CN109553132B - 一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法，所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构，片层结构厚度在3~50 nm，片层直径200~500 nm。所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料，以乙二醇、水的混合液为溶剂，泡沫镍为衬底，用溶剂热法制备的。所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1~4 mmol，乙二醇的用量为5~25 mL，水的用量为5~25 mL。本发明用于锂离子电池负极材料时，在100 mA/g的电流密度下，该材料的首次可逆容量可达1200~1469 mAh/g，经100次循环，容量保持率为50%~65%，不仅较高的充放电容量，而且表现出良好的循环性能。

Description

一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法
技术领域
本发明属于无机储能材料技术领域，具体涉及一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法。
背景技术
21世纪，随着化石燃料的过度消耗以及自然环境的日益恶化，具有能量密度高，循环寿命长，无记忆效应，环境友好等诸多优势的锂离子电池被人们认为是一种很具竞争力的化学能量储存以及转化设备。可是，为了将他们推广到电动汽车，混合动力汽车以及电站上应用，人们仍需努力提高其性能，因为这些大型用电设备要求条件十分苛刻，比如需要极高的容量，功率密度以及安全性能。对锂离子电池而言，电极材料是决定其性能的关键因素。目前，锂离子电池用负极材料石墨，容量很低，只有370 mAh/g。为提高锂离子电池的容量，寻求高容量负极材料非常必要。
发明内容
为解决现有技术中锂离子电池用负极材料石墨容量低的问题，本发明提供一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法。
本发明的目的是以下述方式实现的：
一种锗酸铋二维纳米片，所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构，其厚度为3 ~ 50nm。
所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料，以乙二醇、水的混合液为溶剂，泡沫镍为衬底，用溶剂热法制备的。
所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1 ~ 4 mmol，乙二醇的用量为5 ~ 25 mL，水的用量为5 ~25 mL。
一种锗酸铋二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将三碘化铋和二氧化锗溶解于乙二醇和水的混合溶液，磁力搅拌后得到混合液；
（2）将上述混合液逐滴加入N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在以氩气为保护气体条件下进行煅烧，自然冷却后即得到目标产物。
所述步骤（1）中三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1 ~ 4 mmol，乙二醇的用量为5 ~ 25 mL，水的用量为5 ~25 mL。
所述步骤（2）中N,N'-二异丙基碳二亚胺的加入量为0.5 ~ 2 mL。
所述步骤（3）中水热反应的时间为5 ~ 30小时，水热反应的温度为160 ~ 220 ℃，步骤（4）中煅烧的温度为500 ~ 900℃，煅烧时间为3~8小时。
所述步骤（1）中磁力搅拌的时间为0.5~3小时，步骤（2）中搅拌的时间为0.5~3小时。
所述步骤（3）中泡沫镍衬底的尺寸为2.4 mm × 4.8 mm。
相对于现有技术，本发明以BiI3、GeO2为原料，以乙二醇、水的混合液为溶剂，泡沫镍为衬底，用溶剂热法制备了锗酸铋（Bi4Ge3O12）二维纳米片；本发明所制备的锗酸铋（Bi4Ge3O12）二维纳米片，其片层厚度在 3 ~ 50 nm，直径在200 ~ 500 nm；本发明用于锂离子电池负极材料时，在100 mA/g的电流密度下，该材料的首次可逆容量可达1200 ~ 1469mAh/g，经100次循环，容量保持率为50% ~ 65%，不仅较高的充放电容量，而且表现出良好的循环性能。
附图说明
图1为本发明实施例2的锗酸铋二维纳米片X射线衍射图。
图2为本发明实施例2的锗酸铋二维纳米片的扫描电子显微镜图。
图3为本发明实施例2的锗酸铋二维纳米片的在电流密度为100 mA/g的循环性能曲线。
具体实施方式
本发明的锗酸铋的化学式为Bi4Ge3O12。
实施例1
一种锗酸铋二维纳米片，所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构，其厚度为3 ~ 50nm。其直径大致在200 ~ 500 nm，此处直径并非仅指当二维纳米片层结构为圆形时的尺寸，也指当其为非圆形时的大致尺寸，这些是本领域技术人员公知的。
所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料，以乙二醇、水的混合液为溶剂，泡沫镍为衬底，用溶剂热法制备的。
所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1 ~ 4 mmol，乙二醇的用量为5 ~ 25 mL，水的用量为5 ~25 mL。
本发明还提供了一种锗酸铋二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将三碘化铋和二氧化锗溶解于乙二醇和水的混合溶液，磁力搅拌后得到混合液；
（2）将上述混合液逐滴加入N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
所述步骤（1）中三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1 ~ 4 mmol，乙二醇的用量为5 ~ 25 mL，水的用量为5 ~25 mL。
所述步骤（2）中N,N'-二异丙基碳二亚胺的加入量为0.5 ~ 2 mL。
所述步骤（3）中水热反应的时间为5 ~ 30小时，水热反应的温度为160 ~ 220 ℃，步骤（4）中煅烧的温度为500 ~ 900℃，煅烧时间为3~8小时。
所述步骤（1）中磁力搅拌的时间为0.5~3小时，步骤（2）中搅拌的时间为0.5~3小时。
本实验中步骤（3）中泡沫镍衬底采用的尺寸为2.4 mm × 4.8 mm，当然也可以是其他尺寸。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。
本发明可以用于锂离子电池负极材料，也可用于其他领域，用于锂离子电池负极材料时，制备方法如下：直接将负载有锗酸铋的泡沫镍衬底用作锂离子电池负极（计算比容量时扣除Ni的质量），以金属锂片为对电极（参比电极），cell guard 2400为隔膜，1 MLiPF4的EC/DMC溶液为电解液，在真空手套箱中组装成2016型纽扣电池。使用武汉蓝电生产的LandBT2013A型充放电仪对电池进行充放电性能测试。
实施例2
一种锗酸铋二维纳米片，所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构，片层结构厚度在30 nm。片层直径200 ~ 300 nm。
所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料，以乙二醇、水的混合液为溶剂，泡沫镍为衬底，用溶剂热法制备的。
所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为1：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1.5mmol，乙二醇的用量为10 mL，水的用量为20 mL。
上述锗酸铋二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将1.5mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于10 mL乙二醇和20 mL水的混合溶液，磁力搅拌1h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为1：1；
（2）将上述混合液逐滴加入0.6 mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌1h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为15小时，温度为200 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为500℃，时间为3小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
本实验中步骤（3）中泡沫镍衬底采用的尺寸为2.4 mm × 4.8 mm，当然也可以是其他尺寸。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试，分别如图1和图2所示。图1表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。图2显示，锗酸铋二维纳米片厚度为30 nm，直径为200 ~300 nm。
本发明可以用于锂离子电池负极材料，也可用于其他领域，用于锂离子电池负极材料时，制备方法如下：直接将负载有锗酸铋的泡沫镍衬底用作锂离子电池负极（计算比容量时扣除Ni的质量），以金属锂片为对电极（参比电极），cell guard 2400为隔膜，1 MLiPF4的EC/DMC溶液为电解液，在真空手套箱中组装成2016型纽扣电池。使用武汉蓝电生产的LandBT2013A型充放电仪对电池进行充放电性能测试，如图3所示。
图3表明，在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1465 mAh/g，超过石墨容量的近3倍。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达745 mAh/g，容量保持率为51 %。
实施例3
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将1mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于20 mL乙二醇和10 mL水的混合溶液，磁力搅拌2h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为1.3：1；
（2）将上述混合液逐滴加入1 mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌3h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为18小时，温度为210 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为600℃，时间为5小时，自然冷却后即得到目标产物。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为10 nm，直径为260 ~ 400nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1225 mAh/g，超过石墨容量的2倍。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达707 mAh/g，容量保持率为58 %。
实施例4
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将2mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于25 mL乙二醇和5mL水的混合溶液，磁力搅拌0.5h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为1.5：1；
（2）将上述混合液逐滴加入1.5mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌2h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为10小时，温度为170 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为800℃，时间为7小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为6nm，直径为200 ~ 400nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1276 mAh/g，超过石墨容量的2倍。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达697 mAh/g，容量保持率为55 %。
实施例5
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将3mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于5 mL乙二醇和25mL水的混合溶液，磁力搅拌3h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为2：1；
（2）将上述混合液逐滴加入1.5mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌3h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为20小时，温度为220 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为700℃，时间为4小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为40nm，直径为300 ~ 400nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1316 mAh/g，超过石墨容量的2倍。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达709 mAh/g，容量保持率为54 %。
实施例6
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将4mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于7 mL乙二醇和23mL水的混合溶液，磁力搅拌2.5h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为0.3：1；
（2）将上述混合液逐滴加入2mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌0.5h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为25小时，温度为160 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为900℃，时间为6小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为20nm，直径为250 ~ 400nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1316 mAh/g，超过石墨容量的2倍。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达790 mAh/g，容量保持率为60%。
实施例7
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将2.5mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于15 mL乙二醇和15mL水的混合溶液，磁力搅拌1.5h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为1.8：1；
（2）将上述混合液逐滴加入0.5mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌1.5h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为5小时，温度为220 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为850℃，时间为8小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为3nm，直径为350 ~ 500nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1302 mAh/g。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达655 mAh/g，容量保持率为50%。
实施例8
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将4mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于22 mL乙二醇和8mL水的混合溶液，磁力搅拌0.8h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为0.6：1；
（2）将上述混合液逐滴加入1.7mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌2h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为30小时，温度为200 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为550℃，时间为7小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为50nm，直径为200 ~ 400nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1348mAh/g。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达876mAh/g，容量保持率为65 %。
实施例9
与实施例2的不同之处在于：
本实施例锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片的制备方法，由以下步骤组成：
（1）首先将1.3mmol三碘化铋和二氧化锗溶解于20mL乙二醇和10mL水的混合溶液，磁力搅拌1h后得到混合液，；三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为1.3：1；
（2）将上述混合液逐滴加入2mL N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌2h，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底，水热反应的时间为7小时，温度为180 ℃，；水热反应釜的容量为50ml，也可以是其他容量；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在管式炉中以氩气为保护气体条件下进行煅烧，煅烧的温度为500℃，时间为3小时，自然冷却后即得到目标产物。其中，管式炉内氩气所占体积为99.99%。
对所得的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片进行XRD衍射、扫描电镜测试。XRD衍射图谱表明，所制得的材料的主晶相是锗酸铋，对应JCPDS卡片编号（No.89-1294），三个最强衍射峰对应衬底泡沫镍。扫描电镜图片显示，锗酸铋二维纳米片厚度为50nm，直径为300 ~ 400nm。
通过上述的锗酸铋Bi4Ge3O12二维纳米片制成的锂离子电池负极，其充放电性能测试结果为：在100 mA/g的电流密度下，本实施例所制备的二氧化锗纳米棒首次充电（即可逆）容量为1362 mAh/g。经100次循环后，该材料的可逆充电容量仍可高达858 mAh/g，容量保持率为63 %。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明整体构思前提下，还可以作出若干改变和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。

Claims (6)

1.一种锗酸铋二维纳米片，其特征在于：所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构，其厚度为3 ~ 50 nm，以三碘化铋、二氧化锗为原料，以乙二醇、水的混合液为溶剂，泡沫镍为衬底，用溶剂热法制备，三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1 ~ 4 mmol，乙二醇的用量为5 ~ 25 mL，水的用量为5 ~25 mL。
2.一种锗酸铋二维纳米片的制备方法，其特征在于：由以下步骤组成：
（1）首先将三碘化铋和二氧化锗溶解于乙二醇和水的混合溶液，磁力搅拌后得到混合液；
（2）将上述混合液逐滴加入N,N'-二异丙基碳二亚胺，持续搅拌，得到溶液；
（3）将步骤（2）的溶液置入水热反应釜中进行水热反应，水热反应釜内部放有一片泡沫镍衬底；
（4）水热反应完成后，自然冷却，取出泡沫镍，晾干后在以氩气为保护气体条件下进行煅烧，自然冷却后即得到目标产物。
3.如权利要求2所述的锗酸铋二维纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为（0.3~2）：1，三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1 ~ 4mmol，乙二醇的用量为5 ~ 25 mL，水的用量为5 ~25 mL。
4.如权利要求2所述的锗酸铋二维纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中N,N'-二异丙基碳二亚胺的加入量为0.5 ~ 2 mL。
5.如权利要求2或4所述的锗酸铋二维纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中水热反应的时间为5 ~ 30小时，水热反应的温度为160 ~ 220 ℃，步骤（4）中煅烧的温度为500 ~ 900℃，煅烧时间为3~8小时。
6.如权利要求2或4所述的锗酸铋二维纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中磁力搅拌的时间为0.5~3小时，步骤（2）中搅拌的时间为0.5~3小时。
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