CN109428613B - 一种干扰处理方法、装置和电路 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种干扰处理方法、装置和电路。本发明实施例中的干扰处理方法包括:根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;通过所述DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。重建DDR干扰信号,通过耦合器反向注入接收电路;接收电路根据接受灵敏度的阀值调节注入的干扰信号的幅度,延迟因子,从而进行闭环调节。

Description

一种干扰处理方法、装置和电路
技术领域
本发明涉及但不限于无线通信技术领域,尤指一种干扰处理方法、装置和电路。
背景技术
随着终端设备的发展与广泛应用,射频收发性能成为用户关注的主要性能指标之一,终端设备(例如智能终端)的射频收发性能直接关系到用户的通话或者数据通信体验,良好的天线接收灵敏度可以保证用户在弱信号下依然可以获得好的通话体验。
在终端设备的天线形式确定的情况下,天线的接收灵敏度与传导灵敏度和终端设备的电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility,简称为:EMC)设计密切相关。通常地,高速数字信号的干扰主要来自于双倍速率同步动态随机存储器(Dual Data Rate,简称为:DDR)芯片,目前消除DDR芯片带来的宽频谐波干扰的主要方法为:终端的EMC设计采用走线叠层避让和增加屏蔽罩实现物理屏蔽的方式来解决电磁干扰(Electro MagneticInterference,简称为:EMI)和EMC问题。然而,走线叠层避让的设计方式受限于电路板尺寸,电路板尺寸越小,走线叠层避让的设计越困难;另外,针对增加屏蔽罩实现物理屏蔽的方式:一方面,会增加终端设备的物料清单(Bill of Material,简称为:BOM)成本;另一方面,屏蔽罩会有缝隙,电磁场能量会通过缝隙衍射到自由空间并且通过天线耦合到接收电路,从而干扰天线接收灵敏度。
综上所述,现有技术中消除DDR芯片干扰的方式,由于走线叠层避让的方式受限于电路板尺寸,增加屏蔽罩会对干扰天线接收灵敏度造成影响,从而导致很难彻底消除DDR芯片带来的干扰;另外,增加屏蔽罩实现物理屏蔽的方式会增加终端设备的成本。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种干扰处理方法、装置和电路,以解决现有技术中无法彻底消除DDR芯片带来干扰的问题。
第一方面,本发明实施例提供一种干扰处理方法,包括:
根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
通过所述DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
优选地,所述根据预配置的处理参数对所述DDR参考信号进行反向处理之前,所述方法还包括:
根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建所述DDR参考信号,所述DDR参考信号与所述DDR干扰信号相同。
优选地,所述处理参数包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,所述根据预配置的处理参数对所述DDR参考信号进行反向处理,包括以下处理中的一项或多项:
根据所述限幅参数对所述DDR参考信号的幅度进行控制;
根据所述延迟参数对所述DDR参考信号的延迟因子进行控制;
根据所述相位参数对所述DDR参考信号的相位进行控制。
优选地,所述反馈信号用于指示所述DDR干扰信号被所述DDR反向参考信号所抵消的程度。
优选地,所述的干扰处理方法还包括:
根据所述反馈信号对所述处理参数进行调整;
根据所述调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
通过反向处理后的DDR反向参考信号对所述终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到所述反馈信号指示所述DDR干扰信号完全被所述DDR反向参考信号所抵消。
第二方面,本发明实施例还提供一种干扰处理装置,包括:
处理模块,用于根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
抵消模块,用于通过所述处理模块生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
优选地,所述的干扰处理装置还包括:
构建模块,用于在所述处理模块根据预配置的处理参数对所述DDR参考信号进行反向处理之前,根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建所述DDR参考信号,所述DDR参考信号与DDR干扰信号相同。
优选地,所述处理参数包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,所述处理模块包括以下一项或多项:
限幅单元,用于根据所述限幅参数对所述DDR参考信号的幅度进行控制;
延迟单元,用于根据所述延迟参数对所述DDR参考信号的延迟因子进行控制;
移相单元,用于根据所述相位参数对所述DDR参考信号的相位进行控制。
优选地,所述反馈信号用于指示所述DDR干扰信号被所述DDR反向参考信号所抵消的程度。
优选地,所述的干扰处理装置还包括:
调整模块,用于根据所述抵消模块得到的反馈信号对所述处理参数进行调整;
所述处理模块,还用于根据所述调整模块调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
所述抵消模块,还用于通过所述处理模块进行反向处理后的DDR反向参考信号对所述终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到所述反馈信号指示所述DDR干扰信号完全被所述DDR反向参考信号所抵消。
第三方面,本发明实施例还提供一种干扰处理电路,包括:双倍速率同步动态随机存储器DDR芯片、处理器和耦合器;
所述DDR芯片,用于产生DDR干扰信号;
所述处理器,用于根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号,所述DDR参考信号与所述DDR干扰信号相同;
所述耦合器,用于通过所述处理器生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,并将所述反馈信号传输到接收电路,所述终端设备接收的信号包括工作信号和所述DDR芯片产生的DDR干扰信号。
优选地,所述处理参数包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,所述处理器包括以下一项或多项:
限幅器,用于根据所述限幅参数对所述DDR参考信号的幅度进行控制;
延迟器,用于根据所述延迟参数对所述DDR参考信号的延迟因子进行控制;
移相器,用于根据所述相位参数对所述DDR参考信号的相位进行控制。
优选地,所述反馈信号用于指示所述DDR干扰信号被所述DDR反向参考信号所抵消的程度;
所述接收电路,用于将所述反馈信号传输到所述处理器;
所述处理器,还用于根据所述反馈信号对所述处理参数进行调整,并根据所述调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
所述耦合器,还用于通过所述处理器进行反向处理后的DDR反向参考信号对所述终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到所述反馈信号指示所述DDR干扰信号完全被所述DDR反向参考信号所抵消。
第四方面,本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,处理器执行所述计算机可执行指令时,进行如下操作:
根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
通过所述DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
本发明实施例提供的干扰处理方法、装置和电路,通过预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;并通过生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,其中,该终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号;上述DDR反向参考信号用于对终端设备中DDR芯片所产生的DDR干扰信号进行抵消,从而得到用于终端正常工作时的工作信号,上述反馈信号可以反应出DDR反向参考信号对DDR干扰信号进行抵消的程度,从而确定出DDR干扰信号是否被完全抵消掉,以便进行后续处理;本发明实施例提供的方法,解决了现有技术中无法彻底消除DDR芯片带来干扰的问题。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例提供的一种干扰处理方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的另一种干扰处理方法的流程图;
图3为本发明实施例提供的又一种干扰处理方法的流程图;
图4为本发明实施例提供的一种干扰处理装置的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种干扰处理装置的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种干扰处理装置的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种干扰处理电路的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种干扰处理电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
上述背景技术中已经说明,天线的接收灵敏度与传导灵敏度和终端设备的EMC设计密切相关。如果高速数字电路带来额外的干扰信号,则对接收灵敏度的恶化非常可观,极端情况下会对用户的通话或者数据业务带来灾难性的影响。
针对高速数字信号的干扰主要来自于DDR芯片的现状,现有技术中终端设备的EMC设计采用走线叠层避让和增加屏蔽罩实现物理屏蔽的方式来解决EMI和EMC问题。但随着终端设备电路板尺寸的减小和物理屏蔽的固有缺陷(屏蔽罩的使用会增加成本),DDR芯片带来的宽频谐波干扰很难通过上述方式得到彻底的消除,并且会带来额外的成本。因此,如何消除DDR芯片对天线接收灵敏度的干扰,是目前亟需解决的问题。
下面通过具体的实施例对本发明的技术方案进行详细说明,本发明以下各实施例中的DDR芯片为配置于终端设备中的芯片,终端设备例如为智能手机、平板电脑等具有通信功能的终端。本发明提供以下几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
图1为本发明实施例提供的一种干扰处理方法的流程图。本实施例提供的干扰处理方法适用于消除终端设备的DDR芯片带来的干扰的情况中,该方法可以由干扰处理装置执行,该干扰处理装置通过硬件和软件结合的方式来实现,该装置可以集成在终端设备的处理器中,供处理器调用使用。如图1所示,本发明实施例的方法可以包括如下步骤:
S110,根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号。
本发明实施例提供的干扰处理方法,为对终端设备中DDR芯片产生的DDR干扰信号进行处理的方式。其中,预配置的处理参数可以为配置于终端设备处理器中的参数,这些处理参数与进行反向处理的操作方式对应,例如,如果反向处理包括限幅处理,处理参数可以包括限幅参数,如果反向处理包括延迟处理,处理参数可以包括延迟参数,如果反向处理包括移相处理,处理参数可以包括相位参数。
需要说明的是,本发明实施例中的DDR参考信号为与DDR芯片所产生的DDR干扰信号相同的信号,即DDR参考信号与DDR干扰信号的幅度和相位完全相同,对DDR参考信号进行反向处理后生成的DDR反向参考信号与DDR干扰信号不同;另外,本发明实施例中预配置的处理参数可以是设计人员根据经验预先设定的,也可以是根据对DDR芯片所产生的DDR干扰信号设置的初始处理参数。
S120,通过DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,该终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
在本发明实施例中,终端设备在正常工作时,通过天线接收到的信号包括工作信号和DDR干扰信号,工作信号可以为用户使用终端设备进行通话或者终端设备传输数据业务时的有效信号,DDR干扰信号则是终端设备中DDR芯片带来的干扰信号,该DDR干扰信号为高速数字电路中干扰信号的主要来源,即DDR干扰信号可能对终端设备的接收灵敏度造成灾难性的影响,因此,如何消除终端设备正常通信时的DDR干扰信号是本发明实施例所要解决的问题。
在本发明实施例中,通过反向处理后生成的DDR反向参考信号对终端设备接收到的信号(包括工作信号和DDR干扰信号)进行抵消处理,即是对DDR干扰信号进行抵消处理,由于DDR干扰信号和DDR反向参考信号是具有方向性的,且具有不同的相位,该抵消处理是指对上述信号进行矢量叠加处理,抵消处理后的结果要求DDR反向参考信号可以抵消掉DDR干扰信号对工作信号带来的干扰影响。也就是说,本发明实施例通过形成一个与DDR干扰信号具有抵消效果的信号,来消除该DDR芯片所产生的DDR干扰信号对高速数字电路带来的影响。
现有技术消除DDR芯片带来干扰的方式中:一方面,走线叠层避让的方式受限于电路板尺寸,随着电路板尺寸的减小越来越难实现走线叠层避让的设计方式;另一方面,增加屏蔽罩不仅会增加终端设备的成本,还会带来新的干扰因素;因此,即现有技术中的方式均无法彻底消除DDR芯片带来的干扰问题。相比之下,本发明实施例提供的干扰处理方法,通过形成一个与DDR干扰信号具有抵消效果的信号,来消除该DDR芯片所产生的DDR干扰信号对高速数字电路带来的影响,其中,形成上述具有抵消效果的信号,即DDR反向参考信号的方式易于实现,可以先构建出一个与DDR干扰信号完全相同的DDR参考信号,并对该DDR参考信号的物理变量进行指定方式的处理即可得到,随后,对上述两个信号进行矢量叠加处理以尽可能消除掉DDR干扰信号,就可以得到终端设备所需的工作信号。
本发明实施例提供的干扰处理方法,通过预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;并通过生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,其中,该终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号;上述DDR反向参考信号用于对终端设备中DDR芯片所产生的DDR干扰信号进行抵消,从而得到用于终端正常工作时的工作信号,上述反馈信号可以反应出DDR反向参考信号对DDR干扰信号进行抵消的程度,从而确定出DDR干扰信号是否被完全抵消掉,以便进行后续处理;本发明实施例提供的方法,解决了现有技术中无法彻底消除DDR芯片带来干扰的问题。
本发明实施例重建DDR干扰信号,通过耦合器反向注入接收电路;接收电路根据接受灵敏度的阀值调节注入的干扰信号的幅度,延迟因子,从而进行闭环调节。
可选地,图2为本发明实施例提供的另一种干扰处理方法的流程图。在上述实施例的基础上,本发明实施例提供的方法在S110之前,还可以包括:
S100,根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建DDR参考信号,该DDR参考信号与DDR干扰信号相同。
本发明上述实施例中已经说明,S110中的DDR参考信号与DDR芯片所产生的DDR干扰信号完全相同,目的在于构建出一个与DDR干扰信号完全相同的信号,并对该信号进行反向处理,使得反向处理后的DDR反向参考信号可以实现与DDR干扰信号相抵消的效果。因此,本发明实施例在S110之前,可以根据已知的DDR干扰信号构建出与其完全相同的DDR参考信号,将该DDR参考信号作为目标对象进行反向处理。
可选地,在本发明实施例中,终端设备中预配置的处理参数可以包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,另外,S110的实现方式可以包括以下处理方式中的一项或多项:
S111,根据限幅参数对DDR参考信号的幅度进行控制;
S112,根据延迟参数对DDR参考信号的延迟因子进行控制;
S113,根据相位参数对DDR参考信号的相位进行控制。
在本发明实施例中,可以采用限幅器对DDR参考信号进行幅度控制的处理方式,限幅器中通常具有几档可调节端口,不同档位将信号的幅度限制在预设范围内,例如,预设范围为:+/-10mv,则DDR参考信号经过幅度控制后,幅度大于+10mv或幅度小于-10mv的部分的被限制在+/-10mv的幅度范围内,即限幅处理后信号的幅度不会超过+/-10mv;还可以采用延迟器对DDR参数进行延迟控制的处理方式,延迟参数的数量级通常由DDR芯片的处理速率决定,例如,DDR芯片的处理速率为兆赫兹(MHz),延迟参数为微秒(us)级,可以将延迟参数划分为0~9us这10个档位,每个档位对DDR参考信号的延迟的调节程度不同;还可以采用移相器对DDR参考信号进行相位控制的处理方式,对于数字信号来说,相位分为0和1,0表示0~180度,1表示180~360度,采用置位0或1的方式进行相位控制。
需要说明的是,本发明实施例不限制对DDR参考信号进行反向处理的具体方式,上述各种处理方式仅是示意性说明,可以执行其中的一项或多项,还可以包括其它反向处理方式,只要是可以形成用于对DDR干扰信号进行抵消的处理方式,都可以用于本发明实施例中的反向处理方式;另外,本发明实施例不限制S111~S113的执行顺序,可以是依次执行的,也可以是同步执行的,图2所示流程以S111~S113为顺序执行为例予以示出。
可选地,图3为本发明实施例提供的又一种干扰处理方法的流程图。在本发明上述各实施例上,S120中进行抵消处理得到的反馈信号用于指示DDR干扰信号被DDR反向参考信号所抵消的程度,也就是说,在执行一次S120后,DDR干扰信号可能没有完全被DDR反向参考信号所抵消,只抵消了其中一部分。为了更有效地消除DDR干扰信号对终端设备中工作信号的影响,本发明实施例提供的方法还可以包括:
S130,根据反馈信号对处理参数进行调整。
S140,根据调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
S150,通过反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到该反馈信号指示DDR干扰信号完全被DDR反向参考信号所抵消。
在本发明实施例中,上述已经说明反馈信号为通过反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理得到的,由于DDR反向参考信号进行反向处理前的DDR参考信号与DDR干扰信号完全相同,进行反向处理的目的是为了利用DDR反向参考信号抵消掉DDR干扰信号,从而消除DDR干扰信号对工作信号的影响。因此,本发明实施例中可以通过反馈信号判断DDR反向参考信号抵消DDR干扰信号的程度,即反馈信号可以体现出终端设备的接收灵敏度指标,灵敏度指标越高,说明DDR干扰信号被抵消的程度较优,灵敏度指标越低,说明DDR干扰信号被抵消的程度较差。因此,在反馈信号指示仍然存在一定程度的DDR干扰信号时,说明DDR反向参考信号并没有完全抵消掉DDR干扰信号,此时,还可以通过该反馈信号对预配置的处理参数进行调整,从而根据调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理,以及通过重新得到的DDR反向参考信号再次对DDR干扰信号进行抵消处理,从而不断的调整处理参数,也就是重复执行S130~S150,直到根据处理参数处理后得到的DDR反向参考信号可以完全抵消掉DDR干扰信号。
本发明实施例采用处理参数对DDR参考信号进行反向处理,并根据抵消处理后的反馈信号调整处理参数,形成一个闭环处理方式,通过不断调整的处理参数,使得DDR反向参考信号对DDR干扰信号的抵消程度越来越高,直到可以完全抵消掉DDR干扰信号,其中,根据反馈信号调整处理参数的方式可以采用软件实现,例如,通过多次调整可以判断出用于完全抵消DDR干扰信号的信号的各项物理参数,即幅度、延迟和相位等,并对DDR参考信号进行相应地调整,在调整过程中不断地接近完全抵消DDR干扰信号的目标。
图4为本发明实施例提供的一种干扰处理装置的结构示意图。本实施例提供的干扰处理装置适用于消除终端设备的DDR芯片带来的干扰的情况中,该干扰处理装置通过硬件和软件结合的方式来实现,该装置可以集成在终端设备的处理器中,供处理器调用使用。如图4所示,本实施例的干扰处理装置10可以包括:处理模块11和抵消模块12。
其中,处理模块11,用于根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号。
本发明实施例提供的干扰处理装置,用于对终端设备中DDR芯片产生的DDR干扰信号进行处理。其中,预配置的处理参数可以为配置于终端设备处理器中的参数,这些处理参数与进行反向处理的操作方式对应,例如,如果反向处理包括限幅处理,处理参数可以包括限幅参数,如果反向处理包括延迟处理,处理参数可以包括延迟参数,如果反向处理包括移相处理,处理参数可以包括相位参数。
需要说明的是,本发明实施例中的DDR参考信号为与DDR芯片所产生的DDR干扰信号相同的信号,即DDR参考信号与DDR干扰信号的幅度和相位完全相同,处理模块11对DDR参考信号进行反向处理后生成的DDR反向参考信号与DDR干扰信号不同;另外,本发明实施例中预配置的处理参数可以是设计人员根据经验预先设定的,也可以是根据对DDR芯片所产生的DDR干扰信号设置的初始处理参数。
抵消模块12,用于通过处理模块11生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,该终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
在本发明实施例中,终端设备在正常工作时,通过天线接收到的信号包括工作信号和DDR干扰信号,工作信号可以为用户使用终端设备进行通话或者终端设备传输数据业务时的有效信号,DDR干扰信号则是终端设备中DDR芯片带来的干扰信号,该DDR干扰信号为高速数字电路中干扰信号的主要来源,即DDR干扰信号可能对终端设备的接收灵敏度造成灾难性的影响,因此,如何消除终端设备正常通信时的DDR干扰信号是本发明实施例所要解决的问题。
在本发明实施例中,抵消模块12通过处理模块11进行反向处理后生成的DDR反向参考信号对终端设备接收到的信号(包括工作信号和DDR干扰信号)进行抵消处理,即是对DDR干扰信号进行抵消处理,由于DDR干扰信号和DDR反向参考信号是具有方向性的,且具有不同的相位,该抵消处理是指对上述信号进行矢量叠加处理,抵消模块12进行抵消处理后的结果要求DDR反向参考信号可以抵消掉DDR干扰信号对工作信号带来的干扰影响。也就是说,本发明实施例通过形成一个与DDR干扰信号具有抵消效果的信号,来消除该DDR芯片所产生的DDR干扰信号对高速数字电路带来的影响。
现有技术消除DDR芯片带来干扰的方式中:一方面,走线叠层避让的方式受限于电路板尺寸,随着电路板尺寸的减小越来越难实现走线叠层避让的设计方式;另一方面,增加屏蔽罩不仅会增加终端设备的成本,还会带来新的干扰因素;因此,即现有技术中的方式均无法彻底消除DDR芯片带来的干扰问题。相比之下,本发明实施例提供的干扰处理装置,通过处理模块11形成一个与DDR干扰信号具有抵消效果的信号,来消除该DDR芯片所产生的DDR干扰信号对高速数字电路带来的影响,其中,形成上述具有抵消效果的信号,即DDR反向参考信号的方式易于实现,可以先构建出一个与DDR干扰信号完全相同的DDR参考信号,并对该DDR参考信号的物理变量进行指定方式的处理即可得到,随后,对上述两个信号进行矢量叠加处理以尽可能消除掉DDR干扰信号,就可以得到终端设备所需的工作信号。
发明实施例提供的干扰处理装置用于执行本发明图1所示实施例提供的干扰处理方法,具备相应的功能模块,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
可选地,图5为本发明实施例提供的另一种干扰处理装置的结构示意图。在上述实施例的基础上,本发明实施例提供的干扰处理装置10还可以包括:
构建模块13,用于在处理模块11根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理之前,根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建DDR参考信号,该DDR参考信号与DDR干扰信号相同。
本发明上述实施例中已经说明,处理模块11进行反向处理的对象,即DDR参考信号与DDR芯片所产生的DDR干扰信号完全相同,目的在于构建出一个与DDR干扰信号完全相同的信号,并对该信号进行反向处理,使得反向处理后的DDR反向参考信号可以实现与DDR干扰信号相抵消的效果。因此,本发明实施例中的构建模块13,可以根据已知的DDR干扰信号构建出与其完全相同的DDR参考信号,将该DDR参考信号作为目标对象进行反向处理。
可选地,在本发明实施例中,终端设备中预配置的处理参数可以包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,另外,处理模块11可以包括以下一项或多项:
限幅单元111,用于根据限幅参数对DDR参考信号的幅度进行控制;
延迟单元112,用于根据延迟参数对DDR参考信号的延迟因子进行控制;
移相单元113,用于根据相位参数对DDR参考信号的相位进行控制。
在本发明实施例中,可以采用限幅单元111对DDR参考信号进行幅度控制的处理方式,限幅单元111中通常具有几档可调节端口,不同档位将信号的幅度限制在预设范围内,例如,预设范围为:+/-10mv,则DDR参考信号经过幅度控制后,幅度大于+10mv或幅度小于-10mv的部分的被限制在+/-10mv的幅度范围内,即限幅处理后信号的幅度不会超过+/-10mv;还可以采用延迟单元112对DDR参数进行延迟控制的处理方式,延迟参数的数量级通常由DDR芯片的处理速率决定,例如,DDR芯片的处理速率为兆赫兹(MHz),延迟参数为微秒(us)级,可以将延迟参数划分为0~9us这10个档位,每个档位对DDR参考信号的延迟的调节程度不同;还可以采用移相单元113对DDR参考信号进行相位控制的处理方式,对于数字信号来说,相位分为0和1,0表示0~180度,1表示180~360度,采用置位0或1的方式进行相位控制。
需要说明的是,本发明实施例不限制处理模块11对DDR参考信号进行反向处理的具体方式,上述限幅单元111、延迟单元112和移相单元113仅是示意性说明,处理模块11可以包括其中的一项或多项,还可以包括其它用于进行反向处理的功能模块,只要是可以形成用于对DDR干扰信号进行抵消的功能模块,都可以用于执行本发明实施例中的反向处理;另外,本发明实施例不限制限幅单元111、延迟单元112和移相单元113的执行顺序,可以是依据一定的顺序执行,也可以是同步执行。
发明实施例提供的干扰处理装置用于执行本发明图2所示实施例提供的干扰处理方法,具备相应的功能模块,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
可选地,图6为本发明实施例提供的又一种干扰处理装置的结构示意图。在本发明上述各实施例上,抵消模块12进行抵消处理后得到的反馈信号用于指示DDR干扰信号被DDR反向参考信号所抵消的程度,也就是说,在抵消模块12执行一次抵消处理后,DDR干扰信号可能没有完全被DDR反向参考信号所抵消,只抵消了其中一部分。为了更有效地消除DDR干扰信号对终端设备中工作信号的影响,本发明实施例提供的干扰处理装置10还可以包括:
调整模块14,用于根据抵消模块12得到的反馈信号对处理参数进行调整;
在本发明实施例中,处理模块11,还用于根据调整模块14调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
抵消模块12,还用于通过处理模块11进行反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到该反馈信号指示DDR干扰信号完全被DDR反向参考信号所抵消。
在本发明实施例中,上述已经说明反馈信号为通过反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理得到的,由于DDR反向参考信号进行反向处理前的DDR参考信号与DDR干扰信号完全相同,进行反向处理的目的是为了利用DDR反向参考信号抵消掉DDR干扰信号,从而消除DDR干扰信号对工作信号的影响。因此,本发明实施例中可以通过反馈信号判断DDR反向参考信号抵消DDR干扰信号的程度,即反馈信号可以体现出终端设备的接收灵敏度指标,灵敏度指标越高,说明DDR干扰信号被抵消的程度较优,灵敏度指标越低,说明DDR干扰信号被抵消的程度较差。因此,在反馈信号指示仍然存在一定程度的DDR干扰信号时,说明DDR反向参考信号并没有完全抵消掉DDR干扰信号,此时,还可以由调整模块14通过该反馈信号对预配置的处理参数进行调整,从而由处理模块11根据过调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理,以及由抵消模块12通过重新得到的DDR反向参考信号再次对DDR干扰信号进行抵消处理,从而不断的调整处理参数,也就是重复执行反向处理、抵消处理和调整处理参数的操作,直到根据处理参数处理后得到的DDR反向参考信号可以完全抵消掉DDR干扰信号。
本发明实施例采用处理参数对DDR参考信号进行反向处理,并根据抵消处理后的反馈信号调整处理参数,形成一个闭环处理方式,通过不断调整的处理参数,使得DDR反向参考信号对DDR干扰信号的抵消程度越来越高,直到可以完全抵消掉DDR干扰信号,其中,调整模块14根据反馈信号调整处理参数的方式可以采用软件实现,例如,通过多次调整可以判断出用于完全抵消DDR干扰信号的信号的各项物理参数,即幅度、延迟和相位等,并对DDR参考信号进行相应地调整,在调整过程中不断地接近完全抵消DDR干扰信号的目标。
发明实施例提供的干扰处理装置用于执行本发明图3所示实施例提供的干扰处理方法,具备相应的功能模块,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
图7为本发明实施例提供的一种干扰处理电路的结构示意图。本实施例提供的干扰处理电路适用于消除终端设备的DDR芯片带来的干扰的情况中,该干扰处理电路可以设置于终端设备中。如图7所示,本实施例的干扰处理电路可以包括:DDR芯片21、处理器22、耦合器23和接收电路24。
其中,DDR芯片21,用于产生DDR干扰信号;
处理器22,用于根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号,该DDR参考信号与上述DDR干扰信号相同。
本发明实施例提供的干扰处理电路,用于对终端设备中DDR芯片21产生的DDR干扰信号进行处理。其中,预配置的处理参数可以为配置于终端设备处理器22中的参数,这些处理参数与进行反向处理的操作方式对应,上述实施例中已经详细说明,故在此不再赘述。另外,DDR芯片21为终端设备中配置的常规芯片,在使用过程中会产生DDR干扰信号。
需要说明的是,本发明实施例中的DDR参考信号为与DDR芯片21所产生的DDR干扰信号相同的信号,即DDR参考信号与DDR干扰信号的幅度和相位完全相同,该DDR参考信号可以通过软件方式构建出来,处理器22对DDR参考信号进行反向处理后生成的DDR反向参考信号与DDR干扰信号不同;另外,本发明实施例中预配置的处理参数可以是设计人员根据经验预先设定的,也可以是根据对DDR芯片21所产生的DDR干扰信号设置的初始处理参数。
耦合器23,用于通过处理器22生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,并将该反馈信号传输到接收电路24,该终端设备接收的信号包括工作信号和DDR芯片21产生的DDR干扰信号。
在本发明实施例中,终端设备在正常工作时,耦合器23通过天线25接收到的信号包括工作信号和DDR干扰信号,工作信号可以为用户使用终端设备进行通话或者终端设备传输数据业务时的有效信号,DDR干扰信号则是终端设备中DDR芯片21带来的干扰信号,该DDR干扰信号为高速数字电路中干扰信号的主要来源。
在本发明实施例中,耦合器23通过处理器22进行反向处理后生成的DDR反向参考信号对终端设备接收到的信号(包括工作信号和DDR干扰信号)进行抵消处理,即是对DDR干扰信号进行抵消处理,耦合器23进行抵消处理后的结果要求DDR反向参考信号可以抵消掉DDR干扰信号对工作信号带来的干扰影响。也就是说,本发明实施例通过形成一个与DDR干扰信号具有抵消效果的信号,来消除该DDR芯片21所产生的DDR干扰信号对高速数字电路带来的影响。
发明实施例提供的干扰处理电路用于执行本发明图1所示实施例提供的干扰处理方法,具备相应的实体装置,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
可选地,图8为本发明实施例提供的另一种干扰处理电路的结构示意图。在上述实施例的基础上,本发明实施例提供的电路还可以包括:
模拟器26,用于在处理器22根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理之前,根据DDR芯片21产生的DDR干扰信号构建DDR参考信号,该DDR参考信号与DDR干扰信号相同。
本发明上述实施例中已经说明DDR参考信号可以通过软件方式构建出来,该模拟器26例如是通过软件实现构建DDR参考信号的载体。另外,本发明上述实施例中已经说明,处理器22进行反向处理的对象,即DDR参考信号与DDR芯片21所产生的DDR干扰信号完全相同,目的在于构建出一个与DDR干扰信号完全相同的信号,并对该信号进行反向处理,使得反向处理后的DDR反向参考信号可以实现与DDR干扰信号相抵消的效果。因此,本发明实施例中的模拟器26,可以根据已知的DDR干扰信号构建出与其完全相同的DDR参考信号,将该DDR参考信号作为目标对象进行反向处理。
可选地,在本发明实施例中,终端设备中预配置的处理参数可以包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,另外,处理器22可以包括以下一项或多项:
限幅器221,用于根据限幅参数对DDR参考信号的幅度进行控制;
延迟器222,用于根据延迟参数对DDR参考信号的延迟因子进行控制;
移相器223,用于根据相位参数对DDR参考信号的相位进行控制。
本发明实施例中,限幅器221、延迟器222和移相器223对DDR参考信号进行处理的方式上述实施例中已经详细描述,故在此不再赘述。
发明实施例提供的干扰处理电路用于执行本发明图2所示实施例提供的干扰处理方法,具备相应的实体装置,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
可选地,在本发明实施例中,耦合器23进行抵消处理后得到的反馈信号用于指示DDR干扰信号被DDR反向参考信号所抵消的程度,也就是说,在耦合器23执行一次抵消处理后,DDR干扰信号可能没有完全被DDR反向参考信号所抵消,只抵消了其中一部分。为了更有效地消除DDR干扰信号对终端设备中工作信号的影响,本发明实施例提供的干扰处理电路中:
接收电路24,用于将反馈信号传输到处理器22;
处理器22,还用于根据反馈信号对处理参数进行调整,并根据调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
耦合器23,还用于通过处理器22进行反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到反馈信号指示DDR干扰信号完全被DDR反向参考信号所抵消。
在本发明实施例中,上述已经说明反馈信号为通过反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理得到的,由于DDR反向参考信号进行反向处理前的DDR参考信号与DDR干扰信号完全相同,进行反向处理的目的是为了利用DDR反向参考信号抵消掉DDR干扰信号,从而消除DDR干扰信号对工作信号的影响。因此,本发明实施例中可以通过反馈信号判断DDR反向参考信号抵消DDR干扰信号的程度,即反馈信号可以体现出终端设备的接收灵敏度指标。因此,在反馈信号指示仍然存在一定程度的DDR干扰信号时,说明DDR反向参考信号并没有完全抵消掉DDR干扰信号,此时,接收电路24可以向处理器22发送该反馈信号,处理器22还可以通过该反馈信号对预配置的处理参数进行调整,从而根据过调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理,随后,耦合器23通过重新得到的DDR反向参考信号再次对DDR干扰信号进行抵消处理,从而处理器22可以不断的调整处理参数,也就是重复执行反向处理、抵消处理和调整处理参数的操作,直到根据处理参数处理后得到的DDR反向参考信号可以完全抵消掉DDR干扰信号。
本发明实施例中的处理器22采用处理参数对DDR参考信号进行反向处理,并根据抵消处理后的反馈信号调整处理参数,形成一个闭环处理方式,通过不断调整的处理参数,使得DDR反向参考信号对DDR干扰信号的抵消程度越来越高,直到可以完全抵消掉DDR干扰信号,其中,处理器22根据反馈信号调整处理参数的方式可以采用软件实现,例如,通过多次调整可以判断出用于完全抵消DDR干扰信号的信号的各项物理参数,即幅度、延迟和相位等,并对DDR参考信号进行相应地调整,在调整过程中不断地接近完全抵消DDR干扰信号的目标。
发明实施例提供的干扰处理电路用于执行本发明图3所示实施例提供的干扰处理方法,具备相应的实体装置,其实现原理和技术效果类似,此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,处理器执行该计算机可执行指令时,进行如下操作:
S31,根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
S32,通过DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,该终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
可选地,在本发明实施例中,该处理器执行该计算机可执行指令时,在执行S31之前,还进行如下操作:
S30,根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建DDR参考信号,该DDR参考信号与DDR干扰信号相同。
可选地,在本发明实施例中,上述理参数可以包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,该处理器执行该计算机可执行指令时,执行操作S32的实现方式,可以包括以下处理中的一项或多项:
S321,根据限幅参数对DDR参考信号的幅度进行控制;
S322,根据延迟参数对DDR参考信号的延迟因子进行控制;
S323,根据相位参数对DDR参考信号的相位进行控制。
可选地,在本发明实施例中,上述反馈信号用于指示述DDR干扰信号被DDR反向参考信号所抵消的程度,该处理器执行该计算机可执行指令时,还进行如下操作:
S33,根据反馈信号对处理参数进行调整;
S34,根据调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
S35,通过反向处理后的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到该反馈信号指示DDR干扰信号完全被DDR反向参考信号所抵消。
本领域普通技术人员可以理解上述方法中的全部或部分步骤可以通过程序来指令相关硬件(例如处理器)完成,所述程序可以存储于计算机可读存储介质中,如只读存储器、磁盘或光盘等。可选地,上述实施例的全部或部分步骤也可以使用一个或多个集成电路来实现。相应地,上述实施例中的各模块/单元可以采用硬件的形式实现,例如通过集成电路来实现其相应功能,也可以采用软件功能模块的形式实现,例如通过处理器执行存储于存储器中的程序/指令来实现其相应功能。本发明实施例不限制于任何特定形式的硬件和软件的结合。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种干扰处理方法,其特征在于,包括:
根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
通过所述DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
2.根据权利要求1所述的干扰处理方法,其特征在于,所述根据预配置的处理参数对所述DDR参考信号进行反向处理之前,所述方法还包括:
根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建所述DDR参考信号,所述DDR参考信号与所述DDR干扰信号相同。
3.根据权利要求1所述的干扰处理方法,其特征在于,所述处理参数包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,所述根据预配置的处理参数对所述DDR参考信号进行反向处理,包括以下处理中的一项或多项:
根据所述限幅参数对所述DDR参考信号的幅度进行控制;
根据所述延迟参数对所述DDR参考信号的延迟因子进行控制;
根据所述相位参数对所述DDR参考信号的相位进行控制。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的干扰处理方法,其特征在于,所述反馈信号用于指示所述DDR干扰信号被所述DDR反向参考信号所抵消的程度。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的干扰处理方法,其特征在于,还包括:
根据所述反馈信号对所述处理参数进行调整;
根据所述调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
通过反向处理后的DDR反向参考信号对所述终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到所述反馈信号指示所述DDR干扰信号完全被所述DDR反向参考信号所抵消。
6.一种干扰处理装置,其特征在于,包括:
处理模块,用于根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
抵消模块,用于通过所述处理模块生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
7.根据权利要求6所述的干扰处理装置,其特征在于,还包括:
构建模块,用于在所述处理模块根据预配置的处理参数对所述DDR参考信号进行反向处理之前,根据DDR芯片产生的DDR干扰信号构建所述DDR参考信号,所述DDR参考信号与DDR干扰信号相同。
8.根据权利要求6所述的干扰处理装置,其特征在于,所述处理参数包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,所述处理模块包括以下一项或多项:
限幅单元,用于根据所述限幅参数对所述DDR参考信号的幅度进行控制;
延迟单元,用于根据所述延迟参数对所述DDR参考信号的延迟因子进行控制;
移相单元,用于根据所述相位参数对所述DDR参考信号的相位进行控制。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的干扰处理装置,其特征在于,所述反馈信号用于指示所述DDR干扰信号被所述DDR反向参考信号所抵消的程度。
10.根据权利要求6~8中任一项所述的干扰处理装置,其特征在于,还包括:
调整模块,用于根据所述抵消模块得到的反馈信号对所述处理参数进行调整;
所述处理模块,还用于根据所述调整模块调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
所述抵消模块,还用于通过所述处理模块进行反向处理后的DDR反向参考信号对所述终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到所述反馈信号指示所述DDR干扰信号完全被所述DDR反向参考信号所抵消。
11.一种干扰处理电路,其特征在于,包括:双倍速率同步动态随机存储器DDR芯片、处理器和耦合器;
所述DDR芯片,用于产生DDR干扰信号;
所述处理器,用于根据预配置的处理参数对DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号,所述DDR参考信号与所述DDR干扰信号相同;
所述耦合器,用于通过所述处理器生成的DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,并将所述反馈信号传输到接收电路,所述终端设备接收的信号包括工作信号和所述DDR芯片产生的DDR干扰信号。
12.根据权利要求11所述的干扰处理电路,其特征在于,所述处理参数包括限幅参数、延迟参数和相位参数中的一项或多项,所述处理器包括以下一项或多项:
限幅器,用于根据所述限幅参数对所述DDR参考信号的幅度进行控制;
延迟器,用于根据所述延迟参数对所述DDR参考信号的延迟因子进行控制;
移相器,用于根据所述相位参数对所述DDR参考信号的相位进行控制。
13.根据权利要求11或12所述的干扰处理电路,其特征在于,所述反馈信号用于指示所述DDR干扰信号被所述DDR反向参考信号所抵消的程度;
所述接收电路,用于将所述反馈信号传输到所述处理器;
所述处理器,还用于根据所述反馈信号对所述处理参数进行调整,并根据所述调整后的处理参数重新对上一次反向处理得到的DDR反向参考信号进行反向处理;
所述耦合器,还用于通过所述处理器进行反向处理后的DDR反向参考信号对所述终端设备接收的信号进行抵消处理,重新得到反馈信号,直到所述反馈信号指示所述DDR干扰信号完全被所述DDR反向参考信号所抵消。
14.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令,处理器执行所述计算机可执行指令时,进行如下操作:
根据预配置的处理参数对双倍速率同步动态随机存储器DDR参考信号进行反向处理,生成DDR反向参考信号;
通过所述DDR反向参考信号对终端设备接收的信号进行抵消处理,得到反馈信号,所述终端设备接收的信号包括工作信号和DDR干扰信号。
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