CN109557969B - 多相电压调节器及用于操作多相电压调节器的方法 - Google Patents

多相电压调节器及用于操作多相电压调节器的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种多相电压调节器及用于操作多相电压调节器的方法。多相电压调节器包括并行信号路径，其协作以提供模拟输出信号，并产生能量存储元件充电信号，以使能量存储元件充电及/或放电。通过使能量存储元件放电而提供的能量被组合以提供模拟输出信号。并行信号路径比较能量存储元件充电信号中的一者与参考输入信号，以提供全局误差校正信号，并根据全局误差校正信号调整能量存储元件充电信号。并行信号路径比较剩余的能量存储元件充电信号与全局误差校正信号，以提供局部误差校正信号，并根据局部误差校正信号调整剩余的能量存储元件充电信号。

Description

多相电压调节器及用于操作多相电压调节器的方法
技术领域
本发明的实施例是有关于一种多相电压调节器及用于操作多相电压调节器的方法，且特别是有关于一种电子装置的多相电压调节器及用于操作电子装置的多相电压调节器的方法。
背景技术
技术与工程的进步已使得设计者及制造商能够向消费者提供更多的便携式电子装置。这些便携式电子装置的范围从移动计算装置(也被称为手持式计算机)到移动通信装置。在便携式电子装置的中心处存在一个或多个电压调节器，以在操作时提供恒定或实质上恒定的输出电压。电压调节器本质上使由便携式电子装置的处理器、存储器及其他组件使用的输出电压稳定。在操作期间，电压调节器将输出电压与参考电压进行比较，以确定输出电压与参考电压之间的电压误差。电压调节器根据电压误差来调整输出电压，以减小电压误差。
发明内容
本发明实施例提供一种多相电压调节器，其特征在于，包括：参考信号路径，被配置成：根据第一切换时钟信号提供第一能量存储元件充电信号以使第一能量存储元件充电或放电，所述第一能量存储元件被配置成在放电时贡献于模拟输出信号，且基于所述模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号；以及至少一个调节器信号路径，被配置成：根据第二切换时钟信号及调节器信号路径调节信号提供第二能量存储元件充电信号以使第二能量存储元件充电或放电，所述第二能量存储元件被配置成在放电时贡献于所述模拟输出信号，基于所述第一能量存储元件充电信号与所述第二能量存储元件充电信号的比较来提供局部误差校正信号，且通过所述局部误差校正信号调整所述全局误差校正信号，以提供所述调节器信号路径调节信号。
本发明实施例提供一种多相电压调节器，其特征在于，包括：全局误差电路系统，被配置成基于模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号；第一组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与参考信号路径误差信号，以提供参考信号路径调节信号；参考通道电路系统，被配置成基于所述参考信号路径调节信号与多个切换时钟信号中的第一切换时钟信号的比较来提供第一能量存储元件充电信号，以使第一能量存储元件充电或放电；多个局部通道误差电路系统，被配置成基于所述第一能量存储元件充电信号与多个能量存储元件充电信号中的对应能量存储元件充电信号的比较来提供多个局部误差校正信号；多个第二组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与所述多个局部误差校正信号，以提供多个调节器信号路径调节信号；以及多个调节器通道电路系统，被配置成基于所述多个调节器信号路径调节信号与所述多个切换时钟信号的比较来提供所述多个能量存储元件充电信号，以使多个能量存储元件充电或放电。
本发明实施例提供一种用于操作多相电压调节器的方法，其特征在于，所述方法包括：通过所述多相电压调节器的多个信号路径根据多个切换时钟信号提供多个能量存储元件充电信号以使多个能量存储元件充电或放电，从而提供模拟输出信号；通过所述多个信号路径中的第一信号路径基于所述模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号；以及通过所述多个信号路径中的第二信号路径基于所述多个能量存储元件充电信号中的第一能量存储元件充电信号与所述多个能量存储元件充电信号中的第二能量存储元件充电信号的比较来提供局部误差校正信号。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据业内标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1示出根据本发明示例性实施例的示例性电压调节器系统的框图；
图2示出根据本发明示例性实施例的第一示例性调节器系统内的示例性全局误差电路系统(global error circuitry)的框图；
图3示出根据本发明示例性实施例的第一示例性调节器系统内的示例性局部通道误差电路系统(local channel error circuitry)的框图；
图4示出根据本发明示例性实施例的第一示例性调节器系统内的示例性通道电路系统的框图；
图5示出根据本发明示例性实施例的示例性电压调节器系统的框图；
图6示出根据本发明示例性实施例的示例性电压调节器系统的示例性操作的流程图；
附图标记说明：
100、500：多相电压调节器系统/电压调节器系统；
102、502：参考信号路径；
104.1、…、104.m、504.1、…、504.m：调节器信号路径；
106、200：全局误差电路系统；
108、116.1、…、116.m：组合电路系统；
110：参考通道电路系统；
112、120.1、…、120.m：能量存储元件；
114.1、…、114.m、300：局部通道误差电路系统；
118.1、…、118.m：调节器通道电路系统；
150：模拟输出信号；
152：全局误差校正信号；
154：参考输入信号；
156、166.1、…、166.x、…、166.m、450、452、454：能量存储元件充电信号；
158：参考信号路径误差信号；
160：参考信号路径调节信号；
162.1、162.2、…、162.x、…、162.i：切换时钟信号；
164.1、…、164.x、…、164.m：局部误差校正信号；
168.1、…、168.m：调节器信号路径调节信号；
202、302：放大器；
250：反馈信号；
400：通道电路系统；
402：比较器；
404：能量存储元件充电电路系统；
406：门驱动器电路系统；
456.1：第一晶体管控制信号；
456.2：第二晶体管控制信号；
506、510.1、…、510.m：第一放大器；
508、512.1、…、512.m：第二放大器；
550：经放大的参考信号路径误差信号；
552、556.1、…、556.m：经放大的全局误差校正信号；
554.1、…、554.i：经放大的局部误差校正信号；
600：操作流程/流程；
602、604、606：操作；
A1：第一增益；
A2：第二增益；
C1、C2：电容器/无源组件/组件；
C3、C4：电容器；
Q1：p型金属氧化物半导体晶体管；
Q2：n型金属氧化物半导体晶体管；
R1、R2：电阻器/无源组件/组件；
R3、R4：电阻器；
VBAT：第一操作电压；
VSS：第二操作电压。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实作所提供标的物的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实例以简化本发明。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用并非自身表示所述的各种实施例及/或配置之间的关系。
概述
本发明公开一种多相电压调节器系统，其包括并行信号路径，所述并行信号路径在功能上协作以提供恒定或实质上恒定的电压的模拟输出信号。并行信号路径产生能量存储元件充电信号，以使能量存储元件充电及/或放电。此后，通过使能量存储元件放电而提供的能量被组合以提供模拟输出信号。此外，并行信号路径将能量存储元件充电信号中的一者与参考输入信号进行比较，以提供表示参考输入信号与模拟输出信号之间的差值或误差的全局误差校正信号。此后，并行信号路径根据全局误差校正信号调整能量存储元件充电信号，以缩小此差值或误差。在一些情形下，并行信号路径内存在的制造变化及/或偏差公差可在并行信号路径之间造成失配。在这些情形下，并行信号路径将剩余的能量存储元件充电信号与全局误差校正信号进行比较以提供局部误差校正信号，从而将这些失配量化。此后，并行信号路径根据一个或多个局部误差校正信号调整剩余的能量存储元件充电信号，以补偿这些失配。
第一示例性电压调节器系统
图1示出根据本发明示例性实施例的示例性电压调节器系统的框图。多相电压调节器系统100产生能量存储元件充电信号，以使能量存储元件充电及/或放电。例如，通过使能量存储元件放电而提供的能量此后被组合以提供模拟输出信号150。此外，多相电压调节器系统100将能量存储元件充电信号中的一者与参考输入信号进行比较，以提供表示参考输入信号与模拟输出信号150之间的差值或误差的全局误差校正信号。此后，多相电压调节器系统100根据全局误差校正信号来调整能量存储元件充电信号，以缩小此差值或误差。在一些情形下，在多相电压调节器系统100内存在的制造变化及/或偏差容差可在多相电压调节器系统100之间造成失配。在这些情形下，多相电压调节器系统100将剩余的能量存储元件充电信号与全局误差校正信号进行比较，以提供局部误差校正信号来将这些失配量化。此后，多相电压调节器系统100根据一个或多个局部误差校正信号来调整剩余的能量存储元件充电信号，以补偿这些失配。如图1中所示，多相电压调节器系统100包括参考信号路径102及调节器信号路径104.1至104.m。在另一示例性实施例中，参考信号路径102及调节器信号路径104.1至104.m可被配置及安排成提供多相降压切换调节器(multiphase buckswitching regulator)。
如图1中所示，参考信号路径102向调节器信号路径104.1至104.m提供全局误差校正信号152，以使模拟输出信号150与参考输入信号154成比例。在图1所示的示例性实施例中，参考信号路径102包括全局误差电路系统106、组合电路系统108、参考通道电路系统110、及能量存储元件112。如图1中所示，全局误差电路系统106基于参考输入信号154与模拟输出信号150的比较来提供全局误差校正信号152，以确定参考输入信号154与模拟输出信号150之间的差值或误差。在示例性实施例中，可使用误差放大器来实作全局误差电路系统106。在此示例性实施例中，误差放大器确定参考输入信号154与模拟输出信号150之间的差值或误差，以提供全局误差校正信号152。在一些情形下，误差放大器还可放大参考输入信号154与模拟输出信号150之间的差值或误差。
组合电路系统108将全局误差校正信号152与参考信号路径误差信号158组合，以提供参考信号路径调节信号160。在示例性实施例中，参考信号路径误差信号158表示切换时钟信号162.1至162.i中的切换时钟信号162.1的平均值。举例来说，参考信号路径误差信号158可被实作为值与切换时钟信号162.1的逻辑1与逻辑0之间的中点对应的实质上恒定电流(DC)电压。如图1中所示，切换时钟信号162.1至162.i被表征为具有彼此实质上相似的频率，但彼此在相位上偏移。在另一示例性实施例中，切换时钟信号162.1至162.i之间的相位偏移可被表征为
Figure BDA0001741129280000051
其中i表示切换时钟信号162.1至162.i中的切换时钟信号的数目。
参考通道电路系统110基于参考信号路径调节信号160及切换时钟信号162.1来提供能量存储元件充电信号156。在图1所示的示例性实施例中，当参考信号路径调节信号160小于切换时钟信号162.1时，参考通道电路系统110以第一逻辑电平(例如逻辑0)提供能量存储元件充电信号156，以使能量存储元件112放电。在此示例性实施例中，当参考信号路径调节信号160大于切换时钟信号162.1时，参考通道电路系统110以第二逻辑电平(例如逻辑1)提供能量存储元件充电信号156，以使能量存储元件112充电。
能量存储元件112响应于能量存储元件充电信号156而被充电及/或放电。举例来说，当能量存储元件充电信号156处于第一逻辑电平时，能量存储元件充电信号156使能量存储元件112放电。此时，当能量存储元件充电信号156处于第一逻辑电平时，能量存储元件112将其所存储电荷提供到模拟输出信号150。因此，能量存储元件112可被表征为在放电时贡献于模拟输出信号150。否则，在此实例中，当能量存储元件充电信号156处于第二逻辑电平时，能量存储元件充电信号156使能量存储元件112充电。此时，当能量存储元件充电信号156处于第二逻辑电平时，能量存储元件充电信号156向能量存储元件112充电。因此，能量存储元件112可被表征为在充电时不贡献于模拟输出信号150。在示例性实施例中，能量存储元件112是使用一个或多个电感器来实作；然而，相关领域中的技术人员应认识到，在不背离本发明的精神及范围的条件下，也可在能量存储元件112内利用一个或多个电容器、一个或多个电阻器、及/或其他适合的电路。
返回参照图1，调节器信号路径104.1至104.m可单独地调整全局误差校正信号152，以补偿参考信号路径102及/或调节器信号路径104.1至104.m中的一者或多者之间的失配。在图1所示的示例性实施例中，调节器信号路径104.1至104.m包括局部通道误差电路系统114.1至114.m、组合电路系统116.1至116.m、调节器通道电路系统118.1至118.m、及能量存储元件120.1至120.m。调节器信号路径104.1至104.m以彼此实质上相似的方式运作；因此，将仅更详细地论述调节器信号路径104.1。
如图1中所示，局部通道误差电路系统114.1基于能量存储元件充电信号156与能量存储元件充电信号166.1至166.m中的能量存储元件充电信号166.1的比较来提供局部误差校正信号164.1至164.m中的局部误差校正信号164.1。在图1所示的示例性实施例中，局部误差校正信号164.1表示对例如由制造变化及/或偏差容差在参考信号路径102与调节器信号路径104.1之间造成的失配的量化。如以下将更详细地阐述，局部误差校正信号164.1可用于补偿这些失配。在示例性实施例中，可使用差分积分器来实作局部通道误差电路系统114.1。在此示例性实施例中，差分积分器确定能量存储元件充电信号156与能量存储元件充电信号166.1之间的差值或误差，且此后，对此差值进行积分以提供局部误差校正信号164.1。
组合电路系统116.1将局部误差校正信号164.1与全局误差校正信号152组合(例如，相加)，以提供调节器信号路径调节信号168.1至168.m中的调节器信号路径调节信号168.1。如上所述，全局误差校正信号152表示参考输入信号154与模拟输出信号150之间的差值或误差。在图1所示的示例性实施例中，组合电路系统116.1将表示参考信号路径102与调节器信号路径104.1之间的失配的局部误差校正信号164.1加至全局误差校正信号152，以补偿这些失配。
调节器通道电路系统118.1基于调节器信号路径调节信号168.1及切换时钟信号的相位162.2来提供能量存储元件充电信号166.1至166.m中的能量存储元件充电信号166.1。在图1所示的示例性实施例中，当调节器信号路径调节信号168.1小于切换时钟信号162.1时，调节器通道电路系统118.1以第一逻辑电平(例如逻辑0)提供能量存储元件充电信号166.1，以使能量存储元件120.1放电。在此示例性实施例中，当调节器信号路径调节信号168.1大于切换时钟信号162.1时，调节器通道电路系统118.1以第二逻辑电平(例如逻辑1)提供能量存储元件充电信号166.1，以使能量存储元件120.1充电。
能量存储元件120.1响应于能量存储元件充电信号166.1而被充电及/或放电。举例来说，当能量存储元件充电信号166.1处于第一逻辑电平时，能量存储元件充电信号166.1使能量存储元件120.1放电。此时，当能量存储元件充电信号166.1处于第一逻辑电平时，能量存储元件120.1将其所存储电荷放电到模拟输出信号150。因此，能量存储元件120.1可被表征为在放电时贡献于模拟输出信号150。否则，在此实例中，当能量存储元件充电信号166.1处于第二逻辑电平时，能量存储元件充电信号166.1使能量存储元件120.1充电。此时，当能量存储元件充电信号166.1处于第二逻辑电平时，能量存储元件充电信号166.1将电荷供应到能量存储元件120.1。因此，能量存储元件120.1可被表征为在充电时不贡献于模拟输出信号150。在示例性实施例中，能量存储元件120.1是使用一个或多个电感器来实作；然而，相关领域中的技术人员应认识到，在不背离本发明的精神及范围的条件下，也可在能量存储元件120.1内利用一个或多个电容器及/或一个或多个电阻器。
第一示例性电压调节器系统内的示例性全局误差电路系统
图2示出根据本发明示例性实施例的第一示例性调节器系统内的示例性全局误差电路系统的框图。如图2中所示，全局误差电路系统200基于参考输入信号154与模拟输出信号150的比较来提供全局误差校正信号152。在图2所示的示例性实施例中，全局误差电路系统200包括放大器202、电阻器R1及R2、以及电容器C1及C2。全局误差电路系统200可表示如上在图1中所述的全局误差电路系统106的示例性实施例。
如图2中所示，放大器202以增益A来放大参考输入信号154与反馈信号250之间的差值，以提供全局误差校正信号152。在示例性实施例中，全局误差校正信号152可被表示为：
V152＝A(V154-V250)， (2)
其中V152表示全局误差校正信号152的电压，V154表示参考输入信号154的电压，V250表示反馈信号250的电压，且A表示放大器202的增益。在此示例性实施例中，放大器202的增益A大至足以可在不失计算准确性的条件下将其假设为无穷大的。在此种情形下，
V250＝V154， (3)
接着，可依据参考输入信号154的电压、能量存储元件充电信号156的电压、以及无源组件R1、R2、C1及C2将全局误差校正信号152表达为：
Figure BDA0001741129280000081
其中V152表示全局误差校正信号152的电压，V154表示参考输入信号154的电压，V156表示能量存储元件充电信号156的电压，s＝j2πf，
Figure BDA0001741129280000082
且f表示信号频率。
如方程式(4)所示，当能量存储元件充电信号156的电压(V156)等于参考输入信号154的电压(V154)时，全局误差校正信号152的电压(V152)等于参考输入信号154的电压(V154)。当能量存储元件充电信号156的电压与参考输入信号154的电压有偏差时，放大器202以由组件R1、R2、C1及C2设定的频率相关增益将此偏差放大到全局误差校正信号152上。接着，全局误差电路系统200工作以调整能量存储元件充电信号156，直至能量存储元件充电信号156的电压再次等于参考输入信号154的电压为止。放大器202的增益A在低频率下是极高的且在高频率下逐渐变低，以确保全局误差电路系统200的稳定性。这样一来，低频率及恒定电流误差得以校正，但多相电压调节器系统100的高频率操作并不影响全局误差电路系统200。
第一示例性电压调节器系统内的示例性局部通道误差电路系统
图3示出根据本发明示例性实施例的第一示例性调节器系统内的示例性局部通道误差电路系统的框图。如图3中所示，局部通道误差电路系统300基于能量存储元件充电信号156与能量存储元件充电信号166.1至166.m中的能量存储元件充电信号166.x的比较来提供局部误差校正信号164.1至164.m中的局部误差校正信号164.x。在图3所示的示例性实施例中，局部通道误差电路系统300包括放大器302、电阻器R3及R4、以及电容器C3及C4。局部通道误差电路系统300可表示如上在图1中所述的局部通道误差电路系统114.1至114.m中的一者或多者的示例性实施例。
放大器302确定能量存储元件充电信号166.x与能量存储元件充电信号156之间的差值，以提供局部误差校正信号164.x。在示例性实施例中，局部误差校正信号164.x可被表示为：
Figure BDA0001741129280000091
其中V164.x表示局部误差校正信号164.x的电压，V152表示全局误差校正信号152的电压，V166.x表示能量存储元件充电信号166.x的电压，R＝R3＝R4，C＝C3＝C4，s＝j2πf，
Figure BDA0001741129280000092
且f表示信号频率。
第一示例性电压调节器系统内的示例性通道电路系统
图4示出根据本发明示例性实施例的第一示例性调节器系统内的示例性通道电路系统的框图。如图4中所示，通道电路系统400基于能量存储元件充电信号452与切换时钟信号162.1至162.i中的切换时钟信号162.x的比较来提供能量存储元件充电信号450。如以下将更详细地阐述，通道电路系统400基于此比较来提供能量存储元件充电信号450，以使能量存储元件(例如，提供一些实例：能量存储元件112及/或能量存储元件120.1至120.m中的一者)充电及/或放电。在图4所示的示例性实施例中，通道电路系统400包括比较器402及能量存储元件充电电路系统404。通道电路系统400可表示如上在图1中所述的参考通道电路系统110及/或调节器通道电路系统118.1至118.m中的调节器通道电路系统118.x的示例性实施例。因此，能量存储元件充电信号450可表示如上在图1中所述的能量存储元件充电信号156及/或能量存储元件充电信号166.1至166.m中的能量存储元件充电信号166.x的示例性实施例，且能量存储元件充电信号452可表示如上在图1中所述的参考信号路径调节信号160及/或调节器信号路径调节信号168.1至168.m中的调节器信号路径调节信号168.x的示例性实施例。
比较器402基于能量存储元件充电信号452与切换时钟信号162.x的比较来提供能量存储元件充电信号454。在示例性实施例中，当切换时钟信号162.x大于能量存储元件充电信号452时，比较器402以第一逻辑电平(例如逻辑0)提供能量存储元件充电信号454。否则，在此示例性实施例中，当切换时钟信号162.x小于能量存储元件充电信号452时，比较器402以第二逻辑电平(例如逻辑1)提供能量存储元件充电信号454。
能量存储元件充电电路系统404基于能量存储元件充电信号454来提供能量存储元件充电信号450。如图4中所示，能量存储元件充电电路系统包括门驱动器电路系统406、p型金属氧化物半导体(p-type metal-oxide-semiconductor，PMOS)晶体管Q1、及n型金属氧化物半导体(n-type metal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管Q2。当能量存储元件充电信号454处于指示能量存储元件(例如，提供一些实例：能量存储元件112及/或能量存储元件120.1至120.m中的一者)将要被充电的第一逻辑电平(例如逻辑0)时，门驱动器电路系统406以第一逻辑电平提供第一晶体管控制信号456.1，且以第一逻辑电平提供第二晶体管控制信号456.2。否则，当能量存储元件充电信号454处于指示能量存储元件将要被放电的第二逻辑电平(例如逻辑1)时，门驱动器电路系统406以第二逻辑电平提供第一晶体管控制信号456.1且以第二逻辑电平提供第二晶体管控制信号456.2。
当第一晶体管控制信号456.1处于第一逻辑电平(例如逻辑0)时，p型金属氧化物半导体晶体管Q1是工作的，即闭合。因此，p型金属氧化物半导体晶体管Q1提供第一操作电压(例如，提供实例：图4中所示的VBAT)作为能量存储元件充电信号450。否则，当第一晶体管控制信号456.1处于第二逻辑电平(例如逻辑1)时，p型金属氧化物半导体晶体管Q1是不工作的，即断开。类似地，当第二晶体管控制信号456.2处于第二逻辑电平(例如逻辑1)时，n型金属氧化物半导体晶体管Q2是工作的，即闭合。因此，n型金属氧化物半导体晶体管Q2提供第二操作电压(例如，提供实例：图4中所示的VSS)作为能量存储元件充电信号450。否则，当第二晶体管控制信号456.2处于第一逻辑电平(例如逻辑0)时，n型金属氧化物半导体晶体管Q2是不工作的，即断开。
第二示例性电压调节器系统
图5示出根据本发明示例性实施例的示例性电压调节器系统的框图。多相电压调节器系统500包括并行信号路径，所述并行信号路径在功能上协作以便以与如上在图1中所述的多相电压调节器系统100实质上相似的方式以实质上恒定的电压提供模拟输出信号150。如图5中所示，多相电压调节器系统500包括参考信号路径502及调节器信号路径504.1至504.m。在图5所示的示例性实施例中，参考信号路径502及调节器信号路径504.1至504.m以与如上在图1中所述的参考信号路径102及调节器信号路径104.1至104.m实质上相似的方式运作；因此，以下将仅更详细地阐述参考信号路径502与参考信号路径102之间以及调节器信号路径504.1至504.m与调节器信号路径104.1至104.m之间的差异。
如图5中所示，参考信号路径502以与如上在图1中所述的参考信号路径102实质上相似的方式向调节器信号路径504.1至504.m提供全局误差校正信号152，以使模拟输出信号150与参考输入信号154成比例。在图5所示的示例性实施例中，参考信号路径502包括全局误差电路系统106、组合电路系统108、参考通道电路系统110、能量存储元件112、第一放大器506、及第二放大器508。如图5中所示，第一放大器506以第一增益A1放大参考信号路径误差信号158，以提供经放大的参考信号路径误差信号550。第二放大器508以第二增益A2放大全局误差校正信号152，以提供经放大的全局误差校正信号552。在示例性实施例中，第一增益A1表示局部应用于信号路径(例如，参考信号路径502及/或调节器信号路径504.1至504.m)的局部增益。在此示例性实施例中，第二增益A2表示全局应用于多相电压调节器系统500的全局增益。组合电路系统108以如上在图1中所述的实质上相似的方式组合经放大的参考信号路径误差信号550与经放大的全局误差校正信号552，以提供参考信号路径调节信号160。
如图5中另外所示，调节器信号路径504.1至504.m可以与如上在图1中所述的调节器信号路径104.1至104.m实质上相似的方式单独地调整全局误差校正信号152，以补偿参考信号路径502及/或调节器信号路径504.1至504.m中的一者或多者之间的失配。在图5所示的示例性实施例中，调节器信号路径504.1至504.m包括局部通道误差电路系统114.1至114.m、组合电路系统116.1至116.m、调节器通道电路系统118.1至118.m、能量存储元件120.1至120.m、第一放大器510.1至510.m、及第二放大器512.1至512.m。如图5中所示，第一放大器510.1至510.m以第一增益A1放大局部误差校正信号164.1至164.m，以提供经放大的局部误差校正信号554.1至554.i。第二放大器512.1至512.m以第二增益A2放大全局误差校正信号152，以提供经放大的全局误差校正信号556.1至556.m。组合电路系统116.1至116.m以如上在图1中所述的实质上相似的方式组合经放大的局部误差校正信号554.1至554.i与经放大的全局误差校正信号556.1至556.m，以提供调节器信号路径调节信号168.1至168.m。
示例性电压调节器系统的示例性操作
图6示出根据本发明示例性实施例的示例性电压调节器系统的示例性操作的流程图。本发明并非仅限于此操作说明。而是，对于相关领域中的普通技术人员来说将显而易见，在本发明的范围及精神内也存在其他操作控制流程。以下论述阐述电压调节器系统(例如，提供一些实例：电压调节器系统100或电压调节器系统500)的示例性操作流程600。
在操作602处，示例性操作流程600以恒定或实质上恒定的电压提供模拟输出信号(例如，提供实例：模拟输出信号150)。举例来说，示例性操作流程600以如上在图1至图5中所述的实质上相似的方式根据一个或多个切换时钟信号(例如，提供实例：切换时钟信号162.1至162.i)提供能量存储元件充电信号(例如，提供一些实例：能量存储元件充电信号156及/或能量存储元件充电信号166.1至166.m中的一者或多者)，以使一个或多个能量存储元件(例如，提供一些实例：能量存储元件112及/或能量存储元件120.1至120.m中的一者或多者)充电及/或放电，从而提供模拟输出信号。在示例性实施例中，操作602可由参考通道电路系统110及/或调节器通道电路系统118.1至118.m中的一者或多者执行。
在操作604处，示例性操作流程600提供全局误差校正信号(例如，提供实例：全局误差校正信号152)，以使模拟输出信号150与参考输入信号(例如，提供实例：参考输入信号154)成比例。示例性操作流程600基于参考输入信号与来自操作602的一个或多个能量存储元件充电信号中的一者的比较来提供全局误差校正信号。操作604的全局误差校正信号表示参考输入信号与模拟输出信号之间的差值。在示例性实施例中，操作604可由全局误差电路系统106执行。
在操作606处，示例性操作流程600以如上在图1至图5中所述的实质上相似的方式提供一个或多个局部误差校正信号(例如，提供实例：局部误差校正信号164.1至164.m中的一者或多者)，以补偿电压调节器系统内由电压调节器系统内存在的制造变化及/或偏差容差引起的失配。示例性操作流程600可调整来自操作604的全局误差校正信号，以补偿电压调节器内的失配。在示例性实施例中，流程600基于来自操作604的全局误差校正信号与操作604的能量存储元件充电信号中的一个或多个能量存储元件充电信号的比较来提供所述一个或多个局部误差校正信号。在示例性实施例中，操作606可由局部通道误差电路系统114.1至114.m执行。
总结
前述详细说明公开一种多相电压调节器。所述多相电压调节器包括参考信号路径及至少一个调节器信号路径。所述参考信号路径根据第一切换时钟信号提供第一能量存储元件充电信号以使第一能量存储元件充电或放电，所述第一能量存储元件被配置成在放电时贡献于模拟输出信号，且基于所述模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号。所述至少一个调节器信号路径根据第二切换时钟信号及调节器信号路径调节信号提供第二能量存储元件充电信号以使第二能量存储元件充电或放电，所述第二能量存储元件被配置成在放电时贡献于所述模拟输出信号，基于所述第一能量存储元件充电信号与所述第二能量存储元件充电信号的比较来提供局部误差校正信号，且通过所述局部误差校正信号调整所述全局误差校正信号以提供所述调节器信号路径调节信号。
在相关实施例中，所述参考信号路径包括：参考信道电路系统，被配置成：将所述第一切换时钟信号与参考信号路径调节信号进行比较，当所述第一切换时钟信号小于所述参考信号路径调节信号时，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述第一能量存储元件放电，且当所述第一切换时钟信号大于所述参考信号路径调节信号时，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第一能量存储元件充电。
在相关实施例中，所述参考信号路径进一步包括：组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与参考信号路径误差信号，以提供所述参考信号路径调节信号。
在相关实施例中，所述参考信号路径误差信号包含：处于所述第一切换时钟信号的平均值的电压。
在相关实施例中，所述至少一个调节器信号路径包括：调节器通道电路系统，被配置成：将所述第二切换时钟信号与所述调节器信号路径调节信号进行比较，当所述第二切换时钟信号小于所述调节器信号路径调节信号时，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述第二能量存储元件放电，且当所述第二切换时钟信号大于所述调节器信号路径调节信号时，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第二能量存储元件充电。
在相关实施例中，所述至少一个调节器信号路径包括：组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与所述局部误差校正信号以调整所述全局误差校正信号，从而提供所述调节器信号路径调节信号。
在相关实施例中，所述至少一个调节器信号路径包括：第一调节器信号路径，被配置成：根据所述第二切换时钟信号及所述调节器信号路径调节信号提供所述第二能量存储元件充电信号，以使所述第二能量存储元件充电或放电，基于所述第一能量存储元件充电信号与所述第二能量存储元件充电信号的比较来提供所述局部误差校正信号，且通过所述局部误差校正信号来调整所述全局误差校正信号，以提供所述调节器信号路径调节信号；以及第二调节器信号路径，被配置成：根据第三切换时钟信号及第二调节器信号路径调节信号提供第三能量存储元件充电信号以使第三能量存储元件充电或放电，所述第三能量存储元件被配置成在放电时贡献于所述模拟输出信号，基于所述第一能量存储元件充电信号与所述第三能量存储元件充电信号的比较来提供第二局部误差校正信号，且通过所述第二局部误差校正信号调整所述全局误差校正信号，以提供所述第二调节器信号路径调节信号。
前述详细说明还公开另一种多相电压调节器。所述另一种多相电压调节器包括全局误差电路系统、第一组合电路系统、参考通道电路系统、局部通道误差电路系统、第二组合电路系统、及调节器通道电路系统。所述全局误差电路系统基于模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号。所述第一组合电路系统组合所述全局误差校正信号与参考信号路径误差信号，以提供参考信号路径调节信号。所述参考通道电路系统基于所述参考信号路径调节信号与第一切换时钟信号的比较来提供第一能量存储元件充电信号，以使第一能量存储元件充电或放电。所述局部通道误差电路系统基于所述第一能量存储元件充电信号与多个能量存储元件充电信号中的对应能量存储元件充电信号的比较来提供多个局部误差校正信号。所述第二组合电路系统组合所述全局误差校正信号与所述多个局部误差校正信号，以提供调节器信号路径调节信号。所述调节器通道电路系统基于所述调节器信号路径调节信号与所述切换时钟信号的比较来提供所述多个能量存储元件充电信号，以使能量存储元件充电或放电。
在相关实施例中，所述参考信号路径误差信号包含：处于所述第一时钟信号的平均值的电压。
在相关实施例中，所述参考通道电路系统包括：比较器，被配置成基于所述参考信号路径调节信号与所述第一切换时钟信号的比较来提供所述第一能量存储元件充电信号；以及能量存储元件充电电路系统，被配置成：当所述第一切换时钟信号小于所述参考信号路径调节信号时，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述第一能量存储元件放电，且当所述第一切换时钟信号大于所述参考信号路径调节信号时，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第一能量存储元件充电。
在相关实施例中，所述多个调节器通道电路系统中的至少一者包括：比较器，被配置成基于所述多个调节器信号路径调节信号中的调节器信号路径调节信号与所述多个切换时钟信号中的第二切换时钟信号的比较来提供能量存储元件充电信号；以及能量存储元件充电电路系统，被配置成：当所述第二切换时钟信号小于所述调节器信号路径调节信号时，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述多个能量存储元件中的第二能量存储元件放电，且当所述第二切换时钟信号大于所述调节器信号路径调节信号时，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第二能量存储元件充电。
在相关实施例中，所述多个第二组合电路系统被配置成组合所述全局误差校正信号与所述多个局部误差校正信号，以补偿所述多个调节器通道电路系统与所述参考通道电路系统之间的失配。
在相关实施例中，所述的多相电压调节器进一步包括：第一放大器，被配置成以第一增益放大所述参考信号路径误差信号，以提供经放大的参考信号路径误差信号；以及第二放大器，被配置成以第二增益放大所述全局误差校正信号，以提供经放大的全局误差校正信号，其中所述第一组合电路系统被配置成组合所述经放大的参考信号路径误差信号与所述经放大的全局误差校正信号，以提供所述参考信号路径调节信号。
在相关实施例中，所述的多相电压调节器进一步包括：多个第一放大器，被配置成以所述第一增益放大所述多个局部误差校正信号，以提供多个经放大的局部误差校正信号；多个第二放大器，被配置成以所述第二增益放大所述全局误差校正信号，以提供多个经放大的全局误差校正信号，其中所述第二组合电路系统被配置成组合所述多个经放大的局部误差校正信号与所述多个经放大的全局误差校正信号，以提供所述多个调节器信号路径调节信号。
在相关实施例中，所述全局误差电路系统包括：误差放大器，被配置成：确定所述第一能量存储元件充电信号与所述参考输入信号之间的差值，且基于所述第一能量存储元件充电信号与所述参考输入信号的比较来放大所述差值，以提供所述全局误差校正信号。
前述详细说明进一步公开一种用于操作多相电压调节器的方法。所述方法包括：通过所述多相电压调节器的多个信号路径根据切换时钟信号提供能量存储元件充电信号以使能量存储元件充电或放电，从而提供模拟输出信号；通过所述多个信号路径中的第一信号路径基于所述模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号；以及通过所述多个信号路径中的第二信号路径基于所述能量存储元件充电信号中的第一能量存储元件充电信号与第二能量存储元件充电信号的比较来提供局部误差校正信号。
在相关实施例中，所述的方法进一步包括：通过所述第一信号路径组合所述全局误差校正信号与参考信号路径误差信号，以提供参考信号路径调节信号，且其中所述提供所述多个能量存储元件充电信号包括：当所述参考信号路径调节信号处于第一逻辑电平时，通过所述第一信号路径根据所述多个切换时钟信号中的所述第一切换时钟信号以所述第一逻辑电平提供所述多个能量存储元件充电信号中的所述第一能量存储元件充电信号，以使所述多个能量存储元件中的所述第一能量存储元件充电，以及当所述参考信号路径调节信号处于第二逻辑电平时，通过所述第一信号路径根据所述第一切换时钟信号以所述第二逻辑电平提供所述第一能量存储元件充电信号，以使所述第一能量存储元件放电。
在相关实施例中，所述参考信号路径误差信号包含：处于所述第一切换时钟信号的平均值的电压。
在相关实施例中，所述的方法进一步包括：通过所述第二信号路径组合所述局部误差校正信号与所述全局误差校正信号，以提供调节器信号路径调节信号，且其中所述提供所述多个能量存储元件充电信号包括：当所述调节器信号路径调节信号处于第一逻辑电平时，通过所述第二信号路径以所述第一逻辑电平提供所述多个能量存储元件充电信号中的所述第一能量存储元件充电信号，以使所述多个能量存储元件中的所述第一能量存储元件充电，以及当所述调节器信号路径调节信号处于第二逻辑电平时，通过所述第二信号路径以所述第二逻辑电平提供所述第一能量存储元件充电信号，以使所述第一能量存储元件放电。
在相关实施例中，所述组合包括：组合所述局部误差校正信号与所述全局误差校正信号，以补偿所述第一信号路径与所述第二信号路径之间的失配。
前述详细说明参照附图说明了与本发明一致的示例性实施例。在前述详细说明中所提及的“示例性实施例”表明所述的示例性实施例可包括特定特征、结构或特性，但并非每一示例性实施例一定包括所述特定特征、结构或特性。此外，此类短语未必指代同一示例性实施例。此外，结合示例性实施例所述的任何特征、结构或特性可独立地或可以任何组合形式与其他示例性实施例(不论是否明确地阐述)的特征、结构或特性被包含在一起。
前述详细说明并非意在进行限制。而是，本发明的范围仅根据以上权利要求书及其等效内容来界定。应了解，前述详细说明而非以上摘要部分旨在用于解释权利要求书。摘要部分可陈述本发明的一或多个但非全部示例性实施例，且因此，绝非旨在限制本发明及以上权利要求书及其等效内容。
在前述详细说明内所述的示例性实施例是出于说明性目的而提供，而非旨在进行限制。在保持于本发明的精神及范围内的同时，可实现其他示例性实施例，且可对示例性实施例作出修改。前述详细说明是借助于功能构建块而加以阐述，所述功能构建块说明所指定功能及其关系的实施方案。这些功能构建块的边界在本文中是为方便说明起见而任意界定的。只要所指定功能及其关系被适当地执行，便可界定替代边界。
本发明的实施例可以硬件、固件、软件、或其任何组合来实作。本发明的实施例也可被实作为存储在机器可读媒体上的可由一个或多个处理器读取及执行的指令。机器可读媒体可包括用于以机器(例如，计算电路系统)可读的形式存储或传送信息的任何机制。举例来说，机器可读媒体可包括非暂时性机器可读媒体，例如：只读存储器(read onlymemory，ROM)；随机存取存储器(random access memory，RAM)；磁盘存储媒体；光学存储媒体；快闪存储器装置；以及其他。作为另一实例，机器可读媒体可包括暂时性机器可读媒体，例如电形式、光学形式、声形式或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)。此外，固件、软件、例程、指令在本文中均可被阐述为执行某些动作。然而，应了解，此类说明仅是为了方便起见，且此类行动事实上是由执行所述固件、软件、例程、指令等的计算装置、处理器、控制器或其他装置而引起。
前述详细说明全面揭露了本发明的一般性质，以使其他人员可在不背离本发明的精神及范围的条件下通过应用相关领域中的技术人员的知识在无需过度实验的情况下针对各种应用容易地修改及/或调适此类示例性实施例。因此，基于本文中所呈现的教示内容及引导，此类调适及修改旨在处于示例性实施例的意义及多种等效形式内。应理解，本文中的短语或术语用于说明而非限制目的，使得相关领域中的技术人员应鉴于本文中的教示内容来解释本说明书的术语或短语。

Claims (20)

1.一种多相电压调节器，其特征在于，包括：
参考信号电路系统，被配置成：
基于第一切换时钟信号及参考路径调节信号提供第一能量存储元件充电信号以使第一能量存储元件充电或放电，其中所述第一能量存储元件被配置成响应于放电而贡献于模拟输出信号；
比较所述模拟输出信号与参考输入信号以提供全局误差校正信号；
组合所述全局误差校正信号与参考路径误差信号以提供所述参考路径调节信号；以及
至少一个调节器信号电路系统，被配置成：
基于第二切换时钟信号及调节器路径调节信号提供第二能量存储元件充电信号以使第二能量存储元件充电或放电，其中所述第二能量存储元件被配置成响应于放电而贡献于所述模拟输出信号；
比较所述第一能量存储元件充电信号与所述第二能量存储元件充电信号以提供局部误差校正信号；以及
基于所述局部误差校正信号调整所述全局误差校正信号，以提供所述调节器路径调节信号。
2.根据权利要求1所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述参考信号电路系统包括：
参考信道电路系统，被配置成：
比较所述第一切换时钟信号与所述参考路径调节信号；
响应于所述第一切换时钟信号小于所述参考路径调节信号，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述第一能量存储元件放电；以及
响应于所述第一切换时钟信号大于所述参考路径调节信号，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第一能量存储元件充电。
3.根据权利要求2所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述参考路径误差信号包含处于所述第一切换时钟信号的平均值的电压。
4.根据权利要求1所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述至少一个调节器信号电路系统包括：
调节器信道电路系统，被配置成：
比较所述第二切换时钟信号与所述调节器路径调节信号；
响应于所述第二切换时钟信号小于所述调节器路径调节信号，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述第二能量存储元件放电；以及
响应于所述第二切换时钟信号大于所述调节器路径调节信号，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第二能量存储元件充电。
5.根据权利要求4所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述至少一个调节器信号电路系统包括：
组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与所述局部误差校正信号以调整所述全局误差校正信号。
6.根据权利要求1所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述至少一个调节器信号电路系统包括：
第一调节器信号路径，被配置成：
基于所述第二切换时钟信号及所述调节器路径调节信号提供所述第二能量存储元件充电信号，以使所述第二能量存储元件充电或放电；
比较所述第一能量存储元件充电信号与所述第二能量存储元件充电信号；以及
基于所述局部误差校正信号来调整所述全局误差校正信号，以提供所述调节器路径调节信号；以及
第二调节器信号路径，被配置成：
基于第三切换时钟信号及第二调节器路径调节信号提供第三能量存储元件充电信号以使第三能量存储元件充电或放电，其中所述第三能量存储元件被配置成响应于放电而贡献于所述模拟输出信号；
比较所述第一能量存储元件充电信号与所述第三能量存储元件充电信号以提供第二局部误差校正信号；以及
基于所述第二局部误差校正信号调整所述全局误差校正信号，以提供所述第二调节器路径调节信号。
7.根据权利要求1所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述参考路径误差信号是直流电压，所述直流电压对应于所述第一切换时钟信号的第一逻辑电平和第二逻辑电平之间的值。
8.一种多相电压调节器，其特征在于，包括：
全局误差电路系统，被配置成基于模拟输出信号与参考输入信号的比较来提供全局误差校正信号；
第一组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与参考路径误差信号，以提供参考路径调节信号；
参考信道电路系统，被配置成基于所述参考路径调节信号与多个切换时钟信号中的第一切换时钟信号的比较来提供第一能量存储元件充电信号，以使第一能量存储元件充电或放电；
多个局部通道误差电路系统，被配置成基于所述第一能量存储元件充电信号与多个能量存储元件充电信号中的对应能量存储元件充电信号的比较来提供多个局部误差校正信号；
多个第二组合电路系统，被配置成组合所述全局误差校正信号与所述多个局部误差校正信号，以提供多个调节器路径调节信号；以及
多个调节器通道电路系统，被配置成基于所述多个调节器路径调节信号与所述多个切换时钟信号的比较来提供所述多个能量存储元件充电信号，以使多个能量存储元件充电或放电。
9.根据权利要求8所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述参考路径误差信号包含处于所述第一切换时钟信号的平均值的电压。
10.根据权利要求8所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述参考信道电路系统包括：
比较器，被配置成基于所述参考路径调节信号与所述第一切换时钟信号的比较来提供所述第一能量存储元件充电信号；以及
能量存储元件充电电路系统，被配置成：
响应于所述第一切换时钟信号小于所述参考路径调节信号，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述第一能量存储元件放电；以及
响应于所述第一切换时钟信号大于所述参考路径调节信号，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第一能量存储元件充电。
11.根据权利要求8所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述多个调节器通道电路系统中的至少一者包括：
比较器，被配置成基于所述多个调节器路径调节信号中的调节器路径调节信号与所述多个切换时钟信号中的切换时钟信号的比较来提供能量存储元件充电信号；以及
能量存储元件充电电路系统，被配置成：
响应于第二切换时钟信号小于所述调节器路径调节信号，启用第一晶体管并停用第二晶体管，以使所述多个能量存储元件中的第二能量存储元件放电；以及
响应于所述第二切换时钟信号大于所述调节器路径调节信号，停用所述第一晶体管并启用所述第二晶体管，以使所述第二能量存储元件充电。
12.根据权利要求8所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述多个第二组合电路系统被配置成组合所述全局误差校正信号与所述多个局部误差校正信号，以补偿所述多个调节器通道电路系统与所述参考信道电路系统之间的失配。
13.根据权利要求8所述的多相电压调节器，其特征在于，进一步包括：
第一放大器，被配置成以第一增益放大所述参考路径误差信号，以提供经放大的参考路径误差信号；以及
第二放大器，被配置成以第二增益放大所述全局误差校正信号，以提供经放大的全局误差校正信号，
其中所述第一组合电路系统被配置成组合所述经放大的参考路径误差信号与所述经放大的全局误差校正信号，以提供所述参考路径调节信号。
14.根据权利要求13所述的多相电压调节器，其特征在于，进一步包括：
多个第一放大器，被配置成以所述第一增益放大所述多个局部误差校正信号，以提供多个经放大的局部误差校正信号；以及
多个第二放大器，被配置成以所述第二增益放大所述全局误差校正信号，以提供多个经放大的全局误差校正信号，
其中所述多个第二组合电路系统被配置成组合所述多个经放大的局部误差校正信号与所述多个经放大的全局误差校正信号，以提供所述多个调节器路径调节信号。
15.根据权利要求8所述的多相电压调节器，其特征在于，其中所述全局误差电路系统包括误差放大器，被配置成：
确定所述第一能量存储元件充电信号与所述参考输入信号之间的差值；以及
基于所述第一能量存储元件充电信号与所述参考输入信号的比较来放大所述差值，以提供所述全局误差校正信号。
16.一种用于操作多相电压调节器的方法，其特征在于，所述方法包括：
基于多个切换时钟信号提供多个能量存储元件充电信号以使多个能量存储元件充电或放电，从而提供模拟输出信号；
比较所述模拟输出信号与参考输入信号以提供全局误差校正信号；
组合所述全局误差校正信号与参考路径误差信号以提供参考路径调节信号；以及
比较所述多个能量存储元件充电信号中的第一能量存储元件充电信号与所述多个能量存储元件充电信号中的第二能量存储元件充电信号以提供局部误差校正信号。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，
其中所述提供所述多个能量存储元件充电信号包括：
响应于所述参考路径调节信号处于第一逻辑电平，基于所述多个切换时钟信号中的第一切换时钟信号以所述第一逻辑电平提供所述多个能量存储元件充电信号中的所述第一能量存储元件充电信号，以使所述多个能量存储元件中的第一能量存储元件充电，以及
响应于所述参考路径调节信号处于第二逻辑电平，基于所述第一切换时钟信号以所述第二逻辑电平提供所述第一能量存储元件充电信号，以使所述第一能量存储元件放电。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，其中所述参考路径误差信号包含处于所述第一切换时钟信号的平均值的电压。
19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
组合所述局部误差校正信号与所述全局误差校正信号，以提供调节器路径调节信号，
其中所述提供所述多个能量存储元件充电信号包括：
响应于所述调节器路径调节信号处于第一逻辑电平，以所述第一逻辑电平提供所述多个能量存储元件充电信号中的所述第一能量存储元件充电信号，以使所述多个能量存储元件中的第一能量存储元件充电；以及
响应于所述调节器路径调节信号处于第二逻辑电平，以所述第二逻辑电平提供所述第一能量存储元件充电信号，以使所述第一能量存储元件放电。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，其中所述组合所述局部误差校正信号与所述全局误差校正信号包括：
组合所述局部误差校正信号与所述全局误差校正信号，以补偿第一信号路径与第二信号路径之间的失配。
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