TWI741439B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本申請揭露了一種電漿處理裝置。在裝置中，在絕緣隔離環的外圍設置有可升降的導電遮蔽部件，當導電遮蔽部件處於降下狀態時，導電遮蔽部件能夠遮擋設置在處理腔室側壁上的開口，並且當其處於降下狀態時，導電遮蔽部件與第一接地環的至少一部分相對設置，且兩者之間存在間隙。如此，導電遮蔽部件和第一接地環可以形成電容。通過電容形成了導電遮蔽部件到地的射頻電流迴路，如此，耦合到導電遮蔽部件上的射頻電流主要通過第一接地環通向地，減小了設置在處理腔室側壁上的開口對處理腔室內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。

Description

電漿處理裝置
本申請關於半導體設備技術領域，尤其關於一種電漿處理裝置。
在半導體製造技術領域，經常需要對基板進行電漿處理。該對基板進行電漿處理的過程需要在電漿處理裝置內進行。該電漿裝置包含至少一處理腔室，為了實現基板的傳送，該處理腔室的側壁上設置有一用於供機械手臂傳送基板的開口。
如此，在電漿處理之前，通過位於處理腔室側壁上的開口將待處理基板傳送到電漿處理裝置的處理腔室內部的基座上，然後，向處理腔室內通入反應氣體，該反應氣體在處理腔室內部電磁場的作用下解離為電漿、自由基等能對基板進行物理作用或化學作用的粒子，從而實現對基板的電漿處理。當處理完成後，再將基板通過處理腔室側壁上的開口取出並放入新的待處理基板，如此反復進行操作。
在處理腔室內，其內部的電磁場强度能否均勻分布決定了電漿在處理腔室中能否均勻分布，從而決定待處理基板能否處理均勻，故電磁場在處理腔室內的均勻分布是決定被處理基板加工能否均勻的關鍵因素。理想情况下，所述處理腔室側壁為圓柱形，處理腔室內的電磁場均勻分布，然而，由於基板傳送的需要，處理腔室側壁上需要設置用於供機械手臂傳送基板的開口， 該開口的存在，使得射頻功率在處理腔室的圓周方向上的耦合不對稱，導致處理腔室內的電磁場分布不均勻，從而影響基板的加工均勻性，這種加工不均勻性的現象在高頻功率為主的處理製程中尤為明顯。
有鑒於此，本申請提供了一種電漿處理裝置，以提高處理腔室內的電磁場分布均勻性，從而提高基板的加工均勻性。
為了解決上述技術問題，本申請採用了如下技術方案：一種電漿處理裝置，包含：至少一個處理腔室，處理腔室的側壁上設置有開口；處理腔室內部設置有用於引入反應氣體的氣體噴淋裝置、用於承載待處理基板的基座、可升降的絕緣隔離環、可升降的導電遮蔽部件和第一接地環；絕緣隔離環用於實現處理腔室內部的電漿和處理腔室的腔壁之間的隔離；導電遮蔽部件位於絕緣隔離環的外圍；第一接地環位於基座的外圍；當導電遮蔽部件處於降下狀態時，導電遮蔽部件能夠遮擋開口，且與第一接地環的至少一部分相對設置，且與第一接地環之間存在間隙，其中導電遮蔽部件與第一接地環之間的間隙小於導電遮蔽部件與處理腔室側壁的間隙。
較佳地，導電遮蔽部件包含上下相接的第一部分和第二部分，第一部分位於第二部分的上方，第一部分的下端與絕緣隔離環下端相平，第二部分突出於絕緣隔離環下端，當導電遮蔽部件處於降下狀態時，第二部分能夠插入第一接地環與腔室側壁之間的縫隙中。
較佳地，導電遮蔽部件包含向絕緣隔離環下端折彎的折彎部；當導電遮蔽部件處於降下狀態時，折彎部與第一接地環之間的至少一部分相對設置，且折彎部與第一接地環之間存在間隙。
較佳地，用於製備導電遮蔽部件和處理腔室的側壁的材料相同。
較佳地，用於製備導電遮蔽部件和處理腔室的側壁的材料為金屬。
較佳地，導電遮蔽部件的形狀與開口的形狀構成相似圖形，且導電遮蔽部件的尺寸不小於開口的尺寸。
較佳地，導電遮蔽部件為導電遮蔽環，導電遮蔽環環繞絕緣隔離環的外圍，導電遮蔽環的高度不小於開口的高度。
較佳地，處理腔室內部還包含：位於基座和第一接地環之間的電漿約束環。
較佳地，處理腔室內部還包含：位於基座和電漿約束環之間的邊緣絕緣環，邊緣絕緣環圍繞基座。
較佳地，處理腔室內部還包含：位於邊緣絕緣環和電漿約束環之間的第二接地環，第二接地環圍繞邊緣絕緣環；其中，電漿約束環中包含至少一導電部，導電部連接在第一接地環與第二接地環之間。
較佳地，絕緣隔離環與第一接地環上下相對設置。
較佳地，氣體噴淋裝置包含安裝基板以及位於安裝基板下方的氣體噴淋頭。
相較於習知技術，本申請具有以下有益效果： 基於以上技術方案可知，本申請提供的電漿處理裝置中，在絕緣隔離環的外圍設置有可升降的導電遮蔽部件，當該導電遮蔽部件處於降下狀態時，導電遮蔽部件能夠遮擋設置在處理腔室側壁上的開口，並且當其處於降下狀態時，該導電遮蔽部件與第一接地環的至少一部分相對設置，且兩者之間存在間隙。如此，導電遮蔽部件和第一接地環可以形成電容。通過控制導電遮蔽部件和第一接地環的相對面積以及兩者之間的間隙，可以控制由導電遮蔽部件和第一接地環形成的電容容值大小，如此使得導電遮蔽部件與第一接地環的的電容容值大於導電遮蔽部件到處理腔室側壁的電容容值，如此，形成了導電遮蔽部件到地的射頻電流迴路，如此，耦合到導電遮蔽部件上的射頻電流主要通過第一接地環通向地，減小了設置在處理腔室側壁上的開口對處理腔室內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。
100、200:處理腔室
101、201:頂蓋
102、202:側壁
103、203:開口
104、204:氣體噴淋裝置
105、205:基座
106、206:絕緣隔離環
107、207:第一接地環
108、208:電漿約束環
109、209:邊緣絕緣環
110、210:第二接地環
211、501:導電遮蔽部件
1041:安裝基板
1042:氣體噴淋頭
2041:安裝基板
2042:氣體噴淋頭
2111:第一部分
2112:第二部分
5011:竪直部
5012:折彎部
C1:電容
C2:電容
C3:電容
G1:低頻射頻功率產生器
G2:高頻射頻功率產生器
GND:接地
P1:低頻匹配網路
P2:高頻匹配網路
R1:電漿電阻
RF:射頻功率
W:待處理基板
為了清楚地理解本申請的具體實施方式，下面將描述本申請具體實施方式時用到的附圖做一簡要說明。顯而易見地，這些附圖僅是本申請的部分實施例。
第1圖是本申請實施例提供的一種電漿處理裝置結構示意圖；第2圖是本申請實施例提供的另一種電漿處理裝置中的導電遮蔽環處於升起狀態時的結構示意圖；第3圖是本申請實施例提供的另一種電漿處理裝置中的導電遮蔽環處於降下狀態時的結構示意圖； 第4圖是本申請實施例提供的電漿處理裝置中的等效射頻電路結構示意圖；第5圖是本申請實施例提供的又一種電漿處理裝置中的導電遮蔽環處於降下狀態時的結構示意圖。
基於背景技術部分可知，由於處理腔室的側壁上設置有用於供機械手臂傳輸基板的開口，該開口的存在，使得射頻功率在處理腔室的圓周方向上的耦合不對稱，導致處理腔室內的電磁場分布不均勻，從而影響基板的加工均勻性，這種加工不均勻性的現象在高頻功率為主的處理製程中尤為明顯。
為了克服該開口導致的處理腔室內的電磁場分布不均勻的問題，從而提高處理腔室內的電磁場分布均勻性，從而提高基板的加工均勻性。本申請提供了一種電漿處理裝置。
該電漿處理裝置的結構示意圖如第1圖所示，其包含：一個處理腔室100，該處理腔室100包含：腔室頂蓋101和腔室側壁102，該腔室側壁102上設置有開口103，該開口103可以用於供機械手臂傳送基板；該處理腔室100內部設置有用於引入反應氣體的氣體噴淋裝置104、用於承載待處理基板W的基座105、可升降的絕緣隔離環106和第一接地環107；此外，為了實現對待處理基板的夾持、固定，基座105的上方還可以設置有靜電夾盤(第1圖中未示出)。
另外，基座105還可以作為電漿處理裝置的下電極，一般為陰極，外部射頻功率產生器(包含低頻射頻功率產生器G1和高頻射頻功率產生器G2)通 過匹配網路(低頻匹配網路P1和高頻匹配網路P2)和下電極將射頻功率饋入到處理腔室100內。
第一接地環107設置在基座105的外圍，並且在第一接地環107與腔室側壁102之間存在縫隙。作為一示例，該第一接地環107可以與絕緣隔離環106上下相對設置。
此外，作為本申請的一示例，為了實現對處理腔室內的電漿的進一步約束，該處理腔室100內部還可以包含位於基座105和第一接地環107之間的電漿約束環108。作為更具體示例，電漿約束環108上開設有大量氣孔或氣槽，使得基板上方的含有離子的氣體在經過電漿約束環後，所有離子被熄滅，只有中性氣體分子到達電漿約束環108下方的排氣區域。
作為本申請的另一示例，該處理腔室100內部還可以包含：位於基座105和電漿約束環108之間的邊緣絕緣環109。該邊緣絕緣環109用於隔離下電極中的射頻功率，使得射頻功率向上電極方向耦合形成電漿，減少射頻功率側面四周傳播。
作為本申請的另一示例，該處理腔室100內部還可以包含：位於邊緣絕緣環109和電漿約束環108之間的第二接地環110。在該示例下，電漿約束環108中包含至少一個導電部(第1圖中未示出)，該導電部連接在第一接地環107與第二接地環110之間，從而構成射頻功率的接地迴路。
第二接地環110主要用於遮蔽下電極中的射頻電場，穿過邊緣絕緣環109的射頻電場會被第二接地環110接地遮蔽。第一接地環107離下電極位置較遠，只能作為接地迴路，改變射頻電流迴路，同時，由於處於接地狀態也輔助電漿約束環更好的約束電漿。
作為本申請的又一示例，氣體噴淋裝置104可以設置於腔室頂蓋101上，其可以具體包含安裝基板1041和位於安裝基板1041下方的氣體噴淋頭1042。
需要說明，在本申請實施例中，絕緣隔離環106實現處理腔室100內部的電漿和處理腔室100的腔壁之間的隔離。該絕緣隔離環106為可升降結構，當基板需要傳送到處理腔室100內時，該絕緣隔離環106向上運動，處於升起狀態。待基板傳送到處理腔室100內後，該絕緣隔離環106向下運動，並處於降下狀態，使得電漿處理空間形成一個軸對稱的環境，使得電漿的邊界旋轉對稱。
然而，該絕緣隔離環106由絕緣材料製成，一般為石英材料，其雖然能夠在空間上約束電漿，形成一個軸對稱的電漿邊界，但是，對於射頻波的約束能力有限，頻率越高，射頻功率波穿透絕緣隔離環106的能力越强，因此，對於高頻射頻功率波來說，電漿邊界並非絕緣隔離環106，而是處理腔室側壁。但是，由於處理腔室側壁上設置有開口，無法製成軸對稱結構。如此，由於處理腔室側壁的結構，使得處理腔室內的射頻功率邊界尤其高頻電漿邊界無法形成軸對稱，這種射頻功率不對稱的分布，會造成電磁場在處理腔室內的不對稱分布，從而導致電漿在處理腔室內的不對稱分布，進而造成基板不同區域上的處理速率不同，從而影響了基板的加工均勻性。
基於此，本申請還提供了本申請提供了另一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置在可升降在的絕緣隔離環的外圍設置有一可升降的導電遮蔽隔離環，該當該導電遮蔽部件處於降下狀態時，導電遮蔽部件能夠遮擋設置在處理腔室側壁上的開口，並且當其處於降下狀態時，該導電遮蔽部件與第一接地環的至少一部分相對設置，且兩者之間存在間隙。如此，導電遮蔽部件和第一接地環可以形成電容。通過控制導電遮蔽部件和第一接地環的相對面積以及兩者 之間的間隙，可以控制由導電遮蔽部件和第一接地環形成的電容容值大小，如此使得導電遮蔽部件與第一接地環的的電容容值大於導電遮蔽部件到處理腔室側壁的電容容值，如此，形成了導電遮蔽部件到地的射頻電流迴路，如此，耦合到導電遮蔽部件上的射頻電流主要通過第一接地環通向地，減小了設置在處理腔室側壁上的開口對處理腔室內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。
為使上述實施例提供的電漿處理裝置要解決的技術問題、技術方案和技術效果更加清楚、完整，下面將集合附圖對本申請實施例提供的電漿處理裝置的具體實施方式進行詳細描述。
請參見第2圖，本申請實施例提供的一種電漿處理裝置包含：一個處理腔室200，該處理腔室200包含：腔室頂蓋201和腔室側壁202，該腔室側壁202上設置有開口203，該開口203可以用於供機械手臂傳送基板；該處理腔室200內部除了包含用於引入反應氣體的氣體噴淋裝置204、用於承載待處理基板的基座205、可升降的絕緣隔離環206、第一接地環207、電漿約束環208、邊緣絕緣環209和第二接地環210以外，還包含：可升降的導電遮蔽部件211。
需要說明，在本申請實施例中，腔室頂蓋201、腔室側壁202、開口203、用於引入反應氣體的氣體噴淋裝置204、用於承載待處理基板的基座205、可升降的絕緣隔離環206、第一接地環207、電漿約束環208、邊緣絕緣環209和第二接地環210均與上述第1圖中對應的部件結構與功能相同，為了簡要起見，本申請實施例僅對其不同之處進行詳細描述，其相似之處請參見第1圖實施例的相關描述。
下面將著重描述可升降的導電遮蔽部件211的具體實現方式。
為了遮擋開口203，使得射頻功率在處理腔室的圓周方向上實現對稱耦合，可升降的導電遮蔽部件211位於絕緣隔離環206的外圍。為了減小摩擦，該導電遮蔽部件211不與腔室側壁202接觸，兩者之間存在縫隙。需要說明，在保證導電遮蔽部件211不與腔室側壁202接觸的前提下，該兩者之間的縫隙越小越好。
在本申請實施例中，導電遮蔽部件211可以與絕緣隔離環206一起做升降運動。其中，導電遮蔽部件211可以固定連接在絕緣隔離環206上，此外，導電遮蔽部件211也可以與絕緣隔離環206由同一升降控制機構來控制，從而實現兩者的升降運動同步。
此外，在本申請實施例中，導電遮蔽部件211可以由金屬材料製成，更具體地，用於製成該導電遮蔽部件211和腔室側壁202的材料為同一材料。而腔室側壁202通常採用金屬鋁製成，所以，導電遮蔽部件211也可以採用金屬鋁製成。
在本申請實施例中，如第2圖所示，該導電遮蔽部件211包含上下相接的第一部分2111和第二部分2112，其中，第一部分2111位於第二部分2112的上方，第一部分2111的下端與絕緣隔離環206的下端相平，第二部分2112突出於絕緣隔離環206的下端。
當導電遮蔽部件211處於降下狀態時，如第3圖所示，第二部分2112能夠插入到第一接地環207與腔室側壁202的縫隙中，從而使得第二部分2112與第一接地環207的至少一部分相對，從而使得第二部分與第一接地環207之間存在表面交叠區域，而且，第二部分與第一接地環207之間也存在間隙。由於第一接地環207與導電遮蔽部件211均為導體，所以，當在兩者上施加上電壓後，第一接地環207與導電遮蔽部件211的第二部分2112之間可以形成電容結構。而且，通過控制兩者的相對面積以及間隙，可以形成容值較大的電容。其 中，導電遮蔽部件211與第一接地環207之間的間隙小於導電遮蔽部件211與腔室側壁202之間的間隙，從而使得電漿處理過程中大量射頻功率經過導電遮蔽部211-->第一接地環207-->電漿約束環208-->第二接地環210回到電接地端，構成穩定且對稱的射頻迴路。
作為示例，第4圖所示了，該電漿處理裝置中的等效射頻電路示意圖。在第4圖中，R1為電漿電阻，C1為上下電極(即氣體噴淋裝置204與基座205)之間的電容，C2為下電極(基座205)到腔室側壁202的電容，C3為導電遮蔽部件211與第一接地環207之間的電容。
本申請實施例可以通過控制第一接地環207與導電遮蔽部件211的第二部分2112之間的相對面積以及間隙，可以實現C3>>C2。因而，如此，形成了導電遮蔽部件211到地的射頻電流迴路，如此，耦合到導電遮蔽部件上的射頻電流主要通過第一接地環207通向地，減小了設置在處理腔室側壁202上的開口203對處理腔室200內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室200內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。
另外，由於電容的射頻阻抗Z=1/(jωC)，所以，本申請實施例提供的電漿處理裝置，對於高頻射頻功率(頻率>=10MHz)的遮蔽效果較為顯著。
此外，需要說明，當需要向處理腔室200內部傳送基板時，絕緣隔離環206和導電遮蔽部件211均處於升起狀態，待基板傳送到處理腔室200內部後，需要對基板進行電漿處理時，該絕緣隔離環206和導電遮蔽部件211均處於降下狀態，從而實現電漿與腔室側壁202的隔絕，而且實現電漿在處理腔室內呈軸向對稱分布，從而提高基板處理的均勻性。
以上為本申請實施例提供的一種電漿處理裝置的具體實現方式，在該具體實現方式中，當導電遮蔽環處於降下狀態時，設置於絕緣隔離環206外圍的導電遮蔽環的下端能夠插入到第一接地環207與腔室側壁202之間縫 隙中，從而實現導電遮蔽環與第一接地環207之間存在一定的相對面積，以使得兩者形成耦合電容，進而使耦合到導電遮蔽環上的射頻電流能夠通過該耦合電容流向地，從而減小了設置在處理腔室側壁202上的開口203對處理腔室200內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室200內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。
另外，在本申請實施例中，作為一示例，導電遮蔽部件211可以為位於絕緣隔離環206外圍的導電遮蔽環，該導電遮蔽環環繞在絕緣隔離環206的整個外圍區域。為了遮擋住開口，該導電遮蔽環的高度不小於開口203的高度。
作為另一示例，該導電遮蔽部件211也可以為位於絕緣隔離環206部分外圍區域的導電遮蔽片，該導電遮蔽片僅位於絕緣隔離環206朝向開口203的外圍區域上，如此，在該示例下，該導電遮蔽片的形狀和尺寸可以與開口203的形狀和尺寸均完全相同。另外，該導電遮蔽片的形狀與開口203的形狀構成相似圖形，但導電遮蔽片的尺寸大於開口203的尺寸。
另外，作為上述實施例的擴展，導電遮蔽部件還可以為底部向電漿處理裝置中心折彎，從而使得導電遮蔽部件211與第一接地環207之間存在一定的相對面積，進而使兩者之間形成電容。具體參見以下實施例。
請參見第5圖。第5圖所示的電漿處理裝置與第2圖所示的電漿處理裝置存在諸多相似之處，其不同之處，僅在於導電遮蔽部件的結構不同。為了方便起見，第5圖與第2圖相同的部件採用相同的附圖標記標識。此外，在第5圖中，導電遮蔽部件處於降下狀態。
如第5圖所示，該導電遮蔽部件501包含沿絕緣隔離環206側壁的竪直部5011以及向絕緣隔離環206下端折彎的折彎部5012。也就是說，折彎部5012包覆絕緣隔離環206下端的至少一部分，由於絕緣隔離環206與第一接地環207上下相對設置，所以，折彎部5012與第一接地環207的頂部之間存在一定大 小的相對面積。另外，當導電遮蔽部件501處於降下狀態時，折彎部5012與第一接地環207之間存在一定的間隙，如此，折彎部5012與第一接地環207之間可以形成電容。其中折彎部5012與第一接地環207之間的間隙(0.1~0.5mm)需要小於竪直部5011與腔體內壁之間的間隙(>0.5mm)，使得折彎部5012到第一接地環207之間的電容大於竪直部5011到腔體內壁之間的電容。在電漿處理過程中大量射頻功率會經過等效電容更大的折彎部5012經過第一接地環207和第二接地環210回到電接地端。該電漿處理裝置對應的等效射頻電路示意圖仍為第4圖所示。
因此，通過控制第一接地環207與導電遮蔽部件501的折彎部5012之間的相對面積以及間隙，可以實現C3>>C2。因而，如此，形成了導電遮蔽部件501到地的射頻電流迴路，如此，耦合到導電遮蔽部件上的射頻電流主要通過第一接地環207通向地，減小了設置在處理腔室側壁202上的開口203對處理腔室200內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室200內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。
以上為本申請實施例提供的電漿處理裝置的具體實現方式。在上述實現方式中，提供了導電遮蔽部件的多種結構，從而使導電遮蔽部件與第一接地環的至少一部分相對設置，且兩者之間存在間隙，從而使得導電遮蔽部件與第一接地環之間形成電容，進而使耦合到導電遮蔽部件上的射頻電流主要通過第一接地環207通向地，減小了設置在處理腔室側壁上的開口對處理腔室內部的射頻功率耦合不對稱的影響，提高了處理腔室內的電磁場分布均勻性，從而進一步提高了基板的加工均勻性。
需要說明，在本申請實施例中，導電遮蔽部件的具體結構僅是本申請實施例提供的導電遮蔽部件具體結構的示例，不應理解為本申請實施例的限定。實際上，只要能夠遮擋腔室側壁上的開口，且與所述第一接地環能夠形成電容的導電遮蔽部件均在本申請的保護範圍之列。即只要能夠遮擋腔室側壁 上的開口，且與所述第一接地環的至少一部分相對設置，且與所述第一接地環之間存在間隙的導電遮蔽部件均在本申請的保護範圍之列。
另外，在上述實施例中，電漿處理裝置中的處理腔室是以一個為例進行說明的、實際上，電漿處理裝置的處理腔室的數量不限於1個，且可以為2個、3個或者更多個。
以上為本申請實施例的具體實現方式。
100:處理腔室
101:頂蓋
102:側壁
103:開口
104:氣體噴淋裝置
105:基座
106:絕緣隔離環
107:第一接地環
108:電漿約束環
109:邊緣絕緣環
110:第二接地環
1041:安裝基板
1042:氣體噴淋頭
G1:低頻射頻功率產生器
G2:高頻射頻功率產生器
GND:接地
P1:低頻匹配網路
P2:高頻匹配網路
R1:電漿電阻
RF:射頻功率
W:待處理基板

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，其中包含：至少一個處理腔室，該處理腔室的側壁上設置有一開口；該處理腔室內部設置有用於引入反應氣體的一氣體噴淋裝置、用於承載一待處理基板的一基座、可升降的一絕緣隔離環、可升降的一導電遮蔽部件和一第一接地環；該絕緣隔離環用於實現該處理腔室內部的一電漿和該處理腔室的腔壁之間的隔離；該導電遮蔽部件位於該絕緣隔離環的外圍；該第一接地環位於該基座的外圍；當該導電遮蔽部件處於降下狀態時，該導電遮蔽部件能夠遮擋該開口，且與該第一接地環的至少一部分相對設置，且與該第一接地環之間存在間隙，其中該間隙小於該導電遮蔽部件與該處理腔室側壁的間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中該導電遮蔽部件包含上下相接的一第一部分和一第二部分，該第一部分位於該第二部分的上方，該第一部分的下端與該絕緣隔離環下端相齊平，該第二部分突出於該絕緣隔離環下端，當該導電遮蔽部件處於降下狀態時，該第二部分能夠插入該第一接地環與該處理腔室的側壁之間的縫隙中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置，其中該導電遮蔽部件包含向該絕緣隔離環下端折彎的一折彎部；當該導電遮蔽部件處於降下狀態時，該折彎部與該第一接地環 之間的至少一部分相對設置，且該折彎部與該第一接地環之間存在間隙。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電漿處理裝置，其中用於製備該導電遮蔽部件和該處理腔室的側壁的材料相同。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電漿處理裝置，其中用於製備該導電遮蔽部件和該處理腔室的側壁的材料為金屬。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電漿處理裝置，其中該導電遮蔽部件的形狀與該開口的形狀構成相似圖形，且該導電遮蔽部件的尺寸不小於該開口的尺寸。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電漿處理裝置，其中該導電遮蔽部件為一導電遮蔽環，該導電遮蔽環環繞該絕緣隔離環的外圍，該導電遮蔽環的高度不小於該開口的高度。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電漿處理裝置，其中該處理腔室內部還包含：位於該基座和該第一接地環之間的一電漿約束環。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電漿處理裝置，其中該處理腔室內部還包含：位於該基座和該電漿約束環之間的一邊緣絕緣環，該邊緣絕緣環圍繞該基座。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電漿處理裝置，其中該處理腔室內部還包含：位於該邊緣絕緣環和該電漿約束環之間的一第二接地環，該第二接地環圍繞該邊緣絕緣環； 其中，該電漿約束環中包含至少一導電部，該至少一導電部連接在該第一接地環與該第二接地環之間。
  11. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電漿處理裝置，其中該絕緣隔離環與該第一接地環上下相對設置。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之電漿處理裝置，其中該氣體噴淋裝置包含一安裝基板以及位於該安裝基板下方的一氣體噴淋頭。
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