CN109491210B - 一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和系统 - Google Patents

一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和系统 Download PDF

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Abstract

公开了一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和对应的系统。图案被形成在包括多个管芯区域(110)的半导体晶片(100)上，其中管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI(200)，其包括形成光刻图案的多个特征(201‑209)。该方法包括以下步骤：a)获取(30)所述ROI中的至少一个ROI的图像；b)移除(40)触及所述图像的边缘的特征；以及c)计算(50)所述图像中的剩余特征的数量。

Description

一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和系统
技术领域
本发明概念涉及一种用于检测被用于半导体器件的生产的光刻图案的缺陷的方法和系统。
背景
光刻随着技术节点的不断缩小而变得更具挑战性。满足不断增加的需求的一种尝试一直是使用多种图案化技术，其中图案通过每层使用多个掩模来被构建。同时，特征的降低的间隔或间距已导致不断增加的检查挑战和缺陷位置检测。光学检查工具可给予粗略的位置，但是由于它们的有限分辨率而不能够在光学图像内高准确指出其中特征正在失效的确切位置。查验-扫描电子显微镜 (SEM)可被用于光学缺陷位置处的进一步分析，但这是高度耗时且易出错的手动过程。另一种技术利用电子束(E-beam)检查，其也受到低吞吐量的不利影响。因此，需要用于检测和定位缺陷的改进的方法。
发明内容
本发明概念的目的是提供一种用于检测和定位缺陷的改进的方法。从以下可以理解进一步的及替代的目的。
由于当图案从掩模转移到衬底时所引入的误差及现象，印刷的光刻图案经常偏离预期的光刻掩模设计。影响图案质量的重要因素是光刻工具的质量和性能，其可能由于例如工具中的不准确性、磨损和环境变化而不可预测地改变。聚焦的质量和曝光能量(或剂量)是特别值得关注的，其中前者可相对于完美聚焦(即，零散焦)用公差来表示，从而导致例如在零散焦状态的任一侧的散焦值范围，并且后者表示为例如剂量中的变化。如果图案中的偏差大到足以对预期的最终结构的操作具有不利影响，则它们可被称为误差或缺陷。
误差或缺陷的示例可包括相邻图案特征之间的例如由定位误差、特征的偏离的轮廓或形状、或布置在特征之间的受污染的结构造成的非预期桥接。其他示例包括将预期的图案特征切割或分离成两个或更多个部分。这些示例利用了以下理解：在光刻图案的上下文中，“特征”可对应于形成光刻图案的连续形状的区域，即，由不间断和闭合的轮廓定义的区域。将结合附图详细讨论特征和可能的缺陷的示例。
因此，根据本发明概念的第一方面，提供了一种用于检测包括多个管芯区域的半导体晶片上的光刻图案的缺陷的方法。管芯区域中的每一者具有感兴趣区域(ROI)，其包括形成光刻图案的多个特征。本发明方法涉及获取诸ROI 中的至少一个ROI的图像，以及对所述图像中所表示的图案特征的数量进行计数。
本发明概念利用了以下实现：在获取的检查图像中所表示的图案特征的数量可被用作缺陷的指示，其可通过将图像的特征的实际数量与特征的参考数量进行比较来被量化。特征的参考数量可按若干不同方式获得，诸如通过对多个图像或ROI的统计分析、与相邻ROI或管芯的比较、或从设计布局文件获得。
该方法可进一步利用以下事实：光刻图案可以在不同管芯之间被重复。通过收集每个管芯内的特定和相同位置上的图像，每个图像可按类似的方式相对于光刻图案被对准，且因此容易彼此进行比较。这样的比较可相对快速且容易，并且不同管芯区域的图像之间的任何偏差可被标记为缺陷。
对光刻图案的更快速和更可靠的分析因此被提供，起码不是因为可以在没有操作员的手动检查和/或分析的情况下自动检测可能的缺陷。此外，对每个图像中的特征数量进行计数与基于例如对图案特征的轮廓、形状或区域的分析或基于将图像相互比较的其他方法相比可能要求更少的处理资源。
有利地，触及图像边缘的特征可以在对这些特征进行计数之前从图像中被移除。换言之，不完全被包围或被包括在图像中的特征可以从计数中排除，该计数因此可仅包括图像中剩余特征的数量。这允许更稳健的缺陷量化，因为以其它方式被布置在图像(或ROI)的外围处的特征(或特征边缘)可取决于图像的定位误差仅针对一些图像来被计数。如果由于特定图像的错对准或定位误差而在该图像中可看到这样的特征，则该特征可能被错误地解释为缺陷。类似地，由于同样的原因，这样的特征不被计数，它可能被无意地视作失效。因此，通过移除触及图像边缘的特征，方法的准确度可被增加。
此外，触及图像边缘的特征的移除还允许剩余特征的区域被更准确地分析。通过移除不使其整个区域被包括在图像中的特征，剩余特征的绝对(或相对)区域可被更好地确定或研究。这可例如允许对不同图像、ROI或管芯的特征之间的区域变化进行确定和监视，并且在区域偏差方面对可能的误差进行检测和量化。
在本公开上下文中，“光刻图案”可被定义为在半导体晶片或衬底上形成的特征或形状的图案。光刻图案可通过以下来被提供：曝光抗蚀剂层(例如通过直接印刷或通过光刻掩模)，显影抗蚀剂以及取决于所使用的抗蚀剂的类型而优选地从已曝光或未曝光区域移除抗蚀剂。这可产生其中诸特征形成图案形状中的沟槽或线的抗蚀剂层。
术语“特征”、“形状”或“组分”可指代形成光刻图案或如图像中再现的光刻图案的组分或区域。如在图像上看到的图案可因此由一个或若干个特征形成，其可经受图像分析以供分类和分析。
光刻图案可偏离所谓的“设计意图”或“设计布局”，其可被理解为特征图案的理论形状。实际印刷的特征(例如抗蚀剂层中的沟槽)可尽可能地接近设计意图，但是偏差可能由于与印刷工艺相关的工艺参数而难以避免。
光刻图案可被再现为例如通过检查工具(诸如举例而言，扫描电子显微镜 (SEM))获取的图像。图像可因此被理解为光刻图案的二维表示，其中图案的特征可表现为图像平面内的二维形状。有利地，图像可在被分析之前被二值化，即被转换为仅黑色和白色。
经受缺陷分析的图案的区域可被称为感兴趣区域，即ROI。所获取的图像可以与ROI重合，或与其交叠。优选地，ROI可对应于每个管芯区域上的特定位置，使得每个ROI包括(或旨在包括)同一组特征。然而，将会领会，在一些示例中，ROI也可以与整个管芯区域重合。
根据一实施例，该方法可进一步包括将ROI的图像的(剩余)特征的数量与特征的目标数量或参考数量进行比较的步骤，以及在特征数量与目标数量不同的情况下将ROI标记为缺陷的步骤。如果所计数的特征的数量超过目标数量，则这可能是一个或若干特征包括非预期间隙的形式的缺陷的指示，该非预期间隙将该特征拆分成两个或更多个分开的部分。如果所计数的特征的数量反而位于目标数量以下，则这可能是缺失特征或图像中的两个或更多个特征之间的桥接的形式的缺陷的指示。在这两种情形中，偏差均可被标记为缺陷，并且可能的话，偏差被用作缺陷严重程度的测量。
在一实施例中，目标数量可对应于从设计布局获取的设计意图数量。这可允许更快的分析，因为缺陷可以在无需将不同的图像彼此进行比较的情况下就被检测为与设计意图数量的偏差。
替代地或附加地，目标数量可通过多个图像的统计分析来被确定。这可例如通过以下来被实现：对图像中的每一个图像的特征数量进行计数并确定哪个值(即，哪个所计数的特征的数量)最常出现。该值也可被称为特征的模数(mode number)，并因此的确表示图像的特征的最常见数量。假设大多数图像或ROI 不包含可检测的缺陷，则偏离特征的最常见数量的那些图像或ROI于是可被定义为缺陷。
使用统计分析(诸如举例而言，以上所描述的模数)使得本发明的方法也适用于设计意图数量未知时的情形中。因此，该方法可以在假定访问被给到每个管芯内的相同位置的多个图像的情况下被用于分析任何类型的重复光刻图案。
本发明的发明构思可以在估计特征的工艺窗口时被进一步采用。工艺窗口可以在例如光刻印刷工具的聚焦和剂量设置方面定义可印刷性性能限制，在该限制内图案的可靠印刷是可获得的。由于诸如设计几何形状和在曝光期间发生的光学现象之类的各种原因，因此一些图案或特征可具有比其他图案或特征更大的工艺窗口。由于例如设计的某些几何参数以及它们与掩模曝光期间发生的光学现象的相互作用而导致可能被不正确地印刷的图案的特别敏感的区域有时被称为热点。因此，确定那些区域的工艺窗口可能是尤为感兴趣的。
因此，根据一实施例，该方法可包括以下步骤：通过光刻工具在多个管芯区域上印刷光刻图案，同时改变不同管芯区域之间的光刻参数。每个管芯区域中的特征的数量可接着根据以下来被确定：光刻参数、和被确定为其间光刻参数可以在特征数量不偏离特征的目标数量的情况下改变的限制的工艺窗口。光刻参数可以是剂量、聚焦和覆盖中的至少一者，其可被改变以便通过示出组件数量中的变化来确定特定特征(或任何特征)或热点在哪个参数偏移处开始失效。此外，该办法可被用来理解失效趋向于在特征内的哪个位置处发生，这可被用来将例如CD-SEM引导到自动测量仪表设置的确切位置。
在一个示例中，工艺窗口可借助于测试晶片来被估计，诸如举例而言，临界尺寸均匀性(CDU)晶片或聚焦曝光能量矩阵(FEM)晶片。测试晶片可包括以行和列布置的多个管芯区域。管芯的中央列可例如是经调制的聚焦列，其表示其中特定图案利用在光刻印刷工具中被有意地应用的递增地变化的散焦值来印刷的管芯区域。中央管芯可表示光刻掩模相对于晶片的零散焦位置，即，管芯的最佳可获得的对焦印刷。在中央管芯的上方和下方，可通过以例如+10 nm和-10nm的步长递增地增加零值的任一侧上的散焦值来产生经散焦的印刷，所述步长通过例如相对于零散焦位置逐步地移位工具的透镜套件，或者通过相对于透镜套件移位晶片台来获得。晶片中的其余管芯(中央列外部)可以是零散焦管芯，但也可以是附加的经散焦的印刷。优选地，零散焦列可被印刷在经调制的聚焦列旁边，以便通过比较毗邻列的两个管芯的特征数量来促成缺陷的检测。
根据一些实施例，ROI的位置可以在图像被获取之前被定位。这可例如通过从设计布局中提取热点并将这些热点用于随后的缺陷检测来实现。在另一示例中，ROI的位置可借助于对管芯中的至少一些的光学检查来被确定。即使光学检查可能具有过低的分辨率或准确度以至于无法有效地定位或分类缺陷，光学图像的强度图案的平均偏差(例如，与其他管芯的对应位置的其他图像相比) 也可被用来检测到可能在ROI内存在缺陷。因此，根据本发明的发明构思，可利用附加的、更彻底的检查来完成光学检查。光学检查可被执行作为用于检测管芯(该管芯应当被进一步检查以查找缺陷)内的特定ROI或用于检测应当被进一步检查的特定管芯的初始步骤。
因此，本发明的发明构思可通过由光学检查工具进行的初始检查来实现，该初始检查可给出可疑缺陷的粗略位置。随后的检查(例如，借助于查验SEM) 可接着在可疑缺陷位置处被执行，并且所获取的图像根据以上所描述的实施例来被分析。
在一个示例中，在其中可能首先出现缺陷的热点或特定特征位置可例如借助于如以上所讨论的测试晶片、或借助于所获取的图像的后处理来被确定。此类技术的示例可例如包括膨胀和腐蚀，藉此图像的特征被逐渐地和系统性地变形直至特征数量改变。在腐蚀技术中，可以从特征的边界移除当时的一个像素，直至该特征被算作两个分开的特征。在膨胀技术中，像素被逐渐地添加到边界，直至两个特征最终合并成一个。膨胀或腐蚀可接着被用来找到ROI内的正失效的特定位置或特征。一旦知道该位置或特征，设计布局就可被用于确定该特征或位置重复的次数。基于该信息，可以对设计的那些特定地点执行光学检查。换言之，可以跨管芯来检查和分析这些特定位置，这可降低随机噪声并使光学检查工具更敏感，因为它正在查看特定类型的特征。因此，SEM工具可被用于发现哪个特征正在ROI内失效，其中该信息被用作对光学检查工具的反馈，以用于从设计布局生成类似区域并对这些区域运行全管芯检查。
根据一实施例，移除触及图像边缘的特征的步骤可包括移除除了具有被定位在图像内的不多于一个预期的线端位置的线/空间特征之外的所有此类特征。以这种方式，本发明的发明构思可被用于检测线/空间图案中的缺陷(诸如桥和切口)。
根据第二方面，一种系统可被提供用于执行根据第一方面的方法。该系统可包括用于获取图像的SEM和用于对图像中的特征的数量进行计数的处理装置。该处理装置可进一步被配置成移除触及图像边缘的特征。
在一实施例中，该系统还包括用于光学地检查至少一些管芯的光学分析工具，以定位ROI的位置、和/或确定应当经受进一步和更详细的检查的感兴趣的管芯。
SEM、光学分析工具和处理装置中的任一者可以在结构上被集成在系统中。即使经由例如通信网络被连接或可彼此连接，它们也可以在结构上不同 (即，物理上分开和/或位于不同的地理位置上)。
该处理装置可包括处理器或能够执行所需图像分析的任何其他电路系统。该物理实现可例如是集成实现、或分布式实现，其中各职责和功能性由协作的组件来处置。
所公开的本发明的发明构思可体现为用于以使得可编程计算机致使如以上所描述的检查工具或系统执行以上所概述的方法的方式控制可编程计算机的计算机可读指令。此类指令可以以计算机程序产品的形式分发，该计算机程序产品包括储存指令的非易失性计算机可读介质。
应当注意，本发明的发明构思涉及权利要求中记载的特征的所有可能组合。此外，将领会，针对根据第一方面的方法所描述的各个实施例都可以与针对根据第二方面的系统所描述的各实施例相组合。本发明的发明构思的进一步目的、特征和优点在研究以下详细公开、附图和所附权利要求时将变得显而易见。本领域技术人员将认识到，本发明的不同特征可被组合以创建除了下面描述的实施例之外的实施例。
附图的简要说明
参考附图，通过本发明的发明构思的以下说明性和非限制性详细描述，将更好地理解本发明的发明构思的以上以及附加目的、特征和优点。
图1a-1c示出了包括光刻图案的多个特征的ROI的图像。
图2a-2c示出了ROI的图像，其中一些特征在计数之前被移除。
图3是根据一实施例的半导体晶片的示意性布局，其包括用不同的光刻参数设置印刷的多个管芯区域。
图4a和4b例示了根据一实施例的图像的ROI和热点的检测。
图5是根据一实施例的系统的示意图解。
图6是例示根据本发明的发明构思的一实施例的用于检测半导体晶片上的光刻图案的缺陷的方法的图示。
如图中所例示，出于解说的目的，各元件、特征和其他结构的大小可能被夸大或不按比例描绘。因此，附图被提供以解说各实施例的一般化元素。
详细描述
本发明的发明构思涉及对可在光刻图案中出现的缺陷的分析。下面将参考图1a-1c来描述此类缺陷的示例，图1a-1c例示了在图案化的半导体晶片的三个不同管芯内的相同位置处获取的三个不同图像。这些图像可被考虑以解说被包括在相应管芯的ROI 200中的特征201-206。图像可例如通过检查工具(诸如 SEM)来被获取。
如图1a所示，ROI 200的光刻图案可包括六个特征或组件201-206，在该示例中，两对垂直线201、202；204、205和两个括号203、206。每个特征201-206 可由包围区域的连续轮廓定义，其可例如对应于设置在半导体晶片或衬底的表面上的抗蚀剂层中的沟槽。如果图1a中所例示的特征201-206的图案被认为不包括任何缺陷，则ROI 200的特征201-206的数量(在该情形中为六个)可被称为该图案的该特定ROI内的特征数量的参考数量或目标。
在图1b中，注意到垂直线形特征202包括缺陷，其被实现为两个分开的部分的切线—第一上部和第二下部。当对特征的数量进行计数时，该切线导致 ROI 200中的总数为七个的特征201-206。因此，当与图1a中的特征或组件的参考数量或预期数量进行比较时，图1b的特征202可被定义为缺陷。
可以对图1c的ROI 200采用类似的分析，其中特征205已经与特征206 桥接或合并。因此，图1c中的特征数量已降低到五个，且因此与图1a的参考相比可被视作缺陷。
应当理解，本发明的示例仅仅是两种可能的印刷错误或图案缺陷的图解。然而，导致偏离的特征数量的其他类型的缺陷是同样地可构想的。特征的经计数的数量可以与特征的目标数量(诸如参考图1a-1c所描述的无缺陷ROI的特征)进行比较。然而，目标数量也可例如被从设计布局检索、由操作者手动地确定、或者可以在统计学上为例如多个图像的模数。
图2a-2c例示了如图1a-1c中所例示的类似图案的图像，其中各特征可根据本发明的发明构思的一实施例来被计数以检测缺陷。这些图像例示了ROI 200，其包括形成半导体晶片的光刻图案的多个特征。
图2a例示了通过例如查验-SEM获取的图像，而图2b例示了在二值化为黑色和白色之后并且在触及图像边缘的特征已被移除了之后的图像。因此，全部都触及图像的一个或若干边缘的水平线/空间特征201、202、203、204已经与触及图像帧的右下角的特征205、206一起被移除。特征的剩余数量可接着被计数，从而产生38个特征。
在图2c中，特征207中的一个特征已断裂成两个部分，这向剩余特征的经计数的数量添加一。因此，图2c中的ROI 200的缺陷图案可被标记为缺陷，因为其包含39个特征而不是如图2b中所示的38个特征的预期数量。
图3例示了被用于根据本发明的发明构思的一实施例的工艺窗口的确定的测试晶片100，诸如举例而言，FEM晶片。测试晶片100可包括以行和列的矩阵布置的多个管芯区域110。在本发明的示例中，中央列可以是经调制的聚焦列，其中管芯区域110已被提供有利用被施加到光刻工具的递增地变化的散焦值(该散焦也可通过晶片表面的局部不均匀性来实现)来被印刷的图案。该中央管芯可表示零散焦位置，印刷有工具的最佳可获得的对焦。在中央管芯的上方和下方，聚焦可越来越移动离开零值，例如在中央管芯上方移开有+20、+40、 +60、+80和+100nm的平均值，而在中央管芯的下方移开有-20、-40、-60、-80 和-100nm的平均值
工艺窗口(其可例如定义在其间光刻参数(诸如举例而言，散焦值)可以在不导致缺陷的情况下改变的限制)可因此通过分析在中央列的管芯中的每一个管芯中产生的光刻图案的质量来被确定。如图3的示例中所例示，中央管芯包括具有六个特征的ROI 200。在+60管芯中，特征之一已断裂成两个分开的部分，这导致总共有七个特征。该缺陷可借助于与任何前述实施例类似的方法来被检测。以这种方式，如果+60nm被认为是致使图案中的缺陷的散焦值，则针对工艺窗口的散焦上限可被确定为+40nm。
类似的办法可被用来检测热点，诸如举例而言，覆盖敏感的热点。光刻图案可使用不同管芯之间的系统性地改变的覆盖来被产生在半导体晶片中，该半导体晶片可被类似地配置为图3的测试晶片。覆盖可例如在一个列中的x方向 (即，水平方向)上、在另一列中的y方向(即，垂直方向)上以及在第三列中的x方向和y方向两者上改变。然后可以针对不同的管芯监视特定ROI的特征的数量，并且将缺陷记录为数量中的偏差。当缺陷被检测到时，特定的管芯可被进一步分析以精确定位哪个特征失效。
图4a和4b是这样的晶片上的两个不同管芯的ROI 200的图像。在该示例中，触及图像边缘的特征可被移除，使得仅图4a的特征201-206被计数。在本发明的示例中，ROI因此包括六个特征201-206。
图4b是已经在y方向上印刷有覆盖的管芯的图像，从而导致特征201-206 在垂直方向上相对于线/空间特征207、208、209的微小平移。该垂直偏移致使最下面的特征206和线特征207之间的距离被降低到使得最下面的特征206干涉线特征207的程度。如图4b的图像中所例示，它们现在看起来是连接或桥接的，并因此被视作单个特征。作为结果，这两个特征将从计数中被移除，并因此被排除出特征总数。如果线特征207没有被移除，则它们仍被视作单个特征且因此仅被计数一次。
y方向上的覆盖因此导致缺陷，其被检测为从6到5的所计数的特征的数量中的降低。缺陷特征206的位置可因此被视作热点，其可能在y方向上的覆盖之际首先失效。
应当领会，结合图3和图4a-b讨论的上述实施例仅仅是本发明的发明构思的用于确定工艺窗口和热点的有利应用和用途的说明性示例。不管怎样，技术人员将认识到在要求保护的实施例的范围内可构想许多其他变体和组合。
图5是根据先前描述的任一实施例的用于检测缺陷的系统500的示意图解。系统500可包括光学分析工具530，其被配置成光学地检查至少一些管芯以定位ROI和/或感兴趣的管芯。ROI或管芯可包括要求进一步检查和分析的可疑缺陷。出于该目的，系统500可进一步包括检查工具(诸如举例而言，扫描电子显微镜SEM 510)，以用于获取可能已由光学分析工具530确定了的ROI 的图像。此外，处理装置520可被提供用于执行所获取图像的分析。
图6是根据一实施例的方法的示意表示，其部分或全部可借助于根据图5 的系统来被执行。在第一步骤中，光刻图案被印刷10在半导体晶片的多个管芯区域上。在印刷期间，光刻参数(诸如举例而言，剂量、聚焦或覆盖)可以在不同的管芯区域之间被改变，以便确定图案的工艺窗口和/或热点。所印刷的光刻图案可通过例如光学分析工具来被光学地检查20。光学检查可得到看起来包括缺陷的一个或若干区域(诸如举例而言，ROI或管芯区域)。这些区域可接着经受进一步的检查，其中图像可通过例如SEM来被获取30，以便检测和/ 或分类可疑缺陷。检测可包括从图像中移除40触及图像边缘的图案特征，以及对图像中的特征的剩余数量进行计数50的步骤。所计数的数量的统计分析 60可接着被执行，其例如可得到表示每个图像中的特征的最常见数量的模数。该模数可被用作目标或参考数量，每个图像的特征的数量可比照其进行比较 70。与目标数量的偏差可被标记80为缺陷。
在上文中已经参考了有限数量的示例主要地描述了本发明的发明。然而，如本领域技术人员容易领会的，除了上面所公开的示例以外的其他示例在如所附权利要求限定的本发明的发明构思的范围内是同样地可能的。通过对附图、公开以及所附权利要求的研究，技术人员在实践本发明的发明构思时可理解和实现所公开的实施例的其他变体。

Claims (15)

1.一种用于检测包括多个管芯区域的半导体晶片上的光刻图案的缺陷的方法，其中所述管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI，所述ROI包括形成光刻图案的多个特征，并且其中所述方法包括：
通过光刻工具在所述多个管芯区域上印刷所述光刻图案，其中光刻参数在不同的管芯区域之间被改变；
为每个管芯区域获取所述ROI的图像；
移除触及所述图像的边缘的特征；
针对每个管芯区域计数所述ROI的所述图像中的剩余特征的数量；
根据所述光刻参数针对每个管芯区域确定所述ROI的所述图像中的所述剩余特征的数量；以及
基于针对每个管芯区域的所述ROI的所述图像中的所述剩余特征的数量，确定定义限制的工艺窗口，所述光刻参数能在所述限制之间改变而特征的所述数量不偏离特征的目标数量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
将所述ROI的所述图像的所述剩余特征的数量与所述特征的目标数量进行比较；以及
当所述图像中的所述剩余特征的数量与所述特征的目标数量不同时将所述ROI标记为缺陷。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述特征的目标数量是所述光刻图案的设计布局的特征的设计意图数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
获取多个ROI中的每一个ROI的图像；
通过执行以下操作来针对每个图像确定剩余特征的数量：
移除触及该图像的边缘的特征；以及
计数该图像中的剩余特征的数量；
针对所述多个ROI的图像确定特征的模数，所述特征的模数表示跨所述多个ROI的图像出现的特征的最常见数量；以及
针对每个图像：
将该图像的剩余特征的数量与所述特征的模数进行比较；以及
当该特征数量与所述特征的模数不同时将与该图像相关联的ROI标记为缺陷。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片包括测试晶片，其中所述测试晶片是临界尺寸均匀性CDU晶片或聚焦曝光能量矩阵FEM晶片，其中所述管芯区域以行和列来布置，并且其中管芯的中心列对应于经调制的聚焦列。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻参数包括剂量、聚焦、或覆盖。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述ROI中的至少一个ROI的图像之前，所述ROI的位置通过从所述光刻图案的设计布局中提取热点来被定位。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述ROI中的至少一个ROI的图像之前，所述ROI的位置使用所述管芯区域中的至少一些管芯区域的光学检查来被定位。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述ROI中的至少一个ROI的图像之前，感兴趣的管芯使用所述管芯区域中的至少一些管芯区域的光学检查来被确定。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中移除触及所述图像的边缘的特征包括仅移除触摸所述图像的边缘的、在所述图像内具有带不止一个预期端点的线/空间特征的那些特征。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图像使用扫描电子显微镜SEM来被获取。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图像在移除触及所述图像的边缘的特征之前被二值化。
13.一种用于检测包括多个管芯区域的半导体晶片上的光刻图案的缺陷的系统，其中所述管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI，所述ROI包括形成光刻图案的多个特征，并且其中所述系统包括：
扫描电子显微镜SEM，所述SEM用于为每个管芯区域获取所述ROI的图像；
用于移除触及所述图像的边缘的特征的处理器；
用于对每个管芯区域的所述ROI的所述图像中的剩余特征的数量进行计数的处理器；
用于在所述多个管芯区域上印刷所述光刻图案的光刻工具，其中光刻参数在不同的管芯区域之间被改变；
用于根据所述光刻参数针对每个管芯区域确定所述ROI中的所述图像的剩余特征的数量的处理器；以及
用于基于针对每个管芯区域的所述ROI中的所述图像的所述剩余特征的数量来确定定义限制的工艺窗口的处理器，所述光刻参数能在所述限制之间改变而所述特征数量不偏离特征的目标数量。
14.根据权利要求13所述的系统，其特征在于，所述系统进一步包括光学分析工具，所述光学分析工具被配置成光学地检查所述管芯区域中的至少一些管芯区域以定位所述ROI的位置。
15.根据权利要求13所述的系统，其特征在于，所述系统进一步包括被配置成光学地检查所述管芯区域中的至少一些管芯区域以确定感兴趣的管芯的光学分析工具。
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