CN109427944A - 发光封装和包括其的发光模块 - Google Patents

发光封装和包括其的发光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN109427944A
CN109427944A CN201810971336.0A CN201810971336A CN109427944A CN 109427944 A CN109427944 A CN 109427944A CN 201810971336 A CN201810971336 A CN 201810971336A CN 109427944 A CN109427944 A CN 109427944A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
layer
insulating layer
electrode
conductive layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810971336.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李政昱
高建宇
崔繁在
韩在镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN109427944A publication Critical patent/CN109427944A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明构思涉及一种发光封装及包括其的发光模块。一种发光封装包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的发光结构。该发光封装还包括设置在第一表面上的电极层以及设置在发光结构和电极层上的绝缘层。该发光封装还包括穿透绝缘层并连接到电极层的互连导电层以及设置在绝缘层与互连导电层之间的反射层。反射层在朝向第二表面的方向上反射从发光结构产生的光。

Description

发光封装和包括其的发光模块
技术领域
本发明构思涉及半导体发光器件、发光封装以及发光模块。
背景技术
作为一种半导体发光器件的发光二极管(LED)具有诸如低功耗和高亮度的特点。例如，LED在背光和大显示器中使用，并且可以用于诸如照明和发信号的目的。随着LED市场的扩大，LED的应用范围也在扩大。
发明内容
根据本发明构思的一示例性实施方式，一种发光封装包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的发光结构。该发光封装还包括设置在第一表面上的电极层以及设置在发光结构和电极层上的绝缘层。该发光封装还包括穿透绝缘层并连接到电极层的互连导电层以及设置在绝缘层与互连导电层之间的反射层。反射层在朝向第二表面的方向上反射从发光结构产生的光。
根据本发明构思的一示例性实施方式，一种发光封装包括第一区域和第二区域，具有彼此相反的第一表面和第二表面的发光结构位于第一区域中，第二区域与第一区域相邻。该发光封装还包括绝缘层、互连导电层和反射层，绝缘层覆盖发光结构的第一表面和侧表面并且从第一区域延伸到第二区域，互连导电层重叠绝缘层并从第一区域延伸到第二区域，反射层设置在绝缘层与互连导电层之间。
根据本发明构思的一示例性实施方式，一种发光模块包括模块基板和安装在模块基板上的发光封装。发光封装包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的发光结构，发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光封装还包括电极层，电极层包括接触第一半导体层的第一电极和接触第二半导体层的第二电极。发光封装还包括绝缘层、反射层、粘合层和互连导电层，绝缘层覆盖发光结构的第一表面和侧表面，反射层重叠绝缘层，粘合层设置在绝缘层与反射层之间，互连导电层与绝缘层间隔开并具有分别连接到第一电极和第二电极的第一互连导电层和第二互连导电层。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的以上及另外的特征将被更清楚地理解，附图中：
图1是根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件的一部分的剖视图；
图2是根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件的一部分的剖视图；
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I、图3J和图3K是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的制造图1所示的半导体发光器件的方法的剖视图；
图4是根据本发明构思的一示例性实施方式的发光封装的剖视图；
图5是根据本发明构思的一示例性实施方式的图4的区域V的放大图；
图6是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图4所示的发光封装的亮度的图；
图7是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图4所示的发光封装的亮度的图；
图8是根据本发明构思的一示例性实施方式的发光封装的一部分的剖视图；
图9是显示根据本发明构思的一示例性实施方式的图8所示的发光封装的亮度的图；
图10是根据本发明构思的一示例性实施方式的发光模块的剖视图；
图11是示出包括根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件和/或发光封装的调光系统的示意俯视图；以及
图12是包括根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件和/或发光封装的显示装置的框图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明构思的示例性实施方式。
图1是根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件100的一部分的剖视图。
参照图1，半导体发光器件100可以包括发光结构110、绝缘层120、电极层130、互连导电层160、粘合层140和反射层150。
发光结构110可以具有彼此相反的第一表面110a和第二表面110b，并且可以包括在从第二表面110b到第一表面110a的方向上顺序堆叠的第一半导体层111、有源层113和第二半导体层115。在本发明构思的一示例性实施方式中，第二表面110b可以是其中发射发光结构110中产生的光的光发射表面。
第一半导体层111、有源层113和第二半导体层115可以每个包括表示为InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的基于镓氮化物的化合物半导体。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第一半导体层111可以包括用于根据电源向有源层113提供电子的n型GaN层。n型GaN层可以包括包含IV族元素的n型杂质。n型杂质可以包括Si、Ge、Sn等。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第二半导体层115可以包括用于根据电源向有源层113提供空穴的p型GaN层。p型GaN层可以包括包含II族元素的p型杂质。在本发明构思的一示例性实施方式中，p型杂质可以包括Mg、Zn、Be等。
由于电子和空穴的复合以光子的形式释放能量，有源层113可以发射具有预定能量的光。有源层113可以具有其中量子阱层和量子势垒层交替地堆叠至少一次的结构。量子阱层可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。在本发明构思的一示例性实施方式中，有源层113可以包括u-AlGaN。在本发明构思的一示例性实施方式中，有源层113可以具有诸如GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或InGaN/AlGaN的多量子阱结构。为了提高有源层113的发射效率，可以改变有源层113中量子阱的深度、量子阱层和量子势垒层的堆叠数量、量子阱层和量子势垒层的厚度等。
电极层130可以设置在发光结构110的第一表面110a上，并且可以包括设置在第一半导体层111上的第一电极131和设置在第二半导体层115上的第二电极136。
第一电极131和第二电极136可以每个包括从例如Ni、Al、Au、Ti、Cr、Ag、Pd、Cu、Pt、Sn、W、Rh、Ir、Ru、Mg和Zn中选择的单个金属的金属膜、或者包括其组合的多层膜或合金膜。在本发明构思的一示例性实施方式中，第一电极131和第二电极136可以每个具有Al/Cr/Ti/Pt的堆叠结构。
第二电极136可以直接接触第二半导体层115。例如，第二电极136可以直接设置在第二半导体层115上。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的一示例性实施方式中，另一半导体层可以设置在第二半导体层115与第二电极136之间。
绝缘层120可以设置在发光结构110上，可以覆盖发光结构110的表面的一部分和电极层130的表面的一部分，并且可以包括覆盖发光结构110的侧表面的第一部分以及远离发光结构110的侧表面延伸的第二部分。例如，绝缘层120可以设置在发光结构110的第一表面110a上。绝缘层120可以包括第一绝缘层121和第二绝缘层123。
第一绝缘层121可以设置在发光结构110的表面上，并且可以不覆盖第一电极131和第二电极136。例如，第一绝缘层121可以设置在与第一电极131和第二电极136相同的层上。第二绝缘层123可以设置在第一绝缘层121、第一电极131和第二电极136上。第二绝缘层123可以包括部分地暴露第一电极131的第一孔123H1和部分地暴露第二电极136的第二孔123H2。
第一绝缘层121和第二绝缘层123可以每个包括但不限于硅氧化物膜、硅氮化物膜、绝缘聚合物或其组合。
互连导电层160可以设置在绝缘层120和电极层130上。作为示例，反射层150和粘合层140可以设置在互连导电层160与绝缘层120之间。互连导电层160可以包括连接到第一电极131的第一互连导电层161和连接到第二电极136的第二互连导电层163。第一互连导电层161可以经由形成在第二绝缘层123中的第一孔123H1连接到第一电极131，第二互连导电层163可以经由形成在第二绝缘层123中的第二孔123H2连接到第二电极136，第一互连导电层161和第二互连导电层163可以彼此绝缘。例如，第一互连导电层161和第二互连导电层163可以通过设置在其间的间隙或绝缘层而彼此隔开。
第一互连导电层161和第二互连导电层163可以每个包括多个金属层。例如，第一互连导电层161和第二互连导电层163可以每个具有其中顺序地堆叠金属反射膜、金属阻挡膜和金属布线膜的结构。金属反射膜可以包括Al、Ag或其组合。金属阻挡膜可以包括Cr、Ti或其组合。金属布线膜可以包括Cu、Cr或其组合。在本发明构思的一示例性实施方式中，第一互连导电层161和第二互连导电层163可以每个具有Al/Cr/Ti/Cr/Ti/Cu/Cr的堆叠结构或Ag/Cr/Ti/Cr/Ti/Cu/Cr的堆叠结构。然而，本发明构思不限于此，可以对其进行各种修改和改变。
反射层150可以设置在绝缘层120与互连导电层160之间，并且可以反射发光结构110中产生的光。反射层150可以覆盖第一表面110a的至少一部分，并将从第一表面110a发射的光反射到作为光发射表面的第二表面110b。在其中形成反射层150的部分处，从发光结构110的第一表面110a发射的光可以在该光到达互连导电层160之前被反射层150反射，因而可以防止由通过互连导电层160的光的吸收所致的光提取效率的劣化。
设置在第二绝缘层123与互连导电层160之间的反射层150可以沿着第二绝缘层123的表面延伸，并且可以不形成在第一电极131的经由第一孔123H1暴露的部分以及第二电极136的经由第二孔123H2暴露的部分之上。
反射层150可以包括例如Ag、Al、Ni、Cr、Pd、Cu、Pt、Sn、W、Au、Rh、Ir、Ru、Mg、Zn或包含其中至少一种的合金。在本发明构思的一示例性实施方式中，反射层150可以包括Ag、Al、Pt、其组合或包括其中至少一种的合金。反射层150和互连导电层130可以包括彼此不同的材料。
粘合层140可以设置在绝缘层120与反射层150之间，并且可以增加绝缘层120与反射层150之间的粘合性。反射层150与第二绝缘层123之间的粘合层140可以沿着第二绝缘层123的表面延伸。
粘合层140可以包括高透光材料以防止发光结构110中产生的光在到达反射层150之前被粘合层140吸收。粘合层140可以是透明导电氧化物(TCO)。例如，粘合层140可以包括铟锡氧化物(ITO)、锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)或其组合。
在本发明构思的一示例性实施方式中，由于反射层150在绝缘层120与互连导电层160之间，因此可以降低由通过互连导电层160的光吸收所致的光损失，并且可以增加通过第二表面110b发射的光的量，由此提高光提取效率。此外，在本发明构思的一示例性实施方式中，能够增加反射层150与绝缘层120之间的粘合性的粘合层140设置在反射层150与绝缘层120之间，因此，可以防止反射层150从绝缘层120剥落。
图2是根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件100a的一部分的剖视图。
除电极层130a之外，图2所示的半导体发光器件100a可以具有与图1所示的半导体发光器件100基本上相同的构造。在图2中，与图1中的元件相同的元件由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复描述。
参照图2，电极层130a可以包括第一电极131a和第二电极136a。
第一电极131a可以包括第一下电极结构132、第一上电极结构133和第一固定结构134。
第一下电极结构132可以设置在发光结构110的第一表面110a上，并且可以接触第一半导体层111。第一下电极结构132可以包括从Ni、Al、Au、Ti、Cr、Ag、Pd、Cu、Pt、Sn、W、Rh、Ir、Ru、Mg和Zn中选择的单个金属的金属膜、或者包含其组合的多层膜或合金膜。在本发明构思的一示例性实施方式中，第一下电极结构132可以包括Ag、Al、其组合或包含其中至少一种的合金。
第一上电极结构133可以覆盖第一下电极结构132的至少一部分，因而可以阻止第一下电极结构132与绝缘层120之间的接触。换言之，第一上电极结构133设置在第一下电极结构132与绝缘层120之间。例如，当第一下电极结构132包括Ag时，Ag在热和/或化学上不稳定，因而可以与空气中的硫反应而形成银硫化物，或者可以与空气中的氧反应而形成银氧化物，从而在制造半导体发光器件100a的工艺期间引起泄漏电流或损坏第一下电极结构132。然而，包括比第一下电极结构132的材料在热和/或化学上更稳定的材料的第一上电极结构133可以通过覆盖第一下电极结构132而防止对第一下电极结构132的损坏或泄漏电流的发生。
此外，第一上电极结构133可以围绕第一下电极结构132，并且第一上电极结构133的至少一部分可以面对第一表面110a。第一上电极结构133可以包括具有相对高的反射率的金属，因而可以增加由第一电极131a反射的光的量，从而提高光提取效率。
第一上电极结构133可以包括从Ni、Al、Au、Ti、Cr、Ag、Pd、Cu、Pt、Sn、W、Rh、Ir、Ru、Mg和Zn中选择的单个金属的金属膜、或者包含其组合的多层膜或合金膜。在本发明构思的一示例性实施方式中，第一上电极结构133可以具有Ag/Cr/Ti的堆叠结构、Ag/Ni/Ti的堆叠结构或其组合。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第一上电极结构133的材料可以与第一下电极结构132的材料相同。在本发明构思的一示例性实施方式中，第一上电极结构133的材料可以不同于第一下电极结构132的材料。
第一固定结构134可以设置在第一下电极结构132与第一上电极结构133之间以及在第一上电极结构133与发光结构110的第一表面110a之间。第一固定结构134可以设置在第一下电极结构132与第一上电极结构133之间以增加第一下电极结构132与第一上电极结构133之间的粘合性，并且可以设置在第一上电极结构133与发光结构110之间以增加第一上电极结构133与发光结构110之间的粘合性。
第一固定结构134可以包括高透光材料以防止光在到达第一上电极结构133之前被第一固定结构134吸收。例如，第一固定结构134可以是TCO。例如，第一固定结构134可以包括ITO、ZnO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO或其组合。
第二电极136a可以包括设置在发光结构110的第一表面110a上的第二下电极结构137、第二上电极结构138和第二固定结构139。第二上电极结构138可以设置在第二下电极结构137上，第二下电极结构137设置在发光结构110的第一表面110a上。第二固定结构139可以设置在第二上电极结构138与第二下电极结构137之间。第二下电极结构137、第二上电极结构138和第二固定结构139可以分别对应于上述第一电极131a的第一下电极结构132、第一上电极结构133和第一固定结构134。例如，第二下电极结构137、第二上电极结构138和第二固定结构139可以分别执行与第一下电极结构132、第一上电极结构133和第一固定结构134基本上相同的功能，并且可以分别包括与第一下电极结构132、第一上电极结构133和第一固定结构134的材料基本上相同的材料。
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I、图3J和图3K是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的制造图1所示的半导体发光器件100的方法的剖视图。在图3A至图3K中，与图1中的元件相同的元件由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复描述。
参照图3A，具有第一半导体层111、有源层113和第二半导体层115的发光结构110形成在衬底101上。在本发明构思的一示例性实施方式中，衬底101可以是硅衬底。
在本发明构思的一示例性实施方式中，发光结构110可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)或分子束外延(MBE)工艺形成。
参照图3B，第一半导体层111的低表面部分111L通过从第二半导体层115台面蚀刻(mesa-etch)发光结构110的一部分至第一半导体层111的一部分而形成。换言之，发光结构110被蚀刻使得第一半导体层111的低表面部分111L被暴露。
发光结构110可以通过反应离子蚀刻(RIE)工艺被台面蚀刻。
参照图3C，第一绝缘层121被形成，第一绝缘层121覆盖发光结构110和第一半导体层111的低表面部分111L的暴露表面。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第一绝缘层121可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)或旋涂工艺形成。
参照图3D，暴露第一半导体层111的低表面部分111L的孔H1通过蚀刻第一绝缘层121的一部分被形成，然后，第一电极131形成在孔H1中以连接到第一半导体层111。
此外，暴露第二半导体层115的上表面的孔H2通过蚀刻第一绝缘层121的另一部分被形成，然后，第二电极136形成在孔H2中以连接到第二半导体层115。
在本发明构思的一示例性实施方式中，RIE工艺和使用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)的湿蚀刻工艺可以用于在第一绝缘层121中形成孔H1和H2。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第一电极131和第二电极136可以通过使用电子束蒸发的定向气相沉积(DVD)工艺形成。
在本实施方式中，第二电极136可以在第一电极131形成之后被形成。然而，形成第一电极131和第二电极136的次序不限于此。例如，第二电极136可以在第一电极131之前被形成。
参照图3E，第二绝缘层123被形成，第二绝缘层123覆盖第一绝缘层121、第一电极131和第二电极136的每个。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第二绝缘层123可以通过PECVD、PVD或旋涂工艺形成。
参照图3F，暴露第一电极131的一部分的第一孔123H1和暴露第二电极136的一部分的第二孔123H2通过蚀刻第二绝缘层123的一部分被形成。
为了形成第一孔123H1和第二孔123H2，其中形成部分地暴露第二绝缘层123的多个孔的掩模图案可以形成在第二绝缘层123上，然后，第二绝缘层123可以通过使用该掩模图案作为蚀刻掩模被蚀刻。此外，第二绝缘层123可以通过去除用作蚀刻掩模的掩模图案被暴露。例如，可以使用RIE工艺来蚀刻第二绝缘层123。
参照图3G，粘合层140形成在第二绝缘层123上。在本发明构思的一示例性实施方式中，为了形成粘合层140，覆盖第二绝缘层123的TCO可以被形成，并且TCO的一部分可以被去除以暴露第一电极131和第二电极136。
在本发明构思的一示例性实施方式中，与图3G和图3H所示不同，粘合层140的用于暴露第一电极131和第二电极136的部分以及反射层150的用于暴露第一电极131和第二电极136的部分可以通过使用相同的掩模图案被去除。换言之，构成粘合层140的材料膜和构成反射层150的材料膜顺序地堆叠在第二绝缘层123上，并且掩模图案形成在构成反射层150的材料膜上。接着，通过使用该掩模图案作为蚀刻掩模，构成粘合层140的材料膜的一部分和构成反射层150的材料膜的一部分可以被去除，以暴露第一电极131和第二电极136。
参照图3H，反射层150形成在粘合层140上。在本发明构思的一示例性实施方式中，为了形成反射层150，包括具有高反射率的金属的金属膜可以形成在粘合层140上，然后，该金属膜的一部分可以被去除以暴露第一电极131和第二电极136。
参照图3I，第一子金属层165被形成，第一子金属层165覆盖反射层150、通过第二绝缘层123暴露的第一电极131和第二电极136。
在本发明构思的一示例性实施方式中，第一子金属层165可以具有其中重复地堆叠多个金属层的多层结构。例如，第一子金属层165可以包括Ag/Ti/Cu金属层或Ag/Cr/Cu金属层。在本发明构思的一示例性实施方式中，第一子金属层165可以通过溅射工艺形成。
参照图3J，第二子金属层167形成在第一子金属层165上。在本发明构思的一示例性实施方式中，第二子金属层167可以通过使用第一子金属层165作为籽晶层的电镀工艺被形成。例如，覆盖第一子金属层165的一部分的掩模图案169被形成，然后，第二子金属层167通过使用第一子金属层165作为籽晶层的电镀工艺形成在掩模图案169周围和在第一子金属层165上。在本发明构思的一示例性实施方式中，第二子金属层167可以通过浸镀、无电镀、电镀或其组合形成。
第二子金属层167可以与第一子金属层165一体地形成，并且可以构成连接到第一电极131的第一互连导电层161和连接到第二电极136的第二互连导电层163。
参照图3K，图3J所示的掩模图案169被去除。例如，可以使用灰化工艺或剥离工艺来去除掩模图案169。
在掩模图案169被去除之后，第一子金属层165的一部分被暴露，并且该暴露部分可以被去除。接着，反射层150的在第一子金属层165的去除部分下方的部分以及粘合层140的在第一子金属层165的去除部分下方的部分可以被去除，以暴露第二绝缘层123的表面。
接着，衬底101可以被去除(图3K中未示出)，并且例如可以执行研磨工艺和蚀刻工艺中的至少一个以去除衬底101。
图4是根据本发明构思的一示例性实施方式的发光封装200的剖视图。图5是根据本发明构思的一示例性实施方式的图4的区域V的放大图。
参照图4，发光封装200可以包括发光结构110、绝缘层120、第一电极131、第二电极136、反射层150、粘合层140、互连导电层160、波长转换层170、第一柱183、第二柱185和树脂层181。图4中示出了作为芯片级封装(CSP)的发光封装200。在图4中，与图1至图3K中的元件相同的元件可以由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复描述。
参照图4，发光封装200可以包括发光结构110所在的第一区域R1、以及第一区域R1周围的第二区域R2。例如，第二区域R2可以围绕第一区域R1。
绝缘层120可以位于第一区域R1和第二区域R2中。在第一区域R1中，绝缘层120可以沿着发光结构110的表面延伸以至少部分地覆盖发光结构110的第一表面110a和侧表面。例如，绝缘层120可以部分地围绕发光结构110，使得发光结构110的第二表面110b被暴露。在第二区域R2中，绝缘层120可以从发光结构110的侧表面延伸到发光结构110外部的区域。例如，第二区域R2中的绝缘层120可以围绕发光结构110。
在本发明构思的一示例性实施方式中，波长转换层170可以设置在绝缘层120上，并且绝缘层120可以包括平行于波长转换层170延伸的在第二区域R2内的部分。例如，绝缘层120可以包括在第二区域R2中平行于波长转换层170的表面(例如波长转换层170的与绝缘层120接触的表面)延伸的部分。
在本发明构思的一示例性实施方式中，绝缘层120可以延伸到发光封装200的边缘。绝缘层120可以经由发光封装200的侧表面暴露，并且绝缘层120的侧表面可以部分地构成发光封装200的侧表面。
互连导电层160可以位于第一区域R1和第二区域R2中。在第一区域R1中，互连导电层160可以形成在绝缘层120上，并且可以连接到第一电极131和/或第二电极136。在第二区域R2中，互连导电层160可以沿着绝缘层120的表面延伸。
在本发明构思的一示例性实施方式中，互连导电层160可以包括平行于波长转换层170延伸的在第二区域R2内的部分。例如，互连导电层160可以包括在第二区域R2中平行于波长转换层170的表面(例如波长转换层170的与绝缘层120接触的表面)延伸的部分。在第一区域R1和第二区域R2中，互连导电层160可以被树脂层181覆盖。在第二区域R2中，如图所示，反射层150可以设置在绝缘层120与树脂层181之间以及在绝缘层120与互连导电层160之间。
由于互连导电层160不仅形成在第一区域R1(其为发光封装200的中央部分)中，而且形成在第二区域R2(其为发光封装200的外围区域)中，因此可以减小施加到发光封装200的应力(例如在制造发光封装200的工艺期间施加的应力)。
反射层150可以在第一区域R1和第二区域R2之上。反射层150可以沿着绝缘层120延伸到发光封装200的边缘。例如，反射层150可以重叠绝缘层120。
在本发明构思的一示例性实施方式中，反射层150可以包括平行于波长转换层170延伸的在第二区域R2内的部分。例如，反射层150可以包括在第二区域R2中平行于波长转换层170的表面(例如波长转换层170的与绝缘层120接触的表面)延伸的部分。
在本发明构思的一示例性实施方式中，反射层150可以延伸到发光封装200的边缘。反射层150可以经由发光封装200的侧表面暴露，并且反射层150的侧表面可以部分地构成发光封装200的侧表面。
由于反射层150设置在互连导电层160与绝缘层120之间，因此可以减少第一区域R1和第二区域R2上的光损失。例如，如图4所示，反射层150可以反射在第一电极131和第二电极136周围通过第一表面110a发射的第二光L2、第三光L3和第四光L4，因而可以将第二光L2、第三光L3和第四光L4指引为通过第二表面110b或波长转换层170发射。此外，反射层150可以反射通过发光结构110的侧表面发射的第一光L1，以使其通过第二表面110b或波长转换层170发射。
在本发明构思的一示例性实施方式中，反射层150的侧表面可以相对于发光结构110的第一表面110a成预定角度。因此，通过发光结构110的侧表面发射的第一光L1可以被反射以通过第二表面110b或波长转换层170发射。然而，本发明构思不限于此。
此外，如图5所示，反射层150可以在发光封装200的边缘部分处。因此，可以防止光被互连导电层160和/或树脂层181吸收，并且行进到发光封装200的侧表面或下部的光可以被反射，使得该光可以被发射到发光封装200的上部。例如，通过发光结构110的第二表面110b发射的光L可以被荧光体颗粒171反射或散射以朝向发光封装200的侧部或下部行进。在第二区域R2中，反射层150延伸到发光结构110外部的区域，因此，所述光L可以被反射层150反射，并且可以通过波长转换层170发射到发光封装200的上部。
波长转换层170可以覆盖发光结构110的第二表面110b，并且可以覆盖第二区域R2内的绝缘层120的表面(即覆盖绝缘层120的第二部分的在第二区域R2中的部分)。波长转换层170可以将从发光封装200的发光结构110发射的光的波长转换成另一波长。在本发明构思的一示例性实施方式中，波长转换层170可以包括含荧光体或量子点的树脂。在本发明构思的一示例性实施方式中，波长转换层170可以转换光的波长，使得从发光封装200发射的最终光可以是例如白光。
在本发明构思的一示例性实施方式中，发光结构110可以在与波长转换层170接触的第二表面110b中具有不平坦图案119。由于不平坦图案119形成在第二表面110b(其为光发射表面)中，由于光的漫反射光提取效率可以提高，从而提高发光封装200的光提取效率。
第一柱183和第二柱185可以分别设置在第一互连导电层161和第二互连导电层163上。第一柱183可以经由第一互连导电层161电连接到第一电极131，第二柱185可以经由第二互连导电层163电连接到第二电极136。第一柱183和第二柱185可以通过电镀形成。
树脂层181可以覆盖互连导电层160、第一柱183和第二柱185。在本发明构思的一示例性实施方式中，树脂层181可以包括环氧树脂、硅树脂、氟树脂或其组合。
在本发明构思的一示例性实施方式中，树脂层181可以与绝缘层120、波长转换层170、反射层150和粘合层140一起构成发光封装200的侧表面。例如，树脂层181、绝缘层120、波长转换层170、反射层150和粘合层140可以共平面。
根据本发明构思的一示例性实施方式的发光封装200(其为CSP)可以是具有与普通发光器件芯片基本上相同的尺寸的封装，并且可以通过反射层150减少光损失，从而获得每单位面积大量的光。此外，因为在晶片级执行每个工艺，所以发光封装200能够大规模生产。
图6是显示了根据本发明构思的一示例性实施方式的图4所示的发光封装200的亮度的图。图6显示了根据图4所示的本实施方式的发光封装200的亮度、以及根据比较示例的发光封装的亮度的每个。与根据本实施方式的发光封装200不同，根据比较示例的发光封装不包括与反射层150和粘合层140对应的部分。
参照图4和图6，如上所述，根据本实施方式的发光封装200包括反射层150，因此，可以减少由互连导电层160所致的光损失。此外，在根据本实施方式的发光封装200中，反射层150延伸到发光封装200的边缘部分，因此，在发光封装200的边缘部分处可以减少由互连导电层160和/或树脂层181所致的光损失。换言之，如图6所示，可以发现，由于光损失减少，通过第二表面110b和波长转换层170发射的光的量增加并且发光封装200的光提取效率提高。
图7是显示了根据本发明构思的一示例性实施方式的图4所示的发光封装200的亮度的图。在图7中，该图显示了对于其中粘合层140的厚度不同的三种情况的每个发光封装200的亮度。
参照图4和图7，可以发现，发光封装200的亮度根据粘合层140的厚度而改变，并且亮度随着粘合层140的厚度减小而增加。换言之，随着粘合层140的厚度增加，由粘合层140所致的光损失会逐渐增加，结果，光提取效率会降低。因此，粘合层140的适当厚度可以防止反射层150的剥落，并且能够使光损失最小化。因此，发光封装200可以具有提高的光提取效率和可靠性。
图8是根据本发明构思的一示例性实施方式的发光封装200a的一部分的剖视图。
除了图8的第一电极131a和第二电极136a可以具有与图2所示的半导体发光器件100a的第一电极131a和第二电极136a基本上相同的结构之外，图8所示的发光封装200a可以具有与图4所示的发光封装200基本上相同的构造。在图8中，与先前附图中的元件相同的元件可以由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复描述。
如图8所示，因为第一电极131a的第一上电极结构133可以包括具有相对高的反射率的金属，所以朝向第一电极131a行进的光L1和L2可以被第一电极131a的第一下电极结构132和第一上电极结构133朝向波长转换层170反射。此外，朝向第二电极136a行进的光L1和L2可以被第二电极136a的第二下电极结构137和第二上电极结构138朝向波长转换层170反射。
图9是显示了根据本发明构思的一示例性实施方式的图8所示的发光封装200a的亮度的图。图9显示了根据图8所示的本实施方式的发光封装200a的亮度、以及根据比较示例的发光封装的亮度的每个。与根据本实施方式的发光封装200a不同，根据比较示例的发光封装不包括与第一上电极结构133和第二上电极结构138对应的部分。
参照图8和图9，可以发现，根据本实施方式的发光封装200a具有提高的亮度。例如，第一电极131a和第二电极136a的反射区域可以分别由第一电极131a的第一上电极结构133和第二电极136a的第二上电极结构138扩展。此外，可以增加通过第二表面110b和波长转换层170发射的光的量，从而提高发光封装200a的光提取效率。
图10是根据本发明构思的一示例性实施方式的发光模块700的剖视图。
参照图10，发光模块700可以包括模块基板510和安装在模块基板510上的发光封装200。发光封装200经由连接构件550电连接到模块基板510。例如，发光模块700可以用于大显示器、发光二极管电视机(LED TV)、RGB白照明、情感照明(emotional illumination)等。图10所示的发光封装200可以与以上参照图4描述的发光封装200基本上相同，并且可以省略其重复描述。
模块基板510包括含多个通孔512的主体部分514、形成在多个通孔512中的多个贯通电极522和524、形成在主体部分514的两个表面上的多个布线层(例如第一至第四布线层532、534、536和538)。第一至第四布线层532、534、536和538包括在主体部分514的两个表面处分别连接到贯通电极522的两个端部的第一布线层532和第二布线层534、以及在主体部分514的两个表面处分别连接到贯通电极524的两个端部的第三布线层536和第四布线层538。第一布线层532和第三布线层536可以在主体部分514的一个表面处彼此分开，第二布线层534和第四布线层538可以在主体部分514的另一表面处彼此分开。
主体部分514可以包括诸如印刷电路板(PCB)、金属基PCB(MCPCB)、金属PCB(MPCB)或柔性PCB(FPCB)的电路基板、或者诸如AlN或Al2O3的陶瓷基板。
多个贯通电极522和524以及第一至第四布线层532、534、536和538可以每个包括例如Cu、Au、Ag、Ni、W、Cr或其组合。
发光封装200可以通过倒装芯片方法安装在模块基板510上。换言之，发光封装200可以设置在模块基板510上方，使得发光封装200的在此暴露第一柱183和第二柱185的表面面对模块基板510的表面。此外，第一柱183可以通过连接构件550连接到第一布线层532，并且第二柱185可以通过连接构件550连接到第三布线层536。
虽然图10显示了其中图4所示的发光封装200安装在模块基板510上的示例，但是图8所示的发光封装200a可以通过使用与以上参照图10描述的方法相似的方法安装在模块基板510上。
图11是示出包括根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件和/或发光封装的调光系统的示意俯视图。
参照图11，调光系统1000可以包括设置在结构1010上的发光模块1020和电源单元1030。
发光模块1020可以包括多个发光器件封装1024。多个发光器件封装1024可以包括半导体发光器件100和100a、发光封装200和200a和/或发光模块700。此外，多个发光器件封装1024可以包括从其修改和改变的半导体发光器件、发光封装和/或发光模块。
电源单元1030可以包括经由其输入电力的接口1032、以及控制提供给发光模块1020的电力的电力控制器1034。接口1032可以包括用于断开过电流的熔断器、以及用于阻挡电磁干扰信号的电磁屏蔽滤波器。电力控制器1034可以包括用于在交流电作为电力输入时将交流电转换成直流电的整流单元和平滑单元(smoothing unit)、以及用于转换成适合于发光模块1020的电压的恒压控制器。电源单元1030可以包括用于将多个发光器件封装1024处的发射量与预先设定的光量进行比较的反馈电路器件、以及用于存储诸如期望的亮度、显色性等的信息的存储器件。
在本发明构思的一示例性实施方式中，调光系统1000可以用作背光单元(BLU)，以用于显示装置(诸如包括图像面板的液晶显示(LCD)装置)、室内照明装置(诸如灯、平板照明等)、或室外照明装置(诸如告示牌、路标等)。在本发明构思的一示例性实施方式中，调光系统1000可以用于各种运输工具中的照明装置，例如用于汽车、船舶或飞机的照明装置。此外，调光系统1000可以用于家用电器(诸如TV、冰箱等)、医疗设备等。
图12是包括根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体发光器件和/或发光封装的显示装置1100的框图。
参照图12，显示装置1100可以包括广播接收单元1110、图像处理单元1120和显示器1130。
显示器1130可以包括显示面板1140和BLU 1150。BLU 1150可以包括用于产生光的光源以及用于驱动光源的驱动器件。
广播接收单元1110(其是用于选择无线地或经由空中的电线或通过电缆接收的广播的频道的装置)可以将多个频道当中的频道设定为输入频道，并且可以接收设定为输入频道的频道的广播信号。
图像处理单元1120可以对从广播接收单元1110输出的广播内容执行诸如视频解码、视频缩放、帧速率转换(FRC)等的信号处理。
显示面板1140可以被配置为LCD，但不限于此。显示面板1140显示在图像处理单元1120中被信号处理的广播内容。BLU 1150将光投射到显示面板1140上，使得显示面板1140可以显示图像。BLU 1150可以包括半导体发光器件100和100a、发光封装200和200a和/或发光模块700、以及从其修改和改变的半导体发光器件、发光封装和/或发光模块。
虽然已经参照本发明构思的示例性实施方式显示和描述了本发明构思，但是对本领域普通技术人员将明显的是，可以对其进行在形式和细节上的各种改变而不背离如由所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围。
本申请要求享有2017年8月24日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0107404号的优先权，其公开通过引用全文在此合并。

Claims (20)

1.一种发光封装，包括：
发光结构，其具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；
电极层，其设置在所述第一表面上；
绝缘层，其设置在所述发光结构和所述电极层上；
互连导电层，其穿透所述绝缘层并且连接到所述电极层；以及
反射层，其设置在所述绝缘层与所述互连导电层之间，其中所述反射层将从所述发光结构产生的光在朝向所述第二表面的方向上反射。
2.根据权利要求1所述的发光封装，还包括设置在所述绝缘层与所述反射层之间的粘合层。
3.根据权利要求1所述的发光封装，还包括所述发光结构所在的第一区域以及所述第一区域周围的第二区域，其中
所述绝缘层包括覆盖所述发光结构的侧表面的第一部分以及远离所述发光结构的所述侧表面延伸的第二部分，以及
所述互连导电层的至少一部分重叠所述绝缘层的所述第一部分和所述绝缘层的所述第二部分。
4.根据权利要求3所述的发光封装，其中所述反射层的一部分覆盖所述绝缘层的所述第一部分和所述绝缘层的所述第二部分。
5.根据权利要求4所述的发光封装，还包括设置在所述绝缘层的所述第一部分与所述反射层之间以及在所述绝缘层的所述第二部分与所述反射层之间的粘合层。
6.根据权利要求3所述的发光封装，其中所述绝缘层通过所述发光封装的侧表面暴露。
7.根据权利要求3所述的发光封装，还包括覆盖所述互连导电层的树脂层，
其中，在所述第二区域中，所述反射层设置在所述绝缘层与所述树脂层之间以及在所述绝缘层和所述互连导电层之间。
8.根据权利要求3所述的发光封装，还包括设置在所述发光结构的所述第二表面和所述绝缘层的所述第二部分的在所述第二区域中的部分上的波长转换层。
9.根据权利要求8所述的发光封装，其中所述波长转换层直接接触所述第二表面和所述绝缘层的所述第二部分的在所述第二区域中的所述部分。
10.根据权利要求1所述的发光封装，其中所述电极层包括：
下电极结构，其接触所述发光结构的所述第一表面；以及
上电极结构，其覆盖所述下电极结构并且设置在所述绝缘层与所述下电极结构之间，其中所述上电极结构的至少一部分面对所述发光结构的所述第一表面并且反射从所述发光结构产生的光。
11.根据权利要求10所述的发光封装，其中所述电极层还包括设置在所述下电极结构与所述上电极结构之间以及在所述发光结构的所述第一表面与所述上电极结构之间的固定结构。
12.一种发光封装，包括：
第一区域，具有彼此相反的第一表面和第二表面的发光结构位于所述第一区域中；
第二区域，其与所述第一区域相邻；
绝缘层，其覆盖所述发光结构的所述第一表面和侧表面并且从所述第一区域延伸到所述第二区域；
互连导电层，其重叠所述绝缘层并且从所述第一区域延伸到所述第二区域；以及
反射层，其设置在所述绝缘层与所述互连导电层之间。
13.根据权利要求12所述的发光封装，还包括设置在所述绝缘层与所述反射层之间的粘合层。
14.根据权利要求12所述的发光封装，还包括设置在所述发光结构的所述第一表面上的电极层，
其中所述电极层包括：
下电极结构，其设置在所述发光结构的所述第一表面上；
上电极结构，其覆盖所述下电极结构并且包括与所述下电极结构的材料不同的材料；以及
固定结构，其设置在所述下电极结构与所述上电极结构之间以及在所述发光结构的所述第一表面与所述上电极结构之间。
15.根据权利要求12所述的发光封装，还包括覆盖所述发光结构的所述第二表面和所述绝缘层的在所述第二区域中的部分的波长转换层，
其中所述波长转换层的侧表面、所述绝缘层的侧表面和所述反射层的侧表面共平面。
16.根据权利要求12所述的发光封装，其中所述反射层和所述互连导电层包括彼此不同的材料。
17.一种发光模块，包括：
模块基板；以及
发光封装，其安装在所述模块基板上，
其中所述发光封装包括：
发光结构，其具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
电极层，其包括接触所述第一半导体层的第一电极和接触所述第二半导体层的第二电极；
绝缘层，其覆盖所述发光结构的所述第一表面和侧表面；
反射层，其重叠所述绝缘层；
粘合层，其设置在所述绝缘层与所述反射层之间；以及
互连导电层，其与所述绝缘层间隔开，并且具有分别连接到所述第一电极和所述第二电极的第一互连导电层和第二互连导电层。
18.根据权利要求17所述的发光模块，其中所述绝缘层的一部分和所述互连导电层的一部分覆盖所述发光结构的所述侧表面，并且从所述发光结构的所述侧表面延伸至所述发光结构外部的区域。
19.根据权利要求18所述的发光模块，其中所述绝缘层、所述粘合层和所述反射层通过所述发光封装的侧表面暴露。
20.根据权利要求17所述的发光模块，其中所述第一电极或所述第二电极包括：
下电极结构，其接触所述发光结构的所述第一表面；
上电极结构，其覆盖所述下电极结构，其中所述上电极结构的至少一部分面对所述第一表面；以及
透明导电氧化物，其设置在所述下电极结构与所述上电极结构之间以及在所述第一表面与所述上电极结构之间。
CN201810971336.0A 2017-08-24 2018-08-24 发光封装和包括其的发光模块 Pending CN109427944A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0107404 2017-08-24
KR1020170107404A KR102370621B1 (ko) 2017-08-24 2017-08-24 발광 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109427944A true CN109427944A (zh) 2019-03-05

Family

ID=65435578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810971336.0A Pending CN109427944A (zh) 2017-08-24 2018-08-24 发光封装和包括其的发光模块

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20190067538A1 (zh)
KR (1) KR102370621B1 (zh)
CN (1) CN109427944A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113948593A (zh) * 2021-09-23 2022-01-18 中山德华芯片技术有限公司 一种太阳能电池背金结构及其应用

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102422091B1 (ko) * 2017-12-07 2022-07-18 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
US20190237629A1 (en) * 2018-01-26 2019-08-01 Lumileds Llc Optically transparent adhesion layer to connect noble metals to oxides
DE102019113119A1 (de) * 2019-05-17 2020-11-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
CN113594326B (zh) * 2021-07-29 2022-12-20 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管、发光模块及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1804301B1 (en) * 2004-10-19 2017-01-11 Nichia Corporation Semiconductor element
KR100682870B1 (ko) * 2004-10-29 2007-02-15 삼성전기주식회사 다층전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
JP4947954B2 (ja) * 2005-10-31 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 発光素子
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) * 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
CN102484185B (zh) * 2009-09-07 2015-01-21 首尔伟傲世有限公司 半导体发光二极管及其制造方法
KR20120092000A (ko) * 2011-02-09 2012-08-20 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 소자
JP5582054B2 (ja) * 2011-02-09 2014-09-03 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP5949294B2 (ja) * 2011-08-31 2016-07-06 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5684751B2 (ja) * 2012-03-23 2015-03-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
KR102087933B1 (ko) * 2012-11-05 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113948593A (zh) * 2021-09-23 2022-01-18 中山德华芯片技术有限公司 一种太阳能电池背金结构及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR102370621B1 (ko) 2022-03-04
US20190067538A1 (en) 2019-02-28
KR20190021932A (ko) 2019-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109427944A (zh) 发光封装和包括其的发光模块
US9263652B2 (en) Semiconductor light-emitting device
TWI436503B (zh) 發光裝置及發光裝置封裝件
US20180062045A1 (en) Light emitting device and light emitting device package
CN103094435B (zh) 发光器件及发光器件封装
US20140231849A1 (en) Semiconductor light-emitting devices
CN102148307B (zh) 发光器件
CN104518064A (zh) 发光器件和具有该发光器件的发光器件封装
CN102194930B (zh) 用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法
JP6062149B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
US20140252394A1 (en) Light emitting device
CN102194951A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102222744A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
TW201010136A (en) A light-emitting semiconductor device and package with a wavelength conversion structure
CN102148318B (zh) 发光器件封装及其制造方法、以及照明系统
CN102163665B (zh) 发光器件和制造发光器件的方法
US10340420B2 (en) Semiconductor light-emitting device having a transparent cover layer tail portion
CN103811619A (zh) 发光器件
US9478710B2 (en) Light-emitting device, light-emitting device package, and light unit
CN102214759A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
US20180175247A1 (en) Semiconductor light-emitting device
KR20120045530A (ko) 발광 소자
CN103996675A (zh) 发光器件
CN102208509B (zh) 发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装
CN102315349A (zh) 发光器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190305

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication