CN109473333B - 蚀刻机 - Google Patents

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Abstract

本申请提出了一种蚀刻机，所述蚀刻机包括蚀刻槽。所述蚀刻槽包括第一电极板；与所述第一电极板相对设置的第二电极板；围绕所述第一电极板及所述第二电极板外围设置的隔离板；以及设置于部分所述隔离板上的绝缘材料。本申请通过在部分隔离板上设置绝缘材料，提高局部区域的绝缘性，并利用高绝缘性降低所述蚀刻槽等离子体密度较高的区域，提高蚀刻机蚀刻速率的均一性。

Description

蚀刻机
技术领域
本申请涉及蚀刻装置技术领域，特别涉及一种蚀刻机。
背景技术
随着显示面板行业的发展，世代不断提高，玻璃尺寸不断增大，干法蚀刻设备的蚀刻均一性(uniformity)对产品性能起到至关重要的作用。高世代及高阶产品对残膜均一性的要求越来越高，以栅极绝缘层为例，蚀刻后的残膜均一性需要做到5％以下才能实现电性及色偏符合需求的高阶产品。
在蚀刻机的制程腔内，制程气体被解离成等离子体(plasma)，而等离子体的密度也代表着反应物的量，其均一性直接反映为蚀刻速率均一性。由于蚀刻机制程腔侧壁的影响，等离子体扩散至侧壁时被反射回来，产生耦合现象，形成驻波(standing wave)。在现有腔体尺寸和射频电源频率条件下，形成特定的等离子体形状，大部分为纺锤形。蚀刻机制程腔四周的等离子体密度高，对应的蚀刻速率快，中间区域等离子体密度低，对应的蚀刻速率慢，蚀刻速率的均一性较差。
因此，目前亟需一种蚀刻机以解决上述问题。
发明内容
本申请提供一种蚀刻机，以解决现有蚀刻机蚀刻速率均一性较差的技术问题。
为实现上述目的，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种蚀刻机，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽包括：
第一电极板；
与所述第一电极板相对设置的第二电极板；
围绕所述第一电极板及所述第二电极板外围设置的隔离板；
以及
设置于部分所述隔离板上的绝缘材料。
在本申请的蚀刻机中，所述隔离板包括第一隔离板，所述第一隔离板设置于所述第一电极板的外围；
其中，在所述第一电极板至所述第二电极板的方向上，所述第一隔离板的高度不小于所述第一电极板的高度。
在本申请的蚀刻机中，所述隔离板还包括第二隔离板，所述第二隔离板设置于所述第二电极板的外围；
其中，在所述第二电极板至所述第一电极板的方向上，所述第二隔离板的高度不小于所述第二电极板的高度。
在本申请的蚀刻机中，所述蚀刻槽还包括设置于部分所述第一隔离板及所述第二隔离板上的所述绝缘材料。
在本申请的蚀刻机中，所述蚀刻槽还包括设置于所述第一隔离板外围的导流板；
其中，在所述第一电极板至所述第二电极板的方向上，所述导流板的高度不大于所述第一隔离板的高度。
在本申请的蚀刻机中，所述蚀刻槽还包括设置于部分所述导流板上的所述绝缘材料。
在本申请的蚀刻机中，所述绝缘材料包括氧化钇。
在本申请的蚀刻机中，所述蚀刻槽还包括设置于所述隔离板外围的至少两个气孔。
在本申请的蚀刻机中，所述第一电极板为正方形、长方形中的一种；
其中，所述气孔靠近所述第一电极板的直角设置。
在本申请的蚀刻机中，所述隔离板包括陶瓷材料。
有益效果为：本申请通过在部分隔离板上设置绝缘材料，提高局部区域的绝缘性，并利用高绝缘性降低所述蚀刻槽等离子体密度较高的区域，提高蚀刻机蚀刻速率的均一性。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请蚀刻机中蚀刻槽的剖面图；
图2为本申请蚀刻机中蚀刻槽下电极板的俯视图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1所示为本申请蚀刻机中蚀刻槽的剖视。
所述蚀刻机包括蚀刻槽。所述蚀刻槽包括箱体10及设置于所述箱体10内的电极板和隔离板。
所述电极板用于提供制程腔室(即蚀刻槽)中的等离子体运动方向及能量进行控制的电磁场。
所述电极板包括第一电极板20和第二电极板30，目标基板设置于所述第一电极板20与所述第二电极板30之间，所述第一电极板20与所述第二电极板30相对设置。
所述第一电极板20为设置于所述蚀刻槽底端的下电极板，所述第二电极板30为设置于所述蚀刻槽顶端的上电极板。
在一种实施例中，所述第一电极板20为带正电的电极板，所述第二电极板30为带负电荷的电极板。
所述第一电极板20或所述第二电极板30为正方形、长方形、圆形等其他规则或不规则的多边形。
在一种实施例中，所述第一电极板20及所述第二电极板30为正方形。
所述蚀刻槽还包括隔离板。
请参阅图2，图2为本申请蚀刻机中蚀刻槽下电极板的俯视图。
所述隔离板围绕所述第一电极板20及所述第二电极板30外围设置，保护所述第一电极板20和所述第二电极板30。
所述隔离板包括第一隔离板40。所述第一隔离板40设置于所述第一电极板20的外围，以阻隔所述第一电极板20的侧边受到影响。在所述第一电极板20至所述第二电极板30的方向上，所述第一隔离板40的高度不小于所述第一电极板20的高度。
在一种实施例中，在所述第一电极板20至所述第二电极板30的方向上，所述第一隔离板40的高度与所述第一电极板20的高度相等。
所述隔离板还包括第二隔离板50。所述第二隔离板50设置于所述第二电极板30的外围，以阻隔所述第二电极板30的侧边受到影响。在所述第二电极板30至所述第一电极板20的方向上，所述第二隔离板50的高度不小于所述第二电极板30的高度；
在一种实施例中，在所述第二电极板30至所述第一电极板20的方向上，所述第二隔离板50的高度等于所述第二电极板30的高度。
在一种实施例中，所述隔离板形成回字型将所述第一电极板20包围。
所述隔离板可以为一个整体的环形将所述第一电极板20或所述第二电极板30包围。或者，也可以为四个规则的长方体将所述第一电极板20或所述第二电极板30包围，在本实施例中不做具体限制。
在一种实施例中，所述隔离板可以由陶瓷材料构成。
所述蚀刻槽还包括设置于部分所述隔离板上的绝缘材料。
所述第一隔离板40及所述第二隔离板50上的部分区域均设置有所述绝缘材料，如图2中所述第一隔离板40表面的黑色区域60为所述绝缘材料。
蚀刻槽中的等离子体对目标基板进行蚀刻，但是由于不同区域的等离子体密度不同，进而造成蚀刻不均匀的缺陷，影响目标基板的均一性，影响产品的性能。而绝缘材料的设置可以降低设置绝缘材料区域等离子体的密度，使得等离子体密度高的区域密度减小，进而提高目标基板蚀刻的均一性。
在一种实施例中，所述绝缘材料可以包括但不限定于氧化钇。
请参阅图2，所述蚀刻槽还包括设置于所述第一隔离板40外围的导流板70。在所述第一电极板20至所述第二电极板30的方向上，所述导流板70的高度不大于所述第一隔离板40的高度。
在一种实施例中，在所述第一电极板20至所述第二电极板30的方向上，所述导流板70的高度与所述第一隔离板40的高度相等。
所述蚀刻槽包括四个所述导流板70，每一所述导流板70与所述第一电极外圈的隔离板紧邻设置。当所述第一电极板20为规则的正方形时，所述导流板70为规则的长方形，靠近所述第一电极的所述导流板70的长边与所述隔离板最外圈的边界对应，相邻两所述导流板70之间留有开口。
在本申请的蚀刻机中，部分所述导流板70上还设置有所述绝缘材料，以进一步减小电极板外圈的等离子体密度。如图2中所述导流板70表面的黑色区域60为所述绝缘材料。
在本申请的蚀刻机中，所述蚀刻槽还包括设置于所述隔离板外围的至少两个气孔80，所述气孔80释放用于蚀刻的等离子体。
所述气孔80靠近所述第一电极板20的直角设置，即所述气孔80设置于相邻两所述导流板70之间的开口上。
所述蚀刻槽包括4个所述气孔80，每一所述气孔80对应一所述第一开口，所述气孔80可以为但不限定于正方形，例如所述气孔可以为圆形、椭圆形等。
等离子气体从所述气孔释放，因此所述气孔附近的等离子体的密度较其他区域，尤其是较蚀刻槽的中间区域密度大。通过在等离子体密度大的区域，熔射一层氧化钇薄膜，减小该区域的等离子体密度，提高目标基板蚀刻的均一性。
本申请提出了一种蚀刻机，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽包括第一电极板；与所述第一电极板相对设置的第二电极板；围绕所述第一电极板及所述第二电极板外围设置的隔离板；以及设置于部分所述隔离板上的绝缘材料。本申请通过在部分隔离板上设置绝缘材料，提高局部区域的绝缘性，并利用高绝缘性降低所述蚀刻槽等离子体密度较高的区域，提高蚀刻机蚀刻速率的均一性。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种蚀刻机，包括蚀刻槽，其特征在于，所述蚀刻槽包括：
第一电极板；
与所述第一电极板相对设置的第二电极板；
围绕所述第一电极板及所述第二电极板外围设置的隔离板；
设置于部分所述隔离板上的绝缘材料；
设置于所述隔离板外围的至少两个气孔，所述气孔靠近所述第一电极板的直角设置；其中，所述气孔用于释放蚀刻的等离子体；
所述隔离板包括第一隔离板，所述第一隔离板设置于所述第一电极板的外围；其中，在所述第一电极板至所述第二电极板的方向上，所述第一隔离板的高度不小于所述第一电极板的高度；
所述蚀刻槽还包括设置于所述第一隔离板外围的导流板；其中，在所述第一电极板至所述第二电极板的方向上，所述导流板的高度不大于所述第一隔离板的高度。
2.根据权利要求1所述的蚀刻机，其特征在于，所述隔离板还包括第二隔离板，所述第二隔离板设置于所述第二电极板的外围；
其中，在所述第二电极板至所述第一电极板的方向上，所述第二隔离板的高度不小于所述第二电极板的高度。
3.根据权利要求2所述的蚀刻机，其特征在于，所述蚀刻槽还包括设置于部分所述第一隔离板及所述第二隔离板上的所述绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的蚀刻机，其特征在于，所述蚀刻槽还包括设置于部分所述导流板上的所述绝缘材料。
5.根据权利要求4所述的蚀刻机，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化钇。
6.根据权利要求1所述的蚀刻机，其特征在于，所述第一电极板为正方形、长方形中的一种。
7.根据权利要求1所述的蚀刻机，其特征在于，所述隔离板包括陶瓷材料。
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