CN109517682B - 抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用，涉及陶瓷抛光清洗技术领域。抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。该清洗工艺使用上述清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗。本发明缓解了现有的碱性清洗剂对陶瓷产品残留的抛光蜡、油脂洗不干净，造成陶瓷表面有白点、脏污等不良问题，且清洗剂本身仍存在不安全环保、使用后不易水洗等问题。本发明清洗剂不仅能够有效去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，也能有效去除陶瓷上的脏污和油脂，清洗效果好，清洗后的陶瓷光亮洁净、无白点。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷抛光清洗技术领域，具体而言，涉及一种抛光后陶瓷清洗剂、抛光后陶瓷清洗工艺及其应用。
背景技术
目前，陶瓷已在电子行业中得以运用，由于陶瓷具有很好的耐磨性，硬度仅次于金刚石，同时陶瓷致密性使其具有比钢化玻璃更强的强度，陶瓷的上述两个特性十分适用于用来制作高端手表、手机及其他电子原件的外壳等配件。同时陶瓷的生产制作过程比传统的塑料和玻璃等的生产制造过程更加环保和节能，陶瓷材料已逐渐取代传统的塑料、不锈钢材料等作为电子产品的外壳或其他部件使用。
抛光是陶瓷产品(例如陶瓷盖板等)加工的重要一环，通过抛光可以获得光亮、平整的陶瓷产品，在陶瓷抛光过程中常会用到抛光蜡，同时陶瓷上会存在脏污和油脂，因此抛光后陶瓷的清洗十分重要，对清洗的要求也越来越高。
抛光蜡的主要成分包括硬脂酸、软脂酸、油酸、松香等粘剂以及磨剂等，其中松香等成分在热力学上不稳定，有结晶的趋向，结晶后会变成白色粉末，如果清洗不干净，溶剂挥发后就形成了晶体粉末的白色残留物，蜡中还存在金属氧化物，如果清洗不干净，会对产品使用及性能造成影响，不能满足需求。
现有的碱性清洗剂对陶瓷产品残留的抛光蜡、油脂洗不干净，造成陶瓷表面有白点、脏污等不良问题，且清洗剂本身仍存在不安全环保、使用后不易水洗等问题。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种抛光后陶瓷清洗剂，该清洗剂通过羧基酸类络合剂、多元醇醚类有机溶剂、以及非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂的相互协同配合，不仅能够有效去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，也能够有效去除陶瓷上的脏污和油脂，清洗效果好，清洗后的陶瓷光亮洁净、无白点，该清洗剂为酸性清洗剂，使用温度能够较碱性清洗剂更低，清洗更干净，此外，该清洗剂几种成分稳定性好，沸点高、不易燃，毒性低、气味小、安全环保且成本低。
本发明的目的之二在于提供一种抛光后陶瓷清洗工艺，该工艺使用上述抛光后陶瓷清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗，具有与上述清洗剂同样的优势，使用该清洗剂清洗后抛光后陶瓷表面洁净，不会产生白点，良率高，工艺稳定，方便批量化进行清洗，清洗后产品良率稳定。
本发明的目的之三在于提供一种上述抛光后陶瓷清洗剂或上述抛光后陶瓷清洗工艺在陶瓷类产品抛光清洗中的应用。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
一种抛光后陶瓷清洗剂，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～18％，多元醇醚类有机溶剂12～18％，非离子表面活性剂10～25％，阴离子表面活性剂0.6～1％，其余为水。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂16～18％，多元醇醚类有机溶剂15～18％，非离子表面活性剂10～20％，阴离子表面活性剂0.8～1％，其余为水。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述羧基酸类络合剂选自草酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸或乙醇酸中的一种或几种。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～20％，二丙二醇二甲醚10～20％，平平加5～20％，十二烷基苯磺酸钠0.5～1％，渗透剂JFC 3～5％，其余为水。
优选地，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～18％，二丙二醇二甲醚12～16％，平平加8～18％，十二烷基苯磺酸钠0.6～1％，渗透剂JFC 3～4％，其余为水。
进一步优选地，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸16～18％，二丙二醇二甲醚12～15％，平平加10～15％，十二烷基苯磺酸钠0.8～1％，渗透剂JFC 3～4％，其余为水。
一种抛光后陶瓷清洗工艺，使用上述抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗。
优选地，使用质量分数5～15％的抛光后陶瓷清洗剂溶液对抛光后的陶瓷进行清洗；
优选地，使用的抛光后陶瓷清洗剂溶液的温度为75～85℃，优选78～82℃，进一步优选78～80℃。
优选地，在本发明提供的技术方案的基础上，清洗为超声清洗；
优选地，超声清洗时间为5～15min，优选6～12min，进一步优选8～10min；
优选地，超声频率为28～40KHz，优选32～40KHz，进一步优选40KHz；
优选地，超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
进一步，在本发明提供的技术方案的基础上，使用抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗后进行水洗和干燥；
优选地，水洗温度为60～65℃，优选62～65℃，进一步优选62～63℃；
优选地，水洗时超声；
优选地，超声清洗时间为2～10min，优选2～8min，进一步优选3～5min；
优选地，超声频率为28～40KHz，优选32～40KHz，进一步优选40KHz；
优选地，超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A；
优选地，干燥温度为100～110℃，优选100～108℃，进一步优选100～105℃；
优选地，干燥时间为2～8min，优选2～6min，进一步优选3～5min。
优选地，一种典型的抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(a)将抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为5～15％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为75～85℃，超声清洗时间为5～15min，超声频率为40KHz，超声电流为2～5A；
(b)用水对步骤(a)清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为60～65℃，超声清洗时间为3～5min，超声频率为40KHz，超声电流为2～5A；
(c)对步骤(b)清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为100～110℃，干燥时间为3～5min。
上述抛光后陶瓷清洗剂或上述抛光后陶瓷清洗工艺在陶瓷类产品抛光清洗中的应用。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明抛光后陶瓷清洗剂以非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂配合使用，非离子表面活性剂对抛光蜡有很好的去除效果，并通过羧基酸类络合剂和蜡中的金属氧化物的络合作用，使抛光蜡去除得更加彻底，阴离子表面活性剂能够有效去除陶瓷上的油脂和脏污，并通过多元醇醚类有机溶剂溶解蜡脂和油渍，通过特定比例浓度的羧基酸类络合剂、多元醇醚类有机溶剂、以及非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂相互配合，不仅能够有效彻底地去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，而且同时去除脏污和油脂，清洗效果好。
(2)本发明通过使用该清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗，清洗后的陶瓷表面光亮洁净，无白点产生，产品良率高。
(3)本发明清洗剂属于酸性清洗剂，与现有的碱性清洗剂相比，使用温度更低、清洗效果更好，此外，该清洗剂几种成分稳定性好，沸点高、不易燃，毒性低、气味小、安全环保且成本低。
(4)本发明清洗工艺稳定易操作，方便批量化进行，产品良率稳定。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
根据本发明的第一个方面，一种抛光后陶瓷清洗剂，按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～20％，多元醇醚类有机溶剂10～20％，非离子表面活性剂8～25％，阴离子表面活性剂0.5～1％，其余为水。
羧基酸类络合剂
羧基酸是指含有羧基的有机酸，其往往具有络合作用，典型但非限制性的羧基酸类络合剂例如为草酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸或乙醇酸。还有一些羟基羧酸，例如羧甲基羟基丙二酸(CMOM)、羧甲基羟基丁二酸(CMOS)或羟乙基氨基乙酸(DHEG)。
羧基酸类络合剂典型但非限制性的质量百分含量例如为15％、16％、17％、18％、19％或20％。
本发明采用弱酸性的羧基酸类络合剂，能够与蜡中的金属氧化物发生作用，以去除金属氧化物，同时能够与金属形成可溶性络合物，通过络合作用可以使蜡中的金属氧化物溶解于清洗剂后形成可溶性络合物，有利于蜡中金属氧化物的持续溶解。
多元醇醚类有机溶剂
醇醚类有机溶剂具有一定的亲油性以及亲水性，典型但非限制性的多元醇醚类有机溶剂例如为二丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇甲醚或丙二醇正丁醚。
多元醇醚类有机溶剂典型但非限制性的质量百分含量例如为10％、12％、14％、16％、18％或20％。
多元醇醚类有机溶剂对蜡脂和油渍具有很好的溶解作用。
非离子表面活性剂
非离子表面活性剂是在水溶液中不产生离子的表面活性剂，非离子表面活性剂在水中的溶度是由于分子中具有强亲水性的官能团，如羟基和聚氧乙烯链。非离子表面活性剂按亲水基团分类，有聚氧乙烯型和多元醇型两类。
非离子表面活性剂典型但非限制性的例如为烷基酚的聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚等。
非离子表面活性剂典型但非限制性的质量百分含量例如为8％、9％、10％、12％、14％、16％、18％、20％、21％、22％、23％、24％或25％。
非离子表面活性剂能够去除抛光蜡，并通过与羧基酸类络合剂和多元醇醚类有机溶剂配合使用，能够彻底有效地去除抛光蜡成分。
阴离子表面活性剂
阴离子表面活性剂是在水中解离后，生成亲水性阴离子的一种表面活性剂。阴离子表面活性剂包括羧酸盐型、硫酸酯盐型、磺酸盐型和磷酸酯盐型等类型。
典型但非限制性的阴离子表面活性剂例如为十二烷基苯磺酸钠(LAS)、脂肪醇醚硫酸钠(AES)、硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚硫酸钠(FMES)、a-烯基磺酸钠(AOS)、仲烷基磺酸钠(SAS)、脂肪醇醚羧酸钠(AEC)、异辛醇磷酸酯(RP)、月桂醇醚磷酸酯(AEP)或异辛醇醚磷酸酯(OEP)。
阴离子表面活性剂典型但非限制性的质量百分含量例如为0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％。
通过加入0.5～1％的阴离子表面活性剂，能够去除陶瓷上的油脂和脏污，增加陶瓷的洁净度。
水可以是常规用水，也可以是去离子水或超纯水等。
本发明所述的“包括”，意指其除所述组份外，还可以包括其他组份，这些其他组份赋予所述清洗剂不同的特性。除此之外，本发明所述的“包括”，还可以替换为封闭式的“为”或“由……组成”。
例如，清洗剂还可以包括增亮剂等其他组分。
需要注意的是，其余为水，指本发明清洗剂的组分中除去羧基酸类络合剂、多元醇醚类有机溶剂、非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂以及任选地其他组分之外的余量为水，水与羧基酸类络合剂、多元醇醚类有机溶剂、非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂以及任选地其他组分的质量百分含量之和为100％。
本发明的抛光后的陶瓷清洗剂通过15～20％的羧基酸类络合剂、10～20％的多元醇醚类有机溶剂、8～25％的非离子表面活性剂、0.5～1％的阴离子表面活性剂和水配成浓度适宜的酸性清洗剂，通过各浓度组分之间的相互协同配合，不仅能够有效去除陶瓷上的抛光蜡，包括蜡脂和金属氧化物，而且能够有效去除陶瓷上的脏污和油脂，在较低的温度条件下使用即可发挥很好的清洗效果。清洗后的陶瓷表面洁净，不会产生白点，良率高。同时，该清洗剂稳定性好、毒性较低、沸点高、不易燃，安全环保。
在一种优选的实施方式中，抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂15～18％，多元醇醚类有机溶剂12～18％，非离子表面活性剂10～25％，阴离子表面活性剂0.6～1％，其余为水。
进一步优选，抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：羧基酸类络合剂16～18％，多元醇醚类有机溶剂15～18％，非离子表面活性剂10～20％，阴离子表面活性剂0.8～1％，其余为水。
通过优化各组分之间的质量百分比，能够进一步提高清洗剂对于抛光蜡和油污的清洗效果。
在一种优选的实施方式中，羧基酸类络合剂选自草酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸或乙醇酸中的一种或几种。
优选，羧基酸类络合剂为乙醇酸。
乙醇酸兼有醇和酸的双重性，采用乙醇酸能够更加有效地与蜡中的金属氧化物进行作用，对蜡中金属氧化物的去除效果及对陶瓷的整体清洗效果更具优势。
在一种优选的实施方式中，多元醇醚类有机溶剂为二丙二醇二甲醚。
二丙二醇二甲醚是一种多用途环保型溶剂，有微弱的醚类气味，适当的挥发速度，化学上优异的稳定性，极优异的溶解性能，对人较高的安全性。二丙二醇二甲醚对蜡脂及油渍具有极优异的溶解性能，采用二丙二醇二甲醚作为溶剂能够有效溶解去除陶瓷上的抛光蜡和油脂，去除时间短，去除效果干净。
在一种优选的实施方式中，非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)又名醇醚、醇乙氧基化物，它是在甲醇钠、乙醇钠和氢氧化钠等碱性催化剂存在下，由环氧乙烷经氧乙烯化反应而制得。由于脂肪醇的碳原子数和环氧乙烷加成数的不同有不同品种，其中低级醇C7-9与5mol～6mol的EO加成的产物(商品名称为渗透剂JFC)具有良好的湿润和渗透性能。当脂肪醇的碳原子数为C14-18时，通常称为平平加，其中C14-16称作平平加OS，C16-17称作平平加O，C18称作平平加A等。
在一种优选的实施方式中，阴离子表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠。
十二烷基苯磺酸钠价格低廉，渗透力好，采用十二烷基苯磺酸钠能够获得更好的脱脂和净洗效果。
水优选去离子水。
在一种优选的实施方式中，一种典型的抛光后陶瓷清洗剂，按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～20％，二丙二醇二甲醚10～20％，平平加5～20％，十二烷基苯磺酸钠0.5～1％，渗透剂JFC 3～5％，其余为水。
优选地，抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15～18％，二丙二醇二甲醚12～16％，平平加8～18％，十二烷基苯磺酸钠0.6～1％，渗透剂JFC 3～4％，其余为水。
进一步优选地，抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸16～18％，二丙二醇二甲醚12～15％，平平加10～15％，十二烷基苯磺酸钠0.8～1％，渗透剂JFC3～4％，其余为水。
该典型的抛光后陶瓷清洗剂通过乙醇酸和蜡中的金属氧化物反应，能够有效去除抛光蜡中残留的金属氧化物，以二丙二醇二甲醚作为溶剂，溶解去除蜡脂及油渍，采用平平加能够进一步彻底去除抛光蜡，通过配合渗透剂JFC使用，增强整个清洗剂和平平加的渗透效果，加入少量十二烷基苯磺酸钠增强对油污的去除效果，通过特定浓度配比的乙醇酸、二丙二醇二甲醚、平平加、十二烷基苯磺酸钠和渗透剂JFC的相互协同配合，使抛光后陶瓷能够获得显著的去蜡和去油污的清洗效果，且清洗后的陶瓷产品外观好，不会产生白点。
优选地，平平加选用平平加O-25。
根据本发明的第二个方面，提供了一种抛光后陶瓷清洗工艺，该清洗工艺使用上述抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗。
典型但非限制性的清洗实现方式为将抛光后陶瓷放入含有清洗剂的超声清洗机中进行超声清洗。但清洗方式并不限于此种方式，也可以采用其他方式进行清洗，例如直接采用清洗剂洗刷抛光后陶瓷。
该清洗工艺使用本发明的清洗剂对抛光后陶瓷表面进行清洗，具有与本发明清洗剂相同的优势，在此不再赘述。
优选地，抛光后陶瓷清洗剂在使用前进行稀释，优选稀释成质量分数为5～15％的溶液再进行使用。
优选地，使用加热至75～85℃的抛光后陶瓷清洗剂或清洗溶液进行清洗。即使用的抛光后陶瓷清洗剂溶液的温度为75～85℃，优选78～82℃，进一步优选78～80℃。
典型但非限制性的使用温度例如为75℃、76℃、77℃、78℃、79℃、80℃、81℃、82℃、83℃、84℃或85℃。
使用加热到一定温度的清洗剂进行清洗，能够缩短清洗时间，充分发挥清洗剂对于蜡和油脂的清洗效果。
温度过低，清洗效果不好，温度过高，容易加快清洗剂的挥发，产生气味儿，而且不利于清洗剂清洗效果的发挥。
在一种优选的实施方式中，清洗为超声清洗。
优选地，超声清洗时间为5～15min，优选6～12min，进一步优选8～10min。
超声清洗时间典型但非限制性的例如为5min、6min、8min、10min、12min、14min或15min。
优选地，超声频率为28～40KHz，优选32～40KHz，进一步优选40KHz。
超声频率典型但非限制性的例如为28KHz、32KHz或40KHz。
优选地，超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
超声电流典型但非限制性的例如为2A、3A、4A或5A。
通过在28～40KHz的超声频率和2～5A的超声电流条件下进行超声波清洗，清洗效果更好。
在一种优选的实施方式中，使用抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗后进行水洗和干燥；
清洗剂清洗后进行水洗能够有效地去除陶瓷上残留的清洗剂，防止清洗剂长期残留对陶瓷体造成影响。
优选地，水洗温度为60～65℃，优选62～65℃，进一步优选62～63℃。
超声清洗温度典型但非限制性的例如为60℃、61℃、62℃、63℃、64℃或65℃。
采用60～65℃的水进行清洗能够有效快速地去除陶瓷上残留的清洗剂。
优选地，水洗时超声。
清洗剂超声清洗后，进行水超声清洗，即将抛光后陶瓷放入含有水的超声清洗机中进行超声清洗，清洗方便，能够有效去除残留在陶瓷上的清洗剂，使清洗后的陶瓷体更加洁净。
优选地，超声清洗时间为2～10min，优选2～8min，进一步优选3～5min。
超声清洗时间典型但非限制性的例如为2min、3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min或10min。
优选地，超声频率为28～40KHz，优选32～40KHz，进一步优选40KHz。
超声频率典型但非限制性的例如为28KHz、32KHz或40KHz。
优选地，超声电流为2～5A，优选2～4A，进一步优选2～3A。
超声电流典型但非限制性的例如为2A、3A、4A或5A。
干燥优选烘干。通过干燥获得洁净的陶瓷体。
优选地，干燥温度为100～110℃，优选100～108℃，进一步优选100～105℃。
干燥温度典型但非限制性的例如为100℃、102℃、104℃、106℃、108℃或110℃。
优选地，干燥时间为2～8min，优选2～6min，进一步优选3～5min。
干燥时间典型但非限制性的例如为2min、3min、4min、5min、6min、7min或8min。
优选地，一种典型的抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(a)将抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为5～15％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为75～85℃，超声清洗时间为5～15min，超声频率为40KHz，超声电流为2～5A；
(b)用水对步骤(a)清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为60～65℃，超声清洗时间为3～5min，超声频率为40KHz，超声电流为2～5A；
(c)对步骤(b)清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为100～110℃，干燥时间为3～5min。
该典型的抛光后陶瓷清洗工艺通过清洗剂超声清洗、水超声清洗和干燥，将本发明清洗剂稀释后直接对抛光后的陶瓷进行超声清洗，并通过水超声清洗和干燥，获得的陶瓷表面洁净光亮，无白点产生，良率高。此外，整个工艺过程可以在超声清洗机内实现，操作简单、工艺稳定，清洗效率高。
本工艺适用于对抛光后表面带有抛光蜡的陶瓷的清洗，特别适用于用作电子设备使用的陶瓷抛光处理后的清洗。
根据本发明的第三个方面，提供了一种抛光后陶瓷清洗剂或抛光后陶瓷清洗工艺在陶瓷类产品抛光清洗中的应用。
典型但非限制性的陶瓷类产品可以为手机、平板电脑、笔记本电脑或数码相机等电子产品的陶瓷盖板或陶瓷键产品/制品。
陶瓷产品抛光后采用本发明清洗剂清洗陶瓷上的抛光蜡和脏污油脂，抛光后陶瓷洁净、无白点，无脏污油污残留，保证陶瓷产品后期使用质量。
为了进一步了解本发明，下面结合具体实施例对本发明方法和效果做进一步详细的说明。本发明涉及的各原料均可通过商购获取。
实施例1
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸16％，二丙二醇二甲醚15％，平平加O-25 10％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水55％。
实施例2
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸18％，二丙二醇二甲醚12％，平平加O-25 15％，十二烷基苯磺酸钠0.8％，渗透剂JFC 4％和水50.2％。
实施例3
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸17％，二丙二醇二甲醚14％，平平加O-25 12％，十二烷基苯磺酸钠0.9％，渗透剂JFC 3.5％和水52.6％。
实施例4
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸15％，二丙二醇二甲醚20％，平平加O-25 20％，十二烷基苯磺酸钠0.5％，渗透剂JFC 5％和水39.5％。
实施例5
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸20％，二丙二醇二甲醚10％，平平加O-25 5％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水61％。
实施例6
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸18％，二丙二醇二甲醚13％，平平加O-25 12％，十二烷基苯磺酸钠0.6％，渗透剂JFC 4.5％和水51.9％。
实施例7
一种抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(1)将实施例1的抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为5％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为75℃，超声清洗时间为15min，超声频率为40KHz，超声电流为2A；
(2)用水对清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为63℃，超声清洗时间为4min，超声频率为40KHz，超声电流为2A；
(3)对清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为100℃，干燥时间为5min。
实施例8
一种抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(1)将实施例2的抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为15％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为85℃，超声清洗时间为5min，超声频率为40KHz，超声电流为5A；
(2)用水对清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为64℃，超声清洗时间为3min，超声频率为40KHz，超声电流为5A；
(3)对清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为110℃，干燥时间为3min。
实施例9
一种抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(1)将实施例3的抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为10％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为78℃，超声清洗时间为12min，超声频率为40KHz，超声电流为3A；
(2)用水对清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为62℃，超声清洗时间为4min，超声频率为40KHz，超声电流为3A；
(3)对清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为105℃，干燥时间为4min。
实施例10
一种抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(1)将实施例4的抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为6％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为80℃，超声清洗时间为10min，超声频率为40KHz，超声电流为4A；
(2)用水对清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为61℃，超声清洗时间为5min，超声频率为40KHz，超声电流为4A；
(3)对清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为102℃，干燥时间为5min。
实施例11
一种抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(1)将实施例5的抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为8％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为82℃，超声清洗时间为8min，超声频率为40KHz，超声电流为2A；
(2)用水对清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为65℃，超声清洗时间为3min，超声频率为40KHz，超声电流为2A；
(3)对清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为108℃，干燥时间为3min。
实施例12
一种抛光后陶瓷清洗工艺，包括以下步骤：
(1)将实施例6的抛光后陶瓷清洗剂配成质量份数为12％的清洗溶液，对抛光后陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为84℃，超声清洗时间为6min，超声频率为40KHz，超声电流为4A；
(2)用水对清洗后的陶瓷进行超声清洗，超声清洗温度为60℃，超声清洗时间为5min，超声频率为40KHz，超声电流为4A；
(3)对清洗后的陶瓷进行干燥，干燥温度为106℃，干燥时间为4min。
实施例13
一种抛光后陶瓷清洗剂，将其中的乙醇酸替换为柠檬酸，其余组分和含量与实施例1相同。
实施例14
一种抛光后陶瓷清洗剂，将其中的乙醇酸替换为酒石酸，其余组分和含量与实施例2相同。
实施例15
一种抛光后陶瓷清洗剂，将其中的二丙二醇二甲醚替换为二丙二醇甲醚，其余组分和含量与实施例3相同。
实施例16
一种抛光后陶瓷清洗剂，将其中的十二烷基苯磺酸钠替换为脂肪醇醚硫酸钠，其余组分和含量与实施例4相同。
实施例17
一种抛光后陶瓷清洗剂，将其中的平平加O-25替换为脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9，其余组分和含量与实施例5相同。
实施例18
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸18％，二丙二醇二甲醚13％，壬基酚的聚氧乙烯醚NP-40 16.5％，十二烷基苯磺酸钠0.6％和水51.9％。
实施例19
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用实施例13配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
实施例20
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用实施例14配方的清洗剂，其他步骤与实施例8相同。
实施例21
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用实施例15配方的清洗剂，其他步骤与实施例9相同。
实施例22
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用实施例16配方的清洗剂，其他步骤与实施例10相同。
实施例23
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用实施例17配方的清洗剂，其他步骤与实施例11相同。
实施例24
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用实施例18配方的清洗剂，其他步骤与实施例12相同。
实施例25
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中超声清洗温度为60℃，其他步骤与实施例7相同。
实施例26
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中超声清洗温度为95℃，其他步骤与实施例7相同。
对比例1
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：二丙二醇二甲醚15％，平平加O-25 10％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水71％。
对比例2
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸16％，平平加O-25 10％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水70％。对比例3
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸16％，二丙二醇二甲醚15％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水65％。
对比例4
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸16％，二丙二醇二甲醚15％，平平加O-25 10％，渗透剂JFC 3％和水56％。对比例5
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸10％，二丙二醇二甲醚30％，平平加O-25 30％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水55％。
对比例6
一种抛光后陶瓷清洗剂，由以下质量百分含量的组分组成：乙醇酸30％，二丙二醇二甲醚5％，平平加O-25 2％，十二烷基苯磺酸钠1％，渗透剂JFC 3％和水55％。
对比例7
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用对比例1配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
对比例8
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用对比例2配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
对比例9
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用对比例3配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
对比例10
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用对比例4配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
对比例11
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用对比例5配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
对比例12
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用对比例6配方的清洗剂，其他步骤与实施例7相同。
对比例13
一种抛光后陶瓷清洗工艺，其中步骤(1)中的抛光后陶瓷清洗剂采用世纬公司HRL-1013清洗剂，且步骤(1)的超声清洗温度为80℃，其他步骤与实施例7相同。
试验例1外观检验
按照实施例7～12、实施例19～26以及对比例7～对比例13的方式对已经进行了抛光加工后的手机陶瓷盖板样品进行清洗，对清洗后的陶瓷盖板进行外观检验，结果如表1所示。
表1清洗后外观检验结果
| 处理 | 抛光蜡 | 表面油渍 | 外观 |
| 实施例7 | 抛光蜡完全去除 | 表面油渍去除90％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例8 | 抛光蜡完全去除 | 表面油渍去除95％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例9 | 抛光蜡完全去除 | 表面油渍完全去除 | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例10 | 抛光蜡去除95％ | 表面油渍去除95％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例11 | 抛光蜡完全去除 | 表面油渍去除95％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例12 | 抛光蜡完全去除 | 表面油渍去除90％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例19 | 抛光蜡去除95％ | 表面油渍去除90％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例20 | 抛光蜡去除98％ | 表面油渍去除95％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例21 | 抛光蜡去除96％ | 表面油渍去除95％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例22 | 抛光蜡去除95％ | 表面油渍去除90％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例23 | 抛光蜡去除96％ | 表面油渍去除95％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例24 | 抛光蜡去除95％ | 表面油渍去除90％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例25 | 抛光蜡去除95％ | 表面油渍去除88％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 实施例26 | 抛光蜡去除96％ | 表面油渍去除90％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 对比例7 | 抛光蜡去除85％ | 表面油渍去除88％ | 有白点产生 |
| 对比例8 | 抛光蜡去除80％ | 表面油渍去除85％ | 有白点产生 |
| 对比例9 | 抛光蜡去除85％ | 表面油渍去除85％ | 有白点产生 |
| 对比例10 | 抛光蜡去除88％ | 表面油渍去除80％ | 有白点产生，脏污明显 |
| 对比例11 | 抛光蜡去除86％ | 表面油渍去除90％ | 有白点产生 |
| 对比例12 | 抛光蜡去除88％ | 表面油渍去除85％ | 洁净、无白点、无脏污 |
| 对比例13 | 抛光蜡去除80％ | 表面油渍去除80％ | 有白点产生 |
由表1可以看出，本发明的抛光后陶瓷清洗剂对抛光加工后的手机陶瓷盖板具有很好的清洁效果，能够明显去除抛光蜡、油污脏污类物质，抛光蜡可去除95％以上，基本能够彻底完全去除，表面油污可去除90％以上，清洗后的陶瓷盖板表面光亮洁净、无白点、无脏污。而采用市售的碱性HRL-1013清洗剂对陶瓷板的清洗效果不好，对抛光蜡去除不彻底，有白点残留，而且在较高温度下都不能达到理想的清洗效果。
实施例19与实施例7相比，实施例19采用的清洗剂配方中将乙醇酸替换为柠檬酸，实施例20与实施例8相比，实施例20采用的清洗剂配方中将乙醇酸替换为酒石酸，结果发现，在相同条件下，采用乙醇酸的清洗剂较采用柠檬酸和酒石酸的清洗剂对陶瓷上抛光蜡的清洗效果更好，这主要是由于乙醇酸能够更好地与蜡中的金属氧化物作用，从而更加彻底地去除抛光蜡成分，防止抛光蜡残留。
实施例21与实施例9相比，实施例21采用的清洗剂配方中将二丙二醇二甲醚替换为二丙二醇甲醚，结果发现，在相同条件下，采用二丙二醇二甲醚的清洗剂较采用二丙二醇甲醚的清洗剂对陶瓷上抛光蜡和油脂的去除效果更好，这主要是由于采用二丙二醇二甲醚溶剂能够更好地溶解蜡脂和油渍，对抛光蜡和油脂的去除效果更彻底。
实施例22与实施例10相比，实施例22采用的清洗剂配方中将十二烷基苯磺酸钠替换为脂肪醇醚硫酸钠，结果发现，在相同条件下，采用十二烷基苯磺酸钠的清洗剂较采用脂肪醇醚硫酸钠的清洗剂对陶瓷上油污的去除效果更好。
实施例23与实施例11相比，实施例23采用的清洗剂配方中将平平加O-25替换为脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9，结果发现，在相同条件下，采用平平加O-25的清洗剂较采用脂肪醇聚氧乙烯醚AEO-9的清洗剂对陶瓷上抛光蜡的清洗效果更好，这主要是由于平平加O-25的去蜡效果明显，与其他成分配合能够更干净彻底地去除抛光蜡。
实施例24与实施例12相比，实施例24采用的清洗剂配方中采用非离子表面活性剂壬基酚的聚氧乙烯醚NP-40，且配方中不含有渗透剂JFC，结果发现，在相同条件下，实施例12对陶瓷的清洗除蜡效果要明显好于实施例24，由此可以看出，通过平平加O-25和渗透剂JFC相互配合使用，对抛光蜡的去除效果更加显著。
实施例25与实施例7相比，实施例25清洗剂在超声清洗时的温度为60℃，实施例7清洗剂在超声清洗时的温度为75℃，结果发现，实施例7的清洗效果比实施例25的清洗效果更好，这是由于，在一定的温度下对陶瓷的去蜡清洗效果更好。实施例26与实施例7相比，实施例26清洗剂在超声清洗时的温度为95℃，实施例7清洗剂在超声清洗时的温度为75℃，结果发现，实施例7的清洗效果比实施例26的清洗效果好，由此可见，温度过高不利于清洗剂清洗效果的发挥。
对比例7与实施例7相比，对比例6采用的清洗剂中不含有乙醇酸，对陶瓷上抛光蜡去除效果明显下降，清洗后的陶瓷上白点较多。对比例8与实施例7相比，对比例7采用的清洗剂中不含有二丙二醇二甲醚，对陶瓷抛光蜡的去除和油污脏污的去除均明显下降，这是由于不加入二丙二醇二甲醚不能很好地与其他组分配合以充分溶解蜡和油脂。对比例9与实施例7相比，对比例9采用的清洗剂中不含有平平加O-25，对陶瓷上抛光蜡去除效果明显下降，清洗后的陶瓷上白点较多。对比例10与实施例7相比，对比例10采用的清洗剂中不含有十二烷基苯磺酸钠，不能很好地对陶瓷上的油脂进行去除，表面油污、脏污去除效果不佳。可见，清洗剂通过乙醇酸、二丙二醇二甲醚、平平加O-25、十二烷基苯磺酸钠以及渗透剂JFC之间的相互配合，才能有效发挥去除陶瓷上抛光蜡和油污脏污的效果，以得到洁净光亮、无白点的陶瓷产品。
对比例11与实施例7相比，对比例11采用的清洗剂中乙醇酸含量少，平平加O-25和二丙二醇二甲醚含量多，对比例12与实施例7相比，对比例12采用的清洗剂中乙醇酸含量多，平平加O-25和二丙二醇二甲醚含量少，均不能起到较佳的清洗效果，可见，在各组分在一定含量浓度下，才能取得更好的去抛光蜡和去油污效果。
试验例2良率测试
取210片需要清洗的抛光后的手机陶瓷盖板样品，随机分为21组，每组10片，分别按照实施例7～12、实施例19～26以及对比例7～对比例13的方式进行清洗，观察清洗后产品有无白点，计算每组良率，结果如表2所示。
清洗后的手机陶瓷盖板上未出现白点，记为合格产品；出现白点，记为不合格产品。
表2良率测试结果
从表2中可以看出，采用本发明的清洗剂对抛光后陶瓷进行清洗，清洗后的陶瓷外观光亮洁净，除抛光蜡效果优异，清洗后的陶瓷不容易产生白点，良率可达90％以上，而采用市售的碱性清洗剂清洗后陶瓷的良率在70％左右。
实施例7与实施例19相比，实施例8与实施例20相比，采用乙醇酸的清洗剂清洗得到产品良率更高，实施例9与实施例21相比，采用二丙二醇二甲醚的清洗剂清洗后产品良率更高，实施例11与实施例23相比，采用平平加O-25的清洗剂清洗后产品良率更高，实施例12与实施例23相比，采用平平加O-25和渗透剂JFC相结合的清洗剂清洗后产品良率更高。
实施例7与实施例25相比，实施例7清洗剂在超声清洗时的温度为75℃，实施例25清洗剂在超声清洗时的温度为60℃，实施例7与实施例26相比，实施例7清洗剂在超声清洗时的温度为75℃，实施例26清洗剂在超声清洗时的温度为95℃，结果采用实施例7清洗方式清洗后产品良率要高于采用实施例25和实施例26的良率，可见适宜的超声温度会起到更好的清洗效果。
对比例7与实施例7相比，对比例7采用的清洗剂中不含有乙醇酸，对抛光蜡清洗效果明显下降，清洗后的陶瓷上白点较多，良率明显下降。对比例8与实施例7相比，对比例8采用的清洗剂中不含有二丙二醇二甲醚，对比例9与实施例7相比，对比例9采用的清洗剂中不含有平平加O-25，清洗后产品良率也有所下降。
对比例11与实施例7相比，对比例11采用的清洗剂中乙醇酸含量少，平平加O-25和二丙二醇二甲醚含量多，对比例12与实施例7相比，对比例12采用的清洗剂中乙醇酸含量多，平平加O-25和二丙二醇二甲醚含量少，均不能取得较好的去蜡效果，清洗后产品出现白点的几率上升。
由此可见，本发明的清洗剂除抛光蜡效果优异，漂洗后表面无残留，清洗效果优于传统清洗剂，配方简单、成本低，使用方便，毒性低、安全环保，清洗后的陶瓷产品光亮度高，无白点产生。
尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明，然而应意识到，在不背离本发明的精神和范围的情况下可作出许多其它的更改和修改。因此，这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。
Claims (39)
1.一种抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15~20%，二丙二醇二甲醚10~20%，平平加5~20%，十二烷基苯磺酸钠0.5~1%，渗透剂JFC 3~5%，水。
2.根据权利要求1所述的抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸15~18%，二丙二醇二甲醚12~16%，平平加8~18%，十二烷基苯磺酸钠0.6~1%，渗透剂JFC 3~4%，水。
3.根据权利要求2所述的抛光后陶瓷清洗剂，其特征在于，所述抛光后陶瓷清洗剂按质量百分含量包括如下组分：乙醇酸16~18%，二丙二醇二甲醚12~15%，平平加10~15%，十二烷基苯磺酸钠0.8~1%，渗透剂JFC 3~4%，水。
4.一种抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，使用权利要求1-3任一项所述的抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗。
5.根据权利要求4所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
使用质量分数5~15%的抛光后陶瓷清洗剂溶液对抛光后的陶瓷进行清洗。
6.根据权利要求5所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，使用的抛光后陶瓷清洗剂溶液的温度为75~85℃。
7.根据权利要求6所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，使用的抛光后陶瓷清洗剂溶液的温度为78~82℃。
8.根据权利要求7所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，使用的抛光后陶瓷清洗剂溶液的温度为78~80℃。
9.根据权利要求7所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗为超声清洗。
10.根据权利要求9所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声清洗时间为5~15min。
11.根据权利要求10所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声清洗时间为6~12min。
12.根据权利要求11所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声清洗时间为8~10min。
13.根据权利要求9所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声频率为28~40KHz。
14.根据权利要求13所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声频率为32~40KHz。
15.根据权利要求14所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声频率为40KHz。
16.根据权利要求9所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声电流为2~5A。
17.根据权利要求16所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声电流为2~4A。
18.根据权利要求17所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，清洗的超声电流为2~3A。
19.根据权利要求4-18任一项所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，使用抛光后陶瓷清洗剂对抛光后的陶瓷进行清洗后进行水洗和干燥。
20.根据权利要求19所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗温度为60~65℃。
21.根据权利要求20所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗温度为62~65℃。
22.根据权利要求21所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗温度为62~63℃。
23.根据权利要求19所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗时超声。
24.根据权利要求23所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声清洗时间为2~10min。
25.根据权利要求24所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声清洗时间为2~8min。
26.根据权利要求25所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声清洗时间为3~5min。
27.根据权利要求23所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声频率为28~40KHz。
28.根据权利要求27所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声频率为32~40KHz。
29.根据权利要求28所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声频率为40KHz。
30.根据权利要求23所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声电流为2~5A。
31.根据权利要求30所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声电流为2~4A。
32.根据权利要求31所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，水洗的超声电流为2~3A。
33.根据权利要求19所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，干燥温度为100~110℃。
34.根据权利要求33所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，干燥温度为100~108℃。
35.根据权利要求34所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，干燥温度为100~105℃。
36.根据权利要求19所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，干燥时间为2~8min。
37.根据权利要求36所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，干燥时间为2~6min。
38.根据权利要求36所述的抛光后陶瓷清洗工艺，其特征在于，干燥时间为3~5min。
39.权利要求1-3任一项所述的抛光后陶瓷清洗剂或权利要求4-38任一项所述的抛光后陶瓷清洗工艺在陶瓷类产品抛光清洗中的应用。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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