CN209149063U - 曝光用掩模版及掩模版组 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 38
- 210000001624 hip Anatomy 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种曝光用掩模版及掩模版组，所述曝光用掩模版包括：透光区；所述透光区包括：正常曝光区域和拼接区域；所述拼接区域设置在所述正常曝光区域的两侧，所述拼接区域的光透过率低于所述正常曝光区域的光透过率。本实用新型提供一种曝光用掩模版及掩模版组，可解决掩模版拼接处曝光能量不均一的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及液晶显示面板技术领域，尤其涉及一种曝光用掩模版及掩模版组。
背景技术
随着移动终端的发展，液晶面板的使用范围越来越广，在液晶面板生产中对配向膜进行光配向是目前较主流的工艺模式。而该工艺模式又主要分为使用掩膜版和不使用掩膜版的方式，可根据生产的产品、工艺、设备能力等选择。使用掩膜版的曝光方式相比不使用的配向精度、视角大小等有较大的提升，特别是对于大尺寸面板。
现有技术中，由于掩模版属于定制产品，其使用成本较高，因此掩模版一般做成较小的尺寸以降低成本，小尺寸的掩模版使用时需要将多个掩模版拼接成需要的尺寸，然后进行曝光操作。
但是，采用多个小尺寸掩模版拼接进行曝光时，掩模版拼接处由于进行了重复曝光，导致掩膜版拼接处曝光量不均一，因此导致产品在掩模版拼接处和非拼接处性能不一致。
实用新型内容
本实用新型提供一种曝光用掩模版及掩模版组，可解决掩模版拼接处曝光能量不均一的问题。
本实用新型一方面提供一种曝光用掩模版，包括：透光区；
所述透光区包括：正常曝光区域和拼接区域；
所述拼接区域设置在所述正常曝光区域的两侧，所述拼接区域的光透过率低于所述正常曝光区域的光透过率。
本提供的曝光用掩模版，通过设置拼接区域的光透过率低于正常曝光区域的光透过率，可使得拼接区域的曝光量与正常曝光区域的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。
进一步地，所述正常曝光区域和拼接区域均设置为矩形，所述正常曝光区域的矩形宽度和所述拼接区域的矩形宽度相同。
进一步地，所述正常曝光区域设置为矩形，所述拼接区域设置为类三角形，所述类三角形的两条腰设置为弧形，所述类三角形的底边宽度与所述正常曝光区域的矩形宽度相同。
进一步地，所述拼接区域的光透过率为所述正常曝光区域的光透过率的一半。
进一步地，所述透光区的数量为多个，多个所述透光区沿着所述透光区的宽度方向排列，且相邻两个所述透光区之间的间隔相等。
进一步地，所述曝光用掩模版还包括：追踪光栅；
所述追踪光栅设置在相邻两个所述透光区之间，且与所述透光区的长度方向平行，所述追踪光栅的长度与所述透光区的长度相同。
进一步地，所述曝光用掩模版还包括：遮光区；
所述遮光区包括所述掩模板上除所述透光区和所述追踪光栅之外的区域。
本实用新型提供的曝光用掩模版，通过设置拼接区域的光透过率低于正常曝光区域的光透过率，可使得拼接区域的曝光量与正常曝光区域的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。进一步地，拼接区域的光透过列车为正常曝光区域的光透过率的一半，可有效提高拼接区域和正常曝光区域的曝光能量的均一性，降低产生曝光显示不均的风险。
本实用新型另一方面还提供一套掩模版组，包括若干块如上所述的曝光用掩模版。
进一步地，多个第一掩模版在行方向上均匀排列形成第一行组，多个第二掩模版在行方向上均匀排列形成第二行组；所述第一行组和所述第二行组平行设置，且所述第一行组和所述第二行组之间具有一定的距离；
所述第一掩模版和所述第二掩模版间隔设置，以使所述第一掩模版的第一拼接区域、所述第二掩模版的第二拼接区域在行方向上的投影位置重合；
其中，所述行方向为所述掩模版的透光区的长度方向。
进一步地，所述第一掩模版和所述第二掩模版的拼接区域的形状相同。
本实用新型提供的掩模版组，通过设置两个行组，多个掩模版拼接使用可实现曝光操作，适用于大尺寸面板的曝光，可有效降低掩模版的使用成本。进一步地，每一块掩模版上，通过设置拼接区域的光透过率低于正常曝光区域的光透过率，可使得拼接区域的曝光量与正常曝光区域的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。此外，拼接区域的光透过列车为正常曝光区域的光透过率的一半，可有效提高拼接区域和正常曝光区域的曝光能量的均一性，降低产生曝光显示不均的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的曝光用掩模版的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的曝光用掩模版的又一结构示意图；
图3为本实用新型实施例提供的掩模版组的结构示意图。
附图标记：
100-掩模版
11-透光区
111-正常曝光区与
112-拼接区域
12-追踪光栅
13-遮光区
200-掩模版组
21-第一行组
211-第一掩模版
22-第二行组
221-第二掩模版
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是，传统的液晶显示面板是由一片薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，简称TFT Array Substrate)和一片彩膜基板(ColorFilter Substrate，简称CF Substrate)贴合而成，分别在阵列基板和彩膜基板上形成像素电极和公共电极，并在阵列基板和彩膜基板之间灌入液晶，其工作原理是通过在像素电极与公共电极之间施加驱动电压，利用像素电极与公共点击之间形成的电场来控制液晶层内的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
液晶显示面板的垂直配向(Vertical Alignment，简称VA)技术的原理为，在不载入电场的状态下使液晶分子基本垂直于面板面进行配向，载入电场时，液晶分子倾倒，状态发生变化；为控制载入电场时液晶分子的倾倒方向，可以在液晶面板上设计突起和狭缝隙，通过改变它们的形状来实现液晶分子稍微倾斜的状态和稳定的状态。载入电场时，突起和狭缝隙附近的液晶分子首先开始倾倒，然后按照多米诺骨牌效应，随着推倒其它液晶分子。
控制配向方向一般采用摩擦配向或者光配向，摩擦配向会产生静电和颗粒污染的问题，且由于摩擦配向只能在一个水平方向上配向，不适用于需要扩大视角的多象限垂直配向(Mutil-domain Vertical Alignment，简称MVA)。UV2A(Ultra Violet VerticalAlignment)技术是一种采用紫外线(Ultra Violet，简称UV)进行液晶配向的垂直配向(Vertical Alignment，简称VA)的技术。将UV2A光配向技术应用于垂直配向显示模式能够实现对液晶分子的精准配向，通过曝光方向的变化，对画素不同区域施加不同的配向方向可以大大改善垂直配向显示的视角特性。
其中，光配向是一种非接触式的配向技术，利用线偏振光透过掩模版照射在光敏感的高分子聚合物配向膜上，在基板的配向膜表面形成一定倾斜角度的配向微结构从而达到配向效果。
在液晶显示面板的生产过程中，使用掩膜版对配向膜进行曝光以实现光配向，相比于不适用掩模版的曝光方式，在配向精度和视角大小等方面有较大的提升，特别是对于大尺寸面板。掩模版一般做成较小的尺寸以降低成本，小尺寸的掩模版使用时需要将多个掩模版拼接成需要的尺寸，然后进行曝光操作。
采用多个小尺寸掩模版拼接进行曝光时，为了避免发生断线等情况，拼接区域要进行重复曝光，即拼接区域曝光量是其它区域的曝光量的两倍，局部的曝光量不等造成光刻胶感光不均匀，在显影过后会出现重复曝光区域关键尺寸的不等，在显示时出现一条暗线，造成液晶显示面板的次品出现，严重影响显示器的生产质量。
下面参考附图并结合具体的实施例描述本实用新型。
实施例一
图1为本实用新型实施例提供的曝光用掩模版的结构示意图，图2为本实用新型实施例提供的曝光用掩模版的又一结构示意图，参考图1和图2所示，本实用新型实施例提供一种曝光用掩模版100，包括：透光区11；透光区11包括：正常曝光区域111和拼接区域112；拼接区域112设置在正常曝光区域111的两侧，拼接区域112的光透过率低于正常曝光区域111的光透过率。
具体地，本实施例中，掩模版100用于进行拼接曝光，透光区11包括正常曝光区域111和拼接区域112，由于相邻的两个掩模版100拼接时，其重复曝光区域位于透光区11的边缘位置，因此设置拼接区域112设置在正常曝光区域111的一侧。为了保证掩模版100适用于多块掩模版100的拼接曝光，优选地，正常曝光区与111的两侧均设置拼接区域112。
采用多个曝光用掩模版100拼接进行曝光时，为了避免发生断线等情况，拼接区域112要进行重复曝光，即拼接区域112的曝光量是正常曝光区域111的曝光量的两倍。通过设置拼接区域112的光透过率低于正常曝光区域111的光透过率，可使得拼接区域112的曝光量与正常曝光区域111的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。
在一种具体的实施例中，参考图1所示，正常曝光区域111和拼接区域112均设置为矩形，正常曝光区域111的矩形宽度和拼接区域112的矩形宽度相同。正常曝光区域111的长度远大于宽度，其整体呈长条形。拼接区域112的长度远小于正常曝光区域111的长度，拼接区域112的宽度则与正常曝光区域111的宽度相同。此时，拼接区域112可视作在透光区11的端部位置，选取一段使其的光透过率低于透光区11其它位置的光透过率值。
由于拼接区域112与正常曝光区域111的形状一致，在拼接使用时，相邻两个掩模版100的拼接区域112对同一区域进行了完全相同的两次曝光，具体的透过率很容易计算和实验验证，使两次曝光后可达到与正常曝光区域111相同的曝光效果。
在另一种可行的实施例中，参考图2所示，正常曝光区域111设置为矩形，拼接区域112设置为类三角形，类三角形的两条腰设置为弧形，类三角形的底边宽度与正常曝光区域111的矩形宽度相同。正常曝光区域111的长度远大于宽度，其整体呈长条形。拼接区域112的类三角形为类等腰三角形，两条腰设置为光滑曲线，类三角形的高度远小于正常曝光区域111的长度。
在拼接使用时，相邻两个掩模版100的拼接区域112对同一区域进行了两次曝光，具体的透过率应根据理论进行计算并通过实验验证，以使得两次曝光后可达到与正常曝光区域111相同的曝光效果。
在上述实用新型实施例的基础上，优选地，拼接区域112的光透过率为正常曝光区域111的光透过率的一半。由于掩模版100在拼接使用时，相邻两个掩模版100的拼接区域112对同一区域进行了两次曝光，当设置拼接区域112的光透过率为正常曝光区域111的光透过率的一半时，两次曝光后会非常接近正常曝光区域111的曝光效果。
进一步地，透光区11的数量为多个，多个透光区11沿着透光区11的宽度方向排列，且相邻两个透光区11之间的间隔相等。一块掩模版100上具有多个透光区11，透光区11在掩模版100上均匀排列，设置多个透光区11，可增大一块掩模版100上的透光面积，提高曝光效率。
在上述实用新型实施例的基础上，本实施例中，曝光用掩模版100还包括：追踪光栅12；追踪光栅12设置在相邻两个透光区11之间，且与透光区11的长度方向平行，追踪光栅12的长度与透光区11的长度相同。追踪光栅12用于追踪曝光过程，以保证曝光精度。
进一步地，本实施例中，曝光用掩模版100还包括：遮光区13；遮光区13包括掩模板100上除透光区11和追踪光栅12之外的区域。遮光区13在曝光过程中不透光，用于保护基板上其它不需要曝光的位置。
本实用新型实施例提供的曝光用掩模版，通过设置拼接区域的光透过率低于正常曝光区域的光透过率，可使得拼接区域的曝光量与正常曝光区域的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。进一步地，拼接区域的光透过列车为正常曝光区域的光透过率的一半，可有效提高拼接区域和正常曝光区域的曝光能量的均一性，降低产生曝光显示不均的风险。
实施例二
图3为本实用新型实施例提供的掩模版组的结构示意图，参考图3所示，本实用新型实施例提供一套掩模版组200，包括若干块如上实施例所述的曝光用掩模版。
其中，曝光用掩模版包括：透光区11；透光区11包括：正常曝光区域111和拼接区域112；拼接区域112设置在正常曝光区域111的两侧，拼接区域112的光透过率低于正常曝光区域111的光透过率。
可选地，正常曝光区域111和拼接区域112均设置为矩形，正常曝光区域111的矩形宽度和拼接区域112的矩形宽度相同。
可选地，正常曝光区域111设置为矩形，拼接区域112设置为类三角形，类三角形的两条腰设置为弧形，类三角形的底边宽度与正常曝光区域111的矩形宽度相同。
优选地，拼接区域112的光透过率为正常曝光区域111的光透过率的一半。
其中，透光区11的数量为多个，多个透光区11沿着透光区11的宽度方向排列，且相邻两个透光区11之间的间隔相等。
进一步地，曝光用掩模版还包括：追踪光栅12；追踪光栅12设置在相邻两个透光区11之间，且与透光区11的长度方向平行，追踪光栅12的长度与透光区11的长度相同。
此外，曝光用掩模版还包括：遮光区13；遮光区13包括掩模板上除透光区11和追踪光栅12之外的区域。
采用多个曝光用掩模版100拼接进行曝光时，为了避免发生断线等情况，拼接区域112要进行重复曝光，即拼接区域112的曝光量是正常曝光区域111的曝光量的两倍。通过设置拼接区域112的光透过率低于正常曝光区域111的光透过率，可使得拼接区域112的曝光量与正常曝光区域111的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。
参考图3所示，在一种具体的实施例中，多个第一掩模版211在行方向上均匀排列形成第一行组21，多个第二掩模版221在行方向上均匀排列形成第二行组22；第一行组21和第二行组22平行设置，且第一行组21和第二行组22之间具有一定的距离；第一掩模版211和第二掩模版221间隔设置，以使第一掩模版211的第一拼接区域112、第二掩模版221的第二拼接区域112在行方向上的投影位置重合；其中，行方向为掩模版100的透光区11的长度方向。
第一行组21和第二行组22共同形成一个掩模版组200，用于对一块基板上的区域进行完整的曝光。在对待曝光基板进行曝光操作时，光源照射在掩模版组200上，掩模版组200的位置固定，待曝光基板从掩模版组200下移动经过时，由于第一掩模版211和第二掩模版221间隔设置，基板依次经过第一行组21和第二行组22的掩模版进行曝光，第一行组21对基板上的第一区域进行了正常曝光，对应拼接区域112的部分则对第二区域进行了第一次曝光，第二行组22对基板上的剩下未曝光区域进行了正常曝光，且第二行组22上对应拼接区域112的部分对第二区域进行了第二次曝光，使得第二区域具有接近正常曝光区域的曝光效果。
具体地，这要求第一掩模版211的第一拼接区域112、第二掩模版221的第二拼接区域112在行方向上的投影位置重合，且第一掩模版211的正常曝光区域和地二掩模版221的正常曝光区域在行方向上的投影位置不重合。
此外，第一掩模版211和第二掩模版221的拼接区域112的形状相同。第一掩模版211和第二掩模版221的拼接区域112均设置为矩形，或者均设置为类三角形，便于光透过率的计算。
本实用新型实施例提供的掩模版组，通过设置两个行组，多个掩模版拼接使用可实现曝光操作，适用于大尺寸面板的曝光，可有效降低掩模版的使用成本。进一步地，每一块掩模版上，通过设置拼接区域的光透过率低于正常曝光区域的光透过率，可使得拼接区域的曝光量与正常曝光区域的曝光量接近，进而改善局部的曝光量不等造成的光刻胶感光不均匀的问题，提高液晶显示面板的生产质量。此外，拼接区域的光透过列车为正常曝光区域的光透过率的一半，可有效提高拼接区域和正常曝光区域的曝光能量的均一性，降低产生曝光显示不均的风险。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，所使用的术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“顶端”、“底端”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”“轴向”、“周向”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或原件必须具有特定的方位、以特定的构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是机械连接，也可以是电连接或者可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种曝光用掩模版，其特征在于，包括：透光区；
所述透光区包括：正常曝光区域和拼接区域；
所述拼接区域设置在所述正常曝光区域的两侧，所述拼接区域的光透过率低于所述正常曝光区域的光透过率。
2.根据权利要求1所述的曝光用掩模版，其特征在于，所述正常曝光区域和拼接区域均设置为矩形，所述正常曝光区域的矩形宽度和所述拼接区域的矩形宽度相同。
3.根据权利要求1所述的曝光用掩模版，其特征在于，所述正常曝光区域设置为矩形，所述拼接区域设置为类三角形，所述类三角形的两条腰设置为弧形，所述类三角形的底边宽度与所述正常曝光区域的矩形宽度相同。
4.根据权利要求2或3所述的曝光用掩模版，其特征在于，所述拼接区域的光透过率为所述正常曝光区域的光透过率的一半。
5.根据权利要求1所述的曝光用掩模版，其特征在于，所述透光区的数量为多个，多个所述透光区沿着所述透光区的宽度方向排列，且相邻两个所述透光区之间的间隔相等。
6.根据权利要求1所述的曝光用掩模版，其特征在于，还包括：追踪光栅；
所述追踪光栅设置在相邻两个所述透光区之间，且与所述透光区的长度方向平行，所述追踪光栅的长度与所述透光区的长度相同。
7.根据权利要求6所述的曝光用掩模版，其特征在于，还包括：遮光区；
所述遮光区包括所述掩模版上除所述透光区和所述追踪光栅之外的区域。
8.一套掩模版组，其特征在于，包括若干块如权利要求1-7中任一项所述的曝光用掩模版。
9.根据权利要求8所述的掩模版组，其特征在于，多个第一掩模版在行方向上均匀排列形成第一行组，多个第二掩模版在行方向上均匀排列形成第二行组；所述第一行组和所述第二行组平行设置，且所述第一行组和所述第二行组之间具有一定的距离；
所述第一掩模版和所述第二掩模版间隔设置，以使所述第一掩模版的第一拼接区域、所述第二掩模版的第二拼接区域在行方向上的投影位置重合；
其中，所述行方向为所述掩模版的透光区的长度方向。
10.根据权利要求9所述的掩模版组，其特征在于，所述第一掩模版和所述第二掩模版的拼接区域的形状相同。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920027004.7U CN209149063U (zh) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 曝光用掩模版及掩模版组 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920027004.7U CN209149063U (zh) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 曝光用掩模版及掩模版组 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209149063U true CN209149063U (zh) | 2019-07-23 |
Family
ID=67291277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920027004.7U Active CN209149063U (zh) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 曝光用掩模版及掩模版组 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209149063U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111258171A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 中国科学院微电子研究所 | 用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法 |
| CN111258172A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 中国科学院微电子研究所 | 用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法 |
| CN111552125A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-18 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 掩膜版及掩膜组 |
| CN111580354A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光方法、掩膜板组件、显示基板及制作方法、显示装置 |
-
2019
- 2019-01-08 CN CN201920027004.7U patent/CN209149063U/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111258171A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 中国科学院微电子研究所 | 用于制造显示面板的新型掩模版及其制备方法 |
| CN111258172A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-09 | 中国科学院微电子研究所 | 用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法 |
| CN111258172B (zh) * | 2020-01-21 | 2024-06-18 | 中国科学院微电子研究所 | 用于制造显示面板的掩模版及其参数确定方法 |
| CN111552125A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-18 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 掩膜版及掩膜组 |
| CN111580354A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光方法、掩膜板组件、显示基板及制作方法、显示装置 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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