CN109491218A - 降低曝光图形拼接处色差的方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种降低曝光图形拼接处色差的方法及装置，所述降低曝光图形拼接处色差的方法包括：调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；其中，所述反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。本发明提供一种降低曝光图形拼接处色差的方法及装置，可弱化曝光图形拼接处的色差。

Description

降低曝光图形拼接处色差的方法及装置
技术领域
本发明涉及液晶显示面板技术领域，尤其涉及一种降低曝光图形拼接处色差的方法及装置。
背景技术
随着移动终端的发展，液晶面板的使用范围越来越广，在液晶面板生产中对配向膜进行光配向是目前较主流的工艺模式。而该工艺模式又主要分为使用掩膜版和不使用掩膜版的方式，可根据生产的产品、工艺、设备能力等选择。使用掩膜版的曝光方式相比不使用的配向精度、视角大小等有较大的提升，特别是对于大尺寸面板。
现有技术中，由于掩模版属于定制产品，其使用成本较高，因此掩模版一般做成较小的尺寸以降低成本，小尺寸的掩模版使用时需要将多个掩模版拼接成需要的尺寸，然后进行曝光操作。
图1为现有技术中掩模版拼接处的暗线偏移量与到掩模版中心距离之间的关系图，图2为图1中的暗线偏移量的模拟示意图，参考图1和图2所示，采用多个小尺寸掩模版拼接进行曝光时，掩模版拼接处由于进行了重复曝光，导致掩膜版拼接处曝光量不均一，具体表现为拼接处的暗线偏移量为不连续的斜线状态，因此导致曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致。
发明内容
本发明提供一种降低曝光图形拼接处色差的方法及装置，可弱化曝光图形拼接处的色差。
本发明一方面提供一种降低曝光图形拼接处色差的方法，包括：
调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；
其中，所述反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的方法，包括：交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的方法，所述位置偏移量为-4～4mm。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的方法，所述位置偏移量为-5～5μm。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的方法，所述蝇眼透镜与所述反射镜之间的距离为1～24mm。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的方法，所述蝇眼透镜与所述反射镜之间的距离为15～18mm。
本发明提供的降低曝光图形拼接处色差的方法，通过交替调整拼接在一起的多个掩膜版的曝光位置和曝光距离，可使曝光后多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
本发明另一方面提供一种降低曝光图形拼接处色差的装置，包括：控制器和与掩膜版数量匹配的蝇眼透镜，所述控制器与所述掩模版和蝇眼透镜分别通信连接；所述控制器用于：
调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；
其中，所述反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的装置，所述控制器用于：
交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应多个掩模版拼接处的暗线组成波浪形状。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的装置，所述位置偏移量为-5～5μm。
如上所述的降低曝光图形拼接处色差的装置，所述蝇眼透镜与所述反射镜之间的距离为15～18mm。
本发明提供的降低曝光图形拼接处色差的装置，通过设置控制器，交替调整拼接在一起的多个掩膜版的曝光位置和曝光距离，可使曝光后多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中掩模版拼接处的暗线偏移量与到掩模版中心距离之间的关系图；
图2为图1中的暗线偏移量的模拟示意图；
图3为本发明实施例提供的降低曝光图形拼接处色差的方法对应的暗线偏移量的模拟示意图；
图4为本发明实施例中暗线偏移量与掩模板的位置偏移量的关系图；
图5为本发明实施例中暗线偏移量与蝇眼透镜和反射镜之间的距离的关系图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，传统的液晶显示面板是由一片薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，简称TFT Array Substrate)和一片彩膜基板(ColorFilter Substrate，简称CF Substrate)贴合而成，分别在阵列基板和彩膜基板上形成像素电极和公共电极，并在阵列基板和彩膜基板之间灌入液晶，其工作原理是通过在像素电极与公共电极之间施加驱动电压，利用像素电极与公共点击之间形成的电场来控制液晶层内的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
液晶显示面板的垂直配向(Vertical Alignment，简称VA)技术的原理为，在不载入电场的状态下使液晶分子基本垂直于面板面进行配向，载入电场时，液晶分子倾倒，状态发生变化；为控制载入电场时液晶分子的倾倒方向，可以在液晶面板上设计突起和狭缝隙，通过改变它们的形状来实现液晶分子稍微倾斜的状态和稳定的状态。载入电场时，突起和狭缝隙附近的液晶分子首先开始倾倒，然后按照多米诺骨牌效应，随着推倒其它液晶分子。
控制配向方向一般采用摩擦配向或者光配向，摩擦配向会产生静电和颗粒污染的问题，且由于摩擦配向只能在一个水平方向上配向，不适用于需要扩大视角的多象限垂直配向(Mutil-domain Vertical Alignment，简称MVA)。光配向是一种非接触式的配向技术，利用线偏振光透过掩模版照射在光敏感的高分子聚合物配向膜上，在基板的配向膜表面形成一定倾斜角度的配向微结构从而达到配向效果。
在液晶显示面板的生产过程中，使用掩膜版对配向膜进行曝光以实现光配向，相比于不适用掩模版的曝光方式，在配向精度和视角大小等方面有较大的提升，特别是对于大尺寸面板。掩模版一般做成较小的尺寸以降低成本，小尺寸的掩模版使用时需要将多个掩模版拼接成需要的尺寸，然后进行曝光操作。采用多个小尺寸掩模版拼接进行曝光时，为了避免发生断线等情况，拼接区域要进行重复曝光，即拼接区域曝光量是其它区域的曝光量的两倍，局部的曝光量不等造成光刻胶感光不均匀，在显影过后会出现重复曝光区域关键尺寸的不等，在显示时出现一条暗线，造成显示器次品出现，严重影响显示器生产质量。
下面参考附图并结合具体的实施例描述本发明。
实施例一
图3为本发明实施例提供的降低曝光图形拼接处色差的方法对应的暗线偏移量的模拟示意图，图4为本发明实施例中暗线偏移量与掩模板的位置偏移量的关系图，图5为本发明实施例中暗线偏移量与蝇眼透镜和反射镜之间的距离的关系图，参考图3-图5所示，本发明实施例提供一种降低曝光图形拼接处色差的方法，包括：
调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；其中，反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。
首先，参考图1和图2所示，采用多个小尺寸掩模版拼接进行曝光时，掩模版拼接处由于进行了重复曝光，具体表现为拼接处的暗线偏移量为不连续的斜线状态，具体地，图2中，第一条斜线和第二条斜线的斜率均为负值，因此，第一条斜线的终点和第二条斜线的起点之间具有较大的距离，即相邻两个掩模版曝光后对应的曝光图形的拼接处的暗线不连续，因此导致曝光后图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致。
而本发明实施例中，改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的思路为，通过调整影响曝光后暗线偏移量的因素，使得拼接处对应的暗线偏移后可以形成如图3中所示的连续形状。
具体地，拼接处的暗线偏移量主要与曝光位置以及曝光距离这两个因素有关。曝光位置主要由掩模版的位置决定，具体通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来实现。曝光距离主要由蝇眼透镜和反射镜之间的距离决定，具体可通过调整蝇眼透镜和与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离来实现。
需要理解的是，在曝光过程中，至少存在两个反射镜，光源经过至少两个反射镜的反射后，改变了传播方向，再以一定的方向入射到蝇眼透镜上，其中，反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。反射镜的位置确定，入射光束的位置也确定，因此，通过调整蝇眼透镜到反射镜之间距离，可改变蝇眼透镜相对于入射光的位置，起到收敛或者扩散光束的作用，从而改变拼接处的暗线偏移量。
在实际操作过程中，主要通过调整蝇眼透镜和反射镜之间的距离来改变图3中的斜线的斜率正负，主要通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来改变斜线的斜率大小，以使第一条斜线的终点和第二条斜线的起点尽量靠近，即使得曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状。
本发明实施例提供的降低曝光图形拼接处色差的方法，通过调整曝光位置和曝光距离，可使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
在一种更加具体的实施例中，降低曝光图形拼接处色差的方法包括：交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状。
参考图1和图2所示，现有技术中，暗线偏移形成多条斜线，多条斜线的斜率均为负值，因此，前一条斜线的终点和后一条斜线的起点之间具有较大的距离，即相邻两个掩模版曝光后对应的曝光图形的拼接处的暗线不连续，因此导致曝光后图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致。
而本发明实施例中，通过调整影响曝光后暗线偏移量的因素，使得拼接处对应的暗线偏移后可以形成如图3中所示的连续形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
具体地，拼接处的暗线偏移量主要与曝光位置以及曝光距离这两个因素有关。曝光位置可通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来实现，曝光距离可通过调整蝇眼透镜和与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离来实现。在实际操作过程中，主要通过调整蝇眼透镜和反射镜之间的距离来改变图3中的斜线的斜率正负，主要通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来改变斜线的斜率大小，以使前一条斜线的终点和后一条斜线的起点尽量靠近，即使得曝光后对应相邻两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状，多个v字形状连接起来，整体呈波浪形。
掩模版的数量为多个时，选择调整曝光位置和曝光距离时，具体应该交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离。举例说明，可保持第奇数个掩模版的位置不变，对第偶数个掩模版的曝光位置和曝光距离进行调整，以使得曝光后整体暗线组成如图3所示的波浪形状。
可选地，掩模版的位置偏移量的调整范围为-4～4mm。该范围指的是，理论上在对相邻两块掩模版的其中一个进行位置补正时，偏移量应小于4mm，以避免影响到掩模版的正常曝光。
优选地，掩模版的位置偏移量的调整范围为-5～5μm。在实际操作中，经过大量实验验证发现，掩模版的位置偏移量的在微米级的范围内调整，即可对暗线偏移量产生较大的影响。参考图4所示，位置偏移量在-3～3μm的范围内改变时，暗线偏移量在-3.9～1.1μm的范围内改变。
可选地，蝇眼透镜与反射镜之间的调整距离为1～24mm。参考图5所示蝇眼透镜与反射镜之间的距离在1～24mm的范围内改变时，暗线偏移量在-3.1～2.1μm的范围内改变。
优选地，蝇眼透镜与反射镜之间的距离为15～18mm。在实际操作中，经过大量实验验证发现，当蝇眼透镜与反射镜之间的距离处于15～18mm时，掩模版具有较佳的曝光效果。当蝇眼透镜与反射镜之间的距离处于15～18mm时，暗线偏移量在-1～0.2μm的范围内改变。
本发明实施例提供的降低曝光图形拼接处色差的方法，通过交替调整拼接在一起的多个掩膜版的曝光位置和曝光距离，可使曝光后多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
实施例二
本发明实施例提供一种降低曝光图形拼接处色差的装置，包括：控制器和与掩膜版数量匹配的蝇眼透镜，控制器与掩模版和蝇眼透镜分别通信连接；控制器用于：调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；其中，反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。
本发明实施例中，改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的思路为，通过调整影响曝光后暗线偏移量的因素，使得拼接处对应的暗线偏移后可以形成如图3中所示的连续形状。
具体地，拼接处的暗线偏移量主要与曝光位置以及曝光距离这两个因素有关。曝光位置主要由掩模版的位置决定，具体通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来实现。曝光距离主要由蝇眼透镜和反射镜之间的距离决定，具体可通过调整蝇眼透镜和与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离来实现。
需要理解的是，在曝光过程中，至少存在两个反射镜，光源经过至少两个反射镜的反射后，改变了传播方向，再以一定的方向入射到蝇眼透镜上，其中，反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。反射镜的位置确定，入射光束的位置也确定，因此，通过调整蝇眼透镜到反射镜之间距离，可改变蝇眼透镜相对于入射光的位置，起到收敛或者扩散光束的作用，从而改变拼接处的暗线偏移量。
在实际操作过程中，主要通过调整蝇眼透镜和反射镜之间的距离来改变图3中的斜线的斜率正负，主要通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来改变斜线的斜率大小，以使第一条斜线的终点和第二条斜线的起点尽量靠近，即使得曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状。
在一种更加具体的实施例中，控制器用于：交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应多个掩模版拼接处的暗线组成波浪形状。
参考图1和图2所示，现有技术中，暗线偏移形成多条斜线，多条斜线的斜率均为负值，因此，前一条斜线的终点和后一条斜线的起点之间具有较大的距离，即相邻两个掩模版曝光后对应的曝光图形的拼接处的暗线不连续，因此导致曝光后图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致。
而本发明实施例中，通过调整影响曝光后暗线偏移量的因素，使得拼接处对应的暗线偏移后可以形成如图3中所示的连续形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
具体地，拼接处的暗线偏移量主要与曝光位置以及曝光距离这两个因素有关。曝光位置可通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来实现，曝光距离可通过调整蝇眼透镜和与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离来实现。在实际操作过程中，主要通过调整蝇眼透镜和反射镜之间的距离来改变图3中的斜线的斜率正负，主要通过调整拼接在一起的两个掩模版中的其中一个的位置偏移量来改变斜线的斜率大小，以使前一条斜线的终点和后一条斜线的起点尽量靠近，即使得曝光后对应相邻两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状，多个v字形状连接起来，整体呈波浪形。
掩模版的数量为多个时，选择调整曝光位置和曝光距离时，具体应该交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离。举例说明，可保持第奇数个掩模版的位置不变，对第偶数个掩模版的曝光位置和曝光距离进行调整，以使得曝光后整体暗线组成如图3所示的波浪形状。
优选地，掩模版的位置偏移量的调整范围为-5～5μm。在实际操作中，经过大量实验验证发现，掩模版的位置偏移量的在微米级的范围内调整，即可对暗线偏移量产生较大的影响。参考图4所示，位置偏移量在-3～3μm的范围内改变时，暗线偏移量在-3.9～1.1μm的范围内改变。
优选地，蝇眼透镜与反射镜之间的距离为15～18mm。在实际操作中，经过大量实验验证发现，当蝇眼透镜与反射镜之间的距离处于15～18mm时，掩模版具有较佳的曝光效果。当蝇眼透镜与反射镜之间的距离处于15～18mm时，暗线偏移量在-1～0.2μm的范围内改变。
本发明实施例提供的降低曝光图形拼接处色差的装置，通过设置控制器，交替调整拼接在一起的多个掩膜版的曝光位置和曝光距离，可使曝光后多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状，从而改善曝光图形在掩模版拼接处和其它正常曝光区域色差不一致的问题。
在本发明的描述中，需要理解的是，所使用的术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“顶端”、“底端”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”“轴向”、“周向”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或原件必须具有特定的方位、以特定的构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是机械连接，也可以是电连接或者可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种降低曝光图形拼接处色差的方法，其特征在于，包括：
调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；
其中，所述反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应多个掩模版的拼接处的暗线组成波浪形状。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述位置偏移量为-4～4mm。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述位置偏移量为-5～5μm。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蝇眼透镜与所述反射镜之间的距离为1～24mm。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述蝇眼透镜与所述反射镜之间的距离为15～18mm。
7.一种降低曝光图形拼接处色差的装置，其特征在于，包括：控制器和与掩膜版数量匹配的蝇眼透镜，所述控制器与所述掩模版和蝇眼透镜分别通信连接；所述控制器用于：
调整拼接在一起的两个掩膜版的其中一个的位置偏移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应两个掩模版拼接处的暗线组成v字形状；
其中，所述反射镜为将光线直接反射到该蝇眼透镜的反射镜。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述控制器用于：
交替调整拼接在一起的多个掩膜版的位置平移量，并同时调整被调整了位置偏移量的掩膜版所对应的蝇眼透镜与该蝇眼透镜对应的反射镜之间的距离，以使曝光后对应多个掩模版拼接处的暗线组成波浪形状。
9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述位置偏移量为-5～5μm。
10.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述蝇眼透镜与所述反射镜之间的距离为15～18mm。
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