CN111566549B - 液晶显示装置的制造方法及光掩模 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的实施方式的液晶显示装置的制造方法，工序(A)，准备第一基板，第一基板具有像素电极与未进行取向处理的状态的第一光取向膜，工序(B)，在将准备好的第一基板沿规定的输送方向输送的同时，通过多个第一光掩模来曝光作为第一光取向膜的第一取向区域的区域，多个第一光掩模包括在与输送方向交叉的第二方向上排列的两个以上的第一光掩模。各第一光掩模包括多个对的透光部和遮光部。各第一光掩模在工序(B)中设计成，在该第一光掩模的的一端侧，透光部和遮光部的边界相对于域边界向一端侧偏移，并且，在第一光掩模的第二方向的另一端侧，透光部和遮光部的边界相对于域边界向另一端侧偏移。

Description

液晶显示装置的制造方法及光掩模
技术领域
本发明关于液晶显示装置的制造方法，尤其是关于具有光取向膜的液晶显示装置的制造方法。另外，本发明还关于用于制造该种液晶显示装置的光掩模。
背景技术
液晶显示装置的显示特性得到改善，不断推进将其利用于电视接收机等。虽然液晶显示装置的视野角特性得到了提高，但是还期望进一步的改善。特别是改善使用垂直取向型的液晶层的液晶显示装置(所谓的“VA(Vertical Alignment模式的液晶显示装置”)的视野角特性的要求强烈。
现在，在电视机等大型显示装置中使用的VA模式的液晶显示装置中，为了改善视野角特性，采用在一个像素形成多个液晶域(domain)的取向分割结构。作为形成取向分割结构的方法，已知有MVA(Multi-domain Vertical Alignment：多域垂直取向)模式。
在MVA模式中，通过在夹着垂直取向型液晶层相对的一对基板中的各个基板的液晶层侧设置取向限制结构，在各像素内形成取向方向(倾斜(tilt)方向)不同的多个液晶域(典型的是4种取向方向)。作为取向限制结构，使用形成在电极的狭缝(开口部)或肋(rib)(突起结构)，从液晶层的两侧发挥取向限制力。
但是，如果使用狭缝或肋，则与利用现有的TN(Twisted Nematic：扭转向列型)模式中使用的取向膜规定预倾斜(pretilt)方向的情况不同，因为狭缝和肋为线状，所以相对于液晶分子的取向限制力在像素内不均。因此，在像素内响应速度产生不同步。
为了避免这个问题，在VA模式中，优选通过在取向膜中规定液晶分子的预倾角方向来形成取向分割结构。专利文献1公开了如此形成取向分割结构的液晶显示装置。
在专利文献1所公开的液晶显示装置中，通过用取向膜规定预倾角方向，形成4分割取向结构。即，当对液晶层施加电压时，在一个像素内形成4个液晶域。这种4分取向结构也可以简称为4D结构。
另外，在专利文献1所公开的液晶显示装置中，由经由液晶层相对的一对取向膜中的一方的取向膜规定的预倾角方向与由另一方的取向膜规定的预倾角方向相互相差约90°。因此，施加电压时，液晶分子采取扭转取向。这样，通过使用一对垂直取向膜使预倾角方向(取向处理方向)相互正交的方式使液晶分子采取扭转方向的VA模式有时也被标记为VATN(Vertical Alig enment Twisted Nematic(Vertically Aligned TwistedNematic))模式或RTN模式。如已经说明的那样，由于专利文献1的液晶显示装置形成4D结构，专利文献1的液晶显示装置的显示模式有时也称为4D-RTN模式。
作为由取向膜规定液晶分子的预倾角方向的具体方法，如专利文献2所述，进行光取向处理的方法被视为有希望的。由于光取向处理可以通过非接触来处理，所以不会像摩擦处理产生摩擦引起的静电，可以防止成品率的降低。
光取向处理使用光掩模和曝光装置进行。近年来，随着基板的大型化，光掩模的尺寸也在增大。光掩模价格昂贵，光掩模的大型化是制造成本上升的主要原因。因此，在专利文献2中，提出了将多个小型的光掩模排列进行扫描曝光的方式的曝光装置。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]国际公开第2006/132369号[专利文献2]特开第2012-173641号
发明内容
本发明所要解决的技术问题
本发明的发明人进行了详细的研究，发现如果使用专利文献2那样的方式的曝光装置进行光取向处理，则在完成的液晶显示装置中会产生条状的显示不均匀(以下有时也称为“条纹不均”)，显示品质有可能降低。此外，发现在高清晰度(即，一个像素的尺寸较小)的液晶显示装置中容易发生条纹不均。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，在通过用光取向膜规定预倾角方向而形成取向分割结构的VA模式的液晶显示装置中，抑制条状显示不均匀的产生。
解决技术问题的手段
根据本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法为，所述液晶显示装置具有：矩阵排列的多个像素；彼此相对的第一基板与第二基板；以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的垂直取向型液晶层，所述第一基板具有设置在所述多个像素每一个的像素电极及设置在所述像素电极和所述液晶层之间的第一光取向膜，所述第二基板具有与所述像素电极相对的对向电极及设置在所述对向电极和所述液晶层之间的第二光取向膜，所述多个像素分别具有基准取向方向互不相同的多个液晶域，该基准取向方向由所述第一光取向膜所规定以及所述第二光取向膜所规定，所述多个液晶域包括隔着沿第一方向平行延伸的第一域边界彼此相邻第一液晶域和第二液晶域，所述第一光取向膜具有在所述多个像素的每一个内规定相互不同的预倾角方向的第一取向区域与第二取向区域，即隔着所述第一域边界彼此相邻的所述第一取向区域与所述第二取向区域，所述液晶显示装置的制造方法特征在于，所述液晶显示装置的制造方法包括：工序(A)，准备所述第一基板，所述第一基板具有所述像素电极与未进行取向处理的状态的所述第一光取向膜，工序(B)，在将准备好的所述第一基板沿规定的输送方向输送的同时，通过多个第一光掩模来曝光作为所述第一光取向膜的所述第一取向区域的区域，所述多个第一光掩模包括在与所述输送方向交叉的第二方向上排列的两个以上的所述第一光掩模，所述多个第一光掩模分别包括多个对的透光部和遮光部，所述透光部透射曝光的光，所述曝光的光用于曝光所述第一光取向膜的作为所述第一取向区域的区域，所述遮光部遮光所述第一光取向膜的作为所述第二取向区域的区域，所述多个对沿着所述第二方向并列配置，所述多个第一光掩模分别在所述工序(B)中设计成，在该第一光掩模的所述第二方向的一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述一端侧，并且，在所述第一光掩模的所述第二方向的另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述另一端侧。
根据本发明实施方式的光掩模，其使用于液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括：矩阵排列的多个像素；具备彼此相对的第一基板与第二基板；以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的垂直取向型液晶层，所述第一基板具有设置在所述多个像素每一个的像素电极及设置在所述像素电极和所述液晶层之间的第一光取向膜，所述第二基板具有与所述像素电极相对的对向电极及设置在所述对向电极和所述液晶层之间的第二光取向膜，所述多个像素分别具有基准取向方向互不相同的多个液晶域，该基准取向方向由所述第一光取向膜以及所述第二光取向膜所规定，所述多个液晶域包括隔着沿第一方向平行延伸的第一域边界彼此相邻第一液晶域和第二液晶域，所述第一光取向膜具有在所述多个像素的每一个内规定相互不同的预倾角方向的第一取向区域与第二取向区域，即隔着所述第一域边界彼此相邻的所述第一取向区域与所述第二取向区域，所述光掩模使用于在液晶显示装置的制造方法中的曝光工序中，在所述曝光工序中，将所述第一基板沿规定的输送方向输送的同时，通过多个光掩模来曝光所述第一光取向膜的作为所述第一取向区域的区域，所述多个光掩模包含在与所述输送方向交叉的第二方向上排列的两个以上的光掩模，所述光掩模的特征在于：所述光掩模包括多个对的透光部和遮光部，所述透光部透射曝光的光，所述曝光的光用于曝光作为所述第一光取向膜的所述第一取向区域的区域，所述遮光部遮光所述第一光取向膜的作为所述第二取向区域的区域，所述多个对沿着所述第二方向并列配置，在所述曝光工序中设计成，所述光掩模的所述第二方向的一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述一端侧，并且，在所述光掩模的所述第二方向的另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述另一端侧。
发明效果
根据本发明的实施方式，在通过用光取向膜规定预倾角方向而形成取向分割结构的VA模式的液晶显示装置中，能够抑制条状显示不均匀的产生。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明实施方式的制造方法的液晶显示装置100的截面图。
图2是示出有源矩阵基板10的布线结构的示例的俯视图。
图3是示出液晶显示装置100中一个的像素P的取向分割结构的图。
图4的(a)、(b)与(c)为用于说明获得图3示出的像素P的取向分割结构的取向分割方法的图。
图5的(a)是示出母基板10M的示例的平面图，(b)和(c)是示出用于曝光(a)所示的母基板10M的光掩模51、52的排列的平面图。
图6的(a)和(b)是示意性地示出使用图5的(b)和(c)所示的排列的光掩模51、52进行扫描曝光的曝光装置200的平面图。
图7是示出曝光装置200所包括的曝光单元201的结构的图。
图8的(a)是示出第一光掩模51的排列的图，(b)是示出第二光掩模52的排列的图。
图9的(a)、(b)与(c)为用于说明发生曝光位置的移动的理由的图。
图10的(a)和(b)是用于说明发生曝光位置的偏移的理由的图。
图11示出在对作为第一光取向膜12的第一取向区域12a的区域进行曝光的工序(第一曝光工序)中的第一光掩模51的透光部TR的配置的图。
图12示出在对作为第一光取向膜12的第二取向区域12b的区域进行曝光的工序(第二曝光工序)中的第二光掩模52的透光部TR的配置的图。
图13示出掩模校正量的设置示例的图表。
图14的(a)是示出比较例的液晶显示装置的点亮状态的照片，(b)是表示实施例的液晶显示装置的点亮状态的照片。
图15的(a)是示出比较例的液晶显示装置的点亮状态下的亮度水平的分布的图表，(b)是示出实施例的液晶显示装置的点亮状态下的亮度水平的分布的图表。
图16的(a)、(b)和(c)是用于说明获得取向分割结构的另一示例的方法的图。
具体实施方式
[术语说明]
在说明本发明的实施方式之前，说明在本申请说明书中使用的主要用语。
在本说明书中，所谓“垂直取向型液晶层”是指液晶分子相对于取向膜(垂直取向膜)的表面大致垂直地(例如以约85°以上的角度)取向的液晶层。垂直取向型液晶层中包含的液晶分子具有负介电常数各向异性。通过将垂直取向型的液晶层与通过液晶层相互相对地配置在正交尼科尔上(即，将各个透射轴配置为相互近似正交)的一对偏光板组合，进行常黑模式的显示。
另外，在本说明书中，“像素”指的是在显示中表示特定的灰度的最小单位，在彩色显示中，例如分别对应于表示R、G和B灰度的单位。R像素、G像素和B像素的组合构成一个彩色显示像素。另外，在本说明书中，与显示的“像素”对应的液晶显示装置的区域(像素区域)也被称为“像素”。
“预倾角方向”是由取向膜规定的液晶分子的取向方向，指的是显示面内的方位角方向。另外，此时液晶分子与取向膜的表面形成的角被称为“预倾角”。在本发明的实施方式中，对取向膜的取向处理(用于表现取向膜规定预定方向的预倾角方向的能力的处理)为通过光取向处理进行。也就是，使用的取向膜为光取向膜。
通过改变经液晶层相对的一对取向膜的预倾角方向的组合，能够形成4分割结构。4分割后的像素(像素区域)具有4个液晶域。
各个液晶域的特征在于向液晶层施加电压时液晶层的层面内以及厚度方向上的中央附近的液晶分子的倾斜方向(也可以称为“基准取向方向”。)，该倾斜方向(基准取向方向)对各域的视角依赖性产生主导影响。倾斜方向是当考虑从倾斜的液晶分子靠近背面侧的基板的边缘到更远的边缘(即靠近前面侧的基板的边缘)的矢量(从后述的图4的(c)所示的销的前端朝向头部的矢量)时，该矢量的平面内分量指示的方向、方位角方向。方位角方向的基准取显示面的水平方向，左转为正(如果将显示面比作时钟的表盘，则3点方向为方位角0°，逆时针方向为正)。通过将4个液晶域的倾斜方向设定为使得任意2个方向的形成的角大致等于90°的整数倍的4个方向(例如，10点30分方向、7点30分方向、4点30分方向、1点30分方向)，能够平均化视野角特性，得到良好的显示。另外，从视场角特性的均匀性的观点来看，优选4个液晶域的像素区域内所占的面积彼此大致相等。
在以下实施方式中例示的垂直取向型液晶层包括介电常数各向异性为负的液晶分子(介电常数各向异性为负的向列型液晶材料)，根据一个取向膜规定的预倾角方向与另一取向膜规定的预倾角方向大致相差90°，规定在这两个预倾角方向的中间方向为倾斜方向(基准取向方向)。对液晶层施加电压时，取向膜附近的液晶分子根据取向膜的取向限制力采取扭转取向。液晶层中可以不添加手性剂，也可以根据需要添加手性剂。这样，通过使用一对垂直取向膜使预倾角方向(取向处理方向)相互正交的方式使液晶分子采取扭转方向的VA模式有时也被标记为VAT N(Vertical Aligenment Twisted Nematic)模式。在VATN模式中，由一对取向膜中分别规定的预倾角优选为彼此近似相等。
作为对取向膜的取向处理，从量产性的观点来看，如本发明的实施方式，优选光取向处理。另外，由于光取向处理可以通过非接触来处理，所以不会像摩擦处理产生摩擦引起的静电，可以防止成品率的降低。此外，通过使用包含感光性基的光取向膜，能够抑制预倾角的偏差。
[液晶显示装置]
接着，参照图1，说明根据本实施方式的制造方法制造的液晶显示装置100的结构。图1是示意性地示出液晶显示装置100的截面图，示出与一个像素P对应的区域。
如图1所示，液晶显示装置100具备液晶显示面板101和背光源(照明装置)102。液晶显示面板101具有相对的有源矩阵基板(第一基板)10与对向基板(第二基板)20、以及设置在它们之间的垂直取向型的液晶层30。背光源102配置在液晶显示面板101的背面侧(观察者的相反侧)。而且，液晶显示装置100具有排列成矩阵状的多个像素，上述矩阵状具有多个行及多个列。
有源矩阵基板10具有设置在多个像素的每一个上的像素电极11及设置在像素电极11和液晶层30之间(即有源矩阵基板10的液晶层30侧的最表面)的第一光取向膜12。对向基板20具有与像素电极11相对的对向电极21及设置在对向电极21和液晶层30之间(即对向基板20的液晶层30侧的最表面)的第二光取向膜22。像素电极11与对向电极21由透明导电材料(例如ITO)形成。第一光取向膜12和第二光取向膜22具有使液晶分子大致垂直于其表面取向的取向限制力。
下面，对有源矩阵基板10及对向基板20的构成进行具体说明。
有源矩阵基板10的像素电极11及第一光取向膜12在基板10a的液晶层30侧的表面上以该顺序设置。也就是说，像素电极11和第一光取向膜12由基板10a支承。基板10a透明且具有绝缘性。基板10a例如是玻璃基板或塑料基板。
除了上述像素电极11和第一光取向膜12之外，有源矩阵基板10还具有对于每个像素设置的薄膜晶体管(TFT)、向TF T提供扫描信号和显示信号的扫描布线和信号布线等。图2示出有源矩阵基板10的布线结构。图2示出了与一个像素对应的区域的布线结构。
如图2所示，有源矩阵基板10还具有TFT1、沿行方向延伸的扫描线(栅极线)2、沿列方向延伸的信号线(源极线)3和沿行方向延伸的辅助电容线4。
TFT1具有栅极5、半导体层(图未示)、源极6和漏极7。栅极5与栅极线2电连接。在图2所示的示例中，栅极5和栅极线2一体形成，栅极线2的一部分(经由图未示的栅极绝缘层重叠在半导体层上的部分)作为栅极5起作用。源极6与源极线3电连接。在图2所示的示例中，源极6延伸成从源极线3分支。漏极7电连接于像素电极11。在图2所示的示例中，连接部7’从漏极7延伸设置，漏极7和辅助电容电极8通过连接部7’连接。辅助电容电极8在其上形成于层间绝缘层(图未示)的接触孔中与像素电极11连接。因此，漏极7经由辅助电容电极8和连接部7’电连接到像素电极11。
辅助电容电极8隔着栅极绝缘层与辅助电容对向电极9对置。辅助电容对向电极9电连接到辅助电容线4。在图2所示的示例中，辅助电容对向电极9与辅助电容线4一体形成。更具体地，辅助电容线4的一部分的宽度形成为比其他部分宽度宽，该部分作为辅助电容对向电极9起作用。辅助电容电极8以及辅助电容对向电极9与位于它们之间的栅极绝缘层构成辅助电容。
另外，有源矩阵基板10的布线结构不限于图2所示的示例。
如图1所示，对向基板20的对向电极21和第二光取向膜22以该顺序设置在基板20a的液晶层30侧的表面上。也就是说，像素电极21和第二光取向膜22由基板20a支承。基板20a透明且具有绝缘性。基板20a例如是玻璃基板或塑料基板。
另外，虽然此处图未示，但对向基板20除了上述对向电极21和第二光取向膜22以外，还具有彩色滤光片层和遮光层(黑矩阵)。彩色滤光片层典型地包括红色彩色滤光片、绿色彩色滤光片和蓝色彩色滤光片。
液晶显示设备100还包括隔着液晶层30彼此相对的一对偏光板41和42。一对偏光板41和42以各自的透射轴相互近似正交的方式配置(即，在正交尼科尔)。
接着，参照图3说明本实施方式的液晶显示装置100中的像素P的取向分割结构。
在像素电极11和对向电极21之间施加电压时，如图3所示，在各像素P中，在液晶层30上形成4个液晶域A、B、C和D。4个液晶域A、B、C和D分别与其他液晶域相邻且以2行2列的矩阵形式配置。液晶域A、B、C和D的四个指向矢(基准取向方向)t1、t2、t3和t4的方向彼此不同。
指示矢t1、t2、t3和t4代表包含在各液晶域中的液晶分子的取向方向，在4D-RTN模式下，在液晶层施加电压时液晶层的层面内和厚度方向上的中央附近(即液晶域的显示面从法线方向看和沿着显示面法线方向在截面上观察时分别位于中央附近)的液晶分子的倾斜方向。每个液晶域的特征在于指示矢的方向(上述倾斜方向)，并且该指示矢的方向对各域的视角依赖性产生主导影响。指向矢(基准取向方向)t1、t2、t3和t4分别由第一光取向膜12和第二光取向膜22规定。
当显示平面上的水平方向上的方位角(3点方向)为0°时，液晶域A的指向矢t1的方位大致为225°方向，液晶域B的指向矢t2的方位大致为315°方向，液晶域C的指向矢t3的方位大致为45°方向，液晶域D的指向矢t4的方位大致为135°的方向。也就是说，液晶域A、B、C和D的指示矢t1、t2、t3和t4的4个方位，其中任意两个方位的形成的角大致等于90°的整数倍。另外，液晶域A、B、C和D的每一个指向矢的方向在相邻的液晶域之间以大致90°差的方式配置。
一对偏光板41和42的透射轴(偏光轴)PA1和PA2中的一个透射轴与显示面的水平方向平行，另一个透射轴与显示面的垂直方向平行。因此，偏光板41和42的透射轴PA1和PA2具有与液晶域A、B、C和D的指向矢t1、t2、t3和t4的方向形成大致45°的角。
另外，图3示出了4个液晶域A、B、C和D的像素P内的面积彼此相等的情况，但是4个液晶域A、B、C和D的面积也可以彼此不相等。然而，从视场角特性的均一性的观点来看，优选尽可能缩小4个液晶域A、B、C和D的面积之差。图3所示的示例是视场角特性上最优选(即理想)的4分割结构的示例。
接着，将参考图4的(a)、(b)和(c)说明用于获得像素P的取向分割结构的取向分割方法。图4的(a)示出了由设置在有源矩阵基板10上的第一光取向膜12规定的预倾角方向PD1和PD2，图4的(b)示出了由设置在对向基板20上的第二光取向膜22规定的预倾角方向PD3和PD4。另外，图4的(c)示出了有源矩阵基板10和对向基板20相互贴合之后向液晶层30施加电压时的倾斜方向(指向矢)。另外，图4的(a)、(b)和(c)是从观察者侧观察到有源矩阵基板10、对向基板20和液晶层30的图。因此，在图4的(a)中，取向膜相对于基板位于纸面跟前侧，在图4的(b)中，取向膜相对于基板位于纸面里侧。另外，预倾角方向和倾斜方向示意性地以销状示出，销的头部(面积大的一端)表示液晶分子的前面侧(观察者侧)的端部，销的前端(面积小的一端)表示液晶分子的背面侧的端部。
如图4的(a)所示，第一光取向膜12在每个像素P中具有规定第一预倾角方向PD1的第一取向区域12a、和规定与第一预倾角方向PD1相反平行的第二预倾角方向PD2的第二取向区域12b。具体地说，与第一光取向膜12的一个像素P对应的区域被分成左右两部分，并且各区域(第一取向区域和第二取向区域)12a、12b以规定相互反平行的预倾角方向(第一预倾角方向和第二预倾角方向)PD1及PD2的方式进行光取向处理。这里，光取向处理通过从箭头所示的方向对紫外线(例如线性偏光紫外线)进行倾斜照射来进行。
如图4的(b)所示，第二光取向膜22在每个像素P中具有规定与第一预倾角方向PD1及第二预倾角方向PD2大致正交的第三预倾角方向PD3的第三取向区域22a、和规定与第三预倾角方向PD3相反平行的第四预倾角方向PD4的第四取向区域22b。具体地说，与第二光取向膜22的一个像素P对应的区域被分成上下两部分，并且各区域(第三取向区域和第四取向区域)22a、22b以规定相互反平行的预倾角方向(第三预倾角方向和第四预倾角方向)PD3及PD4的方式进行光取向处理。这里，光取向处理通过从箭头所示的方向对紫外线(例如线性偏光紫外线)进行倾斜照射来进行。
如图4的(a)和(b)所示，通过贴合已进行光取向处理的有源矩阵基板10和对向基板20，可以形成如图4的(c)所示的取向分割后的像素P。从图4的(c)可以得出，对于液晶域A～D中的每一个，由有源矩阵基板10侧的第一光取向膜12规定的预倾角方向与由对向基板20侧的第二光取向膜22规定的预倾角方向相差约90°，在这两个预倾角方向的中间方向上规定倾角方向(基准取向方向)。
另外，第一取向区域12a和第二取向区域12b的边界、以及第三取向区域22a和第取取向区域22b的边界成为四个液晶域A、B、C和D中彼此相邻的液晶域之间的边界(域边界)BD1和BD2。边界BD1和BD2的一个(以下称为“第一域边界”)BD1平行于列方向延伸。第一域边界BD1是第一取向区域12a和第二取向区域12b的边界。也就是说，第一取向区域12a和第二取向区域12b的隔着第一域边界BD1相邻。边界BD1和BD2的另一个(以下称为“第二域边界”)BD2平行于行方向延伸。第二域边界BD1是第三取向区域22a和第四取向区域22b的边界。也就是说，第三取向区域22a和第四取向区域22b隔着第二域边界BD2相邻。液晶域A和液晶域D隔着第一域边界BD1相邻。相同地，液晶域B和液晶域C隔着第一域边界BD1相邻。另外，液晶域A和液晶域B隔着第二域边界BD2相邻，相同地，液晶域C和液晶域D隔着第二域边界BD2相邻。
另外，此处例示的取向分割结构中，如图4的(c)所示，在像素P内产生暗线DL。暗线DL包括位于相邻液晶域之间的边界的部分DLa和位于像素电极11的边缘附近的部分DLb。产生这样的暗线DL的理由记载在专利文献1中。
[曝光装置]
将说明用于根据本发明实施方式的制造方法的曝光装置的结构。
图5的(a)示出了由曝光装置曝光的母基板的示例。在图5的(a)所示的示例中，母基板10M包括六个有源矩阵基板10。例如，母基板10M具有第十代尺寸，各有源矩阵基板10具有69.5型液晶显示装置用基板。
图5的(b)和(c)是示出用于曝光图5的(a)所示的母基板10M的光掩模51和52的排列的图。图5的(b)是示出在曝光第一光取向膜12的第一取向区域12a的工序中所使用的多个第一光掩模51的排列的图，图5的(c)是示出在曝光第一光取向膜12的第二取向区域12b的工序中所使用的多个第二光掩模52的排列的图。此处，母基板10M的输送方向Da是从图中的左侧朝向右侧的方向(参照图5的(a))。
在图5的(b)所示的示例中，多个第一光掩模51构成为以第一掩模列51C1和第二掩模列51C2在输送方向Da上相邻的方式排列。第一掩模列51C1和第二掩模列51C2中分别包括两个以上的第一光掩模51，第一光掩模51在与输送方向Da交叉(例如大致正交)的方向(以下有时也称为“排列方向”)Db上排列。此处，第一掩模列51C1和第二掩模列51C2分别包括8个和7个第一光掩模51。
在图5的(c)所示的示例中，多个第二光掩模52构成为第一掩模列52C1和第二掩模列52C2在输送方向Da上相邻的方式排列。第一掩模列52C1和第二掩模列52C2中分别包括两个以上的第二光掩模52，第二光掩模52在与输送方向Db交叉的排列方向Db上排列。此处，第一掩模列52C1和第二掩模列52C2分别包括8个和7个第二光掩模52。
在图6的(a)、(b)和图7中示出了用于使用图5的(b)和(c)所示排列的光掩模51、52进行扫描曝光的曝光装置的示例。在图6的(a)、(b)是示意性地示出曝光装置200的平面图，图7是示出曝光装置200所具有的曝光单元201的结构的图。
如图6的(a)和(b)所示，曝光装置200包括多个曝光单元201。图6的(a)示出曝光单元201和第一光掩模51的配置关系，图6的(b)示出曝光单元201和第二光掩模52的配置关系。如图6的(a)所示，多个曝光单元201中分别对应于多个第一光掩模51设置。另外，如图6的(b)所示，多个曝光单元201中分别对应于多个第二光掩模52。
如图7所示，曝光单元201包括光源壳体201A和光学系统壳体201B。
在光源壳体201A中，收容有发出光(紫外线)的光源202、使从光源202发出的光反射且会聚的椭圆反射镜203及使由椭圆镜203反射的光反射而改变其前进方向的反射镜204。光源202例如是水银灯。此外，在光源壳体201A中设置有使由反射镜204反射的光透射的窗口材料205。
光学系统壳体201B包括反射通过窗口材料205的光并改变其行进方向的反射镜206、用于使反射镜206反射的光的强度分布均匀化的复眼透镜207、用于缩小来自复眼透镜207的光的柱面透镜208、用于使来自柱面透镜208的光平行化的聚光透镜209、以及从聚光透镜209发出的光中反射S偏光光并透射P偏光光的偏光板210。在光学系统壳体201B中，设置有使透射偏光板210的光向外部透射的窗口材料211。透射窗口材料211的光照射在第一光掩模51(或第二光掩模52)。
另外，曝光装置200和曝光单元201的构成不限于此处所例示的构成。例如，曝光单元201的光学系统不限于图7所示的示例。
[条纹不均的原因]
如上所述，在曝光装置200中，各曝光单元201对应于各第一光掩模51(或各第二光掩模52)而设置。因此，用于曝光的光(曝光的光)通过对应于各第一光掩模51(或各第二光掩模52)(即，以一对一的关系)设置的光学系统(在图示的例子中，复眼透镜207、柱面透镜208、聚光透镜209)被导向到第一光掩模51(或第二光掩模52)。
图8的(a)和(b)示出了第一光掩模51和第二光掩模52的排列。在图8的(a)和(b)中，将形成有第一光掩模51和第二光掩模52的光掩模图案的部分(光掩模图案形成部)的外形表示为光掩模的外形。
在图8的(a)所示的示例中，第一光掩模51(第一光掩模51的光掩模图案形成部)包括矩形的主部51a和位于其两端的三角形的端部51b，整体呈六边形。
如图8的(a)所示，第一掩模列51C1的第一光掩模51和第二掩模列51C2的第一光掩模51以存在与第一光取向膜12重叠曝光的区域的方式排列。具体地，第一光取向膜12排列为具有经由两个第一掩模列51C1的第一光掩模51的端部51b和第二掩模列51C2的第一光掩模51的端部51b曝光的光掩模结合部(与图中的区域DR重叠的区域)。在使用多个第一光掩模51进行曝光的情况下，第一光掩模51之间可以具有相位差，但是通过存在这样的光掩模结合部，能够缓慢地切换第一光掩模51的相位差。如图8的(a)的下部所示，各第一光掩模51具有条纹状的遮光部SR和透光部(狭缝)TR。
在图8的(b)所示的例子中，第二光掩模52(第二光掩模52的光掩模图案形成部)包括矩形的主部52a、和位于其两端的三角形的端部(在与输送方向D交叉的方向上的端部)52b，整体呈六边形。
如图8的(b)所示，第一掩模列52C1的第二光掩模52和第二掩模列52C2的第二光掩模52以存在与第一光取向膜12重叠曝光的区域的方式排列。具体地，第一光取向膜12排列为具有经由第一掩模列52C1的第二光掩模52的端部51b和第二掩模列52C2的第二光掩模51的端部51b两者曝光的光掩模结合部(与图中的区域DR重叠的区域)。在使用多个第二光掩模52进行曝光的情况下，第二光掩模52彼此可以具有相位差，但是通过存在这样的光掩模结合部，能够缓慢地切换第二光掩模52的相位差。如图8的(b)的下部所示，各第二光掩模52具有条纹状的遮光部SR和透光部(狭缝)TR。
由于经透光部TR曝光的区域的位置(曝光位置)从本来的位置偏移而发生条纹不均。关于这点参照图9进行具体说明。
图9的(a)示出了一个第一光掩模51中的五个区域R1、R2、R3、R4和R5。五个区域R1、R2、R3、R4和R5沿着排列方向Db排列。
图9的(b)示出了该些区域R1、R2、R3、R4和R5中的曝光位置的偏移。在图9的(b)中，原本的曝光位置用虚线表示，实际的曝光位置用实线表示。如图9的(b)所示，在位于第一光掩模51的中心的区域R3中，不发生曝光位置的偏移。与此相对，在位于区域R3的左侧的区域R2中，曝光位置向右侧偏移较小，在位于区域R2的更左侧的区域R1中，曝光位置向右侧偏移较大。另外，在位于区域R3的右侧的区域R4中，曝光位置向左侧偏移较小，在位于区域R4的更左侧的区域R5中，曝光位置向左侧偏移较大。
图9的(c)示出了与区域R1、R2、R3、R4和R5对应的像素的显微图像。从图9的(c)可以看出，在与曝光位置偏移大的区域(区域R1和R5)对应的像素中，由于曝光位置的偏差而使暗线的产生位置偏移，从而能够看到本来应被遮光的暗线。这样的暗线的位置偏移是透射率(亮度)的偏移(偏差)的原因。
另外，在图9中例示了第一光掩模51，但是在使用了第二光掩模52的曝光工序中产生同样的问题。
参照图10的(a)和(b)说明产生曝光位置偏移的原因。
如图10的(a)所示，入射至复眼透镜207的光具有在中心处相对强，在外部相对弱的强度分布。因此，在第一光掩模51(或第二光掩模52)的光照射面中，向内的光的强度相对变强，向外的光的强度相对变弱。图10的(b)中分别表示图10的(a)中的区域MR1和MR2的曝光量分布。如图10的(b)所示，由于向内的光的强度强，曝光量分布不会成为原本的分布(图中的虚线)，而是成为曝光位置向内侧偏移的状态。
如此，曝光位置的偏移是条纹不均的原因。在光掩模结合部中，相对于曝光位置在相反方向上的偏移以叠加的方式发生，所以容易发生条纹不均。
[液晶显示装置的制造方法]
说明根据本发明实施方式的液晶显示装置的制造方法。
首先，准备母基板(以下称为“第一母基板”)，母基板包含多个有源矩阵基板10，有源矩阵基板10具有像素电极11和未进行取向处理的状态下的第一光取向膜12。该工序可以用公知的方法进行。
接着，在将准备好的有源矩阵基板10(第一母基板)输送到预定的输送方向Da的同时，通过多个第一光掩模51曝光作为第一光取向膜12的第一取向区域12a的区域。在该工序(第一曝光工序)中所使用的第一光掩模51包括透光部TR与遮光部SR的多个对(参照图8的(a))，该透光部TR透射曝光的光，该曝光的光用于曝光作为第一光取向膜12的第一取向区域12a的区域，该遮光部SR遮光作为第一光取向膜12的第二取向区域12b的区域。这些多个对被配置为沿排列方向Db排列。构成各对(即，用于形成该像素的第一取向区域12a和第二取向区域12b的)的透光部TR和遮光部SR的边界(以下也称为“透光部·遮光部间边界”)大致平行于输送方向Da延伸，多个透光部·遮光部间边界沿着排列方向Db排列。
参照图11，更具体地说明该工序(第一曝光工序)。
在图11的上侧示出了一个第一光掩模51，并且在图11的下侧示出与第一光掩模51的三个区域r1、r2和r3中的一个像素对应的区域中的透光部TR的配置。在图11的下侧，透光部TR用虚线表示，作为第一取向区域12a的区域12a’和作为第二取向区域12b的区域12b’之间的边界(即第一域边界)BD1用点划线表示。
在位于第一光掩模51的排列方向Db的中央的区域r1中，透光部TR的内侧边缘e1(相当于透光部TR和遮光部SR的边界)大致与第一域边界BD1重叠。即，透光部TR的内侧边缘e1没有从第一域边界BD1偏移。
另外，在位于第一光掩模51的排列方向Db的一端(此处为左端)51b1侧的区域r2中，透光部TR的内侧边缘e1相对于第一域边界BD1向一端51b1侧(即外侧)偏移。
进而，在位于第一光掩模51的排列方向Db的另一端(此处为右端)51b2侧的区域r3中，透光部TR的内侧边缘e1相对于第一域边界BD1向另一端51b1侧(即外侧)偏移。
接着，将准备好的有源矩阵基板10(第一母基板)在输送方向Da上输送的同时，通过多个第二光掩模52曝光作为第一光取向膜12的第二取向区域12b的区域12b’。在该工序(第二曝光工序)中所使用的第二光掩模52包括透光部TR与遮光部SR的多个对(参照图8的(b))，该透光部TR透射曝光的光，该曝光的光用于曝光作为第一光取向膜12的第二取向区域12b的区域，该遮光部SR遮光作为第一光取向膜12的第一取向区域12a的区域。这些多个对被配置为沿排列方向Db排列。构成各对的透光部TR和遮光部SR的边界(透光部·遮光部间边界)大致平行于输送方向Da延伸，多个透光部·遮光部间边界沿着排列方向Db排列。
参照图12，更具体地说明该工序(第二曝光工序)。
在图12的上侧示出了一个第二光掩模52，并且在图12的下侧示出与第二光掩模52的三个区域r4、r5和r6中的一个像素对应的区域中的透光部TR的配置。
在位于第二光掩模52的排列方向Db的中央的区域r4中，透光部TR的内侧边缘e2基本上与第一域边界BD1重叠。即，透光部TR的内侧边缘e2没有从第一域边界BD1偏移。
另外，在位于第二光掩模52的排列方向Db的一端(此处为左端)52b1侧的区域r5中，透光部TR的内侧边缘e2相对于第一域边界BD1向一端52b1侧(即外侧)偏移。
进而，在位于第二光掩模52的排列方向Db的另一端(此处为右端)52b2侧的区域r6中，透光部TR的内侧边缘e2相对于第一域边界BD1向另一端52b1侧(即外侧)偏移。
这样，可以获得对第一光取向膜12实施了光取向处理的有源矩阵基板10(第一母基板)。
与获得有源矩阵基板10的工序不同，准备包含具有对向电极21和第二光取向膜22的多个对向基板20的母基板(以下称为“第二母基板”)。该工序可以用公知的方法进行。
接着，通过使第一母基板和第二母基板贴合，制作包含多个液晶显示面板的母面板。第一母基板和第二母基板由密封部粘接、固定，密封部形成为包围液晶显示面板的显示区域。
然后，可以通过分割母面板来获得液晶显示面板。有源矩阵基板10和对向基板20之间的液晶层30可以通过滴下式注入法或真空式注入法形成。
如上所述，在本实施方式的制造方法中，在第一曝光工序中，第一光取向膜51被设计为其透光部TR的内侧边缘e1在一端51b1侧相对于第一域边界BD1向一端51b1侧(外侧)偏移，并且在另一端51b2侧相对于第一域边界BD1向另一端51b2侧(外侧)偏移。另外，在第二曝光工序中，第二光取向膜52被设计为其透光部TR的内侧边缘e2在一端52b1侧相对于第一域边界BD1向一端52b1侧(外侧)偏移，并且在另一端52b2侧相对于第一域边界BD1向另一端52b2侧(外侧)偏移。因此，能够抑制参照图9说明的曝光位置的偏移(向内侧的偏移)的发生。
如此，在本实施方式的制造方法中，通过将透光部TR的内侧边缘e1、e2比原本更靠外侧偏移来抑制曝光位置向内侧的偏移。以下，将透光部TR的内侧边缘e1、e2相对于第一域边界BD1的偏移量也称作“光掩模修正量”。光掩模修正量可以根据从使用现有设计(即，整个光掩模校正量为零)的光掩模制造的液晶显示装置求出的曝光位置的偏移来适当地设定。
另外，如上参照图9所述的，曝光位置的偏移从第一光掩模51的中心向外侧变大。因此，从适当抑制曝光位置的偏移的观点来看，第一光掩模51优选设计成从第一光掩模51的中央朝向一端51b1侧，光掩模修正量变大，并且从第一光掩模51的中央朝向另一端51b2侧，光掩模修正量变大。相同地，在从适当抑制曝光位置的偏移的观点来看，第二光掩模52优选设计成从第二光掩模52的中央朝向一端52b1侧，光掩模修正量变大，并且从第二光掩模52的中央朝向另一端51b2侧，光掩模修正量变大。
图13示出了掩模校正量的设置示例。图13是示出了与光掩模(第一光掩模51或第二光掩模52)的中心的距离[mm]与光掩模校正量[μm]的关系的图。图13示出了多个光掩模中最小校正量的光掩模和最大校正量的光掩模的光掩模校正量以及多个光掩模的平均光掩模校正量。与光掩模中心的距离表示为以从中心向右侧为正，向左侧为负，光掩模修正量也表示为向右侧的偏移为正，向左侧的偏移为负。
在图13所示的示例中，沿着排列方向Db的光掩模的长度为250mm。此外，沿着排列方向Db的像素宽度为66.8μm。如图13所示，从光掩模的中心越向外，光掩模修正量越大。光掩模最外端的光掩模修正量为最小修正量的光掩模的±1.225μm，最大修正量的光掩模的±1.95μm，平均为±1.565μm。距光掩模中心±60mm距离的平均修正量为±0.75μm。
接着，在使用图13所示的示例(光掩模修正量)设计的光掩模制造的液晶显示装置(实施例)和使用现有设计(光掩模修正量在整个光掩模上为零)的光掩模制造的液晶显示装置(比较例)中，说明验证条纹不均的发生情况的结果。
图14的(a)和(b)分别是表示比较例的液晶显示装置和实施例的液晶显示装置的点亮状态(将所有像素设为白显示的状态)的照片。在比较例的液晶显示装置中，如图14的(a)所示，产生沿上下方向延伸的条状不均。与此相对，如图14的(b)所示，实施例的液晶显示装置，条状不均的发生被抑制。
图15的(a)和(b)分别是表示比较例的液晶显示装置和实施例的液晶显示装置的点亮状态下的亮度水平的分布的图表。在图15的(a)和(b)中，面板坐标(水平方向上的像素的位置)作为横轴，并且亮度水平作为纵轴。
从图15的(a)和(b)可以看出，与比较例中的液晶显示装置相比，实施例中的液晶显示装置抑制了亮度水平的偏差。亮度水平的偏差是条纹不均的原因，所以亮度水平的偏差被抑制意味着条纹不均的发生被抑制。
另外，在参照图13说明的修正量中抑制条纹不均的产生的效果最大的为最大修正量的±1.95μm。
(其他实施方式)
将一个像素P取向分割成四个液晶域A～D的方法(像素P内的液晶域A～D的配置)不限于图4等所示的示例。
例如，如图16的(a)和(b)所示，通过贴合已进行取向处理的有源矩阵基板10和对向基板20，可以形成如图16的(c)所示的取向分割后的像素P。图16的(c)所示的像素P与图4所示的像素P相同，具有四个液晶域A～D。
但是，在图4所示的像素P中，液晶域A～D按左上、左下、右下、右上的顺序(即从左上以逆时针)配置，而在图16的(c)所示的像素P中，液晶域A～D按右下、右上、左上、左下的顺序(即从右下以逆时针)配置。这是因为在图4所示的像素P和图16的(c)所示的像素P1中，有源矩阵基板10的左侧区域和右侧区域以及对向基板20的上侧区域和下侧区域的预倾角方向分别相反。在图16的(c)所示的像素P中，暗线DL整体为左卍状。
尽管已经说明了在一个像素内形成四个液晶域的示例，但是形成在一个像素内的液晶域的数量不限于四个。例如，可以在一个像素内形成两个液晶域，也可以在一个像素内形成八个液晶域。
工业上的实用性
根据本发明实施方式制造的液晶显示装置适于要求电视接收机等高质量显示器的应用。
附图标记说明
1：TFT，2：扫描线，3：信号线，4：辅助电容线，5：栅电极，6：源极，7：漏极，7’：连接部，8：辅助电容电极，9：辅助电容对向电极，10：有源矩阵基板，10a：基板，10M：母基板，11：像素电极，12：第一光取向膜，12a：第一取向区域，12b：第二取向区域，20：对向基板，20a：基板，21：对向电极，22：第二光取向膜，22a：第三取向区域，22b：第四取向区域，30：液晶层，41：偏光板，42：偏光板，51：第一光掩模、52：第二光掩模、100：液晶显示装置、101：液晶显示面板、102：背光源、200：曝光装置、201：曝光单元、201A：光源壳体、201B：光学系统壳体、202：光源、203：椭圆反射镜、204：反射镜、205：窗口材料、206：反射镜、207：复眼透镜、208：柱面透镜、209：聚光透镜、210：偏光板、211：窗口材料、BD1：第一域边界、BD2：第二域边界、Da：输送方向、Db：排列方向：像素、PD1：第一预倾角方向、PD2：第二预倾角方向、PD3：第三预倾角方向、PD4：第四预倾角方向、SR：遮光部、TR：透光部

Claims (9)

1.一种液晶显示装置的制造方法，
所述液晶显示装置具有：
矩阵排列的多个像素；彼此相对的第一基板与第二基板；以及
设置在所述第一基板和所述第二基板之间的垂直取向型液晶层，
所述第一基板具有设置在所述多个像素每一个的像素电极及设置在所述像素电极和所述液晶层之间的第一光取向膜，
所述第二基板具有与所述像素电极相对的对向电极及设置在所述对向电极和所述液晶层之间的第二光取向膜，
所述多个像素分别具有基准取向方向互不相同的多个液晶域，该基准取向方向由所述第一光取向膜以及所述第二光取向膜所规定，
所述多个液晶域包括隔着沿第一方向平行延伸的第一域边界彼此相邻第一液晶域和第二液晶域，
所述第一光取向膜具有在所述多个像素的每一个内规定相互不同的预倾角方向的第一取向区域与第二取向区域，即隔着所述第一域边界彼此相邻的所述第一取向区域与所述第二取向区域，所述液晶显示装置的制造方法特征在于，
所述液晶显示装置的制造方法包括：
工序(A)，准备所述第一基板，所述第一基板具有所述像素电极与未进行取向处理的状态的所述第一光取向膜，
工序(B)，在将准备好的所述第一基板沿规定的输送方向输送的同时，通过多个第一光掩模来曝光作为所述第一光取向膜的所述第一取向区域的区域，所述多个第一光掩模包括在与所述输送方向交叉的第二方向上排列的两个以上的所述第一光掩模，
所述多个第一光掩模分别包括多个对的透光部和遮光部，
所述透光部透射曝光的光，所述曝光的光用于曝光所述第一光取向膜的作为所述第一取向区域的区域，
所述遮光部遮光所述第一光取向膜的作为所述第二取向区域的区域，
所述多个对沿着所述第二方向并列配置，
所述多个第一光掩模分别在所述工序(B)中设计成，在该第一光掩模的所述第二方向的一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述一端侧，并且，在所述第一光掩模的所述第二方向的另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述另一端侧。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述多个第一光掩模分别在所述工序(B)中设计成，随着从该第一光掩模的中央朝向所述一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界的相对于所述第一域边界的偏移越大，并且，随着从该第一光掩模的中央朝向所述另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界的相对于所述第一域边界的偏移越大。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述曝光的光通过对应于所述多个第一光掩模的每一个设置的光学系统来导向到所述第一光掩模。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
所述多个第一光掩模排列成使第一掩模列和第二掩模列构成为在所述输送方向上相邻，
所述多个第一光掩模在工序(B)中还被排列成，使所述第一光取向膜具有光掩模结合部，所述光掩模结合部通过所述第一掩模列中的第一光掩模的一部分和所述第二掩模列中的第一光掩模的一部分两者来曝光。
5.根据权利要求1至4任一项中所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
还包括工序(C)，在沿着所述输送方向输送所述第一基板的同时，通过多个第二光掩模来曝光所述第一光取向膜的作为所述第二取向区域的区域，所述多个第二光掩模包括在与所述输送方向交叉的第二方向上排列的两个以上的第二光掩模，
所述多个第二光掩模分别包括多个对的透光部和遮光部，
所述透光部透射曝光的光，所述曝光的光用于曝光所述第一光取向膜的作为所述第二取向区域的区域，
所述遮光部遮光所述第一光取向膜的作为所述第一取向区域的区域，
所述多个对沿着所述第二方向并列配置，
所述多个第二光掩模分别在所述工序(B)中设计成，在该第二光掩模的所述第二方向的一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述一端侧，并且，在所述第二光掩模的所述第二方向的另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述另一端侧。
6.根据权利要求1至4任一项中所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
所述多个液晶域包括第三液晶域和第四液晶域，隔着以与所述第一域边界相交的方式延伸的第二域边界与所述第一液晶域、所述第二液晶域分别相邻。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第二光取向膜具有在所述多个像素的每一个内规定相互不同的预倾角方向的第三取向区域与第四取向区域，即隔着第二域边界彼此相邻的所述第三取向区域与所述第四取向区域。
8.一种光掩模，其使用于液晶显示装置的制造方法，
所述液晶显示装置包括：矩阵排列的多个像素；
具备彼此相对的第一基板与第二基板；以及
设置在所述第一基板和所述第二基板之间的垂直取向型液晶层，
所述第一基板具有设置在所述多个像素每一个的像素电极及设置在所述像素电极和所述液晶层之间的第一光取向膜，
所述第二基板具有与所述像素电极相对的对向电极及设置在所述对向电极和所述液晶层之间的第二光取向膜，
所述多个像素分别具有基准取向方向互不相同的多个液晶域，该基准取向方向由所述第一光取向膜以及所述第二光取向膜所规定，
所述多个液晶域包括隔着沿第一方向平行延伸的第一域边界彼此相邻第一液晶域和第二液晶域，
所述第一光取向膜具有在所述多个像素的每一个内规定相互不同的预倾角方向的第一取向区域与第二取向区域，即隔着所述第一域边界彼此相邻的所述第一取向区域与所述第二取向区域，
所述光掩模使用于在液晶显示装置的制造方法中的曝光工序中，在所述曝光工序中，将所述第一基板沿规定的输送方向输送的同时，通过多个光掩模来曝光所述第一光取向膜的作为所述第一取向区域的区域，所述多个光掩模包含在与所述输送方向交叉的第二方向上排列的两个以上的光掩模，
所述光掩模的特征在于：
所述光掩模包括多个对的透光部和遮光部，
所述透光部透射曝光的光，所述曝光的光用于曝光作为所述第一光取向膜的所述第一取向区域的区域，
所述遮光部遮光所述第一光取向膜的作为所述第二取向区域的区域，
所述多个对沿着所述第二方向并列配置，
在所述曝光工序中设计成，所述光掩模的所述第二方向的一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述一端侧，并且，在所述光掩模的所述第二方向的另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界相对于所述第一域边界偏移到所述另一端侧。
9.根据权利要求8所述的光掩模，在所述曝光工序中，设计为随着从该光掩模中央朝向所述一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界的相对于所述第一域边界的偏移越大，并且，随着从该光掩模的中央朝向所述另一端侧，所述透光部和所述遮光部的边界的相对于所述第一域边界的偏移越大。
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