CN109503175A - 整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及陶瓷材料技术领域,具体涉及一种整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板及其制备方法。所述整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,其原料粉体包括氮化硅和掺钕钇铝石榴石;所述掺钕钇铝石榴石由氧化钇、氧化铝、氧化钕合成;所述氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的质量百分比如下:氮化硅88‑94%,氧化钇3‑9%,氧化铝2.7‑7%,氧化钕0.3‑3%。本发明制备的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板韧性强,强度大,防弹性能优异;本发明还提供其制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷材料技术领域,具体涉及一种整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板及其制备方法。
背景技术
目前国内防弹陶瓷板材质主要分为:碳化硅和碳化硼防弹陶瓷板、石英陶瓷氮化硅防弹陶瓷板、氧化铝陶瓷氮化硅防弹陶瓷板等。陶瓷板一般需要与有机材料进行复合,才能起到防弹效果,而上述陶瓷板都存在韧性较差的问题,这就对复合的有机材料的性能提出更高的要求,复合成本较高。而氮化硅陶瓷的性能优于其他陶瓷板:在强度性能上,石英陶瓷、碳化硅陶瓷的强度为200-400MPa,氧化铝陶瓷的强度为300-500MPa,碳化硼陶瓷的强度在800MPa左右,氮化硅陶瓷的强度则可以达到1200MPa;在断裂韧性性能上,石英、碳化硅、碳化硼、氧化铝的断裂韧性只有2.0-4.0MPa·m1/2,氮化硅断裂韧性可以达到7.5MPa·m1/2。氮化硅防弹陶瓷板已广泛应用于单兵作战防弹衣及坦克、装甲车、掩体等军事装备关键部件,提高装备的防护能力。
氮化硅优于制备薄板常用以下3种工艺:流延、注射、凝胶注模。其中,流延、注射工艺需要大量的有机物才能配出稳定的料浆,并且在排胶过程中需要预先把有机物排出,容易导致坯体开裂,成品率低下,只能做小片拼接,但是对防弹陶瓷板来说,小片拼接有大量的拼接缝,不能保障安全。国内多采用凝胶注模工艺制备氮化硅复合防弹陶瓷板,但氮化硅易水解,导致氮化硅陶瓷水基料浆配置困难,目前对氮化硅水基料浆多采用加氨水、聚丙烯酸铵来防止氮化硅水解。
专利CN106083068A中公开了一种水基造粒并直接等静压成型氮化硅陶瓷的制备方法,将氮化硅和烧结助剂进行球磨,再加入去离子水和抗水化剂配成浆料,最后冷等静压成型,得到产品;其加入抗水化剂抑制了氮化硅水解,但浆料加水量达到50wt%,固含量较低,用于制备陶瓷板时强度不佳。专利CN106891012A中公开了一种轻质高强复合防弹板的制备方法,采用氧化铝、氧化镁作为复合烧结剂,并调节其余氮化硅粉末的用量比,采用粉末装填和热压处理,得到产品;粉体直接混合分散性不好,不能避免粉体的团聚以及坯体结构不均匀性的发生,使陶瓷板的密度和厚度不均匀,影响陶瓷板的性能。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,其韧性强,强度大,防弹性能优异;本发明还提供其制备方法。
本发明所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,原料粉体包括氮化硅和掺钕钇铝石榴石;所述掺钕钇铝石榴石由氧化钇、氧化铝、氧化钕合成;所述氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的质量百分比如下:
所述氮化硅中α-氮化硅的质量含量≥92%;氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的平均粒度均为2-10μm,纯度均≥99.99%。
本发明所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,包括以下步骤:
(1)用固相合成法将氧化钇、氧化铝、氧化钕合成掺钕钇铝石榴石,再进行研磨,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;
(2)将氮化硅进行研磨,干燥,预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇混合,研磨,干燥,得到原料粉体;
(4)在步骤(3)得到的原料粉体中加入去离子水、丙烯酰胺、交联剂和分散剂,研磨,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空,再依次加入催化剂和引发剂,搅拌,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,固化后取出胚体,再进行干燥、烧结和表面打磨处理,得到等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
在使用时,将制得的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板和有机高分子等弧形板复合。
其中,步骤(1)的研磨介质为去离子水,掺钕钇铝石榴石与去离子水的质量比为0.7-1.2:1;步骤(2)的研磨介质为无水乙醇,氮化硅与无水乙醇的质量比为1:0.7-1.0;步骤(3)的研磨介质为无水乙醇,,掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇的质量比为1:0.7-1.0。
步骤(4)中交联剂为N,N—亚甲基双丙烯酰胺,分散剂为四甲基氢氧化铵;丙烯酰胺为丙烯酰胺单体;N,N—亚甲基双丙烯酰胺、丙烯酰胺单体、四甲基氢氧化铵的纯度≥99.99%;去离子水、丙烯酰胺、交联剂、分散剂和原料粉体的质量比为20-30:1-3:0.05-0.15:0.1-0.5:100。
步骤(5)中催化剂为5wt%乙二胺溶液,引发剂为5wt%硫代硫酸铵溶液;水基料浆、催化剂和分散剂的体积比为1000:1-3:1.5-6。
步骤(5)中抽真空时间为30-60min,确保料浆中的气泡全部排出。
步骤(6)中干燥温度为120-300℃,时间为10-48h,确保坯体水份含量≤0.1%,防止烧成过程中水份蒸发造成坯体开裂。
步骤(6)中烧结最高温度为1750-1850℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1800℃,1℃/min,1800℃保温90-120min。
将氧化钇、氧化铝、氧化钕预先合成为掺钕钇铝石榴石,以合成的晶体形式加入原料粉体,减少了由于添加剂的引入形成液相,保证制品的优越性能。
本发明所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,优选地,包括以下步骤:
(1)将氧化钇、氧化铝、氧化钕混合,用固相合成法在1500-1700℃下合成掺钕钇铝石榴石,与去离子水混合,研磨至平均粒度为0.3-0.8μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;
(2)将氮化硅与无水乙醇混合,研磨至D50=0.3-0.8μm,喷雾烘干,再在500-600℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇混合,研磨至D50=0.8-1.0μm,真空干燥,得到平均粒度为5-50μm的原料粉体;
(4)在步骤(3)得到的原料粉体中加入去离子水、丙烯酰胺、交联剂和分散剂,研磨4-6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加催化剂,搅拌1-5min,再滴加引发剂,搅拌1-5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,固化40-50min,取出胚体,再进行干燥、烧结和表面打磨处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板;
在使用时,将整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,在120℃,500MPa压力条件下和有机高分子等弧形板复合。
本发明所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,更优选地,包括以下步骤:
(1)将氧化钇、氧化铝、氧化钕混合,用固相合成法在1500-1700℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比0.7-1.2:1混合,先球磨再砂磨,总时间为90-120h,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.3-0.8μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅,防止带入杂质;
(2)将氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7-1.0混合,先球磨至D50=0.8-1.2μm,再砂磨至D50=0.3-0.8μm,喷雾烘干;再在500-600℃预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;氮化硅粉体表面形成很薄的氧化膜,可以防止氮化硅水解,保证配制高固含量氮化硅注凝料浆;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.7-1.0混合,球磨至D50=0.8-1.0μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.90~-0.95大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是180-220℃,出口温度60-80℃,得到平均粒度为5-50μm、无水乙醇残余为0.10-0.5%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:20-30:1-3:0.05-0.15:0.1-0.5混合,球磨4-6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加1-3ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌1-5min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加1.5-6ml,搅拌1-5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40-50min,取出胚体,在温度120-300℃下干燥10-48h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1750-1850℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1800℃,1℃/min,1800℃保温90-120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5-1.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4-6MPa;将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
与现有技术相比,本发明有以下有益效果:
(1)本发明采用凝胶注模制备氮化硅复合防弹陶瓷板,将氧化钇、氧化铝、氧化钕预先合成掺钕钇铝石榴石,以合成的晶体形式掺入氮化硅中,减少了原料粉体制备水基料浆时去离子水的加入量,使水基料浆的固含量增大,增大了陶瓷板的强度;
(2)本发明将氮化硅进行预烧,在氮化硅粉体表面形成一层氧化膜,阻止了氮化硅水解,并采用四甲基氢氧化铵作为分散剂,减少了去离子水的加入量,配制出高固含量的水基氮化硅陶瓷料浆,体积固含量可以达到55%vol,且水基料浆的流动性良好,适合凝胶注模,并且制备的氮化硅陶瓷抗折强度可高达980MPa。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明做进一步说明,但本发明的保护范围不仅限于此。
实施例1
(1)将0.12kg氧化钇、0.08kg氧化铝、0.04kg氧化钕混合,用固相合成法在1500℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比0.7:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.4μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.76kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.5μm,喷雾烘干;再在550℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.90大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是180℃,出口温度60℃,得到平均粒度为20μm、无水乙醇残余为0.1%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:26:1.5:0.1:0.25混合,球磨4h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加1ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌5min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加1.5ml,搅拌5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度120℃下干燥48h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1750℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1750℃,1℃/min,1750℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=986MPa,吸水率=0.01%,断裂韧性=7.5MPa.m1/2。
实施例2
(1)将0.14kg氧化钇、0.06kg氧化铝、0.02kg氧化钕混合,用固相合成法在1600℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比1.2:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.5μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.78kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.4μm,喷雾烘干;再在550℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.95大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是220℃,出口温度80℃,得到平均粒度为50μm、无水乙醇残余为0.05%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:26:1.5:0.1:0.2混合,球磨6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加3ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌1min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加6ml,搅拌1min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度300℃下干燥10h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1850℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1850℃,1℃/min,1850℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=962MPa,吸水率=0.01%,断裂韧性=7.6MPa.m1/2。
实施例3
(1)将0.10kg氧化钇、0.08kg氧化铝、0.02kg氧化钕混合,用固相合成法在1700℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比1:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.3μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.80kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.3μm,喷雾烘干;再在600℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:1混合,球磨至D50=0.9μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.95大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是200℃,出口温度70℃,得到平均粒度为5μm、无水乙醇残余为0.08%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:28:1.5:0.1:0.2混合,球磨6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加3ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌1min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加6ml,搅拌1min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度300℃下干燥10h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1800℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1800℃,1℃/min,1800℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=981MPa,吸水率=0.01%,断裂韧性=7.5MPa.m1/2。
实施例4
(1)将0.08kg氧化钇、0.08kg氧化铝、0.02kg氧化钕混合,用固相合成法在1600℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比1:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.5μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.82kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.5μm,喷雾烘干;再在580℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.95大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是200℃,出口温度70℃,得到平均粒度为40μm、无水乙醇残余为0.2%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:26:1.5:0.1:0.2混合,球磨5h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加2ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌3min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加4ml,搅拌3min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度300℃下干燥10h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1800℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1800℃,1℃/min,1800℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=975MPa,吸水率=0.01%,断裂韧性=7.7MPa.m1/2。
实施例5
(1)将0.12kg氧化钇、0.04kg氧化铝、0.01kg氧化钕混合,用固相合成法在1700℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比1:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.5μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.83kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.5μm,喷雾烘干;再在600℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.95大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是200℃,出口温度70℃,得到平均粒度为30μm、无水乙醇残余为0.05%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:25:1.5:0.1:0.2混合,球磨6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加3ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌4min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加5ml,搅拌4min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度300℃下干燥10h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1800℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1800℃,1℃/min,1800℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=978MPa,吸水率=0.01%,断裂韧性=7.7MPa.m1/2。
对比例1
对比例1与实施例1不同点在于氧化钇、氧化铝、氧化钕没有预先合成掺钕钇铝石榴石,原料用量和其余条件相同,具体步骤如下:
(1)将0.12kg氧化钇、0.08kg氧化铝、0.04kg氧化钕与无水乙醇按质量比0.7:1混合,先球磨再砂磨,研磨至平均粒度为0.4μm,烘干,得到混合粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.76kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.5μm,喷雾烘干;再在550℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的混合粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.90大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是180℃,出口温度60℃,得到平均粒度为20μm、无水乙醇残余为0.1%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:26:1.5:0.1:0.25混合,球磨4h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加1ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌5min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加1.5ml,搅拌5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度120℃下干燥48h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1750℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1750℃,1℃/min,1750℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=631MPa,吸水率=0.02%,断裂韧性=6.5MPa.m1/2。
对比例2
对比例2与实施例1不同点在于氮化硅没有进行表面氧化处理,原料用量和其余条件相同,具体步骤如下:
(1)将0.12kg氧化钇、0.08kg氧化铝、0.04kg氧化钕混合,用固相合成法在1500℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比0.7:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.4μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.76kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.5μm,喷雾烘干,得到氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.90大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是180℃,出口温度60℃,得到平均粒度为20μm、无水乙醇残余为0.1%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺、四甲基氢氧化铵按质量比100:26:1.5:0.1:0.25混合,球磨4h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加1ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌5min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加1.5ml,搅拌5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度120℃下干燥48h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1750℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1750℃,1℃/min,1750℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=608MPa,吸水率=0.02%,断裂韧性=7.0MPa.m1/2。
对比例3
对比例3与实施例1不同点在于制备水基料浆时,不加分散剂四甲基氢氧化铵,增大去离子水用量,使原料粉体充分分散,具体步骤如下:
(1)将0.12kg氧化钇、0.08kg氧化铝、0.04kg氧化钕混合,用固相合成法在1500℃下合成掺钕钇铝石榴石;将掺钕钇铝石榴石与去离子水按质量比0.7:1混合,先球磨再砂磨,研磨至浆料中掺钕钇铝石榴石的平均粒度为0.4μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;其中球磨机和砂磨机的磨衬、转子和研磨球的材质均为气压氮化硅;
(2)将1.76kg氮化硅和无水乙醇按质量比1:0.7混合,先球磨至D50=1.0μm,再砂磨至D50=0.5μm,喷雾烘干;再在550℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇按质量比1:0.8混合,球磨至D50=0.8μm,制得的浆料用泥浆泵送入密闭式干燥塔干燥处理,干燥塔预先抽真空,真空度为-0.90大气压,抽真空后,通入大于1.0个大气压的氮气,干燥塔进口温度是180℃,出口温度60℃,得到平均粒度为20μm、无水乙醇残余为0.1%的原料粉体;
(4)将步骤(3)得到的原料粉体和去离子水、丙烯酰胺单体、N,N—亚甲基双丙烯酰胺按质量比100:100:1.5:0.1混合,球磨4h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空除气,滴加5wt%乙二胺溶液,每1000ml水基料浆滴加1ml,在滴入时搅拌,使得滴入液体分布均匀,搅拌5min;再滴加5wt%硫代硫酸铵溶液,每1000ml水基料浆滴加1.5ml,搅拌5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,凝胶固化40min,取出胚体,在温度120℃下干燥48h,确保坯体水份含量≤0.1%,再装入气氛压力烧结炉,在氮气气氛下进行烧结,烧结最高温度为1750℃,升温速率为:点火-200℃,5℃/min;200-600℃,2℃/分钟;600℃保温60min;600-1100℃,5℃/min;1100℃,保温120min;1100-1400℃,5℃/min;1400-1700℃,3℃/min;1700-1750℃,1℃/min,1750℃保温120min。1100℃保温完成后,第一次加入氮气,最高压力控制在0.5MPa;1700℃第二次加压,最高压力控制在4MPa。将烧结后的坯体进行表面机械磨加工处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
整体等弧形氮化硅陶瓷板的典型性能指标为:抗折强度=645MPa,吸水率=0.02%,断裂韧性=6.8MPa.m1/2。
Claims (10)
1.一种整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,其特征在于:原料粉体包括氮化硅和掺钕钇铝石榴石;所述掺钕钇铝石榴石由氧化钇、氧化铝、氧化钕合成;所述氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的质量百分比如下:
2.根据权利要求1所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,其特征在于:氮化硅中α-氮化硅的质量含量≥92%;氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的平均粒度均为2-10μm,纯度均为99.99%。
3.一种权利要求1-2任一项所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)用固相合成法将氧化钇、氧化铝、氧化钕合成掺钕钇铝石榴石,再进行研磨,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;
(2)将氮化硅进行研磨,干燥,预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇混合,研磨,干燥,得到原料粉体;
(4)在步骤(3)得到的原料粉体中加入去离子水、丙烯酰胺、交联剂和分散剂,研磨,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空,再依次加入催化剂和引发剂,搅拌,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,固化后取出胚体,再进行干燥、烧结和表面打磨处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
4.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(1)的研磨介质为去离子水,掺钕钇铝石榴石与去离子水的质量比为0.7-1.2:1;
步骤(2)的研磨介质为无水乙醇,氮化硅与无水乙醇的质量比为1:0.7-1.0;
步骤(3)的研磨介质为无水乙醇,掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇的质量比为1:0.7-1.0。
5.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(4)中交联剂为N,N—亚甲基双丙烯酰胺,分散剂为四甲基氢氧化铵。
6.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(4)中去离子水、丙烯酰胺、交联剂、分散剂和原料粉体的质量比为20-30:1-3:0.05-0.15:0.1-0.5:100。
7.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(5)中催化剂为5wt%乙二胺溶液,引发剂为5wt%硫代硫酸铵溶液。
8.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(5)中水基料浆、催化剂和分散剂的体积比为1000:1-3:1.5-6。
9.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(6)中干燥温度为120-300℃,时间为10-48h。
10.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将氧化钇、氧化铝、氧化钕混合,用固相合成法在1500-1700℃下合成掺钕钇铝石榴石,与去离子水混合,研磨至平均粒度为0.3-0.8μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;
(2)将氮化硅与无水乙醇混合,研磨至D50=0.3-0.8μm,喷雾烘干,再在500-600℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇混合,研磨至D50=0.8-1.0μm,真空干燥,得到平均粒度为5-50μm的原料粉体;
(4)在步骤(3)得到的原料粉体中加入去离子水、丙烯酰胺、交联剂和分散剂,研磨4-6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空,滴加催化剂,搅拌1-5min,再滴加引发剂,搅拌1-5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,固化40-50min,取出胚体,再进行干燥、烧结和表面打磨处理,即得等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20190322 |
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