CN103811619A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光器件。根据实施方案的发光器件包括：发光结构，其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；设置在第一导电半导体层上的多个第一电极；电连接至第二导电半导体层的第二电极；设置在第二电极下方的导电支承构件；分别将第一电极电连接至导电支承构件的多个第一连接部；以及电连接至第二电极的第二连接部，其中第一电极在第一导电半导体层的顶表面上的彼此间隔开。

Description

发光器件
技术领域
本发明的实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。
背景技术
发光二极管（LED）已被广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成例如红外光、可见光和紫外光等光的形式。
随着发光器件的光效率增加，发光器件已被用于各种领域，例如显示装置和照明器具。
发明内容
实施方案提供能够防止电流集中并且提高电可靠性和光效率的发光器件、发光器件封装件以及光单元。
根据实施方案的发光器件包括：发光结构，其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；设置在第一导电半导体层上的多个第一电极；电连接至第二导电半导体层的第二电极；设置在第二电极下方的导电支承构件；分别将第一电极电连接至导电支承构件的多个第一连接部；以及电连接至第二电极的第二连接部，其中第一电极在第一导电半导体层的顶表面上的彼此间隔开。
根据实施方案，第一电极可以以点的形式布置在第一导电半导体层上。
根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及光单元可以防止电流集中并且提高电可靠性和光效率。
附图说明
图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。
图2是沿图1所示的发光器件的线A-A截取的截面图。
图3至图7是示出制造发光器件的方法的截面图。
图8至图13是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的截面图。
图14是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
图15是示出根据实施方案的显示器件的分解透视图。
图16是示出根据实施方案的显示器件的另一实例的截面图。
图17是示出根据实施方案的光单元的分解透视图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应理解，当层（或膜）、区域、图案或结构被称为处于另一衬底、另一层（或膜）、另一区域、另一焊垫或另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接”或“间接”处于其它衬底、层（或膜）、区域、焊垫或图案之上，或者还可以存在一个或更多个中间层。层的这种位置是参照附图描述的。
为了方便或清楚的目的，图中示出的每层的厚度和尺寸可能被放大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
下文中，将参照附图详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。
图1是示出根据实施方案的发光器件的视图，图2是沿图1所示的发光器件的线A-A截取的截面图。
如图1和图2所示，根据实施方案的发光器件可以包括发光结构10、导电支承构件70、第一电极80以及第二电极87。
发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以设置在第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11下方，并且第二导电半导体层13可以设置在有源层12下方。
第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。
例如，第一导电半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体来实现。
例如，第一导电半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第一导电半导体层11可以包含选自掺杂有N型掺杂剂（如Si、Ge、Sn、Se以及Te）的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。
通过经由第一导电半导体层11注入的电子（或空穴）和经由第二导电半导体层13注入的空穴（或电子）的复合，有源层12发射具有如下波长的光：该波长对应于根据构成有源层12的材料的能隙差。有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构和量子线结构中的一种，但实施方案不限于此。
有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时，可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成有源层12。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的周期。
例如，第二导电半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第II-V族化合物半导体来实现。
例如，第二导电半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第二导电半导体层13可以包含选自掺杂有P型掺杂剂（如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba）的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。
同时，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电半导体层13下方另外设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此，发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种。另外，可以以均一或不均一的掺杂浓度将杂质掺杂到第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换言之，发光结构10可以具有各种结构，但实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电半导体层11和有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或第一导电InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13和有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构10的下部的外周部处的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以设置为高于有源层12的顶表面。沟道层30可以围绕有源层12。沟道层30可以围绕第二导电半导体层13的外周部。沟道层30的一端可以设置在第二导电半导体层13下方。沟道层30的上述一端可以与第二导电半导体层13的底表面接触。沟道层30的上述一端可以设置在第二导电半导体层13和第二电极87之间。沟道层30的上述一端可以设置在第二导电半导体层13和反射层17之间。
例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，沟道层30可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。沟道层30可被称为隔离层。之后，在对发光结构10执行隔离工艺时，沟道层30可以用作蚀刻停止物。另外，通过隔离工艺，可以防止发光器件的电气特性劣化。
第一电极80可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极80可以设置在第一导电半导体层11上。第一电极80可以接触第一导电半导体层11。
可以设置有多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。反射层17可以设置在发光结构10下方。反射层17可以设置在第二导电半导体层13下方。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层17和第二导电半导体层13之间的欧姆接触层15。欧姆接触层15可以接触第二导电半导体层13。
欧姆接触层15可以欧姆接触发光结构10。欧姆接触层15可以包括与发光结构10欧姆接触的欧姆接触区域。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。另外，反射层17可以反射从发光结构10入射到其上的光，以增加提取到外部的光量。
例如，欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，欧姆接触层15可以包含选自ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、AZO（氧化锌铝）、AGZO（氧化铝镓锌）、IZTO（氧化铟锌锡）、IAZO（氧化铟铝锌）、IGZO（氧化铟镓锌）、IGTO（氧化铟镓锡）、ATO（氧化锑锡）、GZO（氧化锌镓）、IZON（IZO氮化物）、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti中的至少一种。
反射层17可以包含具有高反射率的材料。例如，反射层17可以包含包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种金属以及其合金。另外，反射层17可以形成为金属或其合金和透射导电材料的多层，该透射导电材料例如为ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（氧化铟锌锡）、IAZO（氧化铟铝锌）、IGZO（氧化铟镓锌）、IGTO（氧化铟镓锡）、AZO（氧化锌铝）或ATO（氧化锑锡）。例如，根据实施方案，反射层17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
例如，反射层17可以具有其中交替形成有Ag层和Ni层的结构，并且可以包括Ni/Ag/Ni层或Ti层和Pt层。另外，欧姆接触层15可以设置在反射层17下方，并且欧姆接触层15的至少一部分可以通过反射层17欧姆接触发光结构10。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在反射层17下方的第一金属层35。第一金属层35可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
根据实施方案，第二电极87可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少一个。例如，第二电极87可以包括反射层17、第一金属层35以及欧姆接触层15中的所有层，或者可以包括选自反射层17、第一金属层35以及欧姆接触层15中的一层或两层。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一金属层35下方的第二金属层50。
第二金属层50可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。第二金属层50可以用作扩散阻挡层。可以在第二金属层50下方设置接合层60和导电支承构件70。
第二金属层50可以防止在设置接合层60的过程中将包含在接合层60中的材料扩散到反射层17中。第二金属层50可以防止包含在接合层60中的材料如锌（Zn）对反射层17产生影响。
接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的发光结构10。接合层60可以以籽层的形式实现。
导电支承构件70可以包括注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底（例如，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC以及SiGe衬底）中的至少一种。
根据实施方案，可以通过第二电极87和第一电极80向发光结构10供电。根据实施方案，第一电极80可以包括欧姆层、中间层和上层。欧姆层可以包含选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Au以及Al中的材料来实现。例如，上层可以包含Au。第一电极80可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
可以在第一导电半导体层11的顶表面上形成粗糙结构85。因此，可以在形成有粗糙结构85的区域处增加向上提取的光量。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一金属层35和第二金属层50之间的绝缘层40。绝缘层40可以使第一金属层35与第二金属层50绝缘。绝缘层40可以使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。例如，绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，绝缘层40可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。
绝缘层40可以围绕第一金属层35的外周部。绝缘层40的一部分可以接触反射层17的侧面。绝缘层40的顶表面可以在发光结构10的下部的外周部处露出。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。
根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90和第二连接部95。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别与第一电极80接触。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以与第二金属层50接触。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
第一连接部90可以设置为穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。另外，第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第二金属层50。第一连接部90可以穿过沟道层30和绝缘层40电连接至第二金属层50。
第一连接部90可以设置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以设置在第一导电半导体层11的侧面。第一连接部90可以接触第一导电半导体层11的侧面。沟道层30可以使第一连接部90与有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电半导体层13绝缘。第一连接部90可以与有源层12间隔开至少3μm的距离。
第二连接部95可以电连接至第一金属层35。第二连接部95可以接触第一金属层35。第二连接部95的一端可以设置在沟道层30上。第二连接部95的上述一端可以与发光结构10的侧面间隔开。第二连接部95的上述一端可以在发光结构10的侧面处露出。
第二连接部95可以穿过沟道层30电连接至第一金属层35。另外，第二连接部95可以穿过绝缘层40电连接至第一金属层35。第二连接部95可以电连接至第二电极87。第二连接部95可以与第二电极87接触。
第一连接部90和第二连接部95可以包含Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
在下文中，将参照图3至图7来描述制造根据实施方案的发光器件的方法。
根据制造实施方案的发光器件的方法，如图3所示，可以在衬底5上形成第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13可以被定义为发光结构10。
例如，衬底5可以包含蓝宝石衬底（Al2O3）、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP以及Ge中的至少一种，但实施方案不限于此。可以在第一导电半导体层11和衬底5之间设置缓冲层。
第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。
例如，第一导电半导体层11可以包含N型半导体。第一导电半导体层11可以包含具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料。例如，第一导电半导体层11可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN中的一种，并且可以掺杂有N型掺杂剂，如Si、Ge、Sn、Se以及Te。
经由通过第一导电半导体层11注入的电子（或空穴）和通过第二导电半导体层13注入的空穴（或电子）的复合，有源层12发射具有如下波长的光：该波长与根据构成有源层12的材料的能隙差相对应。有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构和量子线结构中的一种结构，但实施方案不限于此。
有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时，可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成有源层12。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的周期。
例如，第二导电半导体层13可以通过使用P型半导体来实现。第二导电半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第二导电半导体层13可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN中的一种，并且可以掺杂有P型掺杂剂，如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba。
同时，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电半导体层13上另外设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此，发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外，可以以均一或不均一的掺杂浓度将杂质掺杂到第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换言之，发光结构10可以具有各种结构，但实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电半导体层11和有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或第一导电InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13和有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
接下来，如图4所示，通过对发光结构10执行蚀刻方案，可以露出第一导电半导体层11的一部分。在此情况下，蚀刻可以包括湿法蚀刻方案或干法蚀刻方案。
然后，如图5所示，可以在发光结构10中设置沟道层30、欧姆接触层15和反射层17。
例如，沟道层30可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。
欧姆接触层15可以设置在反射层17和第二导电半导体层13之间。欧姆接触层15可以接触第二导电半导体层13。
欧姆接触层15可以欧姆接触发光结构10。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。欧姆接触层15可以包括欧姆接触发光结构10的欧姆接触区域。
例如，欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，欧姆接触层15可以包含选自ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、AZO（氧化锌铝）、AGZO（氧化铝镓锌）、IZTO（氧化铟锌锡）、IAZO（氧化铟铝锌）、IGZO（氧化铟镓锌）、IGTO（氧化铟镓锡）、ATO（氧化锑锡）、GZO（氧化锌镓）、IZON（IZO氮化物）、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti中的至少一种。
反射层17可以包含具有高反射率的材料。例如，反射层17可以包含包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种金属以及其合金。另外，反射层17可以形成为金属或其合金和透射导电材料的多层，该透射导电材料例如为ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（氧化铟锌锡）、IAZO（氧化铟铝锌）、IGZO（氧化铟镓锌）、IGTO（氧化铟镓锡）、AZO（氧化锌铝）或ATO（氧化锑锡）。例如，根据实施方案，反射层17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一种。
例如，反射层17可以具有其中交替形成有Ag层和Ni层的结构，并且可以包括Ni/Ag/Ni层或Ti层和Pt层。另外，欧姆接触层15可以设置在反射层17下方，并且欧姆接触层15的至少一部分可以通过反射层17欧姆接触发光结构10。
其后，如图6所示，可以在反射层17上形成第一金属层35、绝缘层40、第二金属层50、接合层60以及导电支承构件70。
第一金属层35可以包含选自Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。
根据实施方案，第二电极87可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少一个。
绝缘层40可以使第一金属层35与第二金属层50绝缘。绝缘层40可使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。
绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，绝缘层40可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。
绝缘层40可以围绕第一金属层35的外周部。绝缘层40的一部分可以接触反射层17的侧面。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。
第二金属层50可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一种。第二金属层50可以用作扩散阻挡层。
第二金属层50可以防止在设置接合层60的过程中将包含在接合层60中的材料扩散到反射层17中。第二金属层50可以防止包含在接合层60中的材料如锌（Zn）对反射层17产生影响。
接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的发光结构10。接合层60可以以籽层的形式实现。
导电支承构件70可以包括注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底（例如，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC以及SiGe衬底）中的至少一种。
接下来，从第一导电半导体层11移除衬底5。根据一个实例，可以通过激光剥离（LLO）工艺移除衬底5。LLO工艺为通过对衬底5的底表面辐照激光来将第一导电半导体层11与衬底5分离的工艺。
另外，如图7所示，通过隔离蚀刻工艺对发光结构10的侧面进行蚀刻，以露出沟道层30的一部分。在此情况下，可以露出第一绝缘层40的一部分。可以通过干法蚀刻工艺如电感耦合等离子体（ICP）来执行隔离蚀刻工艺，但实施方案不限于此。
可以在第一导电半导体层11的顶表面上形成粗糙结构85。因此，可以在发光结构10上设置光提取图案。可以在发光结构10上设置凹凸图案。例如，设置在发光结构10上的光提取图案可以通过PEC（光电化学）蚀刻工艺来形成。因此，根据实施方案，可以增加外部光提取效果。
接下来，如图7所示，可以在发光结构10上设置第一电极80、第一连接部90以及第二连接部95。
第一电极80可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极80的一部分可以与第一导电半导体层11接触。根据实施方案，可以通过第一电极80和第二电极87向发光结构10供电。
第一电极80可以包括欧姆层、中间层和上层。欧姆层可以包含选自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以进行欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu以及Al中的材料来实现。例如，上层可以包含Au。第一电极80可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al以及Au中的至少一种。
可以设置多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别与第一电极80接触。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以与第二金属层50接触。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以设置为穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以穿过沟道层30电连接至第二金属层50。
第一连接部90可以设置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以设置在第一导电半导体层11的侧面。第一连接部90可以与第一导电半导体层11的侧面接触。沟道层30可以使第一连接部90与有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电半导体层13绝缘。第一连接部90可以与有源层12间隔开至少3μm的距离。
第二连接部95可以电连接至第一金属层35。第二连接部95可以与第一金属层35接触。第二连接部95的一端可以设置在沟道层30上。第二连接部95的上述一端可以与发光结构10的侧壁间隔开。第二连接部95的上述一端可以在发光结构10的侧面处露出。第二连接部95可以穿过沟道层30电连接至第一金属层35。另外，第二连接部95可以穿过绝缘层40电连接至第一金属层35。
第二连接部95可以电连接至第二电极87。第二连接部95可以接触第二电极87。
第一连接部90和第二连接部95可以包含Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
同时，形成上述每一层的过程仅供说明目的，其工艺顺序可以进行各种修改。
图8为示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。与图1和图2中所示的发光器件相比，图8所示的发光器件还可以包括分支电极83。分支电极83可以设置在发光结构10的顶表面上。分支电极83可以设置在第一导电半导体层11的顶表面上。分支电极83可以设置在第一导电半导体层11的中央区域上。分支电极83可以接触第一电极80中之一。分支电极83可以使施加到第一导电半导体层11的电压快速并均匀地分布。
图9为示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在关于图9所示的发光器件的以下描述中，将不再描述与参照图1和图2所描述的部件和结构相同的部件和结构，以避免重复。
根据图9所示的实施方案，沟道层30设置在发光结构10的下部的外周部处，并且绝缘层40可以不在发光结构10的下部的外周部处露出。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构10的下部的外周部处的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以设置为高于有源层12的顶表面。沟道层30可以围绕有源层12。沟道层30可以围绕第二导电半导体层13的外周部。沟道层30的一端可以设置在第二导电半导体层13下方。沟道层30的上述一端可以接触第二导电半导体层13的底表面。沟道层30的上述一端可以设置在第二导电半导体层13和反射层17之间。
例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，沟道层30可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。沟道层30可以被称为隔离层。之后，在相对于发光结构10执行隔离工艺时，沟道层30可以用作蚀刻停止物。另外，通过隔离工艺，可以防止发光器件的电气特性劣化。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一金属层35和第二金属层50之间的绝缘层40。绝缘层40可以使第一金属层35与第二金属层50绝缘。绝缘层40可以使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。例如，绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，绝缘层40可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。
绝缘层40可以围绕第一金属层35的外周部。绝缘层40的一部分可以接触反射层17的侧面。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。
根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90和第二连接部95。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。根据实施方案，第二电极87可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少一个。
可以设置多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层50。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
第一连接部90可以接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以设置为穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以设置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以设置在第一导电半导体层11的侧面。第一连接部90可以接触第一导电半导体层11的侧面。沟道层30可以使第一连接部90与有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电半导体层13绝缘。第一连接部90可以与有源层12间隔开至少3μm的距离。
第二连接部95可以电连接至第一金属层35。第二连接部95可以接触第一金属层35。第二连接部95的一端可以设置在沟道层30上。第二连接部95的上述一端可以与发光结构10的侧壁间隔开。第二连接部95的上述一端可以在发光结构10的侧面处露出。第二连接部95可以穿过沟道层30电连接至第一金属层35。
第二连接部95可以电连接至第二电极87。第二连接部95可以接触第二电极87。
第一连接部90和第二连接部95可以包含Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
图10为示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在关于图10所示的发光器件的以下描述中，将不再描述与参照图1和图2所描述的部件和结构相同的部件和结构，以避免重复。
根据图10所示的实施方案，可以在发光结构10的侧面设置保护层45。另外，沟道层30可以设置在发光结构10的下部的外周部处。保护层45可以设置在发光结构10和第一连接部90之间。保护层45可以使第一连接部90与有源层12绝缘。保护层45可以使第一连接部90与第二导电半导体层13绝缘。
例如，保护层45可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，保护层45可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在发光结构10的下部周围的沟道层30。例如，沟道层30的顶表面可以设置为高于有源层12的顶表面。沟道层30的一端可以设置在第二导电半导体层13下方。沟道层30的上述一端可以接触第二导电半导体层13的底表面。沟道层30的上述一端可以设置在第二导电半导体层13和反射层17之间。沟道层30的上述一端可以设置在第二导电半导体层13和第二电极87之间。
例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，沟道层30可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。沟道层30可以被称为隔离层。之后在对发光结构10执行隔离工艺时，沟道层30可以用作蚀刻停止物。另外，通过隔离工艺，可以防止发光器件的电气特性劣化。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一金属层35和第二金属层50之间的绝缘层40。绝缘层40可以使第一金属层35与第二金属层50绝缘。绝缘层40可以使第一金属层35与导电支承构件70绝缘。例如，绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，绝缘层40可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN中的至少一种。
绝缘层40可以围绕第一金属层35的外周部。绝缘层40的一部分可以接触反射层17的侧面。绝缘层40的顶表面可以在发光结构10的下部的外周部处露出。绝缘层40可以围绕沟道层30的外周部。
根据实施方案的发光器件可以包括第一连接部90和第二连接部95。第一连接部90可以电连接至第一电极80和导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。根据实施方案，第二电极87可以包括反射层17、欧姆接触层15以及第一金属层35中的至少一个。
可以设置多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层50。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
第一连接部90可以接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。第一连接部90可以设置为穿过绝缘层40。第一连接部90可以穿过绝缘层40电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以设置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以设置在第一导电半导体层11的侧面。第一连接部90可以接触第一导电半导体层11的侧面。沟道层30可以使第一连接部90与有源层12绝缘。沟道层30可以使第一连接部90与第二导电半导体层13绝缘。第一连接部90可以与有源层12间隔开至少3μm的距离。
第二连接部95可以电连接至第一金属层35。第二连接部95可以接触第一金属层35。第二连接部95的一端可以设置在沟道层30上。第二连接部95的上述一端可以与发光结构10的侧壁间隔开。第二连接部95的上述一端可以在发光结构10的侧面处露出。
第二连接部95可以电连接至第二电极87。第二连接部95可以接触第二电极87。
第一连接部90和第二连接部95可以包含Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一种。
在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
图11为示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在关于图11所示的发光器件的以下描述中，将不再描述与参照图1和图2所描述的部件和结构相同的部件和结构，以避免重复。
根据实施方案的发光器件，可以在发光结构10下方设置欧姆反射层19。欧姆反射层19可以实现为使得欧姆反射层19用作反射层17和欧姆接触层15两者。因此，欧姆反射层19可以与第二导电半导体层13欧姆接触，并且反射从发光结构10入射到其上的光。
在此情况下，欧姆反射层19可以包括多层。例如，欧姆反射层19可以具有其中交替形成有Ag层和Ni层的结构，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的发光器件，设置在欧姆反射层19下方的导电支承构件70可以电连接至设置在欧姆反射层19上的第一导电半导体层11。
根据实施方案的第二电极87可以包括欧姆反射层19和第一金属层35中的至少一个。在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以通过第一电极80电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
可以设置多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层50。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至欧姆反射层19。另外，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
图12为示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在关于图12所示的发光器件的以下描述中，将不再描述与参照图9所描述的部件和结构相同的部件和结构，以避免重复。
根据实施方案的发光器件，可以在发光结构10下方设置欧姆反射层19。欧姆反射层19可以实现为使得欧姆反射层19用作反射层17和欧姆接触层15两者。因此，欧姆反射层19可以与第二导电半导体层13欧姆接触，并且反射从发光结构10入射到其上的光。
在此情况下，欧姆反射层19可以包括多层。例如，欧姆反射层19可以具有其中交替形成有Ag层和Ni层的结构，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的发光器件，设置在欧姆反射层19下方的导电支承构件70可以电连接至设置在欧姆反射层19上的第一导电半导体层11。
根据实施方案的第二电极87可以包括欧姆反射层19和第一金属层35中的至少一个。在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以通过第一电极80电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
可以设置多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层50。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至欧姆反射层19。另外，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少在第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
图13为示出根据实施方案的发光器件的又一实例的截面图。在关于图13所示的发光器件的以下描述中，将不再描述与参照图10所描述的部件和结构相同的部件和结构，以避免重复。
根据实施方案的发光器件，可以在发光结构10下方设置欧姆反射层19。欧姆反射层19可以实现为使得欧姆反射层19用作反射层17和欧姆接触层15两者。因此，欧姆反射层19可以与第二导电半导体层13欧姆接触，并且反射从发光结构10入射到其上的光。
在此情况下，欧姆反射层19可以包括多层。例如，欧姆反射层19可以具有其中交替形成有Ag层和Ni层的结构，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的发光器件，设置在欧姆反射层19下方的导电支承构件70可以通过第一电极80电连接至设置在欧姆反射层19上的第一导电半导体层11。
可以设置多个第一电极80。在此情况下，第一电极80在发光结构10的顶表面上彼此间隔开。另外，第一电极80可以在第一导电半导体层11的顶表面上彼此间隔开。第一电极80可以以点的形式布置在第一导电半导体层11上。此外，第一电极80可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度形成在第一导电半导体层11上。
第一电极80可以布置在第一导电半导体层11周围。第一电极80可以布置在第一导电半导体层11的顶表面的外周部处。彼此相邻的第一电极80可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
可以设置多个第一连接部90。第一连接部90中的每一个可以将第一电极80电连接至导电支承构件70。第二连接部95可以电连接至反射层17。第二连接部95可以电连接至第二电极87。
第一连接部90可以分别接触第一电极80。第一连接部90可以电连接至第二金属层50。第一连接部90可以接触第二金属层50。第一连接部90可以通过第二金属层50和接合层60电连接至导电支承构件70。
第一连接部90可以布置在发光结构10的侧面。第一连接部90可以彼此间隔开。第一连接部90可以以在几微米至几十微米的范围内的宽度布置在第一导电半导体层11的侧面。
第一连接部90可以布置在第一导电半导体层11的侧面。彼此相邻的第一连接部90可以彼此间隔开100μm至500μm的距离。
根据实施方案的第二电极87可以包括欧姆反射层19和第一金属层35中的至少一个。在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极87下方的导电支承构件70可以电连接至设置在第二电极87上的第一导电半导体层11。
因此，可以通过将导电支承构件70附接至接合焊垫的方案向第一导电半导体层11提供电力。根据实施方案，第二连接部95可以电连接至欧姆反射层19。另外，第二连接部95可以电连接至第二电极87。因此，第二连接部95通过导线接合方案连接至电源焊垫，从而向第二导电半导体层13提供电力。
根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第二连接部95向发光结构10提供电力。因此，根据实施方案，可以防止电流集中并且可以提高电可靠性。
另外，根据实施方案，第一电极80可以以点的形式布置在发光结构10的顶表面的外周区域处，使得可以扩大发光面积。根据实施方案的发光器件，可以减少第一电极80中的光吸收，使得可以提高光效率。
图14为示出应用根据实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图。
参照图14，根据实施方案的发光器件封装件可以包括：本体120；形成在本体120上的第一引线电极131和第二引线电极132；设置在本体120上且电连接至第一引线电极131和第二引线电极132的发光器件100；以及围绕发光器件100的模制构件140。
本体120可以包含硅树脂、合成树脂或金属材料，并且在发光器件100的附近可以形成有倾斜表面。
第一引线电极131和第二引线电极132彼此电隔离以将电力提供给发光器件100。第一引线电极131和第二引线电极132可以通过对从发光器件100发射的光进行反射来提高光效率。此外，第一引线电极131和第二引线电极132将从发光器件100生成的热量散发到外部。
发光器件100可以安装在本体120、第一引线电极131或第二引线电极132上。
发光器件100可以通过导线方案、倒装芯片方案和管芯接合方案中之一电连接至第一引线电极131和第二引线电极132。
模制构件140可以围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，模制构件140可以包括磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。
根据实施方案的多个发光器件或发光器件封装件可以在板上排列，并且可以在从发光器件封装件发射的光的光路上设置包括透镜、导光板、棱镜片或扩散片的光学构件。发光器件封装件、板以及光学构件可以用作光单元。光单元被实现为顶部发光型或侧发光型，并且被不同地设置在便携式终端和膝上型计算机的显示器件中或者照明装置和指示器装置中。另外，根据另一实施方案的照明装置可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。例如，照明装置可以包括灯、信号灯、电子标识牌、车辆的前灯。
根据实施方案的发光器件可以应用于光单元。光单元具有其中排列有多个发光器件的结构。光单元可以包括如图15和图16所示的显示器件以及如图17所示的照明装置。
参照图15，根据实施方案的显示器件1000包括：导光板1041；用于给导光板1041提供光的发光模块1031；设置在导光板1041下方的反射构件1022；设置在导光板1041上方的光学片1051；设置在光学片1051上方的显示面板1061；以及用于容置导光板1041、发光模块1031和反射构件1022的底盖1011。然而，实施方案不限于上述结构。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051可以构成光单元1050。
导光板1041使光扩散以提供表面光。导光板1041可以包含透明材料。例如，导光板1041可以包含丙烯酰基树脂（如PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯））、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PC（聚碳酸酯）、COC（环烯烃共聚物）和PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）树脂中之一。
发光模块1031将光提供至导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示器件的光源。
至少一个发光模块1031被设置为从导光板1041的一侧直接或间接地提供光。发光模块1031可以包括板1033和根据上述实施方案的发光器件100或发光器件封装件200。发光器件封装件200可以在板1033上排列，同时以预定间隔彼此间隔开。
板1033可以是包括电路图案的印刷电路板（PCB）。另外，板1033还可以包括金属芯PCB（MCPCB）或柔性PCB（FPCB）以及PCB，但实施方案不限于此。如果发光器件封装件200安装在底盖1011的侧面上或散热板上，那么可以略去板1033。散热板可以与底盖1011的顶表面局部接触。
另外，发光器件封装件200被安装为使得发光器件封装件200的出光面与导光板1041间隔开预定距离，但实施方案不限于此。发光器件封装件200可以将光直接或间接地提供至作为导光板1041的一侧的入光部，但实施方案不限于此。
反射构件1022可以设置在导光板1041下方。反射构件1022将通过导光板1041的底表面向下行进的光反射为向上，从而提高光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但实施方案不限于此。
底盖1011可以在其中容置导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022。为此，底盖1011具有如下容置部1012：其具有有敞开顶表面的盒形，但实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖（未示出）耦接，但实施方案不限于此。
底盖1011可以通过使用金属材料或树脂材料、经由压制工艺或者挤出工艺来制造。另外，底盖1011可以包含具有优异热导率的金属或非金属材料，但实施方案不限于此。
显示面板1061例如为液晶显示（LCD）面板，其包括彼此相对的第一和第二透明衬底以及设置在第一和第二衬底之间的液晶层。可以对显示面板1061的至少一个表面附接起偏振片，但实施方案不限于此。显示面板1061通过使用经过光学片1051的光来显示信息。显示器件1000可以应用于各种便携式终端、笔记本式计算机和膝上型计算机的显示器以及电视。
光学片1051设置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括扩射片、水平和垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少一个。扩散片使入射光扩散，水平和/或垂直棱镜片将入射光集中到显示区域上，以及亮度增强片通过重新使用损失的光来提高亮度。另外，可以在显示面板1061上设置保护片，但实施方案不限于此。
导光板1041和光学片1051可以设置在发光模块1031的光路上作为光学构件，但实施方案不限于此。
图16为示出根据实施方案的显示器件的另一实例的截面图。
参照图16，显示器件1100包括底盖1152、其上排列有发光器件100的板1020、光学构件1154以及显示面板1155。
板1020和发光器件封装件200可以构成发光模块1060。另外，底盖1152、至少一个发光模块1060以及光学构件1154可以构成光单元。
底盖1152可以在其中设置有容置部1153，但实施方案不限于此。
在此情况下，光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及亮度增强片中的至少一个。导光板可以包括PC或PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）。导光板可以被略去。扩散片使入射光扩射，水平和垂直棱镜片将入射光集中到显示区域上，以及亮度增强片通过重新使用损失的光来提高亮度。
光学构件1154设置在发光模块1060上方，以将从发光模块1060发射的光转换为表面光。另外，光学构件1154可以扩射或者聚集光。
图17为示出根据实施方案的照明装置的立体图。
参照图17，根据实施方案的照明装置可以包括盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部2600、内壳体2700以及插座2800。根据实施方案的照明装置还可以包括构件2300和保持器2500中的至少一个。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件封装件。
例如，盖2100可以具有球状或半球状。盖2100可以具有部分敞开的中空结构。盖2100可以与光源模块2200光学耦合。例如，盖2100可以对从光源模块2200提供的光进行扩散、散射或激发。盖2100可以是光学构件。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可以包括与散热器2400耦接的耦接部。
盖2100可以包括涂覆有乳白色涂料的内表面。乳白色涂料可以包括扩散光的扩散材料。盖2100的内表面的粗糙度可以大于盖2100的外表面的粗糙度。提供表面粗糙度是出于使来自光源模块2200充分散射并扩散的目的。
盖2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）或聚碳酸酯（PC）。在上述材料中，聚碳酸酯（PC）具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以是透明的使得用户可以从外部观看光源模块2200，或者可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方案形成。
光源模块220可以设置在散热器2400的一个表面处。因此，来自光源模块220的热量被传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接器2250。
构件2300设置在散热器2400的顶表面上，并且包括使多个光源2210和连接器2250插入到其中的导向凹槽2310。导向凹槽2310与光源2210和连接器2250的板相对应。
构件2300的表面可涂覆有反光材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色涂料。构件2300将被盖2100的内表面反射并且返回为朝向光源模块2200的方向的光再次反射为朝向盖2100的方向。因此，可以提高根据实施方案的照明装置的光效率。
例如，构件2300可以包含绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包含导电材料。因此，散热器2400可以电连接至连接板2230。构件2300可以由绝缘材料形成，从而防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源部2600的热量并且散发热量。
保持器2500覆盖内壳体2700的绝缘部2710的容置凹槽2719。因此，使容置在内壳体2700的绝缘部2710中的电源部2600密封。保持器2500包括导向突起2510。导向突起2510具有孔，并且电源部2600的突起通过穿过该孔进行延伸。
电源部2600对从外部接收的电信号进行处理或转换，并且将经处理或转换的电信号提供给光源模块2200。电源部2600被容置在内壳体2700的容置凹槽2719中，并且通过保持器2500被密封在内壳体2700内部。
电源部2600可以包括突起2610、导向部2630、基部2650以及延伸部2670。
导向部2630具有从基部2650的一侧向外部突出的形状。导向部2630可以插入到保持器2500中。可以在基部2650的一个表面上设置多个部件。例如，该部件可以包括：将从外部电源提供的交流（AC）电转换成直流（DC）电的DC转换器；控制光源模块2200的驱动的驱动芯片；以及保护光源模块2200的静电放电（ESD）保护装置，但实施方案不限于此。
延伸部2670具有从基部2650的相反侧向外部突出的形状。延伸部2670被插入到内壳体2700的连接部2750的内部，并且接收来自外部的电信号。例如，延伸部2670的宽度可以小于或等于内壳体2700的连接部2750的宽度。“+电线”和“-电线”的第一端子电连接至延伸部2670，并且“+电线”和“-电线”的第二端子可以电连接至插座2800。
内壳体2700可以在其中包括模制部和电源部2600。模制部通过使模制液体硬化来制备，并且电源部2600可以通过模制部而固定在内壳体2700内部。
本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何提及意味着结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书的不同地方出现的这类措辞不一定指相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为结合实施方案中的其它实施方案来实现这样的特征、结构或特性将在本领域的技术人员的范围内。
虽然已经参照多个示例性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，可以由本领域的普通技术人员设想的大量其它修改和实施方案将属于本公开内容的精神和原理的范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，主题组合设置的部件部分和/或设置的各种变型和修改是可能的。除部件部分和/或设置的变型和修改之外，其它用途对于本领域的普通技术人员也将是明显的。

Claims (22)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的有源层以及在所述有源层下方的第二导电半导体层；
多个第一电极，所述多个第一电极设置在所述第一导电半导体层上；
第二电极，所述第二电极电连接至所述第二导电半导体层；
导电支承构件，所述导电支承构件设置在所述第二电极下方；
多个第一连接部，所述第一连接部分别将所述第一电极电连接至所述导电支承构件；以及
第二连接部，所述第二连接部电连接至所述第二电极，
其中所述第一电极在所述第一导电半导体层的顶表面上彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极以点的形式布置在所述第一导电半导体层上。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极布置在所述第一导电半导体层周围。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中彼此相邻的所述第一电极彼此间隔开100μm至500μm的距离。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部布置在所述发光结构的侧面。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一连接部彼此间隔开。
7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述发光结构的下部周围的沟道层，其中所述第二连接部的一端设置在所述沟道层上。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二连接部的所述一端与所述发光结构的侧壁间隔开并且在所述发光结构的侧面处露出。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的顶表面高于所述有源层的顶表面。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极包括在所述第二导电半导体层下方的金属层，并且所述第二连接部电连接至所述金属层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，还包括：设置在所述金属层和所述导电支承构件之间的绝缘层。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述绝缘层的顶表面在所述发光结构的下部的外周部处露出。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一连接部穿过所述绝缘层电连接至所述导电支承构件。
14.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：设置在所述第一连接部和所述发光结构之间的保护层。
15.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层围绕所述有源层。
16.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层围绕所述第二导电半导体层。
17.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的一端设置在所述第二导电半导体层下方。
18.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的一端接触所述第二导电半导体层的下表面。
19.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的一端设置在所述第二导电半导体层和所述第二电极之间。
20.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极以几微米至几十微米的范围内的宽度形成在所述第一导电半导体层上。
21.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部布置在所述发光结构的侧面，并且彼此相邻的所述第一电极彼此间隔开100μm至500μm的距离。
22.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部接触所述第一导电半导体层的侧面。
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