JP6279544B2

JP6279544B2 - プラズマ処理システムにおいてｒｆ電流路を選択的に修正するための方法及び装置

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Publication number: JP6279544B2
Application number: JP2015501745A
Authority: JP
Inventors: ナム・サン・キ; ディンドサ・ラジンダー; マラクタノフ・アレクセイ
Original assignee: Lam Research Corp
Current assignee: Lam Research Corp
Priority date: 2012-03-19
Filing date: 2013-03-13
Publication date: 2018-02-14
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Description

基板を処理して電子デバイスを形成するために、長きにわたってプラズマが用いられてきた。例えば、プラズマ強化式のエッチングは、集積回路の製造において半導体ウエハを処理してダイを形成するために、又はフラットパネルを処理して携帯型モバイル機器、薄型テレビ、コンピュータディスプレイなどのデバイスのためのフラットパネルディスプレイを形成するために、長きにわたって用いられてきた。

議論を促すために示す図１は、上部電極１０２と、処理のために上にウエハ１０６が配されてよい下部電極１０４と、を有する代表的な容量結合型プラズマ処理システムを示している。下部電極１０４は、通常は、チャンバ壁１０８を示されたプラズマチャンバの内部に配される。上部電極１０２と下部電極１０４との間でウエハ１０６よりも上方の領域は、プラズマ発生領域として知られ、図１の例では、参照番号１１０で記されている。通常は、複数の密閉リング１１２があり、これらは、ウエハ１０６を処理するためのプラズマを特徴付ける及び密閉するために下部電極１０４の上方で下部電極１０４の周囲に配された実質的に同心円状のリングである。これらの構成要素は、従来からあり、ここではこれ以上は詳述されない。

ウエハ１０６を処理するために、プロセスガスがプラズマ発生領域１１０に導入されて、ウエハ１０６を処理するためのプラズマがプラズマ発生領域１１０内に発生する及び維持されることを促すために、上部電極１０２及び下部電極１０４の一方又は両方にＲＦエネルギが供給される。図１の例では、プラズマを発生させるためのセットアップの例として、通電された下部電極と、接地された上部電極とが用いられているが、このセットアップは、必須要件ではなく、例えば、両電極に複数のＲＦ信号が提供されてもよい。ＲＦエネルギは、通常は導電性の棒であるＲＦ導体１２２を通じてＲＦ電源１２０から下部電極１０４に供給される。ＲＦ供給路は、ＲＦエネルギがプラズマ発生領域１１０内のプラズマと結合することを可能にするために、図１の切断図では、矢印１３４Ａ及び１３４Ｂの方向をたどる。図１の例では、ＲＦ電流は、矢印１４０及び１４２の方向をたどって大地に帰還する。繰り返し述べるが、これらのメカニズムは、既知であり、プラズマ処理の分野に従来からあるものであり、当業者にとって周知である。

理想的な状態では、ＲＦ供給電流（矢印１３４Ａ及び１３４Ｂによって描出されている）及びＲＦ帰還電流（矢印１４０及び１４２によって描出されている）は、チャンバを囲んで方位角方向に対称的である。言い換えると、基準となる方位をウエハ表面上に与えられたときに、理想的な状態では、ウエハ表面上における基準半径からいずれの角度θにおいてもＲＦ供給電流及びＲＦ帰還電流が対称的だと考えられる。しかしながら、チャンバの構成及びその他の処理上の現実に起因する実際的な制限は、チャンバにおいて非対称性をもたらすかもしれず、これは、ウエハ１０６上における処理結果の、方位角方向における均一性（以下、方位均一性と呼ぶ）に影響を及ぼす。

詳述すると、例えばチャンバの構成要素がチャンバの中心に対して（チャンバの上から見て）対称的でないときは、チャンバの構成要素のこの非対称性は、ＲＦ磁束、圧力、プラズマ密度、ＲＦ供給電流、又はＲＦ帰還電流に影響を及ぼし、したがって、プロセスの、方位角方向における不均一性（以下、方位不均一性と呼ぶ）は、結果として、処理されたウエハ上における処理結果を不均一にしかねない。

図２Ａは、結果的にウエハ表面上における処理結果の方位均一性に影響を及ぼすだろうチャンバ内の構成要素の対称性及び／又はチャンバの中心に対するウエハの対称性に作用する様々な要因を図示している。図２Ａに関しては、チャンバ２００の上面図が示されている。チャンバ壁２０２が示され、その中に下部電極２０４が配されている。ウエハ２０６が、下部電極２０４に相対的に僅かに中心を外して配され多状態で示されている。したがって、処理の中心が、基板の中心からずれており、これは、基板２０６上における処理結果の方位不均一性をもたらす。

別の例として、下部電極２０４がチャンバ２００の中心からずれていることもあり、これは、もしウエハ２０６が下部電極２０４上において正しく中心を合わされていたとしても、非対称性、及び処理結果の方位不均一性をもたらすだろう。下部電極２０４は、接地されたチャンバ壁２０２に相対的に帯電されるので、下部電極２０４の辺縁における下部電極２０４の縁とチャンバ壁２０２との間の距離の相違は、帯電された下部電極と、接地されたチャンバ壁との間に寄生結合のばらつきをもたらし、これは、ひいてはウエハ２０６上の様々な場所におけるプラズマ密度に影響を及ぼし、そうして、方位不均一性をもたらすだろう。

更に、ＲＦ供給導体（図１の１２２）がチャンバの囲いに対してずれていることもあり、これも、やはり、ＲＦ導体と、接地されたチャンバ壁との間に寄生結合のばらつきをもたらし、そうして、ウエハ上における処理結果の方位均一性に影響を及ぼすだろう。尚も更に、チャンバ２０２の内部において下部電極２０４を支えるカンチレバーアーム２０８などの特定の機械的構成要素の存在は、下部電極の底部に向かって排出されるために下部電極の辺縁においてプラズマ発生領域から流れるのが一般的である排出ガス流（図１の１５０及び１５２）の妨げとなる。カンチレバーアームの存在ゆえのガス流の妨げは、レバーアームの領域における局所的な圧力に影響を及ぼし、そうして、プラズマ密度に、及びひいては処理結果の方位均一性に作用するだろう。方位均一性に作用する尚も更に別の要因は、チャンバ２００の片側のみに存在するウエハ装填口２１０の存在である。

図２Ｂは、チャンバ設計に固有な或る種の特性も非対称性をもたらすこと、及びそれゆえに処理結果の方位均一性に作用することを示すための、チャンバの側面図である。例えば、下部電極２０４の一方の側２５２は、ガス供給口や冷却剤管などの構成要素を備えているかもしれず、これらの構成要素は、下部電極２０４の表面に沿って流れる電流に示されるインダクタンスを変化させる。これらの構成要素のなかには、下部電極２０４のもう一方の側２５４には存在しないものがある。したがって、下部電極２０４上に座しているウエハの一方の側は、ウエハのもう一方の側とは異なる処理結果に見舞われるかもしれず、これは、やはり、方位不均一性をもたらすだろう。更に、ＲＦ供給及び／又はＲＦ排出の電流路が矢印２２０の方向における迂回路供給であるという事実は、ＲＦ帰還電流が電源に帰還するための方位角方向の経路の長さが、そのＲＦ帰還電流が内側経路２２２で測られるか又は外側経路２２４で測られるかに応じて異なることを意味する。

ＲＦ帰還路の長さの相違は、帰還路に沿ってインダクタンスを異ならせ、これは、帰還路のインピーダンスにも影響を及ぼす。これらのばらつきは、したがって、非対称性、及び処理結果の方位不均一性を生じる。

処理要件が比較的自由である（例えば、デバイスのサイズが大きい及び／又はデバイスの密度が低い）ときは、方位不均一性は、あまり問題にならない。デバイスのサイズが小さくなるにつれて、及びデバイスの密度が増すにつれて、半径方向（ウエハの中心から縁にかけて）のみならず、ウエハ表面上における基準の半径Ｒから任意の角度θにおける方位角方向にも均一性を維持することが重要になる。例えば、近頃の顧客のなかには、方位不均一性が１％の又は１％よりも更に低い閾値であることを要求するものもいる。したがって、プラズマ処理チャンバにおける処理結果の方位不均一性を管理するための、改善された方法及び装置が望まれている。

本発明は、一実施形態において、ＲＦ電源と、導電性部分を有する下部電極と、を含むプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムに関する。プラズマ処理チャンバは、また、ＲＦ電源と導電性部分との間でＲＦ電流路内に配された絶縁性の構成要素も含む。プラズマ処理チャンバは、更に、絶縁性構成要素内に配された複数のＲＦ経路修正部を含み、該複数のＲＦ経路修正部は、絶縁性構成要素の中心から引かれた基準角度に対してそれぞれ異なる角度位置に配され、したがって、複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第１のＲＦ経路修正部は、導電性部分に電気的に接続され、複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第２のＲＦ経路修正部は、導電性部分に電気的に接続されていない。

別の一実施形態において、本発明は、プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおける方位不均一性を補償するための方法に関する。方法は、チャンバに関係付けられた少なくとも１つのセンサを使用して、方位不均一性の兆候を測定することを含む。方法は、また、測定を受けて、複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第１のＲＦ経路修正部のインピーダンス値を第１のインピーダンス値に調整することによって、調整を行うことも含み、それによって、調整後は、少なくとも、複数のＲＦ経路修正部の第２のＲＦ経路修正部の第２のインピーダンス値が、第１のインピーダンス値と異なり、複数のＲＦ経路修正部は、プラズマ処理チャンバ内におけるＲＦ電流源と下部電極の導電性部分との間のＲＦ電流路内に配された絶縁性部分内に配される。

本発明は、添付の図面のなかで、限定的なものではなく例示的なものとして示され、図中、類似の参照符号は、同様の要素を指すものとする。

本発明の一実施形態にしたがって、上部電極と、処理のために上にウエハが配されてよい下部電極と、を有する代表的な容量結合型プラズマ処理システムを示した図である。

本発明の一実施形態にしたがって、ひいてはウエハ表面上における処理結果の方位均一性に影響を及ぼすだろうチャンバ内の構成要素の対称性及び／又はチャンバの中心に対するウエハの対称性に作用する様々な要因を示した図である。

本発明の一実施形態にしたがって、チャンバ設計に固有な或る種の特性も非対称性をもたらすこと、及びそれゆえに処理結果の方位均一性に作用することを示すための、チャンバの側面を示した図である。

本発明の一実施形態にしたがって、インピーダンスデバイスを実装された複数の接地ストラップを示した図である。

本発明の実施形態にしたがって、方位不均一性に対処するために接地ストラップにおける電流を修正する様々なやり方を示した図である。本発明の実施形態にしたがって、方位不均一性に対処するために接地ストラップにおける電流を修正する様々なやり方を示した図である。本発明の実施形態にしたがって、方位不均一性に対処するために接地ストラップにおける電流を修正する様々なやり方を示した図である。本発明の実施形態にしたがって、方位不均一性に対処するために接地ストラップにおける電流を修正する様々なやり方を示した図である。本発明の実施形態にしたがって、方位不均一性に対処するために接地ストラップにおける電流を修正する様々なやり方を示した図である。

１つ以上の実施形態にしたがって、方位不均一性の問題に対処するためのｉｎ−ｓｉｔｕ補償の段階を示した図である。

一実施形態にしたがって、方位角方向にＲＦ供給電流を調節するための構成を示した図である。

一実施形態にしたがって、周囲に導電性プラグを配された絶縁体リングを示した切断上面図である。

一実施形態にしたがって、方位角方向にＲＦ供給電流を調節するための別の構成を示した図である。

次に、添付の図面に示されるような幾つかの実施形態に言及しながら、本発明の詳細な説明がなされる。以下の説明では、本発明の完全な理解を与えるために、数々の具体的詳細が述べられている。しかしながら、当業者ならば、本発明が、これらの詳細の一部または全部を伴わずとも実施されえることが明らかである。また、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセス段階及び／又は構造の詳細な説明は省かれている。

以下では、方法及び技術を含む様々な実施形態が説明される。本発明は、発明技術の実施形態を実行に移すためのコンピュータ読み取り可能命令を記憶されたコンピュータ読み取り可能媒体を含む製造物も範囲に含みえることを、念頭に置かれるべきである。コンピュータ読み取り可能媒体としては、例えば、コンピュータ読み取り可能コードを記憶するための、半導体、磁気、光磁気、光、又はその他の形態のコンピュータ読み取り可能媒体が挙げられる。更に、本発明は、本発明の実施形態を実施するための装置も範囲に含んでいてよい。このような装置は、本発明の実施形態に関わるタスクを実行に移すための、専用の及び／又はプログラム可能な回路を含んでいてよい。このような装置の例には、適切にプログラムされた汎用コンピュータ及び／又は専用の計算機器があり、様々に適応されたコンピュータや計算機器と専用の、あるいはプログラム可能な回路との組み合わせも含まれる。

本発明の実施形態にしたがって、プラズマ処理チャンバにおける内在する又は予期可能な非対称性及び／又は方位不均一性を補償するための、方法と装置とが提供される。１つ以上の実施形態では、オペレータ又は設計エンジニアが、チャンバの側壁又は裏張りを接地面につなぐために用いられる接地ストラップにおける方位角方向のインピーダンスを変化させ、そうして、チャンバのその他の構成要素の存在又は使用に起因する内在する又は予測可能な非対称性を補償することを可能にするために、接地ストラップのインピーダンスは、可調節インピーダンスを備えている。

１つ以上の実施形態では、ＲＦ帰還電流によって方位角方向に見られるインピーダンスに影響を及ぼす接地ストラップのインピーダンスを制御し、そうして、オペレータが、ウエハの辺縁におけるインピーダンス及びＲＦ帰還電流を調節することを可能にするための、方法と装置とが提供される。これは、内在する又は予測可能なあらゆる非対称性及び／又は処理結結果方位不均一性を補償する。

１つ以上の実施形態では、チャンバの一方の側又は一部分が、チャンバの別の部分とは異なるインピーダンスをＲＦ供給電流に対して示されるように、方位角方向においてＲＦ供給路が調節されてよい。ＲＦ供給電流に対して示されるインピーダンスは、金属性の又は導電性のプラグを提供することによって調節されてよい。プラグは、例えば、下部電極の下方に位置して下部電極を取り囲む絶縁体リング内に配されてよい。ＲＦ帰還電流が流れる経路の長さは、内在する又は予測可能なあらゆる非対称性及び／又は方位不均一性を保証するために、絶縁体リング内に方位角方向に配置されたプラグを選択的に接続する及び接続を絶つことによって変化される。

１つ以上の実施形態では、チャンバ構成要素及びその他の処理上の現実に起因する内在する又は予測可能な不均一性を打ち消すために、オペレータが、リングの中心を下部電極の中心に相対的に変化させることを可能にするために、基板の下に、金属性のリングが配されてよい。

１つ以上の実施形態では、接地シールドは、ＲＦ帰還電流のための経路が一方の側でもう一方の側よりも短くなるように、修正されてよい。或いは又は更に、（１つ以上の）ＲＦ信号を下部電極に運ぶために使用される、接地シールドから帯電導体への結合が、内在する又は予測可能な不均一性及び／又は方位不均一性及び／又は非対称性を補償するために意図的に非対称的にされるように、接地シールドの中心が、ずらされてよい。

図面及び以下に続く議論を参照にして、本発明の特徴及び利点が更に良く理解されるだろう。

図３Ａは、本発明の一実施形態にしたがって、チャンバ壁又はチャンバ裏張りの周囲のようなチャンバの辺縁に配置された接地ストラップを上から見た概略図を示している。接地ストラップは、例えば大地への最終的な帰還のための、チャンバ裏張り又はチャンバ壁から下部電極へのＲＦ帰還路を提供するために用いられてよい。

詳述すると、代表的なプラズマ処理チャンバでは、ＲＦ帰還電流を方位角方向に均等に分布させようとして、チャンバ壁又はチャンバ裏張りの周囲に接地ストラップが配される。一実施形態では、可変インダクタ、可変コンデンサ、可変抵抗器、又はそれらの組み合わせの形態をとる可調節インピーダンスが、１本以上の接地ストラップに提供されてよい。したがって、図３Ａを参照すると、チャンバ壁３１０に結合された接地ストラップ３０２、３０４、及び３０６が、可調節インピーダンスデバイス（前述の可変インダクタ、可変コンデンサ、可変抵抗器、又はその任意の組み合わせ）を提供されてよい。

開発時において、プロセスエンジニアは、内在する又は予測可能な非対称性又は方位不均一性の補償を提供するために、これらの可調節インピーダンスデバイスに値を割り当ててよい、又はこれらの可調節インピーダンスデバイスを調整してよい。例えば、テストウエハが用いられてよく、例えば処理されたテストウエハ上における方位不均一性の程度及び場所を評価するために、計測結果が検討されてよい。次いで、様々な接地ストラップを流れる異なるＲＦ帰還電流に対して異なるインピーダンスが示されるように、１本以上の接地ストラップの可調節インピーダンスが調節されてよい。

一実施形態では、各可調節インピーダンスデバイスが、固定値のインピーダンスデバイス（図３Ｂの３２０）を表していてよく、該デバイスは、方位角方向のインピーダンスに影響を及ぼすために、又は様々なＲＦ帰還電流が接地ストラップを流れるのに伴ってそれらの電流に対して示されるインピーダンスに影響を及ぼすために、１本以上の個々の接地ストラップに結合されてよい、又は関連付けられてよい。このようにして、ＲＦ帰還電流は、チャンバ構成要素の存在に起因する内在する非対称性、又は観察される若しくは測定される（例えば、処理後のテストウエハから測定されえるような）あらゆる方位不均一性を、（部分的に又は全体的に）補償する又は打ち消すために、方位角方向に個別に調節されてよい。この場合、接地ストラップの少なくとも１本が、このようなインピーダンスデバイスを提供される一方で、接地ストラップの別の少なくとも１本は、上記少なくとも１本の接地ストラップに提供されたのと同じインピーダンス値を有するインピーダンスデバイスを提供されないと考えられる。インピーダンスの提供に際しての、この意図的な非対称性は、チャンバ壁又はチャンバ裏張りの周囲における内在する又は予測可能な方位不均一性に対処するものである。

別の一実施形態では、接地ストラップは、可調節インピーダンスデバイス（図３Ｃの３３０）を提供されてよく、該デバイスは、モデル化された若しくは既知の非対称性若しくは方位不均一性から、又はテストウエハから得られた計測結果を通じて得られる観察された方位不均一性から、チャンバ適格化プロセスの一環としてプロセスエンジニアが手動で調整することができる。

例えば、プロセスエンジニアは、下部電極を支えるために使用されるカンチレバーアームによって引き起こされる非対称性を相殺するために、１つ以上の接地ストラップ上の（１つ以上の）可調節デバイスの値を手動で（又はコンピュータユーザインターフェースを通じて）調整してよい。別の例として、プロセスエンジニアは、テストウエハ上における処理結果の計量測定から方位不均一性が観察されたときに、１本以上の接地ストラップのための（１つ以上の）可調節インピーダンスの値を手動で（又はコンピュータユーザインターフェースを通じて）調整してよい。

この場合もやはり、接地ストラップの少なくとも１本が、このような可調節インピーダンスデバイスを提供される一方で、接地ストラップの別の少なくとも１本（例えば、議論を目的として、第２の接地ストラップであるとする）は、上記少なくとも１本の接地ストラップに提供されたのと同じインピーダンス値を有する可調節インピーダンスデバイスを提供されないと考えられる。一例として、第２の接地ストラップには、インピーダンスデバイスが提供されなくてよい、又は第２の接地ストラップには、異なるインピーダンス値を有する可調節インピーダンスデバイスが提供されてよい。インピーダンスの提供に際しての、この意図的な非対称性は、チャンバ壁又はチャンバ裏張りの周囲における内在する又は予測可能な方位不均一性に対処するものである。

尚も更に、個々の接地ストラップにおける帰還電流を測定するために、センサを用いること、及びインピーダンスを動的に調節して例えばウエハごとの方位不均一性又は非対称性のばらつきを相殺するために、動的なやり方で、機械調節可能なインピーダンスデバイス（図３Ｄの３４０）を用いることが可能である。

例えば、図２Ａの例にあるように、ウエハが下部電極に相対的に僅かに中心を外して位置決めされている場合、測定は、様々なストラップを流れるＲＦ帰還電流に対してなされてよく、センサによる測定が非対称的な状況を検出した事実、及び／又はウエハが下部電極に相対的に中心を外して配されている事実を補償して処理結果の方位均一性を向上させるために、自動化された制御器具が、１本以上の接地ストラップに関係付けられたインピーダンスを調節してよい。機械調節可能なインピーダンスは、各接地ストラップに提供されてよい、又は一部の接地ストラップのみに提供されてよい。１つ以上の実施形態では、機械調節可能なインピーダンスの調節は、センサによる測定を受けて、又はセンサによる測定をもとになされた計算を受けて、ウエハごとにｉｎ−ｓｉｔｕで実施されてよい。１つ以上の実施形態では、インピーダンスの調節は、コンピュータメモリドライブなどのコンピュータ読み取り可能媒体に実装されたコンピュータ読み取り可能命令を含むコンピュータ読み取り可能命令を実行するツール制御コンピュータ又は別のコンピュータを使用して実施されてよい。この場合は、接地ストラップの少なくとも１本が、このような機械調節可能なインピーダンスデバイスを提供される一方で、接地ストラップの別の少なくとも１本は、上記少なくとも１本の接地ストラップに提供されたのと同じインピーダンス値を有する機械調節可能なインピーダンスデバイスを提供されないと考えられる。一例として、第２の接地ストラップには、インピーダンスデバイスが提供されなくてよい、又は第２の接地ストラップには、異なるインピーダンス値を有するように調整されるだろう機械調節可能なインピーダンスデバイスが関係付けられてよい。インピーダンスの提供に際しての、この意図的な非対称性は、チャンバ壁又はチャンバ裏張りの周囲における内在する又は予測可能な方位不均一性に対処するものである。

尚も更に、接地ストラップの１本以上におけるＲＦ帰還電流に影響を及ぼすために、これら１本以上の接地ストラップに逆電流を導入することが可能である。例えば、１本以上の接地ストラップの近くに又は１本以上の接地ストラップの周囲に、コイル（図３Ｆの３５０又は図３Ｅの３５２）が配されてよく、接地ストラップ自体に逆電流を導入して、又は追加の電流を導入して、内在するあらゆる非対称性又は処理結果方位不均一性を補償するために、コイルに電流が流されてよい。コイルは、複数の接地ストラップのうちのその他のどの接地ストラップよりも或る接地ストラップの近くに配されているときに、その接地ストラップに関係付けられていると見なされる。

（１つ以上の）コイル電流は、１本以上の接地ストラップにおいてＲＦ帰還電流が影響を受ける程度を変化させるために、位相、強度、及び／又は周波数を変化されてよい。この電流志向の補償は、方位角方向におけるＲＦ帰還電流のｉｎ−ｓｉｔｕ調整を実現するために、ｉｎ−ｓｉｔｕで動的に実施されてよい。例えば、１つ以上の実施形態では、ｉｎ−ｓｉｔｕ調整は、リアルタイム方式で動的に、方位不均一性及び／又はプラズマ処理チャンバ内のチャンバ構成要素の非対称性を補償してよい。

別の例として、ＲＦ帰還電流及び／又は補償コイル電流は、チャンバの適格化の際に、１本以上の接地ストラップについて確定されてよい。生産時において、これらのコイル電流値は、あらゆる非対称性、又は不均一性、又は処理結果方位不均一性が部分的に又は全体的に補償されることを保証するために、レシピの一部として入力されてよい。

１つ以上の実施形態では、コイル電流の調節は、センサによる測定を受けて、又はセンサによる測定をもとになされた計算を受けて、ウエハごとにｉｎ−ｓｉｔｕで実施されてよい。１つ以上の実施形態では、コイル電流の調節は、コンピュータメモリドライブなどのコンピュータ読み取り可能媒体に実装されたコンピュータ読み取り可能命令を含むコンピュータ読み取り可能命令を実行するツール制御コンピュータ又は別のコンピュータを使用して実施されてよい。この場合、接地ストラップの少なくとも１本が、このようなコイルを提供される一方で、接地ストラップの別の少なくとも１本は、上記少なくとも１本の接地ストラップに提供されたのと同じインピーダンス値を有するコイルを提供されないと考えられる。一例として、第２の接地ストラップには、コイルが提供されなくてよい、又は第２の接地ストラップには、異なるコイル電流を有するように調整されるだろうコイルが関係付けられてよい。インピーダンスの提供に際しての、この意図的な非対称性は、チャンバ壁又はチャンバ裏張りの周囲における内在する又は予測可能な方位不均一性に対処するものである。

図３Ｇは、１つ以上の実施形態にしたがって、前述の方位不均一性の問題に対処するためのｉｎ−ｓｉｔｕ補償の段階を示している。段階３７０では、センサを使用して、方位不均一性の兆候が測定される。センサは、一式のＰＩＦ（プラズマイオン束）プローブ、光センサ、電圧／電流プローブ、発光センサなどであってよい。センサは、チャンバ周囲の１つ以上の場所に配されてよい。兆候は、電圧、電流、プラズマ束、発光、ヴァーチャル計測計算などの、方位不均一性を確定するために利用されえる任意の測定可能パラメータであってよい。段階３７２では、センサによる測定を受けて、又はセンサによる測定をもとになされた計算を受けて、機械調節可能なインピーダンス及び／又はコイル電流がｉｎ−ｓｉｔｕで調整される。段階３７４では、ウエハが処理される。図３Ｇの段階は、ウエハごとに実施されてよい、又は例えばＮ枚のウエハが処理されるごとに１枚のテストウエハに対して実施されてよい、又は定時に定期的に実施されてよい、又はチャンバのメインテナンス若しくは再較正の際に実施されてよい。

図４Ａは、一実施形態にしたがって、方位角方向にＲＦ供給電流を調節するための構成を示している。図４Ａの実施形態では、複数の導電性プラグが提供され、該複数の導電性プラグは、電流路の長さを及び／又はＲＦ供給電流路に対して示されるインピーダンスを局所的に修正して非対称性及び／又はウエハ辺縁における処理結果の方位不均一性を（部分的に又は全体的に）補償するために、下部電極に選択的に接続することができる。

図４Ａを参照すると、プラズマ処理システム４０２の一部分が簡略化されて示されている。図４Ａでは、処理のために上にウエハ（不図示）が配される下部電極４０４が示されている。下部電極は、例えば、静電チャックを実装してよく、周知のように、導電性部分を含んでいてよい。図４Ａの例では、下部電極４０４の下方で下部電極４０４を取り囲むのは、絶縁リング４０６によって実装される絶縁性部分である。絶縁リング４０６は、プラズマ処理チャンバ内のその他の構成要素からの下部電極のＲＦ分離及びバイアス分離を提供するために使用される単独パーツ又は複合パーツであってよい。総じて、絶縁性部分は、ＲＦ電源と導電性部分との間の任意の場所に配されてよい。

絶縁体リング４０６の空洞内には、ＲＦ供給電流路の長さを修正するために下部電極の導電性部分との接続を選択的に行う及び絶つことができるＲＦ経路修正部４５０が配される。ＲＦ経路修正部は、その一部を又は全体を絶縁体リング４０６内に配されてよい。ＲＦ経路修正部は、上記絶縁性構成要素の中心から引かれた基準角度に対してそれぞれ異なる角度位置に配される。例えば、絶縁性構成要素が円形又はリング状である場合、ＲＦ経路修正部は、絶縁性構成要素の中心から引かれた基準半径と同じ中心から引かれた基準半径とは異なる半径に沿って配されるだろう。１つ以上の実施形態では、隣り合うＲＦ経路修正部間の角度間隔が同じであり、したがって、ＲＦ経路修正部は、基準角度に対して均等に分布されている。その他の実施形態では、隣り合うＲＦ経路修正部の間の角度間隔が異なっていてよい。

図４Ａ及び図４Ｃの例では、ＲＦ経路修正部は、ＲＦ導体４１０を通じて下部電極４０４に供給されるＲＦ供給電流に対して導電性の導電性プラグである。図４Ｃの切断図では、２つの導電性プラグ４１２及び４１４の切断部分が示されている。この例では、プラグ４１２が、下部電極４０４に電気的に接続されていない一方で、プラグ４１４は、接続４１６を通じて下部電極４０４に電気的に接続されている。図４Ｃの左側におけるＲＦ供給電流は、矢印４２０の方向に沿って流れ、これは、導電性プラグ４１２を迂回する。なぜならば、ＲＦ電流は、プラズマ発生領域内のプラズマと結合するために、ＲＦ導体４１０の表面、下部電極４０４の下面、及び下部電極４０４の側面を伝って流れて下部電極４０４の上面に向かうからである。

プラグ４１４は、前述のように、下部電極４０４に電気的に接続されている。したがって、ＲＦ供給電流は、図４Ａの右側において、矢印４３０の経路方向をたどる。図４Ｃを参照すると、矢印４２０及び矢印４３０は、ＲＦ供給電流がたどる経路の長さが導電性プラグが下部電極に電気的に接続されているか又は電気的に接続されていないかに応じて変化することを示すために、ともに、より大きい倍率で再現されている。

図４Ｂは、絶縁体リング４０６の切断上面図であり、ＲＦ供給電流に対して示されるインピーダンスの方位角方向における調節を促すために、絶縁体リング４０６の周囲に導電性プラグが配されることを示している。実際は、１つ以上の導電性プラグは、下部電極に対する電気的な接続を選択的に行ってよい又は絶ってよい。接続は、遠隔制御スイッチを通じて自動化されてよく、このようなスイッチは、例えばマイクロプロセッサによって制御されてよい。絶縁体リングの周囲の導電性プラグの数、サイズ、及び場所は、必要に応じて可変である。

１つ以上の実施形態では、ＲＦ経路修正部は、代替として、導電性プラグの代わりに固定値のインピーダンスデバイスを使用して実装されてよい。図４Ａ〜図４Ｃのこの実施形態では、「インピーダンスデバイス」という用語は、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つの使用を暗に意味している。インダクタ、抵抗器、コンデンサ、及び／又はそれらのネットワークを使用して実装されたインピーダンスデバイスの調節は、より大幅にＲＦ電流路の修正を制御しえるので、このようにすれば、方位不均一性の更なる補正が実現されるだろう。

１つ以上の実施形態では、ＲＦ経路修正部は、代替として、機械調節可能なインピーダンスデバイスを使用して実装されてよく、したがって、方位角方向におけるＲＦ供給電流の調節は、導電性プラグの選択的な（電気的に言うところの）接続及び非接続によってのみならず、下部電極に接続された各機械調節可能なインピーダンスデバイスの調節によっても制御される。図４Ａ〜図４Ｃのこの実施形態では、「機械調節可能なインピーダンスデバイス」という用語は、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つの使用を暗に意味し、インピーダンスパラメータは、電気制御信号の発行によって調整可能であってよい。機械調節可能なインピーダンスデバイスを接続するリード線は、オペレータによってコンピュータインターフェースを通じて、又はコンピュータ読み取り可能命令の実行を通じてデバイスが遠隔に調節されることを可能にする。

１つ以上の実施形態では、ＲＦ電流の調節は、ｉｎ−ｓｉｔｕで実施されてよい。この調節能力は、不均一性の問題に対処するための更なる制御つまみを提供する。例えば、導電性プラグの接続／非接続は、遠隔作動可能なスイッチを使用して個別に制御されてよい。スイッチを閉じる操作は、コンピュータ上の適切なユーザインターフェースを通じたオペレータコマンドを受けて実施されてよい、又は方位不均一性の問題に対処するためにＲＦ帰還電流の操作が必要かもしれないことを示すセンサによる測定を受けて自動的に実施されてよい。

プラグが、機械調節可能なインピーダンスデバイス（例えば、インダクタ及び／又はコンデンサ及び／又は抵抗器及び／又はそれらを含む回路）を使用して実装される場合、個々の可調節インピーダンスデバイスも、やはり、それらのパラメータを、コンピュータ上の適切なユーザインターフェースを通じて調節されてよい、又は方位不均一性の問題に対処するためにＲＦ帰還電流の操作が必要かもしれないことを示すセンサによる測定を受けて自動的に調節されてよい。

１つ以上の実施形態では、ＲＦ経路修正部は、電極の下に配された絶縁性リングとは異なる別の構成要素内に、その一部又は全部を埋め込まれてよい。１つ以上のＲＦ経路修正部の存在によって、方位不均一性に対処するためにＲＦ電流供給路の長さを変化させることができる限り、ＲＦ経路修正部は、任意の適切なチャンバ構成要素内に又はチャンバに追加されるべき任意の追加パーツ内に、その一部又は全体を埋め込まれてよい。

１つ以上の実施形態では、不均一性の問題に対処するための更なる制御つまみを提供するために、図３Ａ〜図３Ｇの接地ストラップ（可調節インピーダンス及び／又はコイルを伴うものであれ伴わないものであれ）は、図４Ａ〜図４Ｃの電気接続可能なプラグと組み合わされてよい。

１つ以上の実施形態では、不均一性の問題に対処するための更なる制御つまみを提供するために、図３Ａ〜図３Ｇの接地ストラップ（可調節インピーダンス及び／又はコイルを伴うものであれ伴わないものであれ）は、（図４Ａ〜図４Ｃのプラグを実装する）電気接続可能なインピーダンスと組み合わされてよい。これら２つの技術の組み合わせは、自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施されるにせよ、又はチャンバ調整の実施に伴って手動で実施されるにせよ、これまで先行技術ではなしえなかった水準の制御を不均一性に対して提供する。

図５は、１つ以上の実施形態における、前述の方位不均一性の問題に対処するためのｉｎ−ｓｉｔｕ補償の段階を示している。段階５０２では、センサを使用して、方位不均一性の兆候が測定される。センサは、一式のＰＩＦ（プラズマイオン束）プローブ、光センサ、電圧／電流プローブ、発光センサなどであってよい。センサは、チャンバ周囲の１つ以上の場所に、又は電極などの１つ以上のチャンバ構成要素上に配されてよい。兆候は、電圧、電流、プラズマ束、発光、ヴァーチャル計測計算などの、方位不均一性を確定するために利用されえる任意の測定可能パラメータであってよい。

段階５０４では、ＲＦ電流路を変化させて方位不均一性に対処するために、ＲＦ経路修正部が選択的に制御されてよい。ＲＦ電流路を変化させるためにＲＦ経路修正部を制御する様々なやり方が、上記で論じられている。ＲＦ経路修正部の選択的制御は、センサによる測定を受けて、又はセンサによる測定をもとになされた計算を受けて、ｉｎ−ｓｉｔｕで実施されてよい。段階５０６では、ウエハが処理される。図５の段階は、ウエハごとに実施されてよい、又は例えばＮ枚のウエハが処理されるごとに１枚のテストウエハに対して実施されてよい、又は定時に定期的に実施されてよい、又はチャンバのメインテナンス若しくは再較正の際に実施されてよい。

以上からわかるように、本発明の実施形態は、プラズマ処理チャンバ内のチャンバ構成要素の非対称性及び処理結果の方位不均一性をプロセスエンジニアが補償するための、更なる制御つまみを提供する。補償装置及び補償技術は、（図１のプラズマ発生領域１１０などの）プラズマ発生領域の外側で実施され、そうして、予測不能な又は制御困難な副作用がプラズマプロセスにもたらされる事態が実質的に回避される。可調節インピーダンスデバイスがプラズマ処理環境から離して（すなわち、処理中にプラズマが存在しない領域に）配されるという事実は、また、可調節インピーダンスデバイスの寿命を改善したり、プラズマ処理環境に汚染物質が入る可能性を抑えたりもする。

本発明は、幾つかの好ましい実施形態の観点から説明されているが、本発明の範囲には、代替、置換、及び均等物も入る。例えば、例として用いられているチャンバは、容量性チャンバであるが、本発明の実施形態は、誘導結合型チャンバ、又は電子サイクロトロン共鳴やマイクロ波などの別のタイプのプラズマ処理技術を使用するチャンバでも等しく上手く機能する。本明細書では、様々な例が提供されているが、これらの例は、発明を例示するものであって発明を限定するものはないことを意図される。また、名称及び概要は、便宜のために本明細書に提供されたものであり、特許請求の範囲を解釈するために使用されるべきでない。更に、要約は、極めて省略された形で記載され、便宜のために本明細書に提供されたものであり、したがって、特許請求の範囲で表された発明全体を解釈するためにも制限するためにも用いられるべきでない。本明細書において、「一式の」という用語が用いられる場合は、このような用語は、ゼロの、１つの、又は２つ以上の構成要素を対象範囲とする通常理解の数学的意味を有することを意図される。また、本発明の方法及び装置を実現するものとして多くの代替的方法があることも、留意されるべきである。したがって、以下の添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨及び範囲に含まれるものとして、このようなあらゆる代替、置換、及び均等物を含むものと解釈される。例えば本発明は以下の適用例としても実施可能である。
［適用例１］プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムであって、
ＲＦ電源と、
導電性部分を有する下部電極と、
前記ＲＦ電源と前記導電性部分との間でＲＦ電流路内に配された絶縁性構成要素と、
前記絶縁性構成要素内に配された複数のＲＦ経路修正部と、
を備え、前記ＲＦ経路修整部は、前記絶縁性構成要素の中心から引かれた基準角度に対してそれぞれ異なる角度位置に配され、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第１のＲＦ経路修正部は、前記導電性部分に電気的に接続され、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第２のＲＦ経路修正部は、前記導電性部分に電気的に接続されていない
プラズマ処理システム。
［適用例２］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、前記基準角度に対して規則的な角度間隔で均等に配されたプラズマ処理システム。
［適用例３］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、導電性プラグを使用して実装されるプラズマ処理システム。
［適用例４］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、インピーダンスデバイスを使用して実装され、前記インピーダンスデバイスのそれぞれは、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つを含むプラズマ処理システム。
［適用例５］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部は、前記導電性部分に個別に選択的に接続可能であり、したがって、前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部の接続は、前記複数のＲＦ経路修正部の前記各ＲＦ経路修正部に伝送される電気制御信号の送信を通じて実施されるプラズマ処理システム。
［適用例６］適用例５に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部の接続は、センサによる測定を受けて自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施されるプラズマ処理システム。
［適用例７］適用例５に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部の接続は、コンピュータからのコンピュータ読み取り可能命令を受けて自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施されるプラズマ処理システム。
［適用例８］前記下部電極は、静電チャックである適用例１に記載のプラズマ処理システム。
［適用例９］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、機械調節可能なインピーダンスデバイスを使用して実装され、前記インピーダンスデバイスのそれぞれは、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つを含み、前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部のインピーダンス値は、少なくとも１つの電気制御信号を通じて調整可能である
プラズマ処理システム。
［適用例１０］適用例９に記載のプラズマ処理システムであって、
前記少なくとも１つの電気制御信号は、コンピュータ読み取り可能命令を実行するコンピュータを使用して生成されるプラズマ処理システム。
［適用例１１］適用例９に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部のインピーダンス値は、センサによる測定を受けてｉｎ−ｓｉｔｕで調整されるプラズマ処理システム。
［適用例１２］適用例９に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部のインピーダンス値は、生産時において、ウエハごとに自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで調整されるプラズマ処理システム。
［適用例１３］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、更に、
チャンバ壁及びチャンバ裏張りのうちの少なくとも１つと、
前記プラズマ処理チャンバの前記チャンバ表面及び前記チャンバ裏張りのうちの少なくとも１つであるチャンバ表面の周囲に配された複数の接地ストラップと、
前記複数の接地ストラップの少なくとも第１の接地ストラップに結合された少なくとも第１のインピーダンスデバイスであって、前記複数の接地ストラップの第２の接地ストラップは、前記第１のインピーダンスデバイスと同じインピーダンス値を有する第２のインピーダンスデバイスを提供されない、少なくとも第１のインピーダンスデバイスと
を備えるプラズマ処理システム。
［適用例１４］適用例１に記載のプラズマ処理システムであって、更に、
チャンバ壁及びチャンバ裏張りのうちの少なくとも１つと、
前記プラズマ処理チャンバの前記チャンバ表面及び前記チャンバ裏張りのうちの少なくとも１つであるチャンバ表面の周囲に配された複数の接地ストラップと、
前記複数の接地ストラップの少なくとも第１の接地ストラップに磁気的に結合された少なくとも第１のコイルであって、前記複数の接地ストラップの第２の接地ストラップは、前記第１のコイルと同じコイル電流値を有する第２のコイルを提供されない、少なくとも第１のコイルと
を備えるプラズマ処理システム。
［適用例１５］プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおける方位不均一性を補償するための方法であって、
前記チャンバに関係付けられた少なくとも１つのセンサを使用して、前記方位不均一性の兆候を測定し、
複数のＲＦ経路修正部は、ＲＦ電流源と導電性部分との間のＲＦ電流路内に配された絶縁性部分内に配されており、前記測定を受けて、前記複数のＲＦ経路修正部の第１のＲＦ経路修正部を下部電極の導電性部分に選択的に接続し、当該接続による調整後は、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第２のＲＦ経路修正部を、前記下部電極の前記導電性部分に接続しない
方法。
［適用例１６］前記ＲＦ経路修正部は、導電性プラグを使用して実装される適用例１５に記載の方法。
［適用例１７］前記ＲＦ経路修正部は、インピーダンスデバイスを使用して実装される適用例１５に記載の方法。
［適用例１８］プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおける方位不均一性を補償するための方法であって、
前記チャンバに関係付けられた少なくとも１つのセンサを使用して、前記方位不均一性の兆候を測定し、
複数のＲＦ経路修正部は、前記プラズマ処理チャンバ内におけるＲＦ電流源と下部電極の導電性部分との間のＲＦ電流路内に配された絶縁性部分内に配されており、前記測定を受けて、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第１のＲＦ経路修正部のインピーダンス値を第１のインピーダンス値に調整することによって、調整を行い、前記調整後は、少なくとも、前記複数のＲＦ経路修正部の第２のＲＦ経路修正部の第２のインピーダンス値が、前記第１のインピーダンス値と異なる
方法。
［適用例１９］適用例１８に記載の方法であって、
前記調整は、コンピュータからのコンピュータ読み取り可能命令を受けて自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施される方法。
［適用例２０］適用例１８に記載の方法であって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、インピーダンスデバイスを使用して実装され、前記インピーダンスデバイスのそれぞれは、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つを含む方法。

Claims

プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムであって、
ＲＦ電源と、
導電性部分を有する下部電極と、
前記ＲＦ電源と前記導電性部分との間でＲＦ電流路内に配された絶縁性構成要素と、
前記絶縁性構成要素内に配された複数のＲＦ経路修正部と、
を備え、前記ＲＦ経路修正部は、前記絶縁性構成要素の中心から引かれた基準角度に対してそれぞれ異なる角度位置に配され、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第１のＲＦ経路修正部は、前記導電性部分に電気的に接続され、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第２のＲＦ経路修正部は、前記導電性部分に電気的に接続されておらず、
前記複数のＲＦ経路修正部は、前記基準角度に対して規則的な角度間隔で均等に配された
プラズマ処理システム。
請求項１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、導電性プラグを使用して実装されるプラズマ処理システム。
請求項１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、インピーダンスデバイスを使用して実装され、前記インピーダンスデバイスのそれぞれは、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つを含むプラズマ処理システム。
請求項１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部は、前記導電性部分に個別に選択的に接続可能であり、したがって、前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部の接続は、前記複数のＲＦ経路修正部の前記各ＲＦ経路修正部に伝送される電気制御信号の送信を通じて実施されるプラズマ処理システム。
請求項４に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部の接続は、センサによる測定を受けて自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施されるプラズマ処理システム。
請求項４に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部の接続は、コンピュータからのコンピュータ読み取り可能命令を受けて自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施されるプラズマ処理システム。
前記下部電極は、静電チャックである請求項１に記載のプラズマ処理システム。
請求項１に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、機械調節可能なインピーダンスデバイスを使用して実装され、前記インピーダンスデバイスのそれぞれは、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つを含み、前記複数のＲＦ経路修正部の各ＲＦ経路修正部のインピーダンス値は、少なくとも１つの電気制御信号を通じて調整可能である
プラズマ処理システム。
請求項８に記載のプラズマ処理システムであって、
前記少なくとも１つの電気制御信号は、コンピュータ読み取り可能命令を実行するコンピュータを使用して生成されるプラズマ処理システム。
請求項８に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部のインピーダンス値は、センサによる測定を受けてｉｎ−ｓｉｔｕで調整されるプラズマ処理システム。
請求項８に記載のプラズマ処理システムであって、
前記複数のＲＦ経路修正部のインピーダンス値は、生産時において、ウエハごとに自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで調整されるプラズマ処理システム。
請求項１に記載のプラズマ処理システムであって、更に、
チャンバ壁及びチャンバ裏張りのうちの少なくとも１つと、
前記プラズマ処理チャンバの前記チャンバ壁及び前記チャンバ裏張りのうちの少なくとも１つであるチャンバ表面の周囲に配された複数の接地ストラップと、
前記複数の接地ストラップの少なくとも第１の接地ストラップに結合された少なくとも第１のインピーダンスデバイスであって、前記複数の接地ストラップの第２の接地ストラップは、前記第１のインピーダンスデバイスと同じインピーダンス値を有する第２のインピーダンスデバイスを提供されない、少なくとも第１のインピーダンスデバイスと
を備えるプラズマ処理システム。
請求項１に記載のプラズマ処理システムであって、更に、
チャンバ壁及びチャンバ裏張りのうちの少なくとも１つと、
前記プラズマ処理チャンバの前記チャンバ壁及び前記チャンバ裏張りのうちの少なくとも１つであるチャンバ表面の周囲に配された複数の接地ストラップと、
前記複数の接地ストラップの少なくとも第１の接地ストラップに磁気的に結合された少なくとも第１のコイルであって、前記複数の接地ストラップの第２の接地ストラップは、前記第１のコイルと同じコイル電流値を有する第２のコイルを提供されない、少なくとも第１のコイルと
を備えるプラズマ処理システム。
プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおける方位不均一性を補償するための方法であって、
前記プラズマ処理チャンバに関係付けられた少なくとも１つのセンサを使用して、前記方位不均一性の兆候を測定し、
複数のＲＦ経路修正部は、ＲＦ電流源と導電性部分との間のＲＦ電流路内に配された絶縁性部分内に配されており、前記測定を受けて、前記複数のＲＦ経路修正部の第１のＲＦ経路修正部を下部電極の導電性部分に選択的に接続し、当該接続による調整後は、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第２のＲＦ経路修正部を、前記下部電極の前記導電性部分に接続しない
方法。
前記ＲＦ経路修正部は、導電性プラグを使用して実装される請求項１４に記載の方法。
前記ＲＦ経路修正部は、インピーダンスデバイスを使用して実装される請求項１４に記載の方法。
プラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおける方位不均一性を補償するための方法であって、
前記プラズマ処理チャンバに関係付けられた少なくとも１つのセンサを使用して、前記方位不均一性の兆候を測定し、
複数のＲＦ経路修正部は、前記プラズマ処理チャンバ内におけるＲＦ電流源と下部電極の導電性部分との間のＲＦ電流路内に配された絶縁性部分内に配されており、前記測定を受けて、前記複数のＲＦ経路修正部の少なくとも第１のＲＦ経路修正部のインピーダンス値を第１のインピーダンス値に調整することによって、調整を行い、前記調整後は、少なくとも、前記複数のＲＦ経路修正部の第２のＲＦ経路修正部の第２のインピーダンス値が、前記第１のインピーダンス値と異なる
方法。
請求項１７に記載の方法であって、
前記調整は、コンピュータからのコンピュータ読み取り可能命令を受けて自動的にｉｎ−ｓｉｔｕで実施される方法。
請求項１７に記載の方法であって、
前記複数のＲＦ経路修正部は、インピーダンスデバイスを使用して実装され、前記インピーダンスデバイスのそれぞれは、コンデンサ及びインダクタのうちの少なくとも１つを含む方法。