CN109546530B - 一种激光外延结构及制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种激光外延结构及制作方法，该激光外延结构中由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分，在氧化过程中，存在一定程度的氧化，因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化，同时使界面更加清晰，氧化更均匀，降低了由于氧化不均匀对应力的影响，进而提高外延结构的特性。并且，通过加入第一AlyGa1‑yAs层和第二AlyGa1‑yAs层，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，使其在三叉型氧化，在氧化的过程中形成三个倒角，更有利于减缓氧化速率，进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。

Description

一种激光外延结构及制作方法
技术领域
本发明涉及激光外延技术领域，更具体地说，涉及一种激光外延结构及制作方法。
背景技术
VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)，相比较LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑和价格低廉等优点，被广泛应用于光通信、光互联和光存储等领域。
但是，目前激光外延结构在生长完成后，在氧化过程中经常会出现过氧现象，以及氧化厚度不均匀，以使激光外延结构应力较大，从而影响激光外延结构的特性。
发明内容
有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种激光外延结构及制作方法，技术方案如下：
一种激光外延结构，所述激光外延结构包括：
衬底；
在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、MQW多量子阱层、第二波导层、P型限制层、P型DBR反射镜层和欧姆接触层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；
设置在所述P型限制层和所述P型DBR反射镜层之间的氧化界面层，所述氧化界面层包括在所述第一方向上依次设置的AlxGa1-xAs层、第一GaAs层、第一Al0.98Ga0.02As层、第一AlyGa1-yAs层、第二Al0.98Ga0.02As层、第二AlyGa1-yAs层、第三Al0.98Ga0.02As层和第二GaAs层，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，0.6＜y＜0.98，不包括端点值。
优选的，所述AlxGa1-xAs层的厚度为10nm-300nm，包括端点值。
优选的，所述AlxGa1-xAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第一GaAs层的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
优选的，所述第一GaAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第一Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm，包括端点值。
优选的，所述第一Al0.98Ga0.02As层掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第一AlyGa1-yAs层的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
优选的，所述第一AlyGa1-yAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第二Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm，包括端点值。
优选的，所述第二Al0.98Ga0.02As层掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第二AlyGa1-yAs层的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
优选的，所述第二AlyGa1-yAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第三Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm，包括端点值。
优选的，所述第三Al0.98Ga0.02As层掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
优选的，所述第二GaAs层的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
优选的，所述第二GaAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
一种激光外延结构的制作方法，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上以第一方向依次生长缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、MQW多量子阱层、第二波导层和P型限制层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；
在所述P型限制层背离所述第二波导层的一侧以所述第一方向依次生长AlxGa1- xAs层、第一GaAs层、第一Al0.98Ga0.02As层、第一AlyGa1-yAs层、第二Al0.98Ga0.02As层、第二AlyGa1-yAs层、第三Al0.98Ga0.02As层和第二GaAs层，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，0.6＜y＜0.98，不包括端点值；
在所述第二GaAs层背离所述第三Al0.98Ga0.02As层的一侧以所述第一方向依次生长P型DBR反射镜层和欧姆接触层。
相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
该激光外延结构中由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分，在氧化过程中，存在一定程度的氧化，因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化，同时使界面更加清晰，氧化更均匀，降低了由于氧化不均匀对应力的影响，进而提高外延结构的特性。
并且，通过加入第一AlyGa1-yAs层和第二AlyGa1-yAs层，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，使其在三叉型氧化，在氧化的过程中形成三个倒角，更有利于减缓氧化速率，进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的激光外延结构的一种示意图；
图2为本发明实施例提供的一种激光外延结构的制作方法的流程示意图；
图3-图11为图2所示的制作方法相对应的工艺结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的激光外延结构的一种示意图，所述激光外延结构包括：
衬底101；
在所述衬底101上以第一方向依次设置的缓冲层102、N型DBR反射镜层103、N型限制层104、第一波导层105、MQW多量子阱层106、第二波导层107、P型限制层108、P型DBR反射镜层110和欧姆接触层111，所述第一方向垂直于所述衬底101，且由所述衬底101指向所述缓冲层102；
设置在所述P型限制层108和所述P型DBR反射镜层110之间的氧化界面层109，所述氧化界面层109包括在所述第一方向上依次设置的AlxGa1-xAs层11、第一GaAs层12、第一Al0.98Ga0.02As层13、第一AlyGa1-yAs层14、第二Al0.98Ga0.02As层15、第二AlyGa1-yAs层16、第三Al0.98Ga0.02As层17和第二GaAs层18，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，0.6＜y＜0.98，不包括端点值。
在该实施例中，所述第一AlyGa1-yAs层14优选为Al0.85Ga0.15As层，所述第二AlyGa1- yAs层16优选为Al0.85Ga0.15As层。
主要由所述第一Al0.98Ga0.02As层13、所述第一AlyGa1-yAs层14、所述第二Al0.98Ga0.02As层15、所述第二AlyGa1-yAs层16和所述第三Al0.98Ga0.02As层17形成三叉型氧化界面层，在氧化过程中形成三叉型的氧化截止层。
其中，由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分，在氧化过程中，存在一定程度的氧化，因此通过第一GaAs层12和第二GaAs层18使其无法被氧化，同时使界面更加清晰，氧化更均匀，降低了由于氧化不均匀对应力的影响，进而提高外延结构的特性。
并且，通过加入第一AlyGa1-yAs层14和第二AlyGa1-yAs层16，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，使其在三叉型氧化，在氧化的过程中形成三个倒角，更有利于减缓氧化速率，进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。
进一步的，基于本发明上述实施例，在生长所述氧化界面层109时，在氮气或氢气或氮氢混合环境中生长。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一GaAs层12和所述第二GaAs层18的材料可替换为AlGaAs或GaAsP或InGaP或AlGaInP或AlInP等材料。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述AlxGa1-xAs层11的厚度为10nm-300nm，包括端点值。
例如，所述AlxGa1-xAs层11的厚度为20nm或100nm或170nm。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述AlxGa1-xAs层11的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一GaAs层12的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
例如，所述第一GaAs层12的厚度为10埃或25埃或45埃。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一GaAs层12的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一Al0.98Ga0.02As层13的厚度为10nm-100nm，包括端点值。
例如，所述第一Al0.98Ga0.02As层13的厚度为20nm或45nm或68nm。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一Al0.98Ga0.02As层13掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一AlyGa1-yAs层14的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
例如，所述第一AlyGa1-yAs层14的厚度为10埃或26埃或38埃。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第一AlyGa1-yAs层14的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第二Al0.98Ga0.02As层15的厚度为10nm-100nm，包括端点值。
例如，所述第二Al0.98Ga0.02As层15的厚度为30nm或60nm或90nm。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第二Al0.98Ga0.02As层15掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第二AlyGa1-yAs层16的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
例如，所述第二AlyGa1-yAs层16的厚度为3埃或18埃或40埃。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第二AlyGa1-yAs层16的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第三Al0.98Ga0.02As层17的厚度为10nm-100nm，包括端点值。
例如，所述第三Al0.98Ga0.02As层17的厚度为28nm或60nm或95nm。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第三Al0.98Ga0.02As层17掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第二GaAs层18的厚度为1埃-50埃，包括端点值。
例如，所述第二GaAs层18的厚度为5埃或35埃或46埃。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述第二GaAs层18的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
基于本发明上述全部实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种激光外延结构的制作方法，参考图2，图2为本发明实施例提供的一种激光外延结构的制作方法的流程示意图，所述制作方法包括：
S101：如图3所示，提供一衬底101。
在该步骤中，所述衬底101包括但不限定于GaAs衬底或InP衬底。
S102：如图4所示，在所述衬底101上以第一方向依次生长缓冲层102、N型DBR反射镜层103、N型限制层104、第一波导层105、MQW多量子阱层106、第二波导层107和P型限制层108，所述第一方向垂直于所述衬底101，且由所述衬底101指向所述缓冲层102。
在该步骤中，如图5所示，在所述衬底101上首先生长所述缓冲层102，生长所述缓冲层102的生长温度为600℃-700℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为10nm-25nm，包括端点值，所述缓冲层102包括但不限定于GaAs缓冲层。
如图6所示，在所述缓冲层102背离所述衬底101的一侧生长所述N型DBR反射镜层103，生长所述N型DBR反射镜层103的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为2um-6um，包括端点值。
如图7所示，在所述N型DBR反射镜层103背离所述缓冲层102的一侧生长所述N型限制层104，生长所述N型限制层104的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为50nm-100nm，包括端点值。
如图8所示，在所述N型限制层104背离所述N型DBR反射镜层103的一侧生长所述第一波导层105，生长所述第一波导层105的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为20nm-70nm，包括端点值。
如图9所示，在所述第一波导层105背离所述N型限制层104的一侧生长所述MQW多量子阱层106，生长所述MQW多量子阱层106的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为10nm-500nm，包括端点值。
如图10所述，在所述MQW多量子阱层106背离所述第一波导层105的一侧生长第二波导层107，生长所述第二波导层107的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为20nm-70nm，包括端点值。
如图4所示，在所述第二波导层107背离所述MQW多量子阱层106的一侧生长P型限制层108，生长所述P型限制层108的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为50nm-100nm，包括端点值。
S103：如图11所示，在所述P型限制层108背离所述第二波导层107的一侧以所述第一方向依次生长AlxGa1-xAs层11、第一GaAs层12、第一Al0.98Ga0.02As层13、第一AlyGa1-yAs层14、第二Al0.98Ga0.02As层15、第二AlyGa1-yAs层16、第三Al0.98Ga0.02As层17和第二GaAs层18，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，0.6＜y＜0.98，不包括端点值。
在该步骤中，在生长温度为650℃-760℃，生长压力为50mbar-150mbar，反应室载气量为10L-20L的环境下，首先生长所述AlxGa1-xAs层11，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，所述AlxGa1-xAs层11的厚度为10nm-300nm，包括端点值。例如，所述AlxGa1-xAs层11的厚度为20nm或100nm或170nm。所述AlxGa1-xAs层11的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
之后，再生长所述第一GaAs层12，其生长温度为650℃-760℃，生长压力为50mbar-150mbar，所述第一GaAs层12的厚度为1埃-50埃，包括端点值。例如，所述第一GaAs层12的厚度为10埃或25埃或45埃。所述第一GaAs层12的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
之后，再依次生长所述第一Al0.98Ga0.02As层13，第一AlyGa1-yAs层14、第二Al0.98Ga0.02As层15、第二AlyGa1-yAs层16和第三Al0.98Ga0.02As层17，其中，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，优选的，y等于0.85。其中，所述第一Al0.98Ga0.02As层13的厚度为10nm-100nm，包括端点值。所述第一Al0.98Ga0.02As层13掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。所述第一AlyGa1-yAs层14的厚度为1埃-50埃，包括端点值。所述第一AlyGa1-yAs层14的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。所述第二Al0.98Ga0.02As层15的厚度为10nm-100nm，包括端点值。所述第二Al0.98Ga0.02As层15掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。所述第二AlyGa1-yAs层16的厚度为1埃-50埃，包括端点值。所述第二AlyGa1-yAs层16的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。所述第三Al0.98Ga0.02As层17的厚度为10nm-100nm，包括端点值。所述第三Al0.98Ga0.02As层17掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
最后，在生长温度为650℃-760℃，生长压力为50mbar-150mbar的环境下生长所述第二GaAs层18，所述第二GaAs层18的厚度为1埃-50埃，包括端点值。所述第二GaAs层18的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
S104：如图1所示，在所述第二GaAs层18背离所述第三Al0.98Ga0.02As层17的一侧以所述第一方向依次生长P型DBR反射镜层110和欧姆接触层111。
在该步骤中，生长所述P型DBR反射镜层110的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为2um-6um，包括端点值。
生长所述欧姆接触层111的生长温度为650℃-800℃，包括端点值，生长压力为50mbar-150mbar，包括端点值，生长厚度为50nm左右。所述欧姆接触层111的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为1E19-1E20，包括端点值。
通过上述描述可知，由该制作方法形成的激光外延结构中主要由所述第一Al0.98Ga0.02As层、所述第一AlyGa1-yAs层、所述第二Al0.98Ga0.02As层、所述第二AlyGa1-yAs层和所述第三Al0.98Ga0.02As层形成三叉型氧化界面层，在氧化过程中形成三叉型的氧化截止层。
其中，由于Al0.98Ga0.02As层与其相连的DBR反射镜层有较高的Al组分，在氧化过程中，存在一定程度的氧化，因此通过第一GaAs层和第二GaAs层使其无法被氧化，同时使界面更加清晰，氧化更均匀，降低了由于氧化不均匀对应力的影响，进而提高外延结构的特性。
并且，通过加入第一AlyGa1-yAs层和第二AlyGa1-yAs层，0.6＜y＜0.98，不包括端点值，使其在三叉型氧化，在氧化的过程中形成三个倒角，更有利于减缓氧化速率，进而降低对其他DBR反射镜层的氧化。
以上对本发明所提供的一种激光外延结构及制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种激光外延结构，其特征在于，所述激光外延结构包括：
衬底；
在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、MQW多量子阱层、第二波导层、P型限制层、P型DBR反射镜层和欧姆接触层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；
设置在所述P型限制层和所述P型DBR反射镜层之间的氧化界面层，所述氧化界面层包括在所述第一方向上依次设置的AlxGa1-xAs层、第一GaAs层、第一Al0.98Ga0.02As层、第一AlyGa1-yAs层、第二Al0.98Ga0.02As层、第二AlyGa1-yAs层、第三Al0.98Ga0.02As层和第二GaAs层，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，0.6＜y＜0.98，不包括端点值；
其中，所述AlxGa1-xAs层的厚度为10nm-300nm；
所述第一GaAs层的厚度为1埃-50埃；
所述第一Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm；
所述第一AlyGa1-yAs层的厚度为1埃-50埃；
所述第二Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm；
所述第二AlyGa1-yAs层的厚度为1埃-50埃；
所述第三Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm；
所述第二GaAs层的厚度为1埃-50埃。
2.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述AlxGa1-xAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
3.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第一GaAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第一Al0.98Ga0.02As层掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第一AlyGa1-yAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第二Al0.98Ga0.02As层掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
7.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第二AlyGa1-yAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第三Al0.98Ga0.02As层掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
9.根据权利要求1所述的激光外延结构，其特征在于，所述第二GaAs层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-5E18，包括端点值。
10.一种激光外延结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上以第一方向依次生长缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、MQW多量子阱层、第二波导层和P型限制层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；
在所述P型限制层背离所述第二波导层的一侧以所述第一方向依次生长AlxGa1-xAs层、第一GaAs层、第一Al0.98Ga0.02As层、第一AlyGa1-yAs层、第二Al0.98Ga0.02As层、第二AlyGa1-yAs层、第三Al0.98Ga0.02As层和第二GaAs层，其中，0＜x＜0.85，不包括端点值，0.6＜y＜0.98，不包括端点值；
在所述第二GaAs层背离所述第三Al0.98Ga0.02As层的一侧以所述第一方向依次生长P型DBR反射镜层和欧姆接触层；
其中，所述AlxGa1-xAs层的厚度为10nm-300nm；
所述第一GaAs层的厚度为1埃-50埃；
所述第一Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm；
所述第一AlyGa1-yAs层的厚度为1埃-50埃；
所述第二Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm；
所述第二AlyGa1-yAs层的厚度为1埃-50埃；
所述第三Al0.98Ga0.02As层的厚度为10nm-100nm；
所述第二GaAs层的厚度为1埃-50埃。
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