CN109559965A - 制程设备及其组装方法 - Google Patents

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CN109559965A CN201710872985.0A CN201710872985A CN109559965A CN 109559965 A CN109559965 A CN 109559965A CN 201710872985 A CN201710872985 A CN 201710872985A CN 109559965 A CN109559965 A CN 109559965A
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Abstract

一种制程设备及其组装方法。制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。

Description

制程设备及其组装方法
技术领域
本揭示是有关于一种制程设备及其组装方法。
背景技术
半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影制程图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。在集成电路的材料及其设计上的技术进步已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。
一般而言，在厂务工作中所遭遇的最大问题为反应室发生漏泄未能及时查出而导致产品良率的降低，并造成晶圆的损坏。其中空气的漏泄会沿着裂缝(seams)的方向使晶圆受到损坏。特别是反应室的漏泄难以察觉，往往祇有在定期检测或是机台进行离线(off-line)自我测试时，才能察觉漏泄的发生。是以经常造成数以千计的晶圆受到损坏，对VLSI制程中产品的品质亦造成极大的影响。然而由于反应室所接管线众多，是以对其中任何组件或管线而言，皆有可能发生破损而成为漏泄来源(leak source)。
发明内容
根据本揭示的多个实施方式，一种制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。
根据本揭示的多个实施方式，一种制程设备包含真空制程腔室、紫外线发射装置、透光件以及密封环。真空制程腔室具有窗洞。紫外线发射装置抵接真空制程腔室，并配置以朝向窗洞发射紫外光。透光件覆盖窗洞，并抵接于真空制程腔室与紫外线发射装置之间。密封环气密地抵接于真空制程腔室与透光件之间。密封环包含环形本体以及抗紫外线层。抗紫外线层包覆于环形本体的外表面。
根据本揭示的多个实施方式，一种制程设备组装方法包含流体连通管体组件于真空制程腔室以及远程等离子源之间以及气密地抵接密封环于真空制程腔室、远程等离子源与管体组件中的两相连者之间，其中密封环包含环形本体以及包覆于环形本体的外表面的抗腐蚀层。
附图说明
图1为绘示依据本揭示一些实施例的制程设备的局部剖面图；
图2为绘示图1中的结构的局部放大图；
图3为绘示依据本揭示一些实施例的密封环的剖面图；
图4为绘示依据本揭示一些实施例的制程设备组装方法的流程图；
图5为绘示依据本揭示另一些实施例的制程设备组装方法的流程图；
图6为绘示依据本揭示另一些实施例的制程设备的局部剖面图；
图7为绘示依据本揭示另一些实施例的密封环的剖面图；
图8为绘示依据本揭示另一些实施例的制程设备组装方法的流程图。
具体实施方式
以下将以附图揭露本揭示的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本揭示。也就是说，在本揭示部分实施例中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
请参照图1以及图2。图1为绘示依据本揭示一些实施例的制程设备100的局部剖面图。图2为绘示图1中的结构的局部放大图。如图1与图2所示，一种制程设备100包含真空制程腔室110、远程等离子源(remote plasma source,RPS)120、管体组件130、隔断阀140以及多个密封环150a1、150a2、150b1、150b2、150c。管体组件130流体连通于远程等离子源120与真空制程腔室110之间，并包含多个管件131a、131c。隔断阀140串连且流体连通于管件131a、131c之间。
详细来说，如图2所示，管件131a、131c及隔断阀140如图头尾相接且流体连通于真空制程腔室110与远程等离子源120之间。为了确保由真空制程腔室110依序经由管体组件130的管件131a隔断阀140、管件131c至远程等离子源120的气密性，制程设备100的密封环150a1是气密地抵接于真空制程腔室110与相连的管件131a之间，密封环150b1是气密地抵接于相连的管件131a与隔断阀140之间，密封环150b2是气密地抵接于相连的隔断阀140与管件131c之间，且密封环150a2是气密地抵接于远程等离子源120与相连的管件131c之间。密封环150c是安装于隔断阀140内，当隔断阀140关闭，用于隔断制程腔室110与远程等离子源120间的流体连通。
具体来说，真空制程腔室110、管体组件130的管件131a、131c、隔断阀140、与远程等离子源120依序串接并共同形成一流体通道，而前述每一密封环150a1、150a2、150b1、150b2是环绕于此流体通道的外缘。借此，密封环150a1、150a2、150b1、150b2即可防止制程气体经由真空制程腔室110与相连的管件131a之间的连接接口、管件131a与隔断阀140之间的连接接口、隔断阀140与管件131c之间的连接接口以及远程等离子源120与相连的管件131c之间的连接接口泄漏，或防止外部空气由前述连接接口进入制程设备100内而影响制程的加工精度或造成真空制程腔室110内的工件损坏。隔断阀140内的密封环150c则可在隔断阀关闭时，隔断制程腔110与远程等离子源120的连通，避免远程等离子源120关闭时，制程气体回流到远程等离子源120内，造成污染。
如图2所示，隔断阀140是串连于管体组件130的管件131a、131c之间，并且密封环150c设置于隔断阀140内。隔断阀140配置以带动此密封环150c作动而可选择性地使制程腔室110与远程等离子源120间通道流体流通或非流体流通。具体来说，隔断阀140的阀体142内部形成一缩口结构，而一阀门142a开设于此缩口结构。隔断阀140具有阀心141。阀心141可相对阀门142a往复移动，借以可选择性地开启或密闭阀门142a。密封环150c是设置于阀心141用以抵接缩口结构并密闭阀门142a的一表面上。
于一些实施方式中，制程设备100还包含等离子气体供应单元(图未示)。远程等离子源120是配置以供应并控制至少一等离子，以使加工应用能够在真空制程腔室110内执行。于一些实施方式中，远程等离子源120包括一电力来源、一控制模组以及一等离子腔体(图未示)。一或多个导电线圈元件(图未示)相邻等离子腔体设置，导电线圈元件是耦接至射频等离子电力来源。来自等离子气体供应单元的等离子来源气体(未等离子态)在供应至远程等离子源120时受到激化而成为等离子。于一些实施方式中，被等离子激化后的反应气体或不带电粒子(例如自由基)随即由远程等离子源120传递至真空制程腔室110。
于一些实施方式中，等离子气体供应单元包括一储存槽以及一气体控制器(图未示)。储存槽是配置用于储存即将传递至远程等离子源120的等离子来源气体。等离子来源气体可选自包括惰性气体(氩、氦等)、氧气、三氟化氮、氨气、氮气、及氢气的群组。气体控制器是配置以控制等离子来源气体至远程等离子源120的连结及传递速率。气体控制器可包括例如：阀、流速计、侦测器或其他类似的元件。于一些实施方式中，气体控制器是受控制模组所控制并接收来自控制模组的指令。
请参照图3，其为绘示依据本揭示一些实施例的密封环150a1的剖面图。密封环150a1、150a2、150b1、150b2、150c中的每一者皆包含环形本体151以及抗腐蚀层152。虽然图3以及以下说明是以密封环150a1作为实施例，但于一些实施方式中，密封环150a2、150b1、150b2、150c的结构、功能可与密封环150a1实质上相同而不另赘述。抗腐蚀层152包覆于环形本体151的外表面。密封环150a1的抗腐蚀层152是配置以抵抗腐蚀性气体的侵蚀。
于一些实施方式中，密封环150a1的环形本体151的材料包含弹性材料。于一些实施方式中，环形本体151所包含的弹性材料包含乙烯丙烯橡胶(Ethylene PropyleneRubber,EPDM)、氟硅橡胶(Fluorosilicone,FVMQ)、氟化橡胶(Fluorocarbon elastomer,FKM)、丁腈橡胶(Nitrile-Butadiene Rubber,NBR)或全氟化橡胶(Perfluoroelastomer,FFKM)，但本揭示并不以此为限。于实务上，只要是可提供密封环150a1弹性变形(例如提供气密与机械可靠性)的材料，皆可作为制作出密封环150a1的环形本体151的材料。借此，密封环150a1的环形本体151即可提供密封以及机械可靠性等特性要求。
举例来说，密封环150a1的抗腐蚀层152是配置以抵抗远程等离子源120所产生，并经由管体组件130流动至真空制程腔室110的氟自由基(fluorine radical)或氧自由基(oxygen radical)。为了抵抗远程等离子源120所产生的氟自由基或氧自由基的腐蚀，于一些实施方式中，密封环150a1的抗腐蚀层152的材料包含镍(Ni)以及一氟化物。于一些实施方式中，抗腐蚀层152所包含的氟化物包含聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene,PTFE)，但本揭示并不以此为限。于一些实施方式中，抗腐蚀层152还包含磷(P)。于一些实施方式中，抗腐蚀层152为以聚四氟乙烯为基底的涂层，并嵌有镍。借此，密封环150a1的抗腐蚀层152即可提供抗化学腐蚀性的特性要求。
于其他一些实施方式中，密封环150a1的抗腐蚀层152的材料包含氧化物陶瓷。于一些实施方式中，抗腐蚀层152所包含的氧化物包含氧化铝(Aluminum oxide,Al2O3)或氧化钇(Yttrium oxide,Y2O3)，但本揭示并不以此为限。于一些实施方式中，抗腐蚀层152的材料亦可包含其他具有抗化学腐蚀性的氧化物或陶瓷材料。于一些实施方式中，当抗腐蚀层152包含氧化铝或氧化钇时，抗腐蚀层152的厚度可小于1或0.5微米。举例来说，抗腐蚀层152的厚度可介于约30奈米至约40奈米的范围，但本揭示并不以此为限。
于一些实施方式中，抗腐蚀层152可通过原子层沈积(Atomic Layer Deposition,ALD)制程而形成于环形本体151上，但本揭示并不以此为限。于一些实施方式中，密封环150a1还包含内衬层153。内衬层153连接于环形本体151与抗腐蚀层152之间，并配置以增加环形本体151与抗腐蚀层152之间的黏着性。于一些实施方式中，内衬层153的材料包含镍。于一些实施方式中，内衬层153可通过电镀制程形成于环形本体151上，但本揭示并不以此为限。
请参照图4，其为绘示依据本揭示一些实施例的制程设备组装方法的流程图。除了上述的制程设备100之外，本揭示的另一态样在于提供一种制程设备组装方法，如图4所示，图4的制程设备组装方法至少包含步骤S101～S102。应了解到，在一些实施例中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。
于步骤S101中，管体组件130是流体连通于真空制程腔室110以及远程等离子源120之间。
于步骤S102中，密封环150a1、150a2是气密地抵接于真空制程腔室110、远程等离子源120与管体组件130中的两相连者之间，其中密封环150a1、150a2包含环形本体151以及包覆于环形本体151的外表面的抗腐蚀层152。
于一些实施方式中，管体组件130包含多个管件131a、131c。这些管件131a、131c流体连通于真空制程腔室110与远程等离子源120之间，并且步骤S102包含步骤S102a(图未示)。
于步骤S102a中，密封环150a1是气密地抵接于真空制程腔室110与管件131a之间，而密封环150a2是气密地抵接于远程等离子源120与管件131c之间。
于一些实施方式中，制程设备100还进一步包含隔断阀140。管件131a、131c及隔断阀140头尾相接且流体连通于真空制程腔室110与远程等离子源120之间，并且制程设备组装方法还包含步骤S103(图未示)。
于步骤S103中，密封环150b1是气密地抵接于管件131a与隔断阀140之间，而密封环150b2是气密地抵接于管件131c与隔断阀140之间，其中密封环150b1、150b2包含环形本体151以及包覆于环形本体151的外表面的抗腐蚀层152。
于一些实施方式中，抗腐蚀层152的材料包含镍以及氟化物，或包含陶瓷材料。
请参照图5，其为绘示依据本揭示另一些实施例的制程设备组装方法的流程图。如图5所示，图5的制程设备组装方法至少包含步骤S201～S202。应了解到，在一些实施例中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。
于步骤S201中，隔断阀140是流体连通于真空制程腔室110以及远程等离子源120之间。
于一些实施方式中，隔断阀140设置于管体组件130的管件131a、131c之间，借以经由管体组件130而流体连通于真空制程腔室110以及远程等离子源120之间。
于步骤S202中，密封环150c是设置于隔断阀140内，其中密封环150c包含环形本体151以及包覆于环形本体151的外表面的抗腐蚀层152。于一些实施方式中，抗腐蚀层152的材料包含镍以及氟化物，或包含陶瓷材料。
请参照图6，其为绘示依据本揭示另一些实施例的制程设备200的局部剖面图。如图6所示，一种制程设备200包含真空制程腔室210、紫外线发射装置220、第一透光件230以及多个密封环250a、250b、250c、250d、250e。真空制程腔室210具有第一窗洞212a。紫外线发射装置220抵接真空制程腔室210，并配置以朝向第一窗洞212a发射紫外光。第一透光件230覆盖第一窗洞212a，并抵接于真空制程腔室210与紫外线发射装置220之间。
详细来说，如图6所示，制程设备200的真空制程腔室210包含腔室本体211以及第一盖体212。腔室本体211具有第一开口211a。第一盖体212覆盖腔室本体211的第一开口211a，并与第一盖体212相互固定而共同定义出真空制程腔室210的内部空间。真空制程腔室210的第一窗洞212a开设于第一盖体212上。紫外线发射装置220包含壳体221以及设置于壳体221内的紫外线光源222。紫外线发射装置220的壳体221具有一第二开口221a朝向真空制程腔室210的第一窗洞212a，且第一透光件230覆盖此第二开口221a。真空制程腔室210是以第一盖体212与紫外线发射装置220的壳体221相抵接。第一透光件230抵接于真空制程腔室210的第一盖体212与紫外线发射装置220的壳体221之间，且第一透光件230的两侧分别邻接第一盖体212的第一窗洞212a与壳体221的第二开口221a。借此，紫外线发射装置220即可利用紫外线光源222经由壳体221的第二开口221a朝向第一盖体212的第一窗洞212a发射紫外光，而紫外光在通过第一透光件230之后即可进入腔室本体211内部以进行后续制程(例如，紫外光固化制程)。
于一些实施方式中，为了确保真空制程腔室210与第一透光件230之间的气密性，制程设备200的其中一密封环250a是气密地抵接于真空制程腔室210的第一盖体212与第一透光件230之间。于一些实施方式中，为了避免易碎材质的第一透光件230以坚硬材质的壳体221夹持密封环250a时受损，制程设备200的其中一密封环250b是做为紫外线发射装置220的壳体221与第一透光件230之间的夹持缓冲。此外，为了确保真空制程腔室210的腔室本体211与第一盖体212之间的气密性，制程设备200的其中一密封环250c是气密地抵接于真空制程腔室210的腔室本体211与第一盖体212之间。
具体来说，真空制程腔室210的第一盖体212用以与第一透光件230抵接的连接接口是位于第一盖体212邻接第一窗洞212a的一环形部位，而密封环250a是设置于第一盖体212的此环形部位与第一透光件230之间，并环绕于第一窗洞212a的外缘。紫外线发射装置220的壳体221用以与第一透光件230抵接的连接接口是位于壳体221邻接第二开口221a的一环形部位，而密封环250b是设置于壳体221的此环形部位与第一透光件230之间，并环绕于第二开口221a的外缘。真空制程腔室210的腔室本体211用以与第一盖体212抵接的连接接口是位于腔室本体211邻接第一开口211a的环形部位，而密封环250c是设置于腔室本体211的此另一环形部位与第一盖体212之间，并环绕于第一开口211a的外缘。
借此，密封环250a即可防止外部空气经由真空制程腔室210与第一透光件230之间的连接接口进入制程设备200内部，且密封环250c即可防止外部空气经由真空制程腔室210的腔室本体211与第一盖体212之间的连接接口进入制程设备200内部，进而可避免影响制程的加工精度或造成真空制程腔室210内的工件损坏。
于一些实施方式中，第一透光件230的材料包含石英(quartz)，例如是由合成石英所制成的，但本揭示并不以此为限。于实际应用中，只要是具有高透光度且不与紫外光反应的材料，皆可作为第一透光件230的材料。
进一步来说，如图6所示，制程设备200还包含第二透光件240，且真空制程腔室210还包含第二盖体213。第二透光件240设置于真空制程腔室210的腔室本体211内，并抵接第一盖体212远离第一透光件230的一侧。因此，第一透光件230与第二透光件240之间形成一间隔。第二盖体213设置于真空制程腔室210的腔室本体211内，并抵接第一盖体212远离第一透光件230的一侧。第二透光件240是夹持于第一盖体212与第二盖体213之间。第二盖体213具有第二窗洞213a。第二窗洞213a与第一盖体212的第一窗洞212a对齐。第二透光件240的两侧分别邻接第一盖体212的第一窗洞212a与第二盖体213的第二窗洞213a。因此，紫外线光源222经由壳体221的第二开口221a朝向第一盖体212的第一窗洞212a所发射紫外光，会接着依序通过第一透光件230、第二透光件240与第二盖体213的第二窗洞213a而进入腔室本体211内部。
于一些实施方式中，制程设备200还还包含气体冷却系统(图未示)。气体冷却系统提供一惰性气体至真空制程腔室210。冷却气体是保持真空制程腔室210中的温度于一理想的程度，其在一些实施例之中可以是低于摄氏450度。冷却气体亦是做为一清洗气体，以在紫外线处理过程中帮助移除各种有机化合物或从工件(例如晶圆)所排出的其他物质。在一些实施例之中，氮气是被使用做为冷却气体。然而，其他适当的惰性气体也可以被使用。
冷却气体是透过一或多个入口导管(图未示)从气体源(图未示)被引入至真空制程腔室210。于一些实施方式中，第一盖体212还具有环形空腔212b以及多个进气孔212c。环形空腔212b是环绕于第一窗洞212a的外缘之外。每一进气孔212c以放射状的排列方式流体连通于环形空腔212b与第一窗洞212a之间。第二透光件240具有多个孔洞241。当冷却气体由入口导管被引入第一盖体212的环形空腔212b之后，会接着经由第一盖体212的进气孔212c进入第一透光件230与第二透光件240之间，最后再经由第二透光件240的孔洞241进入腔室本体211内部，借以达到使冷却气体进入腔室本体211内部的目的。成型于第二透光件240上的孔洞241的数目、尺寸、形状及图案可以变化。于一些实施方式中，第二透光件240上的孔洞241具有2毫米(mm)的直径，并且孔洞241是以15毫米的距离间隔于彼此，但本揭示并不以此为限。
于一些实施方式中，第二透光件240的材料包含石英，例如是由合成石英所制成的，但本揭示并不以此为限。于实际应用中，只要是具有高透光度且不与紫外光反应的材料，皆可作为第二透光件240的材料。
于一些实施方式中，为了增加真空制程腔室210的第一盖体212与第二透光件240之间的连接气密性，制程设备200的其中一密封环250d是压抵于第一盖体212与第二透光件240之间。于一些实施方式中，为了避免易碎材质的第二透光件240在以坚硬材质的第二盖体213夹持密封环250d时受损，制程设备200的其中一密封环250e是压抵于第二盖体213与第二透光件240之间做为夹持缓冲。
请参照图7，其为绘示依据本揭示另一些实施例的密封环250a的剖面图。密封环250a、250b、250c、250d、250e中的每一者皆包含环形本体251以及抗紫外线层252。虽然图7以及以下说明是以密封环250a作为实施例，但于一些实施方式中，密封环250b、250c、250d、250e的结构、功能可与密封环250a实质上相同而不另赘述。抗紫外线层252包覆于环形本体251的外表面。密封环250a的抗紫外线层252是配置以抵抗紫外线的侵蚀。
于一些实施方式中，密封环250a的环形本体251的材料包含弹性材料。于一些实施方式中，环形本体251所包含的弹性材料包含乙烯丙烯橡胶(EPDM)、氟硅橡胶(FVMQ)、氟化橡胶(FKM)、丁腈橡胶(NBR)或全氟化橡胶(FFKM)，但本揭示并不以此为限。于实务上，只要是可提供密封环250a弹性变形(例如提供气密与机械可靠性)的材料，皆可作为制作出密封环250a的环形本体251的材料。
举例来说，密封环250a的抗紫外线层252是配置以抵抗紫外线发射装置220的紫外线光源222所产生，并依序经由壳体221的第二开口221a、第一透光件230、第一盖体212的第一窗洞212a、第二透光件240以及第二盖体213的第二窗洞213a而进入腔室本体211内部的紫外线。为了抵抗紫外线发射装置220所产生的紫外线的侵蚀，于一些实施方式中，密封环250a的抗紫外线层252的材料包含陶瓷材料。于一些实施方式中，抗紫外线层252所包含的陶瓷材料包含氧化铝(Al2O3)或氧化钇(Y2O3)，但本揭示并不以此为限。于一些实施方式中，抗紫外线层252的材料亦可包含其他具有抗紫外线功能、高紫外线反射功能或或抗电磁辐射功能的陶瓷材料或氧化物。
于一些实施方式中，抗紫外线层252可通过原子层沈积(ALD)制程而形成于环形本体251上，但本揭示并不以此为限。
请参照图8，其为绘示依据本揭示另一些实施例的制程设备组装方法的流程图。除了上述的制程设备200之外，本揭示的另一态样在于提供一种制程设备组装方法，如图8所示，图8的制程设备组装方法至少包含步骤S301～S302。应了解到，在一些实施例中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。
于步骤S301中，透光件是抵接于真空制程腔室210与紫外线发射装置220之间。
于步骤S302中，密封环250a是气密地抵接于真空制程腔室210与透光件之间，另一密封环250b则做为紫外线发射装置220与透光件之间的夹持缓冲，其中密封环250a、250b包含环形本体251以及包覆于环形本体251的外表面的抗紫外线层252。于一些实施方式中，抗紫外线层252的材料包含陶瓷材料。
于一些实施方式中，制程设备2200包含第一透光件230。制程设备200的真空制程腔室210包含腔室本体211以及第一盖体212。第一窗洞212a开设于第一盖体212上。紫外线发射装置220包含壳体221。紫外线发射装置220的壳体221具有一第二开口221a。于一些实施方式中，步骤S301包含步骤S301a(图未示)。
于步骤S301a中，第一透光件230是抵接于真空制程腔室210的第一盖体212与紫外线发射装置220的壳体221之间，其中第一透光件230的两侧分别邻接第一盖体212上的第一窗洞212a以及壳体221上的第二开口221a。
于一些实施方式中，步骤S302包含步骤S302a以及步骤S302b(图未示)。
于步骤S302a中，密封环250a是气密地抵接于真空制程腔室210的第一盖体212与透光件之间。
于步骤S302b中，密封环250b是做为紫外线发射装置220的壳体221与透光件之间的夹持缓冲。
于一些实施方式中，制程设备200还包含第二透光件240。真空制程腔室210还包含第二盖体213。第二盖体213具有第二窗洞213a。于一些实施方式中，制程设备组装方法还可包含步骤S303～S307(图未示)。
于步骤S303中，第二透光件240是于真空制程腔室210的腔室本体211内抵接第一盖体212远离第一透光件230的一侧。
于步骤S304中，第二盖体213是于真空制程腔室210的腔室本体211内抵接第一盖体212远离第一透光件230的一侧。
于步骤S305中，第二透光件240是夹持于第一盖体212与第二盖体213之间，其中第二透光件240的两侧分别邻接第一盖体212上的第一窗洞212a以及第二盖体213上的第二窗洞213a。
于步骤S306中，密封环250d是压抵于第一盖体212与第二透光件240之间。
于步骤S307中，密封环250e是作为第二盖体213与第二透光件240之间的夹持缓冲。
于一些实施方式中，腔室本体211具有第一开口211a，而制程设备组装方法还可包含步骤S308～S309(图未示)。
于步骤S308中，第一盖体212是抵接腔室本体211并覆盖第一开口211a。
于步骤S308中，密封环250c是气密地抵接于第一盖体212与腔室本体211之间。
根据本揭示的多个实施方式，一种制程设备包含真空制程腔室、远程等离子源、隔断阀以及密封环。隔断阀流体连通于真空制程腔室与远程等离子源之间。密封环设置于隔断阀内，并包含环形本体以及抗腐蚀层。抗腐蚀层包覆于环形本体的外表面。
于本揭示的一些实施方式中，抗腐蚀层的材料包含镍以及一氟化物。
于本揭示的一些实施方式中，氟化物包含聚四氟乙烯。
于本揭示的一些实施方式中，抗腐蚀层的材料包含一氧化物陶瓷。
于本揭示的一些实施方式中，密封环还包含内衬层。内衬层连接于环形本体与抗腐蚀层之间。
于本揭示的一些实施方式中，内衬层为材料包含镍的电镀层。
根据本揭示的多个实施方式，一种制程设备包含真空制程腔室、紫外线发射装置、透光件以及密封环。真空制程腔室具有窗洞。紫外线发射装置抵接真空制程腔室，并配置以朝向窗洞发射紫外光。透光件覆盖窗洞，并抵接于真空制程腔室与紫外线发射装置之间。密封环气密地抵接于真空制程腔室与透光件之间。密封环包含环形本体以及抗紫外线层。抗紫外线层包覆于环形本体的外表面。
于本揭示的一些实施方式中，抗紫外线层的材料包含氧化铝或氧化钇。
根据本揭示的多个实施方式，一种制程设备组装方法包含流体连通管体组件于真空制程腔室以及远程等离子源之间以及气密地抵接第一密封环于真空制程腔室、远程等离子源与管体组件中的两相连者之间，其中第一密封环包含环形本体以及包覆于环形本体的外表面的抗腐蚀层。
于本揭示的一些实施方式中，管体组件包含多个管件。制程设备组装方法还包含流体连通隔断阀于管件中的两相邻者之间以及气密地抵接第二密封环于管件与隔断阀中的两相连者之间。第二密封环包含环形本体以及包覆于环形本体的外表面的抗腐蚀层。
虽然本揭示已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本揭示，任何熟悉此技艺者，在不脱离本揭示的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭示的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种制程设备，其特征在于，包含：
一真空制程腔室；
一远程等离子源；
一隔断阀，流体连通于该真空制程腔室与该远程等离子源之间；以及
一密封环，设置于该隔断阀内，并包含：一环形本体；以及一抗腐蚀层，包覆于该环形本体的外表面。
2.根据权利要求1所述的制程设备，其特征在于，该抗腐蚀层的材料包含镍以及一氟化物。
3.根据权利要求2所述的制程设备，其特征在于，该氟化物包含聚四氟乙烯。
4.根据权利要求1所述的制程设备，其特征在于，该抗腐蚀层的材料包含一氧化物陶瓷。
5.根据权利要求1所述的制程设备，其特征在于，该密封环还包含一内衬层，该内衬层连接于该环形本体与该抗腐蚀层之间。
6.根据权利要求5所述的制程设备，其特征在于，该内衬层为材料包含镍的一电镀层。
7.一种制程设备，其特征在于，包含：
一真空制程腔室，具有一窗洞；
一紫外线发射装置，抵接该真空制程腔室，并配置以朝向该窗洞发射紫外光；
一透光件，覆盖该窗洞，并抵接于该真空制程腔室与该紫外线发射装置之间；以及
一密封环，气密地抵接于该真空制程腔室与该透光件之间，其中该密封环包含：一环形本体；以及一抗紫外线层，包覆于该环形本体的外表面。
8.根据权利要求7所述的制程设备，其特征在于，该抗紫外线层的材料包含氧化铝或氧化钇。
9.一种制程设备组装方法，其特征在于，包含：
流体连通一管体组件于一真空制程腔室以及一远程等离子源之间；以及
气密地抵接一第一密封环于该真空制程腔室、该远程等离子源与该管体组件中的两相连者之间，其中该第一密封环包含一环形本体以及包覆于该环形本体的外表面的一抗腐蚀层。
10.根据权利要求9所述的制程设备组装方法，其特征在于，该管体组件包含多个管件，该制程设备组装方法还包含：
流体连通一隔断阀于所述多个管件中的两相邻者之间；以及
气密地抵接一第二密封环于所述多个管件与该隔断阀中的两相连者之间，其中该第二密封环包含一环形本体以及包覆于该环形本体的外表面的一抗腐蚀层。
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