CN109541883A - 掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法，该掩膜版应用于阵列基板上的多个连续排布的单元区的拼接曝光，掩膜版包括透明基板，透明基板上设置有主遮光部和两个侧遮光部。一个侧遮光部、主遮光部和另一个侧遮光部沿第一方向依次连接。每个侧遮光部内设置有透光区，透光区在第二方向上的尺寸大于主遮光部在第二方向上的尺寸，且第一方向与第二方向之间呈指定夹角。掩膜版的主遮光部和侧遮光部分别与对应的单元区正对，在曝光机进行曝光之前，设置曝光机的遮光板不遮挡侧遮光部的透光区，透光区正对的单元区中的子区域便可以被曝光机照射，该子区域中的光刻胶和金属层能够被去除，阵列基板的走线在该子区域被切断，形成走线的断口。

Description

掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法

【技术领域】

本申请涉及显示面板领域，尤其涉及掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法。

【背景技术】

为了突破掩膜版的尺寸限制、生产出更大尺寸的面板，拼接曝光技术在面板制造行业中得到广泛应用。拼接曝光技术是指，将面板的阵列基板的指定区域划分成若干连续重复的单元区，掩膜版上的设置有遮光带的子单元与阵列基板的一个单元区对应，将掩膜版的子单元依次正对阵列基板的每个单元区并进行曝光，使得阵列基板的指定区域完成曝光。

利用拼接曝光技术可以生产出较大尺寸的面板，然而，随着面板尺寸的增加，阵列基板上的走线长度也随之增大，这会使得走线的负载的急剧上升，导致驱动电路对走线的驱动能力下降，严重情况下，会导致驱动电路对面板中像素单元的读写能力不足。为了减小面板上走线的长度以降低负载，通常采用将走线在预设位置处切断，并在面板两端分别设置驱动电路，实现驱动信号的加载。

然而，采用现有技术中的拼接曝光技术，仅能在阵列基板上形成连续的走线，无法在阵列基板上形成具有断口的走线。

【发明内容】

本申请的目的在于提供一种掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法，用以解决现有技术中采用拼接曝光技术无法在阵列基板上形成具有断口的走线的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版应用于阵列基板上的多个连续排布的单元区的拼接曝光。掩膜版包括透明基板，透明基板上设置有主遮光部和两个侧遮光部。一个侧遮光部、主遮光部和另一个侧遮光部沿第一方向依次连接。每个侧遮光部内设置有透光区，透光区在第二方向上的尺寸大于主遮光部在第二方向上的尺寸，且第一方向与第二方向之间呈指定夹角。

第二方面，本申请实施例还提供了第一种基于掩膜版的拼接曝光方法，基于本申请实施例第一方面提供的掩膜版实现，包括：对于阵列基板上多个连续排布的单元区中相邻两个单元区，针对相邻两个单元区中的一个单元区，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部正对一个单元区；利用遮光板，对正对远离相邻两个单元区中另一个单元区的侧遮光部的透光区、以及正对另一个单元区的侧遮光部中透光区之外的区域，进行遮挡后，进行一次曝光；一次曝光后，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐另一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部正对另一个单元区；利用遮光板对两个侧遮光部中的透光区进行遮挡后，再进行一次曝光。

第三方面，本申请实施例还提供了第二种基于掩膜版的拼接曝光方法，基于本申请实施例第一方面提供的掩膜版实现，包括：对于阵列基板上多个连续排布的单元区中相邻两个单元区，针对相邻两个单元区中的一个单元区，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部正对一个单元区；利用遮光板对两个侧遮光部中的透光区进行遮挡，进行一次曝光；一次曝光后，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐相邻两个单元区中的另一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部正对另一个单元区；利用遮光板，对正对远离一个单元区的侧遮光部的透光区、以及正对一个单元区的侧遮光部中透光区之外的区域进行遮挡后，再进行一次曝光。

与现有技术相比，本申请具备如下优点：

基于本申请实施例提供的掩膜版对阵列基板进行拼接曝光的过程中，掩膜版的第一方向平行于阵列基板上各单元区连续排布的方向，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐某一个单元区两侧的图形交叠区，主遮光部和侧遮光部分别与对应的单元区正对，其中，被阵列基板上被主遮光部遮盖的区域为预期形成走线的区域。由于侧遮光部上设置有透光区，当需要在侧遮光部正对的单元区上形成走线的断口时，则在曝光机进行曝光之前，设置曝光机的遮光板不遮挡侧遮光部的透光区，透光区正对的单元区中的子区域便可以被曝光机照射，由于透光区在第二方向上的尺寸大于主遮光部在第二方向上的尺寸，因此阵列基板预期形成的走线必然会穿过被照射过的子区域，而该被照射过的子区域中的光刻胶和金属层能够在后期被去除，因此阵列基板的走线会在该子区域被切断，形成走线的断口。

上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。

【附图说明】

图1为本申请实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的第一种基于掩膜版的拼接曝光方法的流程示意图；

图4a至图4d为本申请实施例提供的第一种基于掩膜版的拼接曝光方法中，阵列基板、掩膜版和遮光板在各步骤的状态示意图；

图5为本申请实施例提供的第二种基于掩膜版的拼接曝光方法的流程示意图；

图6a至图6d为本申请实施例提供的第二种基于掩膜版的拼接曝光方法的流程示意中，阵列基板、掩膜版和遮光板在各步骤的状态示意图；

图中：

1-主遮光部；

2-侧遮光部；21-内侧遮光部；22-外侧遮光部；23-透光区；

3-透明基板；100-遮光板。

【具体实施方式】

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本领域的技术人员可以理解，在阵列基板进行曝光之前，阵列基板的本体的表面依次覆盖有金属层和光刻胶。在阵列基板进行曝光之后，阵列基板被曝光机照射过的区域的光刻胶经显影被去除，使得该区域的金属层被暴露，被暴露的这部分金属层经刻蚀后被去除；阵列基板被掩膜版的遮光带遮挡的区域未被曝光机照射，因此该区域的光刻胶和金属层被保留在阵列基板的本体上，将该区域的光刻胶去除后，余下的金属层便形成了阵列基板上的走线。

在现有技术中，应用拼接曝光技术曝光面板的阵列基板时，先将面板的阵列基板的指定区域划分成若干连续重复的单元区，掩膜版上的设置有遮光带的子单元与阵列基板的一个单元区对应，将掩膜版的子单元依次正对阵列基板的每个单元区并进行曝光，由于掩膜版的子单元中遮光带的形状是不变的，因此阵列基板各单元区被遮光带遮挡的区域会依次连接，在阵列基板进过显影和刻蚀后，阵列基板的指定区域内上只能形成连续的走线。

基于上述原因，本申请的发明人考虑到，在阵列接班进行拼接曝光的过程中，如果能够保证阵列基板的某一个单元区中预期形成走线穿过的子区域不被掩膜版的遮光带遮盖，那么这个区域就可以被曝光机照射，进而该子区域内的光刻胶和金属层就可以被去除，阵列基板的走线不再连续，而是在子区域内被切断，便形成了走线的断口。

基于上述考虑，本申请实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版应用于阵列基板上的多个连续排布的单元区的拼接曝光，如图1所示，掩膜版包括透明基板3，透明基板3上设置有主遮光部1和两个侧遮光部2。一个侧遮光部2、主遮光部1和另一个侧遮光部2沿第一方向依次连接。每个侧遮光部2内设置有透光区23，透光区23在第二方向上的尺寸大于主遮光部1在第二方向上的尺寸，且第一方向与第二方向之间呈指定夹角。

基于本申请实施例提供的掩膜版对阵列基板进行拼接曝光的过程中，掩膜版的第一方向平行于阵列基板上各单元区连续排布的方向，将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐某一个单元区两侧的图形交叠区，主遮光部1和侧遮光部2分别与对应的单元区正对，其中，阵列基板上被主遮光部1遮盖的区域为预期形成走线的区域。由于侧遮光部2上设置有透光区23，当需要在侧遮光部2正对的单元区上形成走线的断口时，则在曝光机进行曝光之前，设置曝光机的遮光板100不遮挡侧遮光部2的透光区23，透光区23正对的单元区中的子区域便可以被曝光机照射，由于透光区23在第二方向上的尺寸大于主遮光部1在第二方向上的尺寸，因此阵列基板预期形成的走线必然会穿过该被照射过的子区域，该被照射过的子区域中的光刻胶和金属层能够在后期被去除，因此阵列基板的走线会在该子区域被切断，形成走线的断口。

本领域的技术人员可以理解，当被侧遮光部2正对的单元区不需要设置走线的断口时，则在曝光机进行曝光之前，设置曝光机的遮光板100遮挡侧遮光部2的透光区23即可。

本申请实施例中，内侧是指靠近主遮光部的一侧。可选地，在本申请实施例提供的掩膜版中，每个侧遮光部2包括内侧遮光带21和外侧遮光带22。内侧遮光带21与外侧遮光带22沿第一方向间隔排布，内侧遮光带21与主遮光部1连接。透光区23包括内侧遮光带21与外侧遮光带22之间的间隔缝隙。

如图1所示，内侧遮光带21和外侧遮光带22为平行设置的两条矩形遮光带，且内侧遮光带21和外侧遮光带22相邻的两条边缘沿第一方向间隔，该相邻的两条长边之间的区域即为内侧遮光带21与外侧遮光带22之间的间隔缝隙。内侧遮光带21的远离外侧遮光带22的边缘与主遮光部1连接。

可选地，在本申请实施例提供的掩膜版中，间隔缝隙沿第二方向延伸，且第一方向与第二方向垂直。

可选地，在本申请实施例提供的掩膜版中，间隔缝隙在第一方向上具有预设的第一宽度，第一宽度的数量级包括微米级和十微米级中的一种。间隔缝隙的第一宽度决定了阵列基板上走线的断口的宽度，因此第一宽度的具体数值需要根据断口的实际的设计需要而定。

可选地，在本申请实施例提供的掩膜版中，内侧遮光带21和外侧遮光带 22都在第一方向上具有预设的第二宽度。第二宽度的数量级包括毫米级和十毫米级中的一种。内侧遮光带21和外侧遮光带22的宽度，都需要大于掩膜版基台上遮光板100的位置精度和遮光板100边缘造成的光线模糊区宽度之和，以确保在工艺波动的情况下，曝光边缘的模糊区域在内侧遮光带21或外侧遮光带22范围内。

可选地，在本申请实施例提供的掩膜版中，主遮光部1沿第一方向延伸。主遮光部1的两端，分别与两个侧遮光部2的内侧遮光带21连接。

本领域的技术人员可以理解，主遮光部1的具体形状需要根据阵列基板的走线实际需要的形状而定，以图1为例，主遮光部1为三个平行于第一方向的条形遮光带，三个条形遮光带沿第二方向依次间隔，每个条形遮光带的两端分别与两个侧遮光部2的内侧遮光带21连接。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了第一种基于掩膜版的拼接曝光方法，基于本申请实施例提供的掩膜版实现，该方法的流程示意图如图3所示，包括：

S11：对于阵列基板上多个连续排布的单元区中相邻两个单元区，针对相邻两个单元区中的一个单元区，将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部1正对一个单元区。

以图2为例，在本申请实施例提供的基于掩膜版的拼接曝光方法中，阵列基板被划分为区域A、区域B和区域C，其中，区域B被进一步划分为单元区B1至B4，每个单元区以分界线b作为边界，阵列基板上的走线至少需要穿过单元区B1至B4，且需要在单元区B3形成走线的断口。

在图2中，阵列基板中相邻两个单元区的分界处设置有图形交叠区，图形交叠区包括相邻两个单元区中靠近分界线b的部分区域，图形交叠区的两条边界线a分别设置在一个分界线b的两侧。

以图4a为例，相邻两个单元区分别为单元区B2和单元区B3，在S11 中被主遮光部1正对的单元区具体为单元区B2，将掩膜版的两个侧遮光部2 分别对齐单元区B2两侧的图形交叠区，即一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B2一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐，另一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B2另一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线 a对齐。具体地，一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B2的边缘，与单元区B2一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐；另一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B2的边缘，与单元区B2另一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐。主遮光部1正对单元区B2，两个侧遮光部2分别正对单元区B1和单元区B3。

S12：利用遮光板100，对正对远离相邻两个单元区中另一个单元区的侧遮光部2的透光区23、以及正对另一个单元区的侧遮光部2中透光区23之外的区域，进行遮挡后，进行一次曝光。

可选地，在本申请实施例提供的第一种基于掩膜版的拼接曝光方法中，对于正对远离相邻两个单元区中另一个单元区的侧遮光部2，利用遮光板 100，对该侧遮光部2的内侧遮光带21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡；对于正对另一个单元区的侧遮光部2，利用遮光板100，对该侧遮光部2的外侧遮光带22的中心线以外的区域进行遮挡。

以图4b为例，相邻两个单元区中另一个单元区为单元区B3，图4b中位于左侧的侧遮光部2为远离单元区B3的侧遮光部2，即正对单元区B1的遮光板100。曝光机包括两个遮光板100，左侧的遮光板100对正对单元区B1 的侧遮光部2的透光区进行遮盖，具体地，左侧的遮光板100对该侧遮光部 2的内侧遮光带21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡，在图4b 中，左侧的遮光板100的一个边缘与内侧遮光带21的中心线平齐，另一个相对的边缘在外侧遮光带22的范围内；曝光机右侧的遮光板100对正对单元区 B3的侧遮光部2中透光区23之外的区域进行遮挡，具体地，右侧的遮光板 100对该侧遮光部2的外侧遮光带22的中心线以外的区域进行遮挡，在图4b 中，右侧的遮光板100的一个边缘与外侧遮光带22的中心线，另一个相对的边缘位于外侧遮光带22以外的区域。

在图4b中，左侧的正对单元区B1的侧遮光部2的透光区23被遮光板 100遮盖，右侧的正对单元区B3的侧遮光部2的的透光区23未被遮光板100 遮盖，曝光机进行一次曝光，单元区B3正对透光区23的子区域被曝光机照射，该子区域内的光刻胶和金属层后期经显影和刻蚀等工艺后会被去除。单元区B2中正对主遮光部1的子区域未被曝光机照射，该子区域内的金属层将被保留，后期将形成走线。

S13：一次曝光后，将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐另一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部1正对另一个单元区。

以图4c为例，在S13中被主遮光部1正对的单元区为单元区B3，将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐单元区B3两侧的图形交叠区，即一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B3一侧的图形交叠区的远离单元区B3的边界线 a对齐，另一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B3另一侧的图形交叠区的远离单元区B3的边界线a对齐。具体地，一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B3的边缘，与单元区B3一侧的图形交叠区的远离单元区B3的边界线a对齐；另一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B3的边缘，与单元区B3另一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐。主遮光部1正对单元区B3，两个侧遮光部2分别正对单元区B2和单元区B4。

S14：利用遮光板100对两个侧遮光部2中的透光区23进行遮挡后，再进行一次曝光。

可选地，在本申请实施例提供的基于掩膜版的拼接曝光方法中，利用遮光板100对两个侧遮光部2的外侧遮光带22的中心线以外的区域进行遮挡后，再进行一次曝光。

以图4c为例，利用遮光板100对单元区B3两侧的两个侧遮光部2中的透光区23进行遮挡。曝光机左侧的遮光板100对正对单元区B2的侧遮光部 2的透光区进行遮盖，具体地，左侧的遮光板100对该侧遮光部2的内侧遮光带21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡，遮光板100的一个边缘与内侧遮光带21的中心线平齐，另一个相对的边缘在外侧遮光带22的范围内；曝光机右侧的遮光板100对正对单元区B4的侧遮光部2中透光区 23进行遮挡，具体地，右侧的遮光板100对该侧遮光部2的内侧遮光带21 的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡，右侧的遮光板100的一个边缘与内侧遮光带21的中心线平齐，另一个相对的边缘在外侧遮光带22的范围内。

在图4c中，正对单元区B2和单元区B4的侧遮光部2的透光区23都被遮光板100遮盖，单元区B3中正对主遮光部1的子区域未被曝光机照射， S12中单元区B2未被照射的子区域，与S14中单元区B3未被照射的子区域在图形交叠区连接。S12中单元区B3被照射的子区域，与S14中单元区B3 未被照射的子区域部分重合，重合的区域的光刻胶和金属层后期经显影和刻蚀等供以后会被去除，形成走线的断口。

如图4d所示，在经过S11至S14后，单元区B2和单元区B3中未被曝光机照射过的区域为图中的阴影部分，阴影部分经后续工艺后经将形成走线，走线的断口位于单元区B3内。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了第二种基于掩膜版的拼接曝光方法，基于本申请实施例提供的掩膜版实现，该方法的流程示意图如图5 所示，包括：

S21：对于阵列基板上多个连续排布的单元区中相邻两个单元区，针对相邻两个单元区中的一个单元区，将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部1正对一个单元区。

阵列基板的结构参照本申请实施例提供的第一种基于掩膜版的拼接曝光方法中的阵列基板，此处不再赘述。在申请实施例提供的第二种基于掩膜版的拼接曝光方法中，需要在单元区B2形成走线的断口。

以图6a为例，相邻两个单元区分别为单元区B2和单元区B3，在S21 中被主遮光部1正对的单元区具体为单元区B2，将掩膜版的两个侧遮光部2 分别对齐单元区B2两侧的图形交叠区，即一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B2一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐，另一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B2另一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线 a对齐。具体地，一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B2的边缘，与单元区B2一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐；另一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B2的边缘，与单元区B2另一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐。主遮光部1正对单元区B2，两个侧遮光部2分别正对单元区B1和单元区B3。

S22：利用遮光板100对两个侧遮光部2中的透光区23进行遮挡后，进行一次曝光。

可选地，在本申请实施例提供的第二种基于掩膜版的拼接曝光方法中，利用遮光板100对两个侧遮光部2的内侧遮光带21的中心线以外且包括透光区23的区域进行遮挡，再进行一次曝光。

以图6b为例，利用遮光板100对单元区B2两侧的两个侧遮光部2中的透光区23进行遮挡。曝光机左侧的遮光板100对正对单元区B1的侧遮光部 2的透光区进行遮盖，具体地，左侧的遮光板100对该侧遮光部2的内侧遮光带21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡，左侧的遮光板100 的一个边缘与内侧遮光带21的中心线平齐，另一个相对的边缘在外侧遮光带 22的范围内；曝光机右侧的遮光板100对正对单元区B3的侧遮光部2中透光区23进行遮挡，具体地，右侧的遮光板100对该侧遮光部2的内侧遮光带 21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡，右侧的遮光板100的一个边缘与内侧遮光带21的中心线平齐，另一个相对的边缘在外侧遮光带22 的范围内。

单元区B2中正对主遮光部1的子区域未被曝光机照射，该子区域内的金属层将被保留，后期将形成走线。

S23：一次曝光后，将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐相邻两个单元区中的另一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部1正对另一个单元区。

如图6c所示，在S23中被主遮光部1正对的单元区为单元区B3。将掩膜版的两个侧遮光部2分别对齐单元区B3两侧的图形交叠区，即一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B3一侧的图形交叠区的远离单元区B3的边界线 a对齐，另一个侧遮光部2的内侧边缘与单元区B3另一侧的图形交叠区的远离单元区B3的边界线a对齐。具体地，一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B3的边缘，与单元区B3一侧的图形交叠区的远离单元区B3的边界线a对齐；另一个侧遮光部2的内侧遮光带21的靠近单元区B3的边缘，与单元区B3另一侧的图形交叠区的远离单元区B2的边界线a对齐。主遮光部1正对单元区B3，两个侧遮光部2分别正对单元区B2和单元区B4。

S24：利用遮光板100，对正对远离一个单元区的侧遮光部2的透光区 23、以及正对一个单元区的侧遮光部2中透光区23之外的区域进行遮挡后，再进行一次曝光。

可选地，在本申请实施例提供的第二种基于掩膜版的拼接曝光方法中，在对于正对远离一个单元区的侧遮光部2，利用遮光板100，对该侧遮光部2 的内侧遮光带21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡；对于正对一个单元区的侧遮光部2，利用遮光板100，对该侧遮光部2的外侧遮光带 22的中心线以外的区域进行遮挡。

以图6c为例，相邻两个单元区中一个单元区为单元区B2，图6c中位于右侧的侧遮光部2为远离单元区B2的侧遮光部2，即正对单元区B4的侧遮光部2。曝光机包括两个遮光板100，一个遮光板100对正对单元区B4的侧遮光部2的透光区进行遮盖，具体地，右侧的遮光板100对该侧遮光部2的内侧遮光带21的中心线之外且包括透光区23的区域进行遮挡，右侧的遮光板100的一个边缘与内侧遮光带21的中心线平齐，另一个相对的边缘在外侧遮光带22的范围内；曝光机左侧的遮光板100对正对单元区B2的侧遮光部 2中透光区23之外的区域进行遮挡，具体地，左侧的遮光板100对该侧遮光部2的外侧遮光带22的中心线以外的区域进行遮挡，左侧的遮光板100的一个边缘与外侧遮光带22的中心线对齐，另一个相对的边缘位于外侧遮光带 22以外的区域。

在图6c中，左侧的正对单元区B2的侧遮光部2的透光区23被遮光板 100遮盖，右侧的正对单元区B3的侧遮光部2的的透光区23被遮光板100 遮盖，曝光机进行一次曝光，单元区B2正对透光区23的子区域被曝光机照射，该子区域内的光刻胶和金属层后期经显影和刻蚀等供以后会被去除。单元区B3中正对主遮光部1的子区域未被曝光机照射，该子区域内的金属层将被保留，后期将形成走线。

S22中单元区B2未被照射的子区域，与S24中单元区B3未被照射的子区域在图形交叠区连接。S22中单元区B2未被照射的子区域，与S24中单元区B2被照射的子区域部分重合，重合区域的光刻胶和金属层后期经显影和刻蚀等供以后会被去除，形成走线的断口。

如图6d所示，在经过S21至S24后，单元区B2和单元区B3中未被曝光机照射过的区域为图中的阴影部分，阴影部分经后续工艺经将形成走线，走线的断口位于单元区B2内。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

基于本申请实施例提供的掩膜版对阵列基板进行拼接曝光的过程中，掩膜版的第一方向平行于阵列基板上各单元区连续排布的方向，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐某一个单元区两侧的图形交叠区，主遮光部和侧遮光部分别与对应的单元区正对，其中，被阵列基板上被主遮光部遮盖的区域为预期形成走线的区域。由于侧遮光部上设置有透光区，当需要在侧遮光部正对的单元区上形成走线的断口时，则在曝光机进行曝光之前，设置曝光机的遮光板不遮挡侧遮光部的透光区，透光区正对的单元区中的子区域便可以被曝光机照射，由于透光区在第二方向上的尺寸大于主遮光部在第二方向上的尺寸，因此阵列基板预期形成的走线必然会穿过被照射过的子区域，而该被照射过的子区域中的光刻胶和金属层能够在后期被去除，因此阵列基板的走线会在该子区域被切断，形成走线的断口。

本技术领域技术人员可以理解，本发明中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本发明中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本发明中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种掩膜版，应用于阵列基板上的多个连续排布的单元区的拼接曝光，其特征在于，包括透明基板；所述透明基板上设置有主遮光部和两个侧遮光部；一个所述侧遮光部、所述主遮光部和另一个所述侧遮光部沿第一方向依次连接；

每个所述侧遮光部内设置有透光区；所述透光区在第二方向上的尺寸大于所述主遮光部在第二方向上的尺寸，且所述第一方向与所述第二方向之间呈指定夹角。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，每个所述侧遮光部包括内侧遮光带和外侧遮光带；

所述内侧遮光带与所述外侧遮光带沿所述第一方向间隔排布；所述内侧遮光带与所述主遮光部连接；

所述透光区包括所述内侧遮光带与所述外侧遮光带之间的间隔缝隙。

3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述间隔缝隙沿所述第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向垂直。

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述间隔缝隙在第一方向上具有预设的第一宽度；所述第一宽度的数量级包括微米级和十微米级中的一种。

5.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述内侧遮光带和所述外侧遮光带都在第一方向上具有预设的第二宽度；所述第二宽度的数量级包括毫米级和十毫米级中的一种。

6.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述主遮光部沿所述第一方向延伸；所述主遮光部的两端，分别与所述两个侧遮光部的所述内侧遮光带连接。

7.一种基于掩膜版的拼接曝光方法，其特征在于，基于权利要求1-6任一项所述的掩膜版实现，包括：

对于阵列基板上多个连续排布的单元区中相邻两个单元区，针对所述相邻两个单元区中的一个单元区，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐所述一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部正对所述一个单元区；

利用遮光板，对正对远离所述相邻两个单元区中另一个单元区的所述侧遮光部的所述透光区、以及正对所述另一个单元区的所述侧遮光部中透光区之外的区域，进行遮挡后，进行一次曝光；

所述一次曝光后，将所述掩膜版的两个所述侧遮光部分别对齐所述另一个单元区两侧的图形交叠区，且使得所述主遮光部正对所述另一个单元区；利用所述遮光板对两个所述侧遮光部中的所述透光区进行遮挡后，再进行一次曝光。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用遮光板，对正对远离所述相邻两个单元区中另一个单元区的所述侧遮光部的所述透光区、以及正对所述另一个单元区的所述侧遮光部中透光区之外的区域进行遮挡包括：对于正对远离所述相邻两个单元区中另一个单元区的所述侧遮光部，利用所述遮光板，对该遮光部的内侧遮光带的中心线之外且包括所述透光区的区域进行遮挡；对于正对所述另一个单元区的所述侧遮光部，利用所述遮光板，对该遮光部的外侧遮光带的中心线以外的区域进行遮挡；

以及，所述利用所述遮光板对两个所述侧遮光部中的所述透光区进行遮挡，包括：利用所述遮光板对两个所述侧遮光部的内侧遮光带的中心线以外且包括透光区的区域进行遮挡。

9.一种基于掩膜版的拼接曝光方法，其特征在于，基于权利要求1-6任一项所述的掩膜版实现，包括：

对于阵列基板上多个连续排布的单元区中相邻两个单元区，针对所述相邻两个单元区中的一个单元区，将掩膜版的两个侧遮光部分别对齐所述一个单元区两侧的图形交叠区，且使得主遮光部正对所述一个单元区；

利用遮光板对两个所述侧遮光部中的所述透光区进行遮挡后，进行一次曝光；

所述一次曝光后，将所述掩膜版的两个所述侧遮光部分别对齐相邻两个单元区中的另一个单元区两侧的图形交叠区，且使得所述主遮光部正对所述另一个单元区；

利用所述遮光板，对正对远离所述一个单元区的所述侧遮光部的所述透光区、以及正对所述一个单元区的所述侧遮光部中透光区之外的区域进行遮挡后，再进行一次曝光。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述利用遮光板对两个所述侧遮光部中的所述透光区进行遮挡，包括：利用所述遮光板对两个所述侧遮光部的内侧遮光带的中心线以外且包括所述透光区的区域进行遮挡；

以及，对正对远离所述一个单元区的所述侧遮光部的所述透光区、以及正对所述一个单元区的所述侧遮光部中透光区之外的区域进行遮挡，包括：对于正对远离所述一个单元区的所述侧遮光部，利用所述遮光板，对该遮光部的内侧遮光带的中心线之外且包括所述透光区的区域进行遮挡；对于正对所述一个单元区的所述侧遮光部，利用所述遮光板，对该遮光部的外侧遮光带的中心线以外的区域进行遮挡。