TW201528324A - 一種電感線圈及電感耦合等離子體處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種等離子體處理裝置，包括一個氣密的反應腔，反應腔包括反應腔側壁和頂部的絕緣材料窗，反應腔內其包括一個用於支撐待處理基片的基座；絕緣材料窗上方固定有一個自屏蔽電感線圈，其特徵在於：所述自屏蔽線圈包括相互串聯的第一線圈、中間線圈和第三線圈，其中中間線圈位於第一線圈和第三線圈下方且寬度大於第一線圈或第三線圈的寬度，一個射頻電源施加射頻電場到所述自屏蔽線圈的第一線圈輸入端和第三線圈輸出端之間，其中所述第三線圈輸出端還連接有一個調平衡電路調節所述調平衡電路使所述自屏蔽線圈上形成駐波，所述中間線圈的電壓幅度小於第一線圈或第三線圈上的電壓幅度。

Description

一種電感線圈及電感耦合等離子體處理裝置

本發明涉及等離子處理設備，特別涉及一種等離子體處理裝置的電感耦合線圈。

近年來，隨著半導體製造工藝的發展，對元件的集成度和性能要求越來越高，等離子體技術（Plasma Technology）得到了極為廣泛的應用。等離子體技術通過在等離子體處理裝置的反應腔室內通入反應氣體並引入電子流，利用射頻電場使電子加速，與反應氣體發生碰撞使反應氣體發生電離而等離子體，產生的等離子體可被用於各種半導體製造工藝，例如沉積工藝(如化學氣相沉積)、刻蝕工藝(如乾式蝕刻)等。

等離子體處理設備包括常見的電容耦合型和電感耦合型等離子體處理裝置。在需要較高等離子濃度的應用場合，電感耦合型等離子處理裝置是主流，習知技術CN2907173Y和JP2008251830中傳統的電感耦合等離子反應腔包括一個腔體，腔體內下部設置有基座，基座上可以放置待處理的晶圓。反應腔頂部為絕緣材料窗，通常絕緣材料窗是由石英等陶瓷材料製成。絕緣材料窗上方設置有連接到射頻電源的射頻線圈，射頻線圈和絕緣材料窗之間通常還設置有法拉第屏蔽板。這些線圈作為天線產生射頻電磁場，其中電磁場中只有部分磁場能夠穿過法拉第屏蔽板進入反應腔內電離反應氣體形成高濃度等離子體，大部分電場均被法拉第屏蔽板屏蔽在反應腔外。如CN2907173Y說明書第五頁第二段所述，法拉第屏蔽板能夠屏蔽電感線圈向反應腔內的電容耦合，進而減少等離子對絕緣材料層的轟擊，也就減少轟擊產生的顆粒物對待處理基片的污染也提高了絕緣窗的使用壽命和可靠性。

但是這樣的反應腔結構也會帶來嚴重的問題：由於法拉第屏蔽板的存在，感應線圈上產生的電場無法進入反應腔，只有部分磁場能進入，在點燃等離子體時會造成等離子體無法可靠點燃，需要額外的裝置或者更高能功率輸入射頻線圈才能保證等離子點燃。等離子在點燃前後阻抗是會急劇變化的，從一個高阻抗的物質瞬間變成導體，而調節輸入射頻功率的匹配器需要機械結構來調節阻抗匹配，只能達到秒級，所以匹配器的反應速度遠遠趕不是點燃瞬間的阻抗變化情況，因此為了點燃等離子而施加的額外功率會錯誤的施加到反應腔中一段時間，在這段時間中過高的功率會對反應腔內的部件或者待加工的晶圓造成不利的影響。同時由於法拉第屏蔽板的存在造成只有部分射頻磁場能夠進入反應腔中激發反應氣體形成等離子體，部分射頻能量被浪費了，大幅度降低了電能的使用效率。所以業界需要一種既能夠減小感應線圈對反應腔的電容耦合同時又不會降低感應線圈中磁場能量饋入反應腔的效率，還能實現穩定的點燃等離子的技術方案。

本發明的主要目的在於克服習知技術的缺陷，提供一種能夠減小感應線圈對反應腔的電容耦合同時又不會降低感應線圈中磁場能量饋入反應腔的效率的技術方案。

本發明提供一種電感耦合等離子體處理裝置，包括：一個氣密的反應腔，反應腔包括反應腔側壁和頂部的絕緣材料窗，反應腔內其包括一個用於支撐待處理基片的基座；絕緣材料窗上方固定有一個電感線圈，所述電感線圈連接到一個射頻電源；其特徵在於：所述電感線圈包括第一線圈、第三線圈和一個中間線圈，所述第一線圈包括一個第一端連接到所述射頻電源，還包括一個第二端連接到中間線圈第一端；中間線圈還包括一個第二端連接到所述第三線圈第一端；第三線圈還包括一個第二端連接到接地端，其中第一和第三線圈互相平行且位於中間線圈上方，第一和第三線圈的投影在中間線圈上。絕緣材料窗上方還可以包括第二電感線圈圍繞在所述電感線圈外或者在所述電感線圈內。

優選的，所述第三線圈的第二端通過一個調平衡電路連接到所述接地端。所述調節所述調平衡電路使所述線圈上形成駐波，所述駐波的電壓分佈是第一線圈上任意一點的與第三線圈上相對應位置點的電壓極性相反幅度相同而且所述中間線圈的電壓幅度小於第一和第三線圈的電壓幅度。

其中第一線圈的第二端通過第一連接部（12）連接到下方的中間線圈，中間線圈第二端通過通過第二連接部（23）連接到上方的第三線圈，中間線圈上的第一連接部和第二連接部之間還包括一個開口使第一連接部和第二連接部互相隔離。本發明所述第一線圈、中間線圈或第三線圈的長度和小於射頻電源信號3倍半波長，優選的小於等於於射頻電源信號半波長。

本發明還提供一種電感耦合等離子體處理裝置的第二實施例，包括：一個氣密的反應腔，反應腔包括反應腔側壁和頂部的絕緣材料窗，反應腔內其包括一個用於支撐待處理基片的基座；絕緣材料窗上方固定有一個自屏蔽電感線圈，其特徵在於：所述自屏蔽電感線圈包括相互串聯的第一線圈、中間線圈和第三線圈，其中中間線圈位於第一線圈和第三線圈下方且寬度大於第一線圈或第三線圈的寬度，一個射頻電源施加射頻電場到所述自屏蔽電感線圈的第一線圈輸入端和第三線圈輸出端之間，其中所述第三線圈輸出端還連接有一個調平衡電路調節所述調平衡電路使所述自屏蔽電感線圈上形成駐波，所述中間線圈的電壓幅度小於第一線圈或第三線圈上的電壓幅度。所述射頻電源的頻率大於13Mhz，如13.56MHz、27MHz等。

可選的，所述第一和第三線圈向下投影位於中間線圈上，使中間線圈屏蔽第一線圈和第三線圈上的電壓形成的電場。

可選的，還包括一個法拉第屏蔽板位於所述自屏蔽線圈和絕緣材料窗之間，所述第一和第三線圈的向下投影位於所述法拉第屏蔽板上。

可選的，絕緣材料窗上方還包括第二感應線圈圍繞在所述自屏蔽線圈外或者在所述自屏蔽線圈內。本發明還提供一種用於電感耦合等離子體處理裝置的電感線圈，包括：第一線圈、第三線圈和一個中間線圈，第一線圈和第三線圈位於所述中間線圈上方；所述第一線圈包括一個第一端，和一個第二端，所述第一線圈的第二端連接到下方中間線圈第一端，中間線圈還包括一個第二端連接到所述第三線圈第一端，第三線圈還包括一個第二端，中間線圈寬度大於第一或第三線圈，且第一和第三線圈向下的投影在中間線圈上。其中第一線圈和第三線圈之間存在間隙，且第一線圈圍繞第三線圈。其中所述第一線圈和第二線圈之間的間隙位於所述中間線圈的垂直上方。

其中所述中間線圈構成一個閉合回路，所述第一線圈和第三線圈與中間線圈具有相同的形狀。

其中所述第一線圈通過一個第一連接部連接到中間線圈第一端，第三線圈通過一個第二連接部連接到中間線圈第二端，中間線圈的第一端和第二端之間存在一個互相隔離的間隙。

為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明並不局限於該具體實施例，本領域中具有通常知識者所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。

圖1~圖5顯示了本發明的等離子處理裝置的多個實施方式。應該理解，本發明中的等離子體處理裝置可以為等離子體刻蝕、等離子體物理汽相沉積、等離子體化學氣相沉積、等離子體表面清洗等裝置，等離子體處理裝置僅僅是示例性的，其可以包括更少或更多的組成元件，或該組成元件的安排可能與圖中所示相同或不同。

實施例1

請參見圖1，其所示為本發明電感線圈結構示意圖。本發明電感線圈包括第一線圈10，通過射頻輸入連接部100連接到射頻電源或其它外部電路。本發明電感線圈還包括一個中間線圈20位於第一線圈10下方，中間線圈10呈平板型，其寬度大於第一線圈10。第一線圈10構成一個圓環，一端為連接部100，另一端通過一個向下的第一中間連接部12連接到中間線圈20。中間線圈10構成一個圓環，一端為第一連接部12，另一端為第二中間連接部32。第二中間連接部32從中間線圈20表面向上延伸連接到一個第三線圈30。第三線圈30呈環型，第一端為第二中間連接部32，另一端通過射頻輸出連接部300連接到第二射頻電源或者其它外部電路。同時參考圖2所示的本發明射頻線圈俯視圖，圖中第一線圈10和第三線圈30位於中間線圈20上方，且第一線圈10和第三線圈30的投影位於中間線圈20內。中間線圈20在第一中間連接部12和第二中間連接部32之間還設置有一個開口21，通過該開口21使第一中間連接部12和第二中間連接部32之間互相隔離。本發明第一線圈10、中間線圈20、第三線圈30具有相同的沿展方向（順時針或逆時針），在施加射頻電源到第一線圈10輸入端時在線圈上產生同方向的電流。

圖3所示為本發明在線圈不同長度位置處的電壓幅度分佈示意圖。在兩個同頻率射頻電源分別通入射頻輸入連接部100和連接部300或者一個射頻電源連接到連接部100，在連接部300到接地端之間設置一個調節電路控制反射的射頻功率，這兩種方法均會在本發明第一線圈10、中間線圈20、第三線圈30上形成駐波。駐波的波長與射頻電源的頻率有關，在等離子刻蝕領域典型的射頻電源頻率為13Mhz，對應的波長為23多米，其它如27Mhz，或者60Mhz對應的波長為小於10米。下面以射頻電源的頻率是13Mhz為例來說明本發明的線圈結構，第一線圈10，中間線圈20和第三線圈30的總長度小於等於半波長也就是11.5米，此時通過調節線圈平衡可以獲得如圖3所示的駐波分佈。第一線圈10上的電壓幅度分佈V10是從最高電壓幅度Va逐漸降低到中間電壓，中間線圈上的電壓V20為正向的中間幅度電壓到反向的中間幅度電壓，第三線圈30上的電壓幅度分佈V30為反向的中間幅度電壓到反向的高電壓幅度-Va。在線圈的任意位置處的實際電壓值是以上述曲線為電壓幅值的高頻交流電壓，比如在連接部100處的電壓為輸入電壓的最高幅度，並以13Mhz的頻率在Va和-Va之間交替變換。第一中間連接部12的電壓是在Va/2和-Va/2之間變換，同時流過的電流為I12,同樣的流過第二連接部32的電流為I32。

從圖3中所示的駐波電壓幅度可知，在第一線圈10和第三線圈30對應位置處，比如第一線圈10任意一點X1離第三線圈30上最近的點X3上的電壓正好是方向相反電壓幅度相同的，所以這兩個點就形成了偶極電場，對外部的電場強度比如下方的反應腔內施加的電場就是這兩個點之間的合成電場。由於這兩點的電壓極性相反幅度相同，所以這個合成電場非常小，接近與零。由於整個線圈的第一線圈10和第三線圈30上包括無數個這樣一一對應的X1、X3點，所以這兩個線圈形成的綜合的電場也不會對反應腔內產生很大的影響。這種偶極電場可以明顯的減弱遠端的合成電場，但是對於第一線圈10和第三線圈30之間的電場減弱不明顯，比如對於第一線圈10、第三線圈30之間正下方反應腔頂部的電場。設置在第一線圈10、第三線圈30下方的中間線圈20由於具有足夠的寬度能夠遮擋在第一線圈10、第三線圈30和下方絕緣材料窗之間，所以能夠屏蔽上方第一線圈10和第三線圈30之間產生的合成電場，進一步減小線圈整體對下方電場的影響。

本發明線圈的第一線圈10和第三線圈30產生的電場在正下方基本被屏蔽，而遠端的合成電場幅度非常小可以忽略不計，只有下方中間線圈20本身產生的電場無法屏蔽。由於本發明線圈的特殊設計和調整使得中間線圈20上的電壓駐波V20的幅度很小，最大也不到最高幅值Va的一半，大部分區域電壓接近於零所以也不會對下方反應腔造成較大影響。通過本發明線圈的設計大幅度減小了感應線圈對反應腔內等離子體的電場耦合效果，所以傳統的法拉第屏蔽板可以省略或者簡化，比如可以選擇導體板上具有更大面積的通孔或者槽，容許更多磁場穿透入反應腔，同時也不會造成反應腔頂部絕緣材料窗的過度損耗。

如圖4所示為本發明線圈在A處的截面圖，圖4a為圖1、圖2所示的本發明第一實施例的截面圖，圖4b和圖4c為本發明第二第三實施例的截面圖，圖4b中第一線圈10位置高於第三線圈30，由於兩個線圈間的電壓關係仍然是極性相反幅度相同所以能夠形成偶極電場，所以仍然能夠實現本發明目的。圖4c中與圖4b類似，第三線圈30與第一線圈10不僅高度不同而且存在部分交疊，同樣由於這樣的線圈排布仍然能夠形成偶極電場所以仍能實現本發明目的，當然由於兩個線圈離反應腔頂部距離不同所以離反應腔頂部較近的第一線圈10會起更大作用，所以線圈產生耦合到反應腔的電場較第一實施例略大，但是仍然遠小於習知技術中傳統線圈耦合到反應腔的電場數值。

中間線圈20的寬度大於第一線圈10、第三線圈30中任意一個的寬度，或者大於兩者的和，這樣能夠更有效的屏蔽兩者產生的電場。根據本發明原理，第一線圈10、第三線圈30之間的電壓差距很大，而且兩者之間距離很近，所以兩者之間的電場很強，如果沒有中間線圈20屏蔽的話仍然會在反應腔內產生較大的耦合電場，影響等離子的能量，縮短絕緣材料窗的壽命。

本發明線圈圖形如第1至3實施例所示多個線圈構成環型外，也可以如圖5所示的第4實施例的俯視圖，線圈構成半圓形，設置兩組本發明第4實施例所示的線圈在反應腔頂部以激發反應腔內的氣體形成等離子體。也可以是其它任意形狀的，如適應方形的反應腔或基板的需要選擇方形的線圈，或者選用多個扇形圖形的線圈構成圓形的線圈組。只要是能構成完整回路的任意形狀的線圈，線圈上能形成偶極電場的，均屬於本發明可實施例。

圖6所示為應用了本發明電感耦合線圈的等離子處理裝置，該等離子處理裝置包括反應腔側壁210，反應腔頂部包括一個絕緣材料窗211，反應腔內下方包括一個基座200，基座上放置有待處理的基片。絕緣材料窗211或者側壁210上還設有氣體供應裝置（圖中未示出）如氣體噴頭等。絕緣材料窗211上設置有本發明第一線圈10，第三線圈30和中間線圈20，第一線圈10和第三線圈30分別通過連接部100和300連接到一個射頻電源和一個接地端。其中連接部300和接地端之間還連接有一個調平衡電路220，調平衡電路220可以是一個可變電容，通過調節該電容的容值可以調節流入線圈的射頻能量和從電容反射回線圈的功率或相位，最終獲得穩定的駐波。圖6中線圈安裝在絕緣材料窗211上方，由於本發明線圈具有自屏蔽電場的功能，所以絕緣材料窗211和線圈組之間可以不設習知技術中需要的法拉第屏蔽板。當然本發明仍有如圖3中V20段所示的少量電場會進入反應腔，在部分對電場屏蔽要求特別苛刻的場合，為了取得最佳的屏蔽效果，可以設置部分屏蔽板在本發明線圈和絕緣材料窗211之間，該部分屏蔽板，由於採用本發明線圈後僅需屏蔽圖3中中間線圈對應的少量的電場，所以可以只在本發明線圈下方局部位置設置導電的接地板，無需在絕緣材料窗211上方絕大部分面積覆蓋導電接地板，僅留少量面積的孔或槽供磁場通過。在設置有法拉第屏蔽板的情況下，本發明的中間線圈20寬度也可以減小到與上方的第一線圈10或第三線圈30相類似的寬度。需要更好屏蔽效果時可以選擇更寬的法拉第屏蔽板屏蔽第一線圈10、第三線圈30下方更寬的環狀區域。由於第一線圈10、第三線圈30上的偶極電場存在，所以對於其它部位可以不用進行更嚴格的屏蔽。所以即使採用本發明線圈時仍需設置法拉第屏蔽板也不會像習知技術採用法拉第屏蔽板那樣會影響點火的穩定性。本發明第一線圈10、第三線圈30如上述實施例中所述的在線圈所有圓周角度上具有相同的間隙，也就是兩個線圈相互平行，也可以在部分區域不存在不同的間隙，以抵消下方部分區域的不均一性，最終取得最均一的等離子處理效果。

本發明線圈的長度最佳地是第一線圈10，中間線圈20和第三線圈30的總長度少於輸入射頻信號的半波長，如果線圈總長度大於半波長，會造成如圖3所示的不能屏蔽的中間線圈的部分V20段的電壓會相應的向兩端擴展，所以在頻率不變的情況下線圈越長則屏蔽效果越差。當線圈總長超過半波長的3倍時，中間不能屏蔽部分電壓達到最大，與習知技術完全沒有屏蔽的效果一樣，必須採用法拉第屏蔽板配合使用才具有工業可利用性。如果線圈總長小於半波長,中間的不能屏蔽部分也會相應縮小，所以本發明效果越明顯。綜合以上結果，本發明線圈總長小於3倍半波長時就能取得縮小感應線圈電容耦合的效果，均屬於本發明範圍。

當然，如果採用更高頻率的射頻電源如27Mhz，此時半波長縮短一半，相應的可採用的線圈尺寸範圍也會縮小。

本發明等離子反應腔除了如圖6所示採用一組本發明線圈以外還可以添加其它線圈圍繞本發明線圈週邊或者在本發明線圈第一線圈組內側。其它線圈可以是習知技術的漸開線或者多個圓環組成的線圈，也可以是上述本發明實施例的線圈。

雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然所述諸多實施例僅為了便於說明而舉例而已，並非用以限定本發明，本領域中具有通常知識者在不脫離本發明精神和範圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發明所主張的保護範圍應以申請專利範圍所述為準。

100、300‧‧‧連接部
10‧‧‧第一線圈
12‧‧‧第一中間連接部
20‧‧‧中間線圈
21‧‧‧開口
30‧‧‧第三線圈
32‧‧‧第二中間連接部
200‧‧‧基座
210‧‧‧反應腔側壁
211‧‧‧絕緣材料窗
220‧‧‧調平衡電路
X1、X2、X3‧‧‧點

［圖1］為本發明射頻線圈結構示意圖； ［圖2］為本發明射頻線圈俯視圖； ［圖3］為本發明在線圈不同長度位置處的電壓幅度分佈示意圖； ［圖4a］為圖2中本發明等離子體處理裝置A處的射頻線圈截面圖； ［圖4b］為本發明第二實施例射頻線圈截面圖； ［圖4c］為本發明第三實施例射頻線圈截面圖； ［圖5］為本發明第四實施例射頻線圈俯視圖； ［圖6］為應用本發明射頻線圈後的等離子處理裝置示意圖。

100、300‧‧‧連接部

10‧‧‧第一線圈

12‧‧‧第一中間連接部

20‧‧‧中間線圈

30‧‧‧第三線圈

32‧‧‧第二中間連接部

200‧‧‧基座

210‧‧‧反應腔側壁

211‧‧‧絕緣材料窗

220‧‧‧調平衡電路

Claims (18)

1. 一種電感耦合等離子體處理裝置，包括： 一個氣密的反應腔，反應腔包括反應腔側壁和頂部的絕緣材料窗，反應腔內其包括一個用於支撐待處理基片的基座； 絕緣材料窗上方固定有一個電感線圈，所述電感線圈連接到一個射頻電源；其中， 所述電感線圈包括第一線圈、第三線圈和一個中間線圈， 所述第一線圈包括一個第一端連接到所述射頻電源，還包括一個第二端連接到中間線圈第一端；中間線圈還包括一個第二端連接到所述第三線圈第一端； 第三線圈還包括一個第二端連接到接地端， 其中第一線圈和第三線圈之間存在間隙且位於中間線圈上方，第一線圈和第三線圈的投影在中間線圈上。
2. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中所述第三線圈的第二端通過一個調平衡電路連接到所述接地端。
3. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中所述第一線圈的第二端通過第一連接部（12）連接到下方的中間線圈，中間線圈第二端通過通過第二連接部（23）連接到上方的第三線圈，中間線圈上的第一連接部和第二連接部之間還包括一個開口使第一連接部和第二連接部互相隔離。
4. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中絕緣材料窗上方還包括第二電感線圈圍繞在所述電感線圈外或者在所述電感線圈內。
5. 如請求項2所述的等離子體處理裝置，其中所述調節所述調平衡電路使所述線圈上形成駐波，所述駐波的電壓分佈使第一線圈上任意一點的與第三線圈上相對應位置點的電壓極性相反幅度相同。
6. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中所述第一線圈、中間線圈或第三線圈的長度和小於射頻電源信號的3倍半波長長度。
7. 如請求項2所述的等離子體處理裝置，其中所述中間線圈的電壓幅度小於第一線圈和第三線圈的電壓幅度。
8. 一種電感耦合等離子體處理裝置，包括： 一個氣密的反應腔，反應腔包括反應腔側壁和頂部的絕緣材料窗，反應腔內其包括一個用於支撐待處理基片的基座； 絕緣材料窗上方固定有一個自屏蔽電感線圈，其中 所述自屏蔽電感線圈包括相互串聯的第一線圈、中間線圈和第三線圈，其中中間線圈位於第一線圈和第三線圈下方且寬度大於第一線圈或第三線圈的寬度，一個射頻電源施加射頻電場到所述自屏蔽線圈的第一線圈輸入端和第三線圈輸出端之間，其中所述第三線圈輸出端還連接有一個調平衡電路， 調節所述調平衡電路使所述自屏蔽線圈上形成駐波，所述中間線圈的電壓幅度小於第一線圈或第三線圈上的電壓幅度。
9. 如請求項8所述的等離子體處理裝置，其中所述第一和第三線圈向下投影位於中間線圈上，使中間線圈屏蔽第一線圈和第三線圈上的電壓形成的電場。
10. 如請求項8所述的等離子體處理裝置，其中還包括一個法拉第屏蔽板位於所述自屏蔽線圈和絕緣材料窗之間，所述第一和第三線圈的向下投影位於所述法拉第屏蔽板上。
11. 如請求項8所述的等離子體處理裝置，其中所述絕緣材料窗上方還包括第二感應線圈圍繞在所述自屏蔽電感線圈外或者在所述自屏蔽電感線圈內。
12. 如請求項8所述的等離子體處理裝置，其中所述射頻電源的頻率大於13Mhz。
13. 一種用於電感耦合等離子體處理裝置的電感線圈，包括： 第一線圈、第三線圈和一個中間線圈，第一線圈和第三線圈位於所述中間線圈上方； 所述第一線圈包括一個第一端，和一個第二端，所述第一線圈的第二端連接到下方中間線圈的第一端，中間線圈還包括一個第二端連接到所述第三線圈第一端，第三線圈還包括一個第二端， 所述中間線圈寬度大於第一線圈或第三線圈，且第一線圈和第三線圈向下的投影位於中間線圈上。
14. 如請求項13所述的電感線圈，其中第一線圈和第三線圈之間存在間隙，且第一線圈圍繞第三線圈。
15. 如請求項13所述的電感線圈，其中所述中間線圈構成一個閉合回路，所述第一線圈和第三線圈與中間線圈具有相同的形狀。
16. 如請求項13所述的電感線圈，其中所述第一線圈通過一個第一連接部連接到中間線圈第一端，第三線圈通過一個第二連接部連接到中間線圈第二端，中間線圈的第一端和第二端之間存在一個互相隔離的間隙。
17. 如請求項14所述的電感線圈，其中所述第一線圈和第二線圈之間的間隙位於所述中間線圈的上方。
18. 如請求項13所述的電感線圈，其中第一線圈、中間線圈、第三線圈沿相同的方向延展，所述方向選自順時針和逆時針。