CN109451628A - 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 - Google Patents
基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109451628A CN109451628A CN201811580974.6A CN201811580974A CN109451628A CN 109451628 A CN109451628 A CN 109451628A CN 201811580974 A CN201811580974 A CN 201811580974A CN 109451628 A CN109451628 A CN 109451628A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- connects
- isolating transformer
- pfc circuit
- llc
- inductance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/37—Converter circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Abstract
本发明提供一种基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，包括图腾柱PFC电路、半桥LLC谐振电路、隔离变压器T、全波整流器；所述图腾柱PFC电路的输入接交流电源，输出接半桥LLC谐振电路的输入；半桥LLC谐振电路接在隔离变压器T的原边侧，全波整流器接在隔离变压器T的副边侧；图腾柱PFC电路受控于工频方波信号和高频PWM信号，其中工频方波信号用于控制图腾柱PFC电路中的MOSFET管交替导通，高频PWM信号用于控制PFC电路中的GaN HEMT器件交替导通。本发明中GaN HEMT器件桥臂为图腾柱PFC电路和半桥LLC谐振电路共享桥臂。本发明具有开关损耗小，效率高，电源的功率密度高，体积小的优点。
Description
技术领域
本发明属于LED灯的驱动电源技术领域，尤其是一种基于GaN器件的LED灯电源。
背景技术
近年来，LED灯因其低损耗、长寿命、绿色节能的优点而得到了广泛的推广和应用。作为LED灯具“心脏”的驱动电源成为目前LED照明推广和发展的重要组成部分。随着科技日新月异的发展，LED驱动电源虽然也得到了快速的发展，但现阶段主要有三段式恒流式和三段式稳压式电源，其体积较大，效率低，采用常规技术很难更好提升其效果。
随着现代技术的飞跃发展，新型GaN器件性能不断提高，较常规硅基MOSFET，其开关频率越来越高，因此，超小体积、超低功耗，高可靠性等成为LED灯电源发展的一个趋势。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，开关损耗小，效率高，电源的功率密度高，体积小。
本发明采用的技术方案是：
一种基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，包括图腾柱PFC电路、半桥LLC谐振电路、隔离变压器T、全波整流器；
所述图腾柱PFC电路的输入接交流电源，输出接半桥LLC谐振电路的输入；半桥LLC谐振电路接在隔离变压器T的原边侧，全波整流器接在隔离变压器T的副边侧；图腾柱PFC电路受控于工频方波信号和高频PWM信号，其中工频方波信号用于控制图腾柱PFC电路中的MOSFET管交替导通，高频PWM信号用于控制PFC电路中的GaN HEMT器件交替导通。
具体地，图腾柱PFC电路包括输入滤波电感Lb、两只工频运行的MOSFET管M1、M2、两只高频运行的GaN HEMT器件H1、H2；其中M1和M2组成PFC电路的左桥臂，M1的D端连接高压侧直流正母线P，M1的S端连接M2的D端，组成中性点O1，中性点O1连接电感Lb的一端，电感Lb的另外一端连接交流电源的一端，M2的S端连接高压侧直流负母线N；其中H1和H2组成PFC电路的右桥臂，H1的D端连接高压侧正母线P，H1的S端连接H2的D端，组成中性点O2，中性点O2同时连接交流电源的另一端，H2的S端连接高压侧直流负母线N；此外高压侧直流正负母线PN间还连接电容C；其中GaN HEMT器件桥臂为图腾柱PFC电路和半桥LLC谐振电路共享桥臂。
进一步地，M1和M2的G端分别受控于一个工频方波信号，其中电网电压正半周时，控制M1的工频方波信号为高电平，控制M2的工频方波信号为低电平，电网电压负半周时，控制M1的工频方波信号为低电平，控制M2的工频方波信号为高电平。
具体地，半桥LLC谐振电路包括谐振电感Lr、谐振电容器Cr和隔离变压器励磁电感Lm；其中谐振电容器Cr一端连接中性点O2，谐振电容器Cr另一端连接谐振电感Lr一端，谐振电感Lr另一端连接隔离变压器T原边侧的同名端，隔离变压器T原边侧的非同名端连接至高压侧直流负母线N；此外，隔离变压器T原边侧的同名端和非同名端并联隔离变压器T自身的励磁电感Lm；
隔离变压器T包含原边侧线圈L2、励磁电感Lm，以及副边侧2个线圈L3、L4，线圈L3和L4依次串联组成具有中心抽头O的二次侧；线圈L2匝数为n1，线圈L3、L4匝数均为n2。
具体地，全波整流器包括二极管D1、D2、输出滤波电容Co；D1的阳极连接线圈L3同名端，D2的阳极连接线圈L4非同名端，D1、D2的阴极连接至低压侧直流正母线P1，隔离变压器二次侧中心抽头O连接至低压侧直流负母线；低压侧直流正负母线间还连接电容Co。
进一步地，H1、H2的G端分别受一个高频PWM信号控制，该两个高频PWM信号的高电平交替，使得H1、H2交替开通，且两个H1、H2交替开通状态之间设有死区时间。
本发明的优点在于：
1、本发明充分发挥GaN器件优异开关特性，开关损耗小，效率高；
2、本发明采用GaN器件开关频率高，因此滤波电感和隔离变压器的体积小，电源的功率密度高；
3、本发明的功率器件少，因此体积小，成本低；
4、本发明的电源控制采用随工频正弦波变化开关频率的方式，可以较好的控制LED灯的供电电流；
5、本发明MOSFET器件工作于工频方式，开关损耗和导通损耗都低，电源效率高，成本低。
附图说明
图1为本发明的电原理图。
图2为本发明的时序图。
图3为本发明在电网电压正弦正半周的运行模式1原理图。
图4为本发明在电网电压正弦正半周的运行模式2原理图。
图5为本发明在电网电压正弦正半周的运行模式3原理图。
图6为本发明在电网电压正弦正半周的运行模式4原理图。
图7为本发明在电网电压正弦正半周的运行模式5原理图。
图8为本发明在电网电压正弦正半周的运行模式6原理图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明提出的一种基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，包括图腾柱PFC电路1、半桥LLC谐振电路2、隔离变压器T、全波整流器3；
所述图腾柱PFC电路的输入接交流电源，输出接半桥LLC谐振电路的输入；半桥LLC谐振电路接在隔离变压器T的原边侧，全波整流器接在隔离变压器T的副边侧；图腾柱PFC电路受控于工频方波信号和高频PWM信号，其中工频方波信号用于控制图腾柱PFC电路中的MOSFET管交替导通，高频PWM信号用于控制PFC电路中的GaN HEMT器件交替导通；
图腾柱PFC电路1包括输入滤波电感Lb、两只工频运行的MOSFET管M1、M2、两只高频运行的GaN HEMT器件H1、H2；其中M1和M2组成PFC电路的左桥臂，M1的D端连接高压侧直流正母线P，M1的S端连接M2的D端，组成中性点O1，中性点O1连接电感Lb的一端，电感Lb的另外一端连接交流电源的一端，M2的S端连接高压侧直流负母线N；其中H1和H2组成PFC电路的右桥臂，H1的D端连接高压侧正母线P，H1的S端连接H2的D端，组成中性点O2，中性点O2同时连接交流电源的另一端，H2的S端连接高压侧直流负母线N；此外高压侧直流正负母线PN间还连接电容C；其中GaN HEMT器件桥臂为图腾柱PFC电路和半桥LLC谐振电路共享桥臂；
M1和M2的G端分别受控于一个工频方波信号，其中电网电压正半周时，控制M1的工频方波信号为高电平，控制M2的工频方波信号为低电平，电网电压负半周时，控制M1的工频方波信号为低电平，控制M2的工频方波信号为高电平；
半桥LLC谐振电路2包括谐振电感Lr、谐振电容器Cr和隔离变压器励磁电感Lm；其中谐振电容器Cr一端连接中性点O2，谐振电容器Cr另一端连接谐振电感Lr一端，谐振电感Lr另一端连接隔离变压器T原边侧的同名端，隔离变压器T原边侧的非同名端连接至高压侧直流负母线N；此外，隔离变压器T原边侧的同名端和非同名端并联隔离变压器T自身的励磁电感Lm；
隔离变压器T包含原边侧线圈L2、励磁电感Lm，以及副边侧2个线圈L3、L4，线圈L3和L4依次串联组成具有中心抽头O的二次侧；线圈L2匝数为n1，线圈L3、L4匝数均为n2；
全波整流器3包括二极管D1、D2、输出滤波电容Co；D1的阳极连接线圈L3同名端，D2的阳极连接线圈L4非同名端，D1、D2的阴极连接至低压侧直流正母线P1，隔离变压器二次侧中心抽头O连接至低压侧直流负母线；低压侧直流正负母线间还连接电容Co；
其中，功率器件M1、M2、H1和H2控制由数字信号处理器DSP控制PWM模块实现；2只硅基MOSFET管M1、M2运行在工频，电网电压正半周时，M1开通，M2关断，电网电压负半周时，M2导通，M1关断，M1、M2开通在电压过零点切换；2只GaN HEMT器件H1、H2运行在高频，通过高频PWM信号控制，实现LED灯电源的高功率因数控制；H1、H2的G端分别受一个高频PWM信号控制，该两个高频PWM信号的高电平交替，使得H1、H2交替开通，且两个H1、H2交替开通状态之间设有死区时间；同时，通过高频变PWM频率控制低压侧LED灯直流电流输出，开关频率随输入正弦电压变化；两个高频PWM信号的频率相同，为200kHz～1MHz；这两个高频PWM信号的占空比根据控制LED亮度需要，为0％～49.5％；
电网电压正半周内，各功率器件的开通、关闭情况分别如图3～图8所示，其中，黑色代表功率器件开通，浅灰色代表功率器件关断；
由于M1、M2、H1、H2类似于开关，因此其开通也称为开关闭合，其关断也称为开关断开；
电网电压正半周内，LED驱动电源的运行方式如下：
1)如图3所示，在[t0≤t＜t1]时段，t0时刻前，虽然M1开关常闭，但H1开关尚未闭合，因此电感Lb电流iLb为零，此时H1满足ZVS开通条件；H1闭合后，电网电压Vin直接加到电感Lb上，此后iLb按式(1)线性上升；
同时，半桥LLC谐振电路构成回路，满足谐振条件；此时谐振电流iLr大于励磁电流iLm，因此隔离变压器T二次侧全波整流器的二极管D1导通，电网侧向LED灯供电；由于二极管D1导通，因此励磁电感Lm被电压Vo*n1/n2钳位，Vo为输出电压，此后，励磁电感Lm的电流iLm按Vo*n1/(n2*Lb)线性上升；
2)如图4所示，在[t1≤t＜t2]时段，在t1时刻，H1仍然闭合，电感Lb电流iLb仍然线性上升，当t2时刻，iLb达到式(2)最大值；此后，由于谐振电流iLr与励磁电流iLm相等，二次侧全波整流器中D1电流iD1为零，也就是D1满足ZCS关断条件；
其中D为高频PWM信号的占空比，Ts为高频PWM信号的开关周期；Vin为电网电压；
3)如图5所示，在[t2≤t＜t3]时段，t2时刻H1断开，t3时刻H2闭合，期间H1和H2都断开，称为死区时间；t2时刻以后，电感Lb两端的电压变为Vin-VDC，电压极性反向，此后电感Lb电流iLb按式(3)下降；
其中，VDC为电容C上的电压；
此时，半桥LLC谐振电路构成回路，满足谐振条件；通过对H1和H2寄生电容的充电和放电来实现H2的ZVS开通条件；
4)如图6所示，在[t3≤t＜t4]时段，t3时刻，H2寄生电容的端电压下降为零，H2满足ZVS开通条件；电感Lb两端的电压仍为Vin-VDC，此后iLb仍按式(3)下降，由于H1断开，iLb至零后将不再变化；由于H2闭合，半桥LLC谐振电路的端电压变为零，电流向负方向增大，此时谐振电流iLr绝对值大于励磁电流iLm绝对值，因此隔离变压器T二次侧全波整流器的二极管D2导通，电网侧向LED灯供电；由于二极管D2导通，因此励磁电感Lm被电压-Vo*n1/n2钳位，此后，励磁电感Lm的电流iLm按-Vo*n1/(n2*Lb)线性下降；
5)如图7所示，在[t4≤t＜t5]时段，t4时刻，H2仍然闭合，H1断开，iLb仍保持为零；此时，由于谐振电流iLr和励磁电流iLm相等，二次侧全波整流器的D2电流iD2为零，也就是二极管D2满足ZCS关断条件，该过程类似于过程2；
6)如图8所示，在[t5≤t＜t6]时段，H1、H2、D1和D2都断开，一方面防止H1、H2上下管同时直通，另一方面，通过对H1和H2寄生电容的放电和充电来实现H1的ZVS开通条件；
电网电压负半周内，运行方式类似于上述6个过程，但M2开关常闭，相当于短路，M1开关常开，此处不再叙述；其中，电网电压由负向正过零时，M1开关闭合，M2开关断开；电网电压由正向负过零时，M2开关闭合，M1开关断开。
本发明涉及的术语解释如下：
PFC，功率因数校正。
HEMT(High Electron Mobility Transistor),高电子迁移率晶体管。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (6)
1.一种基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，其特征在于，包括图腾柱PFC电路、半桥LLC谐振电路、隔离变压器T、全波整流器；
所述图腾柱PFC电路的输入接交流电源，输出接半桥LLC谐振电路的输入；半桥LLC谐振电路接在隔离变压器T的原边侧，全波整流器接在隔离变压器T的副边侧；图腾柱PFC电路受控于工频方波信号和高频PWM信号，其中工频方波信号用于控制图腾柱PFC电路中的MOSFET管交替导通，高频PWM信号用于控制PFC电路中的GaN HEMT器件交替导通。
2.如权利要求1所述的基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，其特征在于，
图腾柱PFC电路包括输入滤波电感Lb、两只工频运行的MOSFET管M1、M2、两只高频运行的GaN HEMT器件H1、H2；其中M1和M2组成PFC电路的左桥臂，M1的D端连接高压侧直流正母线P，M1的S端连接M2的D端，组成中性点O1，中性点O1连接电感Lb的一端，电感Lb的另外一端连接交流电源的一端，M2的S端连接高压侧直流负母线N；其中H1和H2组成PFC电路的右桥臂，H1的D端连接高压侧正母线P，H1的S端连接H2的D端，组成中性点O2，中性点O2同时连接交流电源的另一端，H2的S端连接高压侧直流负母线N；此外高压侧直流正负母线PN间还连接电容C；其中GaN HEMT器件桥臂为图腾柱PFC电路和半桥LLC谐振电路共享桥臂。
3.如权利要求2所述的基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，其特征在于，
M1和M2的G端分别受控于一个工频方波信号，其中电网电压正半周时，控制M1的工频方波信号为高电平，控制M2的工频方波信号为低电平，电网电压负半周时，控制M1的工频方波信号为低电平，控制M2的工频方波信号为高电平。
4.如权利要求2或3所述的基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，其特征在于，
半桥LLC谐振电路包括谐振电感Lr、谐振电容器Cr和隔离变压器励磁电感Lm；其中谐振电容器Cr一端连接中性点O2，谐振电容器Cr另一端连接谐振电感Lr一端，谐振电感Lr另一端连接隔离变压器T原边侧的同名端，隔离变压器T原边侧的非同名端连接至高压侧直流负母线N；此外，隔离变压器T原边侧的同名端和非同名端并联隔离变压器T自身的励磁电感Lm；
隔离变压器T包含原边侧线圈L2、励磁电感Lm，以及副边侧2个线圈L3、L4，线圈L3和L4依次串联组成具有中心抽头O的二次侧；线圈L2匝数为n1，线圈L3、L4匝数均为n2。
5.如权利要求4所述的基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，其特征在于，
全波整流器包括二极管D1、D2、输出滤波电容Co；D1的阳极连接线圈L3同名端，D2的阳极连接线圈L4非同名端，D1、D2的阴极连接至低压侧直流正母线P1，隔离变压器二次侧中心抽头O连接至低压侧直流负母线；低压侧直流正负母线间还连接电容Co。
6.如权利要求2或3所述的基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源，其特征在于，
H1、H2的G端分别受一个高频PWM信号控制，该两个高频PWM信号的高电平交替，使得H1、H2交替开通，且两个H1、H2交替开通状态之间设有死区时间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811580974.6A CN109451628A (zh) | 2018-12-24 | 2018-12-24 | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811580974.6A CN109451628A (zh) | 2018-12-24 | 2018-12-24 | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109451628A true CN109451628A (zh) | 2019-03-08 |
Family
ID=65535105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811580974.6A Withdrawn CN109451628A (zh) | 2018-12-24 | 2018-12-24 | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109451628A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109921646A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-06-21 | 国网山西省电力公司长治供电公司 | 一种pfc和llc混合隔离型开关电源 |
| CN113595410A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-11-02 | 华南理工大学 | 一种基于GaN器件的高频高效半桥LLC谐振变换器 |
| WO2023217372A1 (en) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Ac/dc power converter |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011259560A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Minebea Co Ltd | 負荷駆動装置及びその周波数制御方法 |
| CN103855914A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 台达电子工业股份有限公司 | 电源系统及其中的功率模块以及制作功率模块的方法 |
| US20160285353A1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Switch driving circuit, and power factor correction circuit having the same |
| JP2017195736A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN107846151A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-27 | 华中科技大学 | 一种高效率的车载充电变换器 |
| CN107863880A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-30 | 华中科技大学 | 一种图腾柱pfc的全数字控制方法及装置 |
| CN107994789A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-04 | 浙江大学 | 一种基于无桥pfc和llc谐振的隔离型集成式ac-dc变换器 |
| CN207705877U (zh) * | 2018-01-25 | 2018-08-07 | 辽宁工业大学 | 一种高效率电动汽车车载充电机 |
| CN209593841U (zh) * | 2018-12-24 | 2019-11-05 | 无锡优电科技有限公司 | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 |
-
2018
- 2018-12-24 CN CN201811580974.6A patent/CN109451628A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011259560A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Minebea Co Ltd | 負荷駆動装置及びその周波数制御方法 |
| CN103855914A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 台达电子工业股份有限公司 | 电源系统及其中的功率模块以及制作功率模块的方法 |
| US20160285353A1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Switch driving circuit, and power factor correction circuit having the same |
| JP2017195736A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN107846151A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-27 | 华中科技大学 | 一种高效率的车载充电变换器 |
| CN107994789A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-04 | 浙江大学 | 一种基于无桥pfc和llc谐振的隔离型集成式ac-dc变换器 |
| CN107863880A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-30 | 华中科技大学 | 一种图腾柱pfc的全数字控制方法及装置 |
| CN207705877U (zh) * | 2018-01-25 | 2018-08-07 | 辽宁工业大学 | 一种高效率电动汽车车载充电机 |
| CN209593841U (zh) * | 2018-12-24 | 2019-11-05 | 无锡优电科技有限公司 | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109921646A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-06-21 | 国网山西省电力公司长治供电公司 | 一种pfc和llc混合隔离型开关电源 |
| CN113595410A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-11-02 | 华南理工大学 | 一种基于GaN器件的高频高效半桥LLC谐振变换器 |
| WO2023217372A1 (en) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Ac/dc power converter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108448913B (zh) | 一种单级式基于交错并联无桥pfc电路和llc谐振的隔离型ac-dc变换器 | |
| CN108900100B (zh) | 一种单相高效高频隔离型整流器 | |
| CN106026645B (zh) | 一种双向谐振变换器及其控制方法 | |
| WO2020248472A1 (zh) | 不对称半桥变换器及控制方法 | |
| CN105305829B (zh) | 电流型单向dc‑dc变换器及对称双pwm加移相控制方法 | |
| CN106550512B (zh) | 一种谐振软开关单级式led驱动电路 | |
| CN107041036B (zh) | 一种集成无桥Boost和LLC电路的单级LED驱动电路 | |
| CN107222100B (zh) | 一种集成Buck-Boost和LLC电路的单级LED驱动电路 | |
| CN103887976B (zh) | 电流源输入型谐振软开关dc/dc变换器 | |
| CN103066854B (zh) | 全桥拓扑电源、控制方法及通信设备 | |
| CN103944402A (zh) | 一种零电压开关的它激式推挽变换器的控制方法及变换器 | |
| CN109451628A (zh) | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 | |
| CN106100344A (zh) | 一种具有升高电压增益的llc谐振变换器 | |
| CN109742965A (zh) | 一种单相交错并联三电平谐振式的高频隔离型ac-dc变换器 | |
| Li et al. | High-power-factor single-stage LCC resonant inverter for liquid crystal display backlight | |
| CN209593841U (zh) | 基于GaN器件的单级隔离型LED驱动电源 | |
| CN109302071A (zh) | 一种全波有源整流型llc谐振变换器及其控制策略 | |
| CN110611444B (zh) | 一种无桥集成ac-dc整流电路及整流方法 | |
| CN106961220B (zh) | 一种具有均流特性的高效并联llc谐振变换器 | |
| CN104779807B (zh) | 一种应用在分布式电源中的llc谐振变换器 | |
| CN109921646A (zh) | 一种pfc和llc混合隔离型开关电源 | |
| CN101202507A (zh) | 一种新型移相全桥软开关变换器 | |
| CN209627243U (zh) | 一种pfc和llc混合隔离型开关电源 | |
| CN110012574A (zh) | 一种混合控制单级无桥Sepic和LLC的LED驱动电路 | |
| CN110224605A (zh) | 一种全桥变换电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20190308 |