CN109425766B - 改进的绝对温度互补型(ctat)电压发生器 - Google Patents

Abstract

本发明公开改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器。本发明实施例涉及包含第一电路分支(310)、第二电路分支(320)和积分器电路(330)的电路(300)。第一分支包含第一晶体管(T31)和第一电流源(I31)以产生包含对应第一晶体管(T31)的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量的第一CTAT电压信号(V31)。第二分支包含第二晶体管(T32)和第二电流源(I32)以产生包含对应第二晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量的第二CTAT电压信号(V32)。第一(310)和第二(320)电路分支耦合到积分器电路(330)，使积分器电路(330)对第一CTAT电压信号(V31)与第二CTAT电压信号(V32)之间的差进行积分，使得积分信号不包含对应寄生基极电阻和寄生发射极电阻的任何分量。

Description

改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器

技术领域

本发明涉及电压参考电路，并且具体涉及改进绝对温度互补型(CTAT)电压的精度。

背景技术

绝对温度互补型(CTAT)(complementary to absolute temperature)电压广泛地用于带隙参考点、温度传感器以及偏差发生器的构造。虽然可以例如使用互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、结型场效应晶体管(JFET)以及二极管的许多方式得到CTAT电压，但通常使用双极结型晶体管(BJT或双极性晶体管)产生精确且可重复的CTAT电压。使用BJT通过在二极管连接的工作模式中配置BJT并产生基极-发射极结两端的电压来生成CTAT电压。基极-发射极电压包括不呈现出CTAT特性并且因此为CTAT电压的缺陷的各种分量。缺陷中的一些可通过修整或校准技术来解决。但此类技术对于嵌入在BJT内的例如寄生基极电阻和寄生发射极电阻的缺陷并不有效。

发明内容

附图说明

现将通过仅示例并参考附图来描述根据本发明的特定实施方案：

图1为常规的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器电路的框图。

图2为根据一个实施例的改进的CTAT电压发生器电路的框图。

图3为根据一个实施例的工作在采样模式中的单端CTAT电压发生器电路的框图。

图4为根据一个实施例的工作在积分模式中的图3的单端CTAT电压发生器电路的框图。

图5为根据一个实施例的工作在采样模式中的差分CTAT电压发生器电路的框图。

图6为根据一个实施例的工作在积分模式中的图5的差分CTAT电压发生器电路的框图。

图7为根据一个实施例的具有附加开关的图5的差分CTAT电压发生器电路的框图。

当前实施例的其它特征根据附图并且根据以下的具体实施方式将是显而易见的。

具体实施方式

本发明的实施例涉及一种产生CTAT电压信号的电路，该CTAT电压信号不包含对应于电路的BJT的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量。电路包含第一电路分支、第二电路分支以及积分器电路。第一分支包含第一晶体管和第一电流源并且产生第一CTAT电压信号，该第一CTAT电压信号包含对应于第一晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量。第二分支包含第二晶体管和第二电流源并且产生第二CTAT电压信号，该第二CTAT电压信号包含对应于第二晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量。第一晶体管和第二晶体管被选定为具有相同尺寸，使得寄生基极电阻和寄生发射极电阻在晶体管之间也相同。选择第一电流源和第二电流源使得两个源中的一个提供为另一源的两倍的电流。第一电路分支和第二电路分支耦合到积分器电路，使得积分器电路对第一CTAT电压信号与第二CTAT电压信号之间的差进行积分，使得积分信号不包含对应于寄生基极电阻和寄生发射极电阻的任何分量。

图1为常规的CTAT电压发生器电路100的框图。可使用CMOS晶体管、JFET、二极管或BJT来产生CTAT电压信号。通常，通过使用例如图1中所示的T10的BJT产生CTAT电压信号。T10包含基极端子、发射极端子以及集电极端子。如图1中所示，基极端子直接地连接到集电极端子，使得BJT T10被配置为二极管连接的BJT，使得在集电极端子处的电压信号由基极-发射极结两端的电压给出。电阻器RB10和RE10表示BJT T10的寄生基极电阻和寄生发射极电阻。电流源I10耦合在参考电压(例如，电源电压VDD)和T10的集电极端子之间。T10的基极-发射极结两端的电压通过下式给出：

其中Vt为热电压kT/q，

Ic为集电极电流，

Is为反向饱和电流，

Ib为基极电流，

RB10为寄生基极电阻，

Ie为发射极电流，

RE10为寄生发射极电阻，以及

β为正向共发射极电流增益。

等式1指示存在基极-发射极结两端的CTAT电压的多个缺陷源。缺陷(imperfection)可指V1的不与绝对温度互补的任何分量。根据等式1，缺陷包含源电流I10的任何变化、β的任何变化、寄生基极电阻RB10的存在、寄生发射极电阻RE10的存在，以及反向饱和电流Is中的任何变化。本发明涉及用于减少(且在一些情况下消除)由寄生基极电阻RB10和发射极电阻RE10的存在导致的误差(在下文中被称为误差项)的技术。下文参考图2描述用于减少由寄生基极电阻和发射极电阻导致的误差的示例技术。

图2为根据一个实施例的改进的CTAT电压发生器电路200的框图。电路200产生可经相减以产生输出CTAT电压信号的两个CTAT电压信号V21和V22，该输出CTAT电压信号基本上去除与寄生基极电阻和寄生发射极电阻相关联的误差项。在理想情况下，输出CTAT电压信号消除与寄生基极电阻和寄生发射极电阻相关联的误差项。电路200包含两个电路分支210和220。如图2中所示，电路分支210包含各自配置在二极管连接的工作模式中的两个晶体管T21和T23，以及将电流提供到晶体管T21和T23的电流源I21。晶体管T21和T23(以及在本发明中描述的每个晶体管)包含基极端子、发射极端子以及集电极端子。晶体管T21和T23经连接使得第二晶体管T21的基极端子连接到T21的集电极端子，且还连接到第三晶体管T23的发射极端子。第三晶体管T23的基极端子连接到T23的集电极端子，所述集电极端子还连接到电流源I21。电路分支210中示出的电阻器RB21、RE21、RB23以及RE23不是在晶体管T21和T23外部添加的电阻器，而是表示晶体管T21和T23的寄生基极电阻和寄生发射极电阻。如本发明中所描述，晶体管可指代BJT、异质结型双极性晶体管(HBT)、CMOS晶体管，或可使用例如硅、硅锗、砷化镓及类似者的半导体来制造的类似者。

电路分支220包含配置在二极管连接的工作模式中的晶体管T22，和将电流提供到晶体管T22的电流源I22。基极端子直接地连接到集电极端子，使得晶体管T22被配置以操作为二极管连接的晶体管。电路分支220中示出的电阻器RB22和RE22不是在晶体管T22外部添加的电阻器，而是表示晶体管T22的寄生基极电阻和寄生发射极电阻。

在示例实施例中，晶体管T21、T22以及T23具有相同的尺寸。例如，T21、T22以及T23具有相同的尺寸，使得它们具有相同的电流增益β。替代地，晶体管T21、T22以及T23具有基本上相同的尺寸。例如，即使意在用相同的尺寸制造晶体管，但实际制造的晶体管可具有几乎相同的尺寸(和几乎相同的β)，但不精确地彼此相等。作为一个示例，具有基本上相同尺寸的晶体管可指代具有彼此相差例如2％或5％等较小百分比的β值的晶体管。如果T21具有为100的β，那么T22和T23由于过程变化可具有在例如90至110的范围中的β。在示例实施例中，电流源I22经设计以提供为由I21提供的电流的量两倍的电流。替代地，可使用电流源、堆叠晶体管的数目以及晶体管的大小之间的不同比值。例如，I22可提供为I21的电流的n倍的电流，其中n可为大于或等于2的任何整数。

一种用于减少由于寄生基极电阻和寄生发射极电阻导致的误差项的技术为通过从通过第二电路分支220产生的第二CTAT电压信号减去通过第一电路分支210产生的第一CTAT电压信号来产生CTAT电压信号。在T23的集电极端子处产生的第一电路分支210的电压信号V21通过下式给出：

其中Vt为热电压kT/q，

Ic21和Ic23分别为T21和T23的集电极电流，

Is为反向饱和电流，

Ib21和Ib23分别为T21和T23的基极电流，

RB21和RB23分别为T21和T23的寄生基极电阻，

Ie21和Ie23分别为T21和T23的发射极电流，

RE21和RE23分别为T21和T23的寄生发射极电阻，以及

β为T21和T23的正向共发射极电流增益。

在T22的集电极端子处产生的第二电路分支220的电压信号V22通过下式给出：

其中Vt为热电压kT/q，

Ic22为T22的集电极电流

Is为反向饱和电流，

Ib22为T22的基极电流，

RB22为T22的寄生基极电阻，

Ie22为T22的发射极电流，

RE22为T22的寄生发射极电阻

β为T22的正向共发射极电流增益，以及

122＝2*I21。

当晶体管T21、T22以及T23被选择为具有相同(或基本上相同)的尺寸时，寄生电阻在T21、T22以及T23之间也基本上相同。替代地，寄生电阻在T21、T22以及T23之间相同。假设电流增益β对于晶体管T21、T22以及T23都相同，那么对应于电压信号V21(如通过等式2给出)中的寄生电阻的误差项与对应于电压信号V22(如通过等式3给出)中的寄生电阻的误差项相同。消除这些误差项的输出CTAT电压信号可通过将电压信号V21与V22相减来产生，如下文在等式4中示出。

在下文参考图3和4描述用于将通过电路分支210和220产生的两个CTAT电压信号相减的示例电路实施例。

图3为根据一个实施例的在采样模式中工作的单端CTAT电压发生器电路300的框图，并且图4为根据一个实施例的在积分模式中工作的电路300的框图。电路300产生两个CTAT电压信号V31和V32，电压信号V31和V32可被相减以产生输出基本上去除与寄生基极电阻和寄生发射极电阻相关联的误差项的CTAT电压信号VOUT。电路300包含两个电路分支310和320，以及用于产生输出CTAT电压信号的积分器电路330。电路分支310包含配置在二极管连接的工作模式中的晶体管T31，和将电流提供到晶体管T31的电流源I31。电路分支320类似于分支310并且包含配置在二极管连接的工作模式中的晶体管T32和将电流提供到晶体管T32的电流源I32。晶体管T31和T32被选择为具有相同(或基本上相同)的尺寸。对应于T31和T32的寄生电阻和电流增益β也基本上相同。在一个示例实施例中，电流源I32经设计以提供为由I31提供的电流的量两倍的电流。替代地，可使用电流源、堆叠晶体管的数目以及晶体管的大小之间的不同比值。例如，I32可提供为I31的电流的n倍的电流，其中n可为大于或等于2的任何整数。

电路分支310和320在结构上类似于图2的电路分支220。电路分支310和320在结构上相同，除了电流源I32经设计以提供为由I31提供的电流的量两倍的电流。电路300的分支如下以与电路200工作的方式不同的方式工作。出于说明的目的，由电流源I21和I31提供的电流为Ix，并且由I22和I32提供的电流为2*Ix。在电路200中，分支210包含两个二极管连接的晶体管T21和T23，并且在电流Ix流动通过T21和T23时产生CTAT电压信号V21。V21包含对应于寄生基极电阻和寄生发射极电阻中的每一个的两个误差项。分支220包含一个二极管连接的晶体管T22，并且在2*Ix的电流流动通过T22时产生CTAT电压信号V22。V22包含对应于寄生基极电阻和寄生发射极电阻中的每一个的一个误差项，其中V22的一个误差项在量值上等于V21的两个误差项的总和的量值，如在等式2和3中示出。当电压信号V21和V22相减时，对应于寄生电阻的误差项彼此抵消掉，产生没有此类误差项的CTAT电压信号，如等式4中示出。总之，电路200通过使用包含承载Ix的电流的两个二极管连接的晶体管的分支和包含承载2*Ix的电流的一个二极管连接的晶体管的另一分支，产生具有相同误差项的两个CTAT电压信号。

在电路300中，两个分支310和320中的每一个都具有一个二极管连接的晶体管但承载不同的电流。分支310的晶体管T31承载Ix，而分支320的T32承载2*Ix，并且相应地，V32为比V31更大的电压。分支320的电压信号V32产生与分支220的V22的误差项相同的误差项。为了产生与V32的误差项相同的V31的误差项，V31可以利用为与对V32采样的电容相比两倍的电容量进行采样，如下文在积分器330的操作中描述。

积分器330包含运算放大器350、采样电容器CIN1和CIN2、积分电容器CINT1，以及多个开关S1至S6以在不同的工作模式(或阶段)中操作积分器，这些工作模式例如自动调零模式和积分模式。积分器330在每一工作周期中提供没有误差项的输出CTAT电压信号VOUT，其中每一周期包含一个自动调零模式和一个积分模式。积分器330被描绘为单端电路。积分器330可被实施为差分电路，如在例如图5的积分器530和图7的积分器730中所示。

在自动调零模式中，积分器330使用串联的电容器CIN1和CIN2来对电压信号V31采样，其中电容器CIN2的另一端连接到参考电压(例如接地)。为了实现对V31的采样，开关S3和S5被接通(闭合)且开关S4和S6被断开(或打开)。在自动调零模式中，通过接通开关S2和断开开关S1来旁路积分电容器CINT1。在此模式中，经由S3而耦合到T31的集电极端子的CIN1的端子(即，标记为V31c的节点)具有电压电位V31，并且经由S5而接地的CIN2的端子(即，标记为V32c的节点)具有电压电位零(或参考电压的电位)。电容器CIN1和CIN2基于由电流源I31和I32提供的电流之间的关系来选择。例如，如果I32提供的电流为I31的电流的两倍，那么CIN1具有为CIN2的电容值的两倍的电容值。替代地，如果I32提供的电流为I31的电流的n倍，那么CIN1具有为CIN2的电容值的n倍的电容值，其中n为大于或等于2的整数。对于本发明的其余部分，除非另外规定，否则假设I32提供的电流为I31的电流的两倍并且CIN1具有为CIN2的电容值的两倍的电容值。在此实施例中，电压信号V31和V32在不同的时间点中产生。因此有可能使用仅一个晶体管来产生V31和V32，这将消除由于T31与T32之间的失配而导致的任何误差。

图4示出在积分模式中工作的电路300。在积分模式中，开关S3和S5被断开而开关S4和S6被接通，并且开关S1被接通且S2被断开。电容器CIN1和CIN2的充电改变，使得节点V31c从V31转变至零(或转变至参考电压)，并且节点V32c从零(或参考电压)转变至V32。在积分模式中以与其在自动调零模式中充电的极性相反的极性对电容器CIN1和CIN2充电。较小电容器CIN2现在连接到较大电压V32，并且积分电容器CINT1有效地对2*V31于V32之间的差值积分。如上文参考图2所描述，2*V31的误差项与V32的误差项相同。积分器330的输出电压信号VOUT产生没有由于寄生基极电阻和寄生发射极电阻导致的误差项的有效CTAT电压。下文参考图5和6描述差分积分器430。

图5为根据一个实施例的在自动调零中工作的差分CTAT电压发生器电路500的框图，并且图6为根据一个实施例的在积分模式中工作的电路500的框图。电路500包含电路分支310和320，以及用于产生输出CTAT电压信号的积分器530。除了积分器530为单端积分器330的差分实施方式以外，积分器530类似于积分器330。与单端积分器330相比，差分积分器530具有两倍数目的采样电容器、积分电容器以及开关。积分器530的运算放大器550为运算放大器350的全差分实施方式。除了电流源I31和132在自动调零模式与积分模式之间交换之外，电路500和积分器530以类似于电路300和积分器330的方式操作，如下文所描述。为了简化，在图5和6中未示出交换电流源所需的开关和在两种模式中改变电容器连接。具有所包含的所有开关的示例电路在图7的电路700中示出。

返回参考图5，在自动调零模式中，积分器530使用电容器CIN1和CIN2来对电压信号V31采样，并且使用电容器CIN3和CIN4来对电压信号V32采样。在自动调零模式中，V31为较小电压并且通过较小电流源I31和晶体管T31产生，并且V32为较大电压且通过较大电流源I32(I31的两倍)和晶体管T32产生。通过接通开关S2和S8并断开开关S1和S7来旁路积分电容器CINT1和CINT2。

图6示出在积分模式中工作的电路500。在积分模式中，开关S2和S8被断开且开关S1和S7被接通，并且电流源I31和I32被交换。在此模式中，V31为较大电压且通过较大电流源I32和晶体管T31产生，并且V32为较小电压且通过较小电流源I31和晶体管T32产生。

在积分模式中，输入电容器经切换使得用于对在自动调零模式中的V31(即，在自动调零模式中的较小电压)进行采样的较大电容器CIN1和CIN4(所述电容器为CIN2和CIN3的电容的两倍)现在以相反的极性连接到在积分模式中的电压V32(即，在积分模式中的较小电压)。这有效地在积分电容器CINT1和CINT2上对通过较低电流源I31产生的较低CTAT电压的两个电容器样本进行积分。用于对在自动调零模式中的V32(即，在自动调零模式中的较大电压)进行采样的较小输入电容器CIN2和CIN3现在以相反的极性连接到在积分模式中的电压信号V31(即，在积分模式中的较大电压)。这有效地在积分电容器CINT1和CINT2上对通过较大电流源I31产生的较高CTAT电压的一个电容器样本进行积分，其中I32＝2*I31。较低CTAT电压的两个电容器样本和较高CTAT电压的一个电容器样本在相反方向上积分并且有效地相减，如通过等式4给出。输出电压VOUT没有对应于寄生基极电阻和寄生发射极电阻的误差项。

输出CTAT电压信号VOUT还减少在晶体管T31与T32之间的任何失配的影响，因为晶体管T31与T32中的每一个用于产生具有131的较低CTAT电压和具有I32的较高CTAT电压。结果有效削减在两个双极性晶体管之间的失配并且减少所述双极性晶体管之间的失配。在一些情况下，失配可被最小化或甚至被消除。

图7为根据一个实施例的差分CTAT电压发生器电路700的框图。电路700类似于图5的电路500，其中添加另外的开关以示出电流源I31、I32的切换以及输入电容器CIN1至CIN4的切换。电路700包含电路分支710和720，以及用于产生输出CTAT电压信号的积分器电路730。除了积分器730包含用于切换输入电容器CIN1至CIN4的另外的开关之外，积分器730类似于积分器530。除了分支710和720包含用于切换电流源I31和I32的开关S13至S16之外，电路分支710和720类似于分支510和520。在自动调零模式中，开关S2、S3、S5、S8、S9、S11、S13以及S16被接通，并且S1、S4、S6、S7、S10、S12、S14以及S15被断开。在积分模式中，开关S2、S3、S5、S8、S9、S11、S13以及S16被断开，并且S1、S4、S6、S7、S10、S12、S14以及S15被接通。

在一个示例实施例中，较大电流源I32被实施为并联的两个电流源(例如，I32-1和I32-2)，并且每个此类电流源提供等于I31的电流的电流。在此实施方式中，将存在三个电流源I31、I32-1以及I32-2，这些电流源各自提供相同量的电流。在积分器电路730的连续的工作周期中，电流源可被交换使得在I31与I32之间的电流的比值中的任何缺陷可被消除。例如，在第一周期中，使用I32-1和I32-2来实施较大电流，并且使用I31来实施较小电流。在紧接于第一周期之后的第二周期中，使用I32-1和I31来实施较大电流，并且使用I32-2来实施较小电流。在紧接于第二周期之后的第三周期中，使用I32-2和I31来实施较大电流，并且使用I32-1来实施较小电流。

在一个示例实施例中，较大输入电容器CIN1和CIN4被实施为并联的两个电容器(例如，CIN1-1和CIN1-2)，并且每个此类电容器具有等于较小电容器CIN2和CIN3的电容的电容。在此类实施例中，所有输入电容器将具有相同的电容值。在电路700的连续工作周期中，使用输入电容器的不同组合来实施较大电容器CIN1和CIN4，使得可消除在CIN1与CIN2(和/或CIN3与CIN4)的比值中的任何缺陷。例如，在第一周期中，使用CIN1-1和CIN1-2的并联组合来实施较大电容器，并且较小电容器为CIN2。在紧接于第一周期之后的第二周期中，使用CIN1-2和CIN2的并联组合来实施较大电容器，并且较小电容器为CIN1-1。在紧接于第二周期之后的第三周期中，使用CIN1-1和CIN2的并联组合来实施较大电容器，并且较小电容器为CIN1-2。

贯穿说明书和权利要求书，使用特定的术语来指代特定的系统组件。在以下论述中且在权利要求书中，术语“包含”和“包括”在开放形式下使用，且因此应被解释为意指“包含但不限于...”。并且，术语“耦合”及其派生词意图意指间接的、直接的、光学的和/或无线电气连接。因此，如果第一装置耦合到第二装置，那么所述连接可通过直接的电气连接进行，通过经由其它装置和连接的间接的电气连接进行，通过光学电气连接进行，和/或通过无线电气连接进行。因此认为随附的权利要求书将覆盖如落入在本发明的真正范围和精神内的实施方案的任何此类修改。

Claims (19)

1.一种电路，所述电路包括：

第一电路分支，所述第一电路分支包括第一晶体管和第一电流源，所述第一晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子，所述基极端子连接到所述集电极端子，所述第一电流源耦合到所述第一晶体管的所述集电极端子，所述第一电路分支经配置以在所述第一晶体管的所述集电极端子处产生第一绝对温度互补型电压信号即第一CTAT电压信号；

第二电路分支，所述第二电路分支包括第二晶体管和第二电流源，所述第二晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子，所述第二晶体管的所述基极端子连接到所述第二晶体管的所述集电极端子，所述第二电流源耦合到所述第二晶体管的所述集电极端子，所述第二电路分支经配置以在所述第二晶体管的所述集电极端子处产生第二CTAT电压信号，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的尺寸，并且所述第一电流源经配置以提供由所述第二电流源提供的电流量的两倍的电流量；以及

积分器电路，所述积分器电路包括输入端子，所述输入端子耦合到以下各项中的至少一个：所述第一晶体管的集电极端子和所述第二晶体管的集电极端子，所述积分器电路经配置以基于所述第一CTAT电压信号与所述第二CTAT电压信号之间的差值来产生输出CTAT电压信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述积分器电路在第一工作模式下耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且在第二工作模式下耦合到所述第二晶体管的集电极端子。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一工作模式为采样模式且所述第二工作模式为积分模式。

4.根据权利要求2所述的电路，其中所述积分器电路经由第一电容器和第一开关耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且经由第二电容器和第二开关耦合到所述第二晶体管的集电极端子。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述积分器电路还包括放大器电路，所述放大器电路包括输入端子，并且其中所述第一电容器耦合到所述放大器电路的所述输入端子和所述第一开关，所述第二电容器耦合到所述放大器电路的所述输入端子和所述第二开关，所述第一开关耦合到所述第一电容器和所述第一晶体管的集电极端子，并且所述第二开关耦合到所述第二电容器和所述第二晶体管的集电极端子。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一电容器与所述第二电容器的电容值之间的比值基于由所述第一电流源和所述第二电流源提供的电流的比值。

7.根据权利要求5所述的电路，其中所述积分器电路还包括第三开关和第四开关，所述第三开关耦合到所述第一电容器和所述电路的参考接地节点，并且所述第四开关耦合到所述第二电容器和所述参考接地节点。

8.根据权利要求5所述的电路，其中所述积分器电路还包括耦合到所述放大器电路的输入端子和所述积分器电路的输出端子的积分电容器。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述积分器电路还包括耦合到所述放大器电路的所述输入端子和所述积分电容器的第五开关。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述积分器电路还包括耦合到所述放大器电路的所述输入端子和所述积分器电路的所述输出端子的第六开关。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述积分器电路实施为全差分电路。

12.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电路分支和所述第二电路分支中的每一个还包括第一开关和第二开关，所述第一开关耦合到对应于所述电路分支的电流源和所述第一晶体管的集电极端子，并且所述第二开关耦合到对应于所述电路分支的电流源和所述第二晶体管的集电极端子。

13.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电路分支还包括第三电流源，所述第三电流源耦合到所述第一晶体管的集电极端子，所述第三电流源经配置以提供与由所述第二电流源提供的电流量相同的电流量，所述第一电流源经配置以提供与由所述第二电流源提供的电流量相同的电流量。

14.根据权利要求13所述的电路，其中在第一工作周期中，所述第一电流源和所述第二电流源耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且所述第三电流源耦合到所述第二晶体管的集电极端子，并且在紧接于所述第一工作周期之后的第二工作周期中，所述第二电流源和所述第三电流源耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且所述第一电流源耦合到所述第二晶体管的集电极端子。

15.根据权利要求14所述的电路，其中在紧接于所述第二工作周期之后的第三工作周期中，所述第一电流源和所述第三电流源耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且所述第二电流源耦合到所述第二晶体管的集电极端子。

16.一种电路，所述电路包括：

第一电路分支，所述第一电路分支包括第一晶体管和第一电流源，所述第一晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子，所述基极端子连接到所述集电极端子，所述第一电流源耦合到所述第一晶体管的集电极端子；以及

第二电路分支，所述第二电路分支包括第二晶体管、第三晶体管以及第二电流源，所述第二晶体管和所述第三晶体管中的每个包括基极端子、发射极端子以及集电极端子，所述第二晶体管的基极端子连接到所述第二晶体管的集电极端子，所述第二晶体管的集电极端子连接到所述第三晶体管的发射极端子，所述第三晶体管的基极端子连接到所述第三晶体管的集电极端子，所述第二电流源耦合到所述第三晶体管的集电极端子，

其中所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管中的每个具有相同的尺寸，并且所述第一电流源经配置以提供由所述第二电流源提供的电流量的两倍的电流量。

17.根据权利要求16所述的电路，其中所述第一电路分支经配置以在所述第一晶体管的集电极端子处产生第一绝对温度互补型电压信号即第一CTAT电压信号，所述第一CTAT电压信号包括对应于所述第一晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量，并且所述第二电路分支经配置以在所述第三晶体管的集电极端子处产生第二CTAT电压信号，所述第二CTAT电压信号包括对应于所述第二晶体管和所述第三晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量，其中所述第一CTAT电压信号的对应于寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量与所述第二CTAT电压信号的分量相同。

18.根据权利要求17所述的电路，所述电路还包括：

积分器电路，其经配置以基于所述第一CTAT电压信号与所述第二CTAT电压信号之间的差值来产生输出CTAT电压信号。

19.一种电路，所述电路包括：

第一电路分支，所述第一电路分支包括第一晶体管，所述第一晶体管经配置以产生第一绝对温度互补型电压信号即第一CTAT电压信号，所述第一CTAT电压信号包括对应于所述第一晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量；

第二电路分支，所述第二电路分支包括第二晶体管，所述第二晶体管经配置以产生第二CTAT电压信号，所述第二CTAT电压信号包括对应于所述第二晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的尺寸；以及

积分器电路，所述积分器电路经配置以基于所述第一C TAT电压信号与所述第二CTAT电压信号之间的差值来产生输出CTAT电压。

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