示本实施方式所涉及的综合评价装置300将图11A和图11B所示的多个评价指标组合起来对辐射噪声综合评价的结果的一例。
图15表示本实施方式所涉及的评价对象的半导体器件10输出的电流波形的一例。
具体实施方式
下面，通过发明的实施方式对本发明进行说明，但以下的实施方式并不是对权利要求书所涉及的发明进行的限定。另外，实施方式中说明的特征的组合并不全是解决本发明的技术问题的技术手段所必需的。
图1表示对半导体器件10的开关特性进行评价的评价电路100的结构例。所示为评价对象的半导体器件10包括串联连接的第一器件12和第二器件14的例子。图1示出了第一器件12为二极管，第二器件14为IGBT与反向并联连接的二极管的组合的示例。使用图1所示的评价电路100，使第二器件14进行导通动作和截止动作等，从而可以评价半导体器件10的开关损耗和浪涌电压等。评价电路100具备电源110、第一电容部120、第二电容部130、负载电抗器140和信号提供部150。
电源110是输出直流电压VDC的直流电源。电源110连接在半导体器件10的两端。电源110例如与第一器件12的一端(阴极端子)和第二器件14的另一端(发射极端子)连接，向第一器件12和第二器件14提供直流电压。这种情况下，第一器件12的另一端(阳极端子)与第二器件14的一端(集电极端子)连接。
第一电容部120与半导体器件10并联连接，对从电源110输出的直流电压VDC进行平滑化。第一电容部120例如是电容值为CDC的电容器。第一电容部120例如是电解电容器。第二电容部130与半导体器件10并联连接，用于抑制浪涌电压。第二电容部130例如是电容值为CS的电容器。第一电容部120和第二电容部130优选为不同电容值的电容器，例如电容值CDC是大于电容值CS的电容值。
负载电抗器140连接在第一器件12的两端。负载电抗器140例如具有电感值L。
信号提供部150向半导体器件10提供预先设定的开关信号。信号提供部150例如具有脉冲发生装置和放大电路等，向第二器件14的栅极端子提供脉冲状的开关信号VS。第二器件14的栅极端子接收到该开关信号VS，则集电极端子与发射极端子之间在电连接状态(导通状态)与切断状态(截止状态)之间进行切换。
上述的评价电路100能够向第二器件14提供开关信号，使半导体器件10进行开关动作。因此，例如通过用外部的测定装置等测定开关动作过程中流过集电极端子的集电极电流ic，能够得到第二器件14的开关特性。
另外，通过用外部的测定装置等测定开关动作过程中流过第一器件12的正向电流if，能够评价第一器件12的开关特性。将第二器件14的集电极与发射极的端子间电压设为Vce2，将第一器件12的两端电压设为Vr。下面，对使用评价电路100测定开关特性的情况进行说明。
图2表示使用评价电路100测定半导体器件10的开关特性的结果的一例。图2中，横轴为时间，纵轴为电压值或电流值。图2示出了评价电路100根据开关信号VS来切换第二器件14的导通状态和截止状态，从而使第二器件14进行导通动作和截止动作的例子。
开关信号VS在时刻t1成为高电压，第二器件14变为导通状态。第二器件14的集电极端子与发射极端子之间导通，从而有电流从电源110经由负载电抗器140流向第二器件14。流向第二器件14的电流被作为集电极电流ic来测量，从时刻t1起以基本恒定的变化率di/dt上升。这里，变化率di/dt用下式来表示。
【数学式1】
di/dt＝VDC/L
开关信号VS在时刻t2成为低电压，第二器件14变为截止状态。这里，评价电路100可以设定时刻t1到时刻t2的时间，使得在预先设定的集电极电流ic流过的时刻，第二器件14切换到截止状态。由此，评价电路100能够在预先设定的集电极电流ic的条件下执行第二器件14的截止动作。即，能够测定在预先设定的集电极电流ic的条件下使第二器件14进行截止动作时的瞬态响应。
集电极与发射极的端子间电压Vce2在第二器件14变为截止状态的时刻t1之前的时间内，是与直流电压VDC大致相同的电压。然后，在时刻t1到时刻t2的时间内，第二器件14变为导通状态，端子间电压Vce2变为约0V。第一器件12在时刻t2之前的时间内没有电流流过，正向电流if为约0A。第一器件12的两端电压Vr在时刻t1之前为约0V，在时刻t1到时刻t2的时间内，成为与直流电压VDC大致相同的电压。
在时刻t2，第二器件14变为截止状态，负载电抗器140开始工作，以使流过的电流继续流动，因此，电流在该负载电抗器140到第一器件12的路径中环流。因而，第一器件12的正向电流if在时刻t2上升，之后电流值随着时间流逝慢慢减小。第一器件12在时刻t2的正向电流if的上升为正向恢复动作。然后，在第一器件12中流过正向电流if的期间将第二器件14变为导通状态，能够执行该第一器件12的反向恢复动作和第二器件14的导通动作。
这里，评价电路100可以设定时刻t2到时刻t3的时间，使得在预先设定的正向电流if流过的时刻，第二器件14切换到导通状态。从而，评价电路100能够在预先设定的正向电流if的条件下执行第一器件12的反向恢复动作和第二器件14的导通动作。即，能够测定在预先设定的正向电流if的条件下使第二器件14进行导通动作时的第二器件14和第一器件12的瞬态响应。
由此，开关信号VS在时刻t3再次成为高电压，第二器件14变为导通状态。第二器件14的端子间电压Vce2在第二器件14变为截止状态的时刻t2到时刻t3的时间内为与直流电压VDC大致相同的电压，时刻t3之后再次变为约0V。第一器件12的两端电压Vr在时刻t2到时刻t3的时间内为约0V，时刻t3之后再次变为与直流电压VDC大致相同的电压。
从而，可以用同一个开关信号VS并在至少有一部分相同的时间区域内观测到第一器件12的正向恢复动作和第二器件14的截止动作。同样，也可以用同一个开关信号VS并在至少有一部分相同的时间区域内观测到第一器件12的反向恢复动作和第二器件14的导通动作。
考虑例如信号提供部15将使第二器件14进行导通动作的开关信号VS提供给第二器件14的栅极端子的情况。在此情况下检测第二器件14的集电极与发射极的端子间电压Vce2的瞬态响应，则能够观测到第二器件14的导通特性。另外，检测第一器件12中流过的电流if，能够观测到第一器件12的正向恢复特性。
同样，考虑信号提供部15将使第二器件14进行截止动作的开关信号VS提供给第二器件14的栅极端子的情况。在此情况下检测第二器件14的集电极与发射极的端子间电压Vce2，则能够观测到第二器件14的截止特性。另外，检测第一器件12中流过的电流if，则能够观测到第一器件12的反向恢复特性。
由此，使用评价电路100测定半导体器件10的开关特性，例如被评价为是符合预先设定的基准的合格品的半导体器件10才会投入市场等。然而，即使用开关特性良好的半导体器件10来制造功率转换装置等，该功率转换装置所产生的电磁噪声也可能超过EMC标准所规定的基准值。这种情况下，需要在功率转换装置制造完成之后再次实施EMC滤波器设计、包括半导体器件10在内的零部件重新选定、基板布线设计和结构研究等，从而会产生繁琐的步骤和高昂的成本。
因此，本实施方式所涉及的评价装置200不仅评价半导体器件10的开关特性，而且还评价该半导体器件10的辐射噪声并输出评价指标。从而，能够在搭载有该半导体器件10的功率转换装置等制造完成之前推定该功率转换装置所产生的辐射噪声，从而减少制造过程中的步骤并降低成本。下面，对这样的评价装置200进行说明。
图3中一并示出了本实施方式的评价装置200的结构例和评价对象的半导体器件10。评价装置200的一部分结构与图1所示的评价电路100相同。因此，通过使用评价装置200，能够评价图1和图2所说明的半导体器件10的开关特性。评价装置200具备电源110、第一电容部120、第二电容部130、负载电抗器140、信号提供部150、检测部220、评价指标输出部230、存储部240、比较部250和评价部260。
图3所示的电源110、第一电容部120、第二电容部130、负载电抗器140和信号提供部150与图1中说明的电源110、第一电容部120、第二电容部130、负载电抗器140和信号提供部150的动作基本相同，因此对其标注相同的标号。这里省略对它们的说明。
图3中，示出了评价对象的半导体器件10包括串联连接的第一器件12和第二器件14的例子。这里，第一器件12和第二器件14例如是MOSFET或IGBT等半导体开关。图3示出了第一器件12和第二器件14都是IGBT且分别与二极管反向并联连接的例子。即，负载电抗器140连接在第一器件12的一端与另一端之间，第一器件12的一端为集电极端子，另一端为发射极端子。
检测部220检测半导体器件10的电压变化。检测部220例如检测根据开关动作发生变化的半导体器件10的电压变动。检测部220例如观测第一器件12和第二器件14之间的电压变化。检测部220也可以检测第一器件12的一端与另一端之间的集电极-发射极端子间电压Vce1、第二器件14的一端与另一端之间的集电极-发射极端子间电压Vce2中的任一方端子间电压。检测部220具有电压探针，该电压探针与第一器件12和第二器件14的一端及另一端电连接。
评价指标输出部230基于检测部220的检测结果，输出半导体器件10的辐射噪声的评价指标。评价指标输出部230输出检测部220检测出的电压变化的频率分量作为辐射噪声的评价指标。例如，评价指标输出部230具有波谱分析仪等用于测定频域的测定器，输出频域的测定结果来作为评价指标。评价指标输出部230还具有示波器等时域测定器，对时域的测定结果进行傅里叶变换，将其变换成频域的数据并作为评价指标输出。评价指标输出部230将评价指标提供给存储部240和比较部250。
存储部240存储评价指标输出部230输出的评价指标。存储部240例如将评价指标与该评价装置200评价的评价对象的半导体器件10对应地存储。存储部240也可以例如存储该评价装置200评价并输出的过去的评价指标，起到评价指标数据库的功能。存储部240可以设置在该评价装置200的内部或者外部。存储部240也可以作为经由网络等与评价装置200的主体相连接的数据库。
比较部250将评价指标输出部230本次输出的评价指标与存储在存储部240中的不同于半导体器件10的基准器件的过去的评价指标进行比较。这里，当半导体器件10是对基准器件进行了改良的器件时，比较部250将改良前的基准器件的评价指标与改良后的半导体器件10的评价指标进行比较。
评价部260根据比较部250的比较结果，评价半导体器件10的辐射噪声的相对强度变化。评价部260输出评价结果。评价部260可以将评价结果输出到显示装置等，还可以输出到外部的数据库等。评价部260还可以用数据表等预先设定的格式来输出评价结果。
以上本实施方式的评价装置200执行图1和图2所说明的半导体器件10的开关动作，评价该半导体器件10的辐射噪声。下面，对评价装置200对半导体器件10的评价动作进行说明。
图4表示本实施方式所涉及的评价装置200的工作流程。评价装置200执行图4所示的S410～S460的动作，对评价对象的半导体器件10的辐射噪声进行评价。
首先，使与检测部220的电压探针电连接的半导体器件10执行开关动作(S410)。例如，信号提供部150将图2所示的开关信号VS提供给第二器件14的栅极端子，使第一器件12的正向恢复动作和反向恢复动作、第二器件14的导通动作和截止动作这样的开关动作得以执行。
然后，在半导体器件10进行开关动作的过程中，检测部220观测该半导体器件10的电压变化(S420)。检测部220检测第一器件12和第二器件14的集电极端子与发射极端子之间的电压变化、或者第一器件12和第二器件14中的任一方的电压变化。
接着，计算电压变化的频率分量(S430)。评价指标输出部230例如对检测部220检测出的半导体器件10的电压变化即电压波形进行频率变换，计算出频率分量。评价指标输出部230也可以具有波谱分析仪等频域的测量装置，观测电压变化的频率分量。
然后，基于电压变化，输出辐射噪声的评价指标(S440)。评价指标输出部230例如输出计算出的电压变化的频率特性作为辐射噪声的评价指标。这里，评价指标例如是30MHz～1GHz这样预先设定的频带中的频率特性的计算结果。评价指标输出部230将评价指标输出到存储部240进行存储。评价指标输出部230还将该评价指标提供给比较部250。评价指标输出部230也可以将该评价指标作为半导体器件10的数据表的一部分来输出。
然后，针对半导体器件10输出的评价指标与针对不同于半导体器件10的基准器件过去输出的评价指标进行比较(S450)。例如，比较部250从存储部240读取过去的评价指标，对评价指标输出部230输出的评价指标和过去的评价指标进行比较。比较部250例如计算出在预先设定的频带中的评价指标的差分频谱。
接着，根据比较结果，评价半导体器件10的辐射噪声的相对强度变化(S460)。评价部260例如也可以将差分频谱作为相对强度变化。评价部260还可以将差分频谱中与预先设定的频率相对应的值作为相对强度变化。评价部260还可以将差分频谱中与预先设定的多个频率相对应的值的平均值作为相对强度变化。
评价部260将相对强度变化作为评价结果输出。评价部260也可以根据半导体器件10的每种开关动作来输出评价结果。例如，在基准器件是过去搭载在装置等上的器件的情况下，相对强度变化成为半导体器件10搭载在该装置等上时发生变化的相对辐射电场强度的指标。另外，在基准器件是与半导体器件10大致相同的器件的情况下，相对强度变化成为器件制造偏差或随时间变化、器件安装结构差异等的指标。
本实施方式所涉及的评价装置200通过上述动作流程，能够评价半导体器件10的辐射噪声并输出。以上说明了评价装置200将与过去的评价指标之差即相对强度变化作为评价结果而输出的例子，但并不限于此。评价装置200也可以输出评价指标输出部230计算出的表示绝对频谱的评价指标。评价装置200是输出评价指标的装置的情况下，也可以不设置比较部250和评价部260。
图5A和图5B表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出的评价指标的一例。图5A和图5B表示在10MHz～500MHz的频带中，评价指标输出部230输出半导体器件10的评价指标的例子。这里，评价指标输出部230输出根据预先设定的开关信号VS观测到的第一器件12的“正向恢复电压”、“反向恢复电压”、第二器件14的“导通电压”和“截止电压”的频率特性。
通过测定，明确了IGBT等半导体器件导通时产生的辐射电场强度与图5A及图5B所示的导通特性及反向恢复特性的电压的最大值或它们的和具有相关性。另外，通过测定，还明确了该器件截止时产生的辐射电场强度与图5A及图5B所示的截止特性及正向恢复特性的电压的最大值或它们的和具有相关性。
因此，通过对导通特性及反向恢复特性的电压的最大值或它们的和与截止特性及正向恢复特性的电压的最大值或它们的和进行比较，能够掌握是哪一方的定时产生了更大的辐射噪声。另外，根据辐射噪声的相对大小，能够实施变更栅极电阻值等对策。另外，也可以使导通和截止时产生的各特性的电压相互平衡。下面，对评价指标和辐射电场强度的相关性进行说明。
图6表示搭载有本实施方式所涉及的半导体器件10的电动机驱动装置600的测定辐射噪声的测定系统的结构例。电动机驱动装置600是搭载了半导体器件10的装置的一例。电动机驱动装置600具备电源部610、输入电缆620、驱动电路630、输出电缆640和电动机650。
电源部610是交流电源。电源部610可以具有电源阻抗稳定电路(LISN)。输入电缆620将电源部610输出的交流电压传输到驱动电路630。驱动电路630生成用于驱动电动机650的电信号。驱动电路630例如利用整流电路对电源部610的交流电压进行整流，并将整流后的信号提供给逆变器电路从而生成该电信号。输出电缆640将驱动电路630输出的电信号传输到电动机650。电动机650根据该电信号进行旋转。
在上述电动机驱动装置600的驱动电路630中，搭载有本实施方式所涉及的半导体器件10。例如，图6的器件S1为第一器件12，器件S4为第二器件14。或者，器件S2为第一器件12，器件S5为第二器件14。又或者，器件S3为第一器件12，器件S6为第二器件14。半导体器件10可以作为驱动电路630的逆变器电路的一部分来进行搭载。这样的半导体器件10根据电信号进行开关动作，因此会根据该动作产生辐射噪声。
天线660和测定装置670测定上述辐射噪声。天线660接收在空间中传播的辐射噪声。天线660配置于离电动机驱动装置600为预先设定距离的位置。测定装置670接受天线660所接收到的接收信号，并将该接收信号转换到频域进行输出。测定装置670可以测定比电动机650的旋转频率要高的频带。测定装置670可以是波谱分析仪等。
图7A和图7B表示图6所示的测定系统所测定的辐射噪声的一例。图7A和图7B表示在不同的2种条件下驱动半导体器件10时观测到的辐射噪声。例如，在从驱动条件A变为驱动条件B时，可知半导体器件10在30MHz～100MHz频带内的辐射电场强度降低了2dB～6dB左右。
图8表示搭载有本实施方式所涉及的半导体器件10的电动机驱动装置600的测定驱动电动机的电信号的测定系统的结构例。图8所示的测定系统中，对与图6所示的测定系统的动作大致相同的部件标注相同的标号，并省略说明。电动机驱动装置600是与图6所示的搭载有半导体器件10的装置大致相同的装置。
图8中，测定装置670测定驱动电路630输出的用于驱动电动机650的电信号。测定装置670测定电动机驱动装置600驱动电动机650过程中半导体器件10的开关电压波形。
图9A和图9B表示图8所示的测定系统所测定的电压波形的一例。图9A和图9B表示对图7A和图7B的测定辐射噪声时的电压波形进行频率分析后的结果。例如，在从驱动条件A变为驱动条件B时，可知半导体器件10在30MHz～100MHz频带内的辐射电场强度有降低2dB～6dB左右的趋势。
从而，将图6和图8的测定结果进行比较，可以确认例如在30MHz～500MHz的频带内，驱动条件A和驱动条件B变更前后的相对变化值呈现出相同的趋势。即，可知由半导体器件10的开关波形变换得到的频率分量与辐射噪声相关，基于该半导体器件10的开关波形，能够掌握辐射噪声的相对值。另外，可知通过预先测定上述相关性，能够基于半导体器件10的开关波形来掌握辐射噪声的辐射电场强度。
另外，若将图8的测定结果和图5A及图5B所示的评价指标进行比较，可知两者的特性也呈现出相同的趋势。即，可知评价装置200评价半导体器件10而输出的评价指标与搭载了该半导体器件10的装置产生的辐射噪声的辐射电场强度具有相关性。因而，通过分析该评价指标在特定频率下的电压，能够评价每一种开关特性的噪声产生量。
以上说明了本实施方式所涉及的评价装置执行半导体器件10的导通动作、截止动作、反向恢复动作和正向恢复动作，并根据所得到的开关电压波形的频率特性来评价辐射噪声。将对应于导通动作、截止动作、反向恢复动作和正向恢复动作得到的开关电压波形的频率特性分别记为导通特性、截止特性、反向恢复特性和正向恢复特性。
这里，评价装置200所得到的开关电压波形的频率特性如图5A和图5B所示，其结果是电压随着开关动作而不同。尤其是在成为要限制辐射噪声的对象的30MHz以上频率下，反向恢复特性有时会达到大于其它特性的电压。因此，优选的是评价装置200执行至少包含半导体器件10的反向恢复动作在内的开关动作来输出评价指标。
另外，在4个特性中至少有2个特性已知的情况下，可以类推出其他特性。因此，优选的是评价装置200执行包括半导体器件的导通动作、截止动作、反向恢复动作和正向恢复动作中的至少2个动作在内的开关动作来输出评价指标。这种情况下，更优选的是至少2个动作中的1个动作为反向恢复动作。
另外，4个特性中的导通特性有时会达到相比于其它特性仅次于反向恢复特性的电压。因此，更优选的是评价装置200执行至少包含半导体器件10的反向恢复动作和导通动作在内的开关动作来输出评价指标。如上所述，信号提供部150可以提供使半导体器件10进行导通动作、截止动作、反向恢复动作、正向恢复动作中的至少1个或2个动作的开关信号。由此，评价装置200能够缩短评价时间，并能节约评价步骤等。
以上说明了本实施方式的评价装置200观测串联连接的第一器件12与第二器件14之间的电压变化的例子。也可以在此基础上或取而代之地由评价装置200观测第一器件12和第二器件14的电压变化。即，检测部220与第一器件12的一端和第二器件14的另一端电连接，检测第一器件12和第二器件14的两端电压的电压变化。
上述第一器件12和第二器件14的两端电压具有在电源110所提供的直流电压VDC上叠加了与开关动作相应的高频变动分量ΔVDC的波形。评价装置200可以观测该高频变动分量ΔVDC，来评价半导体器件10的辐射噪声。
在使半导体器件10进行导通动作并观测高频变动分量ΔVDC的情况下，可以观测到第一器件12的反向恢复特性和第二器件14的导通特性叠加后的电压变化。即，在此情况下，高频变动分量ΔVDC与第一器件12的反向恢复特性和第二器件14的导通特性中电压较大的一方的特性具有相关性。
同样，在使半导体器件10进行截止动作并观测高频变动分量ΔVDC的情况下，可以观测到第一器件12的正向恢复特性和第二器件14的截止特性叠加后的电压变化。即，在此情况下，高频变动分量ΔVDC与第一器件12的正向恢复特性和第二器件14的截止特性中电压较大的一方的特性具有相关性。
因此，评价装置200通过使半导体器件10进行导通动作和截止动作并逐次地观测高频变动分量ΔVDC，能够观测到4个开关特种中电压较大的2个开关特性。另外，该高频变动分量ΔVDC的测定是除去DC分量后的频率特性的观测，通过利用AC耦合进行测量或者在检测部220与评价指标输出部230之间插入高通滤波器，能够容易地提取出ΔVDC的分量。因而，评价装置200能够增大S/N和动态范围地测定高频变动分量ΔVDC。
以上说明了本实施方式的评价装置200观测开关动作过程中的半导体器件10的电压变化。这里，半导体器件10的寄生电容中流过的电流有时会成为辐射噪声源。例如，在半导体器件10上安装有冷却翅片的情况下，该冷却翅片的一部分导电性构件与半导体器件10之间会形成寄生电容，流过该寄生电容的电流导致辐射噪声的产生。
在上述情况下，评价装置200通过获取叠加了因寄生电容产生的噪声的观测结果，能够更加准确地评价相对辐射噪声。下面，对这样的评价装置200进行说明。
图10表示本实施方式所涉及的评价装置200的变形例。本变形例的评价装置200中，对与图3所示的本实施方式的评价装置200的动作大致相同的部件标注相同的标号，并省略说明。本变形例的评价装置200还具备导电性构件320和第三电容部330。
导电性构件320是调节半导体器件10的温度的温度调节部的一部分。例如，导电性构件320是加热器、冷却装置和散热翅片中的至少一个的一部分。
导电性构件320还具有维持半导体器件10的环境温度稳定的功能。因此，优选的是导电性构件320直接固定在半导体器件10上。从而，能够保证半导体器件10和导电性构件320之间的寄生电容和接触电阻为基本固定的稳定值。
然后，评价装置200将在配置有半导体器件10的基板上所固定的导电性构件320的电位作为基准电位，其与观测半导体器件10之间的电压变化。例如，检测部220的电压探针的其中一个电连接到导电性构件320，另一个电连接到第一器件12与第二器件14之间，从而检测第二器件14的集电极与发射极的端子间电压Vce2的变化。另外，可以将检测部220的电压探针的其中一个电连接到导电性构件320，将另一个电连接到第一器件12的集电极端子侧的一端，从而检测第一器件12和第二器件14的两端电压的电压变化。
如上所述，本变形例的评价装置200使得半导体器件10和导电性构件320之间的寄生电容稳定。导电性构件320是用于稳定温度，因此优选为增大其表面积，从而可以使其大于其它路径的寄生电容。该寄生电容成为导致辐射噪声产生的共模电流流过的路径。因而，评价装置200能够使寄生电容所产生的噪声和共模电流稳定，从而输出再现性更高的评价指标。
另外，本变形例的评价装置200可以具备与半导体器件分别并联连接的多个电容部，多个电容部中的至少一个电容部具有串联连接的多个电容元件。图6所示的评价装置200表示第三电容部330具有第一电容元件332和第二电容元件334的例子。这里，第一电容元件332和第二电容元件334之间连接了基准电位340。
第三电容部330是用作为降低辐射噪声的EMC滤波器的公知电路。评价装置200通过设置这样的电路，从而接近实际搭载有半导体器件10的电路结构，能够输出更高精度的评价结果。评价装置200除了具备第三电容部330之外，也可以进一步设置同种和/或不同种的EMC滤波器等。
以上说明了本实施方式所涉及的评价装置200使半导体器件10进行开关动作，从而能够评价半导体器件10的辐射噪声。但是，在将半导体器件10实际搭载于装置等的情况下，该半导体器件10的开关电流有可能是时刻变化的。辐射噪声会随着这样的开关电流发生变化，因此与评价装置200输出的评价指标相比，有时会得到不同的结果。
图11A和图11B表示本实施方式所涉及的评价指标输出部230输出半导体器件10的导通特性作为评价指标的例子。这里，评价指标是根据多个开关信号VS使半导体器件10中流过的开关电流变化时的导通特性。图11A和图11B表示开关电流为0A时的比较对象的导通特性、以及开关电流为预先设定的电流值I1、2I1、3I1时与这3种开关电流所对应的3种导通特性。
通过对4种波形进行比较，可知电压随着开关电流值呈非线性变化。例如，在不同频率下，达到最大值的电流条件有时并不相同。例如，在10MHz下，开关电流为3I1的电流条件达到最大值，而在20MHz下，开关电流为I1的电流条件达到最大值。因此，在半导体器件10的开关电流发生变化的情况下，通过根据该驱动电流的变化来组合多个评价对象，能够推定根据该开关电流而产生的辐射噪声。下面，对这样的综合评价装置300进行说明。
图12中一并示出了本实施方式的综合评价装置300的结构例和数据库410。数据库410存储评价装置200输出的评价指标。优选的是数据库410对于半导体器件10的多种不同的开关动作，分别对在多个不同的开关信号条件下输出的评价指标进行存储。数据库410也可以是评价装置200的存储部240。
综合评价装置300使用上述评价指标，对具备半导体器件10的装置所放出的辐射噪声进行综合评价。这里，将图6所示的搭载有半导体器件10的装置称为搭载装置。综合评价装置300具备获取部420和综合评价部430。
获取部420利用评价装置200，获取与多个不同条件下的开关信号相对应地输出的半导体器件10的多个评价指标。获取部420例如经由网络从数据库410获取评价指标。获取部420还可以与数据库410直接连接来获取评价指标。获取部420也可以获取用于驱动半导体器件10的驱动信号的信息。
综合评价部430根据用于驱动半导体器件10的驱动信号，将多个评价指标加以组合来对搭载装置的辐射噪声进行综合评价。综合评价部430例如针对预先设定的每一个频率，将多个评价指标中与该频率对应的电压相加，计算出辐射噪声的评价结果。综合评价部430也可以针对预先设定的每一个频率，计算出多个评价指标中与该频率对应的电压的平均值或最大值，从而计算出辐射噪声的评价结果。综合评价部430输出所计算出的评价结果。
图13表示本实施方式所涉及的综合评价装置300的工作流程。综合评价装置300执行图13所示的S510～S530的动作，对搭载装置上由半导体器件10放出的辐射噪声进行综合评价。
首先，获取用于驱动半导体器件10的驱动信号(S510)。获取部420从数据库410等获取搭载装置驱动半导体器件10的驱动信号的信息。获取部420也可以与搭载装置连接，从搭载装置获取驱动信号的信息以代替上述方式。获取部420还可以由搭载装置的设计者或使用者等综合评价装置300的用户来输入驱动信号的信息以代替上述方式。
接着，利用评价装置200，获取与多个不同条件下的开关动作相对应地输出的半导体器件10的多个评价指标(S520)。获取部420对应于半导体器件10的驱动信号获取多个评价指标的组合。获取部420例如根据驱动信号的极性和大小等，获取对应的评价指标。获取部420也可以根据驱动信号的时间变化来获取对应的评价指标。获取部420还可以将评价指标乘上与驱动信号的时间变化相对应的加权，来计算多个评价指标。
然后，综合评价部430根据用于驱动半导体器件10的驱动信号，将获取部420所获取的多个评价指标加以组合来对搭载装置的辐射噪声进行综合评价(S530)。综合评价部430所用的评价指标的组合例如是半导体器件10的多个评价指标的最大值或它们的和。综合评价部430所用的评价指标的组合也可以是半导体器件10的多个评价指标的平均值。综合评价部430所用的评价指标的组合还可以是多个评价指标的最大值或它们的和、以及平均值。
例如，国际无线电干扰特别委员会(CISPR)等规定的电子设备辐射噪声的标准由准峰值和平均值等定义。因此，为了应对上述标准值，综合评价部430也可以使用多个评价指标的最大值和平均值来对辐射噪声进行综合评价并输出。在这种情况下，例如根据所输出的该最大值和平均值的差分的大小关系等，能够在一定程度上预测准峰值。
综合评价部430所用的评价指标的组合也可以是半导体器件10输出的电流所对应的多个加权分别乘以半导体器件10的多个评价指标中相对应的评价指标而计算出的平均值。
如上所述，综合评价装置300根据驱动半导体器件10的驱动信号，将预先评价为精度高的评价指标加以组合来计算辐射噪声的推定值，因此能够对辐射噪声进行综合评价。本实施方式所涉及的综合评价装置300观测各种条件下的开关动作引起的半导体器件10的电压变化并进行评价，获取评价得到的多个评价指标中在半导体器件10安装到装置上时输出电流或开关电流所对应的评价指标并加以组合。由此，能够使用分别对半导体器件10的电压变化所对应的辐射噪声进行了评价的评价指标，因此综合评价装置300能够更加准确地推定辐射噪声。
图14A和图14B是表示本实施方式所涉及的综合评价装置300将图11A和图11B所示的多个评价指标组合起来对辐射噪声综合评价的结果的一例。图14A和图14B是综合评价部430采用多个评价指标的最大值和平均值作为组合时的输出结果的例子。即，图14A中，示出“最大值”的波形表示图11A和图11B所示的4种导通特性在每一个频率下的最大值。图14B中，示出“平均值”的波形表示图11A和图11B所示的4种导通特性在每一个频率下的平均值。
基于辐射噪声的上述推定结果，能够进一步预测准峰值的趋势。例如，可知在30MHz～60MHz的频带内，平均值和最大值所示的2个波形在每个频率下的电压差分在6dB以下。由此，该频带内辐射噪声的峰值与平均值为基本相同程度的强度值，因此可以预料到该频带内的准峰值会达到与峰值相同程度的高强度值。
另外，可知在100MHz～140MHz的频带内，平均值和最大值所示的2个波形在每个频率下的电压差分在6dB～10dB左右。由此，该频带内辐射噪声的峰值与平均值之差较大，因此可以预料到该频带内的准峰值会达到与平均值相同程度的低强度值。
如上所述，综合评价装置300将多个评价指标加以组合，从而能够对辐射噪声进行综合评价，因此基于综合评价结果，能够预料到限制对象设备的辐射噪声水平。综合评价装置300还能够对更加复杂的驱动信号所对应的辐射噪声进行综合评价。
图15示出了装置为例如三相逆变器装置的情况下将一相的半周期内的输出电流波形归一化后的例子。图15中，横轴表示归一化的时间轴，纵轴表示驱动信号归一化后的振幅值。输出电流是正弦波信号的一部分，图15的时间轴即横轴用相位为180°的时刻被设为100％的归一化后的相位来表示。
如图15所示，在输出电流的极性为正的情况下，获取部420例如获取根据半导体器件10的导通动作而输出的评价指标。获取部420也可以在与正弦波的振幅峰值对应的条件下获取评价装置200输出的评价指标。获取部420还可以在与正弦波的振幅峰值最接近的条件下获取评价装置200输出的评价指标。获取部420例如将与输出电流相对应的加权与所获取的评价指标相乘来获取多个评价指标。
获取部420例如根据振幅值将输出电流分割成多个区域。图15表示将输出电流的振幅等分为峰值为1时的0～0.25、0.25～0.5、0.5～0075、0.75～1这4个区域的例子。然后，获取部420计算各区域中驱动信号在时间轴上的占有率。例如，在振幅强度为0～0.25的区域，输出电流占据时间轴的最开始的上升沿和最后的下降沿。即，在振幅强度为0～0.25的区域，相对于100％的总相位区域，输出电流占据了16％的相位区域，占有率为16％。
同样，获取部420在振幅强度为0.25～0.5的区域中的占有率为17％，在振幅强度为0.5～0.75的区域中的占有率为21％，在振幅强度为0.75～1的区域中的占有率为46％。上述占有率的分布能够直接替换成三相逆变器动作的开关电流的发生频度，因此获取部420能够算出与占有率相应的多个评价指标。
即，获取部420将根据输出电流的振幅值的峰值而获取的成为基准的评价指标在每个频率下的电压乘以0.16，可以计算出振幅强度在0～0.25区域内的第一评价指标。获取部420通过将该成为基准的评价指标乘以0.17，可以计算出振幅强度在0.25～0.5区域内的第二评价指标。同样，获取部420将该成为基准的评价指标分别乘以0.21和0.46，可以计算出振幅强度在0.5～0.75区域内的第三评价指标和振幅强度在0.75～1区域内的第四评价指标。综合评价部430计算第一评价指标～第四评价指标这4个评价指标在每个频率下的平均值来作为辐射噪声的综合评价值。综合评价部430输出所计算出的综合评价值。
如上所述，本实施方式所涉及的综合评价装置300根据输出电流，使用考虑了开关电流的发生频度的多个评价指标，因此能够对应于各种输出电流而对辐射噪声进行更准确的综合评价。本实施方式中，说明了将输出电流的振幅等分成4个区域的例子，但并不限于此。驱动信号的振幅分割数可以设定为各种分割数。与评价指标相乘的加权等也可以根据驱动信号进行调整。
如上所述，本实施方式所涉及的评价装置200和综合评价装置300能够在半导体器件10搭载到装置等之前的阶段，对搭载到该装置后的辐射噪声进行评价。另外，即使驱动半导体器件10的驱动信号十分复杂，综合评价装置300也能通过将评价装置200输出的评价指标加以组合，来对辐射噪声进行综合评价。
另外，通过将评价装置200输出的评价指标作为该半导体器件10的数据表来输出，能够提供对于简化装置设计来说有意义的信息。这种情况下，优选的是评价装置200将过去针对器件的评价结果与评价指标一并输出。从而，例如能够容易地从过去使用的器件掌握辐射噪声降低或增加了多少的指标，能够顺利地进行装置设计。
装置设计例如有预先决定半导体器件的驱动条件或决定驱动电路常数，以满足国际标准的要求。具体而言，驱动条件为输入到半导体器件的栅极端子的栅极电压值与时间的关系等。另外，驱动电路常数为栅极电阻值、栅极布线的电感值、电容值、所使用电源的规格等。而且，例如在半桥电路的下桥臂中的半导体器件导通时产生的辐射噪声占支配性地位时，调整下桥臂的半导体器件的驱动条件或驱动电路常数等。作为装置的结构，可以举出在辐射噪声占支配性地位的半导体器件与印刷基板之间设置屏蔽板、根据辐射噪声的强弱决定装置内的配置、在装置壳体上设置屏蔽板、接地情况等。
在设计半导体器件时，也可以调整器件的内部电阻值等。另外，在设计搭载半导体器件的模块时，也可以调整绝缘基板、树脂绝缘基板等的块数、调整所形成的电路图案形状、厚度、电流路径等、调整绝缘基板等上使用的绝缘板的厚度、材料、调整与形成在半导体器件上的表面电极相接合的布线(导线、引线框等)的形状、尺寸、材料等、调整模块所用壳体(外壳)的形状、材料等。
本实施方式中，将评价装置200和综合评价装置300作为各自独立的装置进行了说明，但并不限于此结构。评价装置200和综合评价装置300例如也可以作为一个装置来构成。评价装置200和/或综合评价装置300的至少一部分也可以由计算机等构成。
以上本发明的各种实施方式可以参照流程图和框图进行记载。流程图和框图中的功能框可以用(1)执行操作的流程中的阶段或(2)具有执行操作的功能的装置的“部”来表现。特定的阶段和“部”可以由专用电路、与存储在计算机可读存储介质中的计算机可读指令一同提供的可编程电路和/或与存储在计算机可读存储介质上的计算机可读指令一同提供的处理器来安装。
专用电路可以包含数字和/或模拟硬件电路，还可以包含集成电路(IC)和/或分立电路。可编程电路例如包含现场可编程门阵列(FPGA)和可编程逻辑阵列(PLA)等进行逻辑或、逻辑异或、逻辑与非、逻辑或非及其它逻辑运算的包含触发器、寄存器和存储元件的可重构硬件电路。
计算机可读存储介质可以包含任何能够存储由合适的器件来执行的指令的有形器件。从而，具有存储在该有形器件中的指令的计算机可读存储介质将为了生成用于执行流程图或框图所指定的操作的单元而能执行的指令包含在内地制造出产品。计算机可读存储介质例如可以包含电子存储介质、磁存储介质、光存储介质、电磁存储介质、半导体存储介质等。
计算机可读存储介质的更加具体的例子可以包含软盘(注册商标)、磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦写可编程只读存储器(EPROM或闪存)、带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、静态随机存取存储器(SRAM)、只读光盘(CD-ROM)、数字化多用途光盘(DVD)、蓝光盘(注册商标)、记忆棒、集成电路卡等。
计算机可读指令可以包含汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器依赖指令、微代码、固件指令、状态设定数据等。另外，计算机可读指令还可以包括Smalltalk、JAVA(注册商标)、C++等面向对象程序语言、“C”程序语言或包含同样的程序语言的现有的过程型程序语言在内的一个或多个程序语言的任意组合所表述的源代码或目标代码。”
计算机可读指令可以经由本地或局域网(LAN)、互联网等广域网(WAN)提供给常用的计算机、特殊目的的计算机、或者其它可编程数据处理装置的处理器或可编程电路。从而，常用的计算机、特殊目的的计算机、或者其它可编程数据处理装置的处理器或可编程电路能够执行该计算机可读指令，以生成用于执行流程图或框图所指定的操作的单元。处理器例如包括计算机处理器、处理单元、微处理器、数字信号处理器、控制器、微控制器等。
应当注意的是，权利要求书、说明书和附图中所示的装置、系统、程序及方法中的动作、顺序、步骤、阶段等的各处理的执行顺序只要没有特别明确地示出“之前”、“先前”等，或者在之后的处理要用到之前的处理的输出的情况下，可以按照任意的顺序来实现。权利要求书、说明书和附图中的动作流程中，为了方便说明，使用了“首先”、“然后”等，但并不意味着一定要按照这样的顺序来实施。
标号说明
10半导体器件；12第一器件；14第二器件；100评价电路；110电源；120第一电容部；130第二电容部；140负载电抗器；150信号提供部；200评价装置；220检测部；230评价指标输出部；240存储部；250比较部；260评价部；300综合评价装置；320导电性构件；330第三电容部；332第一电容元件；334第二电容元件；340基准电位；410数据库；420获取部；430综合评价部；600电动机驱动装置；610电源部；620输入电缆；630驱动电路；640输出电缆；650电动机；660天线；670测定装置。

Claims (19)

1.一种评价方法，其特征在于，包括：
使半导体器件进行开关动作的阶段；
测定正在进行所述开关动作的所述半导体器件中所产生的电压变化的阶段；以及
基于所述电压变化来输出所述半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。
2.如权利要求1所述的评价方法，其特征在于，
在输出所述评价指标的阶段，针对各个频率分量计算所述半导体器件的所述电压变化并将其作为所述评价指标。
3.如权利要求1或2所述的评价方法，其特征在于，
所述开关动作包含所述半导体器件的导通动作、截止动作、反向恢复动作和正向恢复动作中的至少2个动作。
4.如权利要求1至3的任一项所述的评价方法，其特征在于，
所述半导体器件包含串联连接的第一器件和第二器件，
在进行所述测定的阶段中，测定所述第一器件和所述第二器件之间的电压变化。
5.如权利要求1至3的任一项所述的评价方法，其特征在于，
所述半导体器件包含串联连接的第一器件和第二器件，
在进行所述测定的阶段中，测定所述第一器件和所述第二器件的电压变化。
6.如权利要求4或5所述的评价方法，其特征在于，
在进行所述测定的阶段，将隔着绝缘构件安装有所述半导体器件的导电性构件的电位作为基准电位，来测定该导电性构件与所述半导体器件之间的电压变化。
7.如权利要求1至6的任一项所述的评价方法，其特征在于，还包括：
将针对所述半导体器件输出的所述评价指标与针对不同于所述半导体器件的基准器件输出的所述评价指标进行比较的阶段；以及
根据所述比较结果来评价与所述半导体器件相对的所述基准器件的所述辐射噪声的强度的阶段。
8.一种推定方法，推定具备半导体器件的装置的辐射噪声，其特征在于，包括：
利用权利要求1至7中任一项所述的评价方法，获取与多个条件下的所述开关动作分别对应地输出的所述半导体器件的多个评价指标的阶段；以及
将所述多个评价指标加以组合来推定所述装置的辐射噪声的阶段。
9.如权利要求8所述的推定方法，其特征在于，
所述评价指标的组合是所述半导体器件的所述多个评价指标的最大值或它们的和。
10.如权利要求8所述的推定方法，其特征在于，
所述评价指标的组合是所述半导体器件的所述多个评价指标的平均值。
11.如权利要求8所述的推定方法，其特征在于，
所述评价指标的组合是将所述多个条件下的各个加权分别乘以所述半导体器件的所述多个评价指标中的对应的评价指标而计算出的平均值。
12.一种评价装置，其特征在于，包括：
向作为评价对象的半导体器件提供预先设定的开关信号的信号提供部；
检测所述半导体器件的电压变化的检测部；以及
基于所述检测部的检测结果来输出所述半导体器件的辐射噪声的评价指标的评价指标输出部。
13.如权利要求12所述的评价装置，其特征在于，
所述评价指标输出部基于所述电压变化的频率分量，计算与所述半导体器件的辐射噪声相对应的电场强度。
14.如权利要求12或13所述的评价装置，其特征在于，
所述信号提供部提供使所述半导体器件进行导通动作、截止动作、反向恢复动作、正向恢复动作中的至少2个动作的开关信号。
15.如权利要求12至14中的任一项所述的评价装置，其特征在于，
所述半导体器件包含串联连接的第一器件和第二器件，
所述检测部测定所述第一器件和所述第二器件之间的电压变化。
16.如权利要求12至14中的任一项所述的评价装置，其特征在于，
所述半导体器件包含串联连接的第一器件和第二器件，
所述检测部测定在所述第一器件和所述第二器件的主端子之间产生的电压变化。
17.如权利要求12至16中的任一项所述的评价装置，其特征在于，还包括：
存储所述评价指标输出部所输出的所述评价指标的存储部；
将所述评价指标输出部输出的所述评价指标与存储在所述存储部中的针对不同于所述半导体器件的基准器件的所述评价指标进行比较的比较部；以及
根据所述比较结果来评价所述半导体器件的所述辐射噪声的评价指标的相对强度变化的评价部。
18.如权利要求12所述的评价装置，其特征在于，
所述检测部将隔着绝缘构件安装有所述半导体器件的导电性构件的电位作为基准电位，来测定该导电性构件与所述半导体器件之间的电压变化。
19.一种综合评价装置，其特征在于，包括：
利用权利要求12至18中任一项所述的评价装置，获取与多个条件下的所述开关信号分别对应地输出的所述半导体器件的多个评价指标的获取部；以及
将所述多个评价指标加以组合来推定具备所述半导体器件的装置的辐射噪声的综合评价部。
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