CN109425315B - 半导体结构的测试载具及测试方法 - Google Patents

半导体结构的测试载具及测试方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种半导体结构的测试载具及测试方法，所述测试载具用于劈裂试片的扫描电镜测试，所述劈裂试片上具有测试结构，所述测试载具包括一载具主体，所述载具主体中设置有一V形限位槽，所述限位槽用于固定所述劈裂试片，并使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。本发明可以使得劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向平行，所述测试结构的边界清晰容易判定，且适用于各种晶面取向晶圆的结构分析，可以采用扫描电镜直接对劈裂试片进行观测，通过截面直接得到真实的产品线宽和间距。本发明结构和方法简单但效果显著，在半导体测试领域具有广泛的应用前景。

Description

半导体结构的测试载具及测试方法
技术领域
本发明涉及半导体测试领域，特别是涉及一种半导体结构的测试载具及测试方法。
背景技术
在半导体器件的制程中，常常需要在半导体器件上制作测试结构，该测试结构的布线方向和该半导体器件上的布线方向相同，以便对半导体器件的电特性、关键尺寸(CD)以及厚度等进行测试。在对半导体器件的测试结构检测时，首先，对半导体器件进行裂片，也就是沿着半导体器器件的布线方向解离半导体器件，得到劈裂面；然后对劈裂面采用扫描电子显微镜(SEM)检测，得到测试结果。
在对半导体器件进行裂片时，通常采用机械方式分离该半导体器件上的布线方向的边缘后，沿着分离方向解离半导体器件得到劈裂面。
目前，常常采用晶体平面为密勒符号(100)的半导体器件102，载具101的定位槽取向为<110>方向，密勒符号表示半导体器件的晶向。当对该半导体器件102采用机械方式进行裂片时，则劈裂面是垂直或平行于半导体器件102的测试结构103的，也就是垂直于或平行于载具101的定位槽取向<110>，自然，扫描电镜的观测方向(如图1中虚线箭头所示)为平行于半导体器件102的测试结构103，如图1所示。
近年来，如图2及图3所示，其中，图3显示为图2虚线方框处的放大结构示意图，先进半导体产品陆续采用特殊晶面取向的晶圆，在产品结构分析上遭遇了劈裂试片后，劈裂面和半导体器件102的测试结构103不平行的问题，即在采用机械方式进行裂片时，则得到的劈裂面与半导体器件102的测试结构103不平行或不垂直，而存在角度θ(通常为0～45度的夹角)。由于该劈裂面未能反应测试结构，所以采用相同的载具101对该劈裂面进行扫描电镜(SEM)检测时，会存在以下问题：
第一，由于测试结构的纹理方向与观测方向不平行，会造成所述测试结构的边界难以判定，从而影响观测结果；
第二，由于测试结构不完全垂直于劈裂面，采用扫描电镜(SEM)直接检测到的形貌、线宽和间距均非真实的形貌、线宽和间距(直接观测的线宽为图3中所示的d’，而真实的线宽为图3中所述的d)，必须耗费额外的试片准备时间(>2小时/每个试片)在覆盖保护层、切割、研磨、泡酸和清洗等步骤，对于易变形的光阻图案或金属线，研磨过程更对其造成变形和破坏，大大增加了检测的复杂程度以及后期成本。
基于以上所述，提供一种可以解决晶圆劈裂下来的试片无法于扫描电镜(SEM)内直接量测线宽和间距等的问题的半导体结构的测试载具及测试方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构的测试载具及测试方法，用于解决现有技术中晶圆劈裂下来的试片无法于扫描电镜(SEM)内直接量测线宽和间距等的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体结构的测试载具，所述测试载具用于劈裂试片的扫描电镜测试，所述劈裂试片上具有测试结构，所述测试载具包括一载具主体，所述载具主体中设置有一V形限位槽，所述限位槽用于固定所述劈裂试片，并使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。
优选地，所述劈裂试片包括垂直相交的第一劈裂面与第二劈裂面，所述限位槽具有与垂直相交的所述第一劈裂面与所述第二劈裂面完全配合设置的第一支撑面与第二支撑面，以稳定支撑所述劈裂试片。
进一步地，所述第一劈裂面与所述测试结构之间的夹角为θ，所述第一支撑面与所述扫描电镜的观测方向之间的夹角为α，所述θ与所述α相等或近似相等，其中，0＜θ≤45°。
优选地，所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者偏离的角度不大于5°。
优选地，所述测试结构的表征包含半导体结构的线宽、线间距及形貌的其中之一或上述组合。进一步地，所述测试结构的构成选自于直线型的金属、多晶硅、硬掩膜及光刻胶所组成群组中的一种或多种所形成的叠层。
本发明还提供一种半导体结构的测试方法，包括步骤：1)提供一表面具有测试结构的劈裂试片；2)依据所述劈裂试片的测试结构的纹理方向与劈裂试片的劈裂面之间的夹角，选择一如上述任意一个方案所述的半导体结构的测试载具，并将所述劈裂试片固定于所述测试载具上；以及3)将所述测试载具及所述劈裂试片置于所述扫描电镜的样品台上，并从所述劈裂试片的侧面对所述测试结构进行观测，其中，所述测试载具使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。
优选地，所述测试结构的表征包含半导体结构的线宽、线间距及形貌的其中之一或上述组合。进一步地，所述测试结构的构成选自于直线型的金属、多晶硅、硬掩膜及光刻胶所组成群组中的一种或多种所形成的叠层。
优选地，步骤3)中，当所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者产生偏离角度，则还包括步骤：微调所述扫描电镜的样品台的倾斜角度，以调整所述劈裂试片的测试结构与所述扫描电镜的观测方向之间的误差角度，使得所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行。
进一步地，所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行的判别方法为：所述扫描电镜的观测图像中，仅能观测到所述测试结构的截面图案，而完全观测不到所述测试结构的侧壁图案。
优选地，步骤3)中，所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行时，基于所述测试结构的观测图像直接获得所述半导体结构的线宽、线间距及形貌。
如上所述，本发明的半导体结构的测试载具及测试方法，具有以下有益效果：
1)本发明可以使得劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向平行，所述测试结构的边界清晰容易判定，且适用于各种晶面取向晶圆的结构分析，可以采用扫描电镜直接对劈裂试片进行观测，通过截面直接得到真实的产品线宽和间距；
2)相比于传统为了平行产品图案需要再覆盖保护层、切割、研磨、泡酸和清洗的测试方式，本发明的劈裂试片搭配特殊载具的方式，可大幅节省试片准备时间(减少>2小时/每个劈裂试片)，可快速大量的产出，也大幅加速了工厂的产品研发和问题的解决，带来多方面的经济效益。
3)本发明结构和方法简单但效果显著，在半导体测试领域具有广泛的应用前景。
附图说明
图1显示为现有技术中的一种半导体结构的测试结构示意图，其中，半导体器件的测试结构为垂直于劈裂面。
图2～图3显示为现有技术中的另一种半导体结构的测试结构示意图，其中，半导体器件的测试结构为与劈裂面之间存在夹角，其中，图3为图2中虚线框处的放大结构示意图。
图4及图5显示为本发明的半导体结构的测试载具的结构示意图。
图6显示为所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行时的观测图案示意图。
图7显示为所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向不完全平行时的观测图案示意图。
图8显示为本发明的半导体结构的测试方法步骤流程示意图。
元件标号说明
101 载具
102 半导体器件
103 测试结构
20 测试载具
201 第一支撑面
202 第二支撑面
203 底面
204 载具主体
205 限位槽
30 半导体结构
301 测试结构
302 第一劈裂面
303 第二劈裂面
304 观测的位置
305 侧壁图案
S11～S14 步骤1)～步骤4)
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图4～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例1
如图4～图5所示，本实施例提供一种半导体结构30的测试载具20，所述测试载具20用于劈裂试片的扫描电镜测试，所述劈裂试片上具有测试结构301，所述测试载具20包括一载具主体204，所述载具主体204中设置有一V形限位槽205，所述限位槽205用于固定所述劈裂试片，并使得所述劈裂试片上的测试结构301的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向(观测方向如图5中的虚线箭头所示)概呈平行。所述的概呈平行包含实质平行与在可容许角度下的基本平行，所述的纹理方向包含线路等图案排列方向。
如图4所示，作为示例，所述测试载具20包括一载具主体204，所述载具主体204具有一底面203及一限位槽205，所述底面203在测试的过程中，通过粘合的方式固定于扫描电镜的样品台上，通常来说，可以通过如导电胶水、导电胶带层等粘合材料将所述载具主体204的底面203粘合固定于所述扫描电镜的样品台上，所述劈裂试片固定在所述限位槽205后，所述劈裂试片上的测试结构301最终应与所述底面203垂直。所述载具主体204的材料可以为金属等刚性导电材料制成，如铝(Al)、铜(Cu)、锡(Sn)等。
如图4及图5所示，所述劈裂试片包括垂直相交的第一劈裂面302与第二劈裂面303，所述限位槽205具有与垂直相交的所述第一劈裂面302与所述第二劈裂面303完全配合设置的第一支撑面201与第二支撑面202，以稳定支撑所述劈裂试片，具体地，所述第一劈裂面302与所述测试结构301之间的夹角为θ，所述第一支撑面201与所述扫描电镜的观测方向之间的夹角为α，所述θ与所述α相等或近似相等，其中，0＜θ≤45°，例如，所述劈裂试片上的测试结构301与所述第一劈裂面302之间的夹角可以为15°、30°或45°，则对所述测试载具20的第一支撑面201的角度进行调整，以使所述第一支撑面201与扫描电镜的观测方向之间的夹角也相应的调整为15°、30°或45°。
所述劈裂试片可以通过如导电胶水、导电胶带层等粘合材料固定于所述限位槽205，且位于所述第一支撑面201上的粘合材料与位于所述第二支撑面202上的粘合材料的厚度应该尽量相等，以保证固定后所述劈裂试片的倾斜角度完全依赖于所述第一支撑面201及第二支撑面202。
然而，由于劈裂试片表面可能不平整，或者上述的粘合材料厚度不均匀或不一致等原因，所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向不完全平行，而是基本平行，在本实施例中，所述基本平行为所述劈裂试片上的测试结构301的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者偏离的角度不大于5°，这个偏离的角度可以通过对扫描电镜的样品台进行调整弥补，最终使得所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向完全平行。
作为示例，所述测试结构301为表征半导体结构30的线宽、线间距及形貌的其中之一或上述组合的测试结构301。进一步地，所述测试结构301的构成选自于直线型的金属、多晶硅、硬掩膜及光刻胶所组成群组中的一种或多种所形成的叠层。
实施例2
如图4～图8所示，本实施例还提供一种半导体结构30的测试方法，包括步骤：
如图5及图8所示，首先进行步骤1)S11，提供一表面具有测试结构301的劈裂试片。
作为示例，所述测试结构301为表征半导体结构30的线宽、线间距及形貌的其中之一或上述组合的测试结构301。进一步地，所述测试结构301的构成选自于直线型的金属、多晶硅、硬掩膜及光刻胶所组成群组中的一种或多种所形成的叠层，所述硬掩膜包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。例如，所述测试结构301可以为直线型的金属层，或者为直线型的多晶硅及金属层的叠层，又或者，为直线型的二氧化硅及光刻胶的叠层等。
如图4～5及图8所示，然后进行步骤2)S12，依据所述劈裂试片的测试结构301的纹理方向与劈裂试片的劈裂面之间的夹角，选择一半导体结构30的测试载具20，并将所述劈裂试片固定于所述测试载具20上。
如图4所示，作为示例，所述测试载具20包括一载具主体204，所述载具主体204具有一底面203及一V形限位槽205，所述底面203在测试的过程中，通过粘合的方式固定于扫描电镜的样品台上，通常来说，可以通过如导电胶水、导电胶带层等粘合材料将所述载具主体204的底面203粘合固定于所述扫描电镜的样品台上，所述劈裂试片固定在所述限位槽205后，所述劈裂试片上的测试结构301最终应与所述底面203垂直。所述载具主体204的材料可以为金属等刚性导电材料制成，如铝(Al)、铜(Cu)、锡(Sn)等。
如图4及图5所示，所述劈裂试片包括垂直相交的第一劈裂面302与第二劈裂面303，所述限位槽205具有与垂直相交的所述第一劈裂面302与所述第二劈裂面303完全配合设置的第一支撑面201与第二支撑面202，以稳定支撑所述劈裂试片，具体地，所述第一劈裂面302与所述测试结构301之间的夹角为θ，所述第一支撑面201与所述扫描电镜的观测方向之间的夹角为α，所述θ与所述α相等或近似相等，其中，0＜θ≤45°，例如，所述劈裂试片上的测试结构301与所述第一劈裂面302之间的夹角可以为15°、30°或45°，则对所述测试载具20的第一支撑面201的角度进行调整，以使所述第一支撑面201与扫描电镜的观测方向之间的夹角也相应的调整为15°、30°或45°。
所述劈裂试片可以通过如导电胶水、导电胶带层等粘合材料固定于所述限位槽205，且位于所述第一支撑面201上的粘合材料与位于所述第二支撑面202上的粘合材料的厚度应该尽量相等，以保证固定后所述劈裂试片的倾斜角度完全依赖于所述第一支撑面201及第二支撑面202。
如图5～图8所示，接着进行步骤3)S13，将所述测试载具20及所述劈裂试片置于所述扫描电镜的样品台上，并从所述劈裂试片的侧面对所述测试结构301进行观测，其中，所述测试载具20使得所述劈裂试片上的测试结构301的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。
所述测试载具20的底面203通过粘合的方式固定于扫描电镜的样品台上，所采用的粘合材料应该厚度均匀以保证载具相对所述样平台没有倾斜。
从所述劈裂试片的侧面对所述测试结构301进行观测，若所述测试载具20使得所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向完全平行，则可以直接对所述测试结构301进行观测，观测的位置304如图5的虚线框所示，其通常为与所述第一劈裂面302或第二劈裂面303相对的面，对该处观测获得的结构示意图如图6所示，依据图6，便可直接获得测试结构301的线宽d、线间距l以及形貌(此处为标准的矩形)。依据所述测试结构301的形貌可以判断某些制程工艺的效果，如刻蚀是否完全或刻蚀是否过度等。
然而，由于劈裂试片表面可能不平整，或者上述的粘合材料厚度不均匀或不一致等原因，所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向不完全平行，而是基本平行，在本实施例中，所述基本平行为所述测试结构301与所述扫描电镜的观测方向偏离的角度不大于5°。所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向为基本平行时，如图5虚线框处的观测图像如图7所示，图像中，除了观测到测试结构301的截面以外，还会观测到该测试架构的侧壁图案305，此时，表明所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向不为完全平行。
具体地，当所述劈裂试片上的测试结构301的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者产生偏离角度，则所述测试方法还包括步骤4)S14，微调所述扫描电镜的样品台的倾斜角度，以调整所述劈裂试片的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向之间的误差角度，使得所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向完全平行。
具体地，所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向完全平行的判别方法为：所述扫描电镜的观测图像中，仅能观测到所述测试结构301的截面图案，而完全观测不到所述测试结构301的侧壁图案305。
经过调整，所述劈裂试片上的测试结构301与所述扫描电镜的观测方向完全平行时，基于所述测试结构301的观测图像便可直接获得所述半导体结构30的线宽、线间距及形貌。
如上所述，本发明的半导体结构30的测试载具20及测试方法，具有以下有益效果：
1)本发明可以使得劈裂试片上的测试结构301的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向平行，所述测试结构301的边界清晰容易判定，且适用于各种晶面取向晶圆的结构分析，可以采用扫描电镜直接对劈裂试片进行观测，通过截面直接得到真实的产品线宽和间距；
2)相比于传统为了平行产品图案需要再覆盖保护层、切割、研磨、泡酸和清洗的测试方式，本发明的劈裂试片搭配特殊载具的方式，可大幅节省试片准备时间(减少>2小时/每个劈裂试片)，可快速大量的产出，也大幅加速了工厂的产品研发和问题的解决，带来多方面的经济效益。
3)本发明结构和方法简单但效果显著，在半导体测试领域具有广泛的应用前景。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种半导体结构的测试载具，其特征在于，所述测试载具用于劈裂试片的扫描电镜测试，所述劈裂试片上具有测试结构，所述测试载具包括一载具主体，所述载具主体中设置有一V形限位槽，所述劈裂试片包括垂直相交的第一劈裂面与第二劈裂面，所述限位槽具有与所述第一劈裂面与所述第二劈裂面完全配合设置的第一支撑面和第二支撑面，所述第一支撑面与所述扫描电镜的观测方向之间的夹角为α，所述第一劈裂面与所述测试结构之间的夹角为θ，所述θ与所述α相等或近似相等，使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的测试载具，其特征在于：所述第一劈裂面与所述测试结构之间的夹角为0＜θ≤45°。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的测试载具，其特征在于：所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者偏离的角度不大于5°。
4.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，包括步骤：
1)提供一具有测试结构的劈裂试片；
2)依据所述劈裂试片的测试结构的纹理方向与劈裂试片的劈裂面之间的夹角，选择一如权利要求1所述的半导体结构的测试载具，并将所述劈裂试片固定于所述测试载具上；
3)将所述测试载具及所述劈裂试片置于所述扫描电镜的样品台上，并从所述劈裂试片的侧面对所述测试结构进行观测，其中，所述测试载具使得所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向概呈平行。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：所述测试结构的表征包含半导体结构的线宽、线间距及形貌的其中之一或上述组合。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：所述测试结构的构成选自于直线型的金属、多晶硅、硬掩膜及光刻胶所组成群组中的一种或多种所形成的叠层。
7.根据权利要求4所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：步骤3)中，当所述劈裂试片上的测试结构的纹理方向与所述扫描电镜的观测方向两者产生偏离角度，则还包括步骤：微调所述扫描电镜的样品台的倾斜角度，以调整所述劈裂试片的测试结构与所述扫描电镜的观测方向之间的误差角度，使得所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行的判别方法为：所述扫描电镜的观测图像中，仅能观测到所述测试结构的截面图案，而完全观测不到所述测试结构的侧壁图案。
9.根据权利要求4～8任意一项所述的半导体结构的测试方法，其特征在于：步骤3)中，所述劈裂试片上的测试结构与所述扫描电镜的观测方向完全平行时，基于所述测试结构的观测图像直接获得所述半导体结构的线宽、线间距及形貌。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62135710A (ja) * 1985-12-10 1987-06-18 Nec Corp 微細パタ−ンの検査方法
KR20030058669A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 희생막을 이용한 패턴의 관찰법
CN101387832A (zh) * 2007-09-11 2009-03-18 上海华虹Nec电子有限公司 半导体线宽测量扫描电子显微镜的自动镜头校正方法
CN101996910A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测半导体器件的测试结构的方法
CN102437067A (zh) * 2010-09-29 2012-05-02 中国科学院微电子研究所 线宽测量方法
CN203414328U (zh) * 2013-07-15 2014-01-29 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 一种用于聚焦离子束制样的多功能预倾样品台
CN105651798A (zh) * 2015-12-30 2016-06-08 哈尔滨工业大学 一种用于t-EBSD测试的样品夹具
CN205484413U (zh) * 2016-01-20 2016-08-17 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种用于扫描电子显微镜ebsd测试的样品台
CN106206343A (zh) * 2015-05-07 2016-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件测试方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW586175B (en) * 2003-05-09 2004-05-01 Taiwan Semiconductor Mfg Critical dimension control wafer and method of making the same
JP4286657B2 (ja) * 2003-12-26 2009-07-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡を用いたライン・アンド・スペースパターンの測定方法
JP2005322786A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Sharp Corp 窒化物半導体素子及びその製造方法
CN2886559Y (zh) * 2005-12-08 2007-04-04 上海华虹Nec电子有限公司 一种应用于扫描电子显微镜硅片样品镀铂金的载体
CN101493387B (zh) * 2009-02-17 2012-10-03 深圳市金洲精工科技股份有限公司 一种用于微钻的扫描电镜检测的固定装置
US8440541B2 (en) * 2010-02-25 2013-05-14 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for reducing the width of the unbonded region in SOI structures
CN201697885U (zh) * 2010-06-13 2011-01-05 武汉钢铁(集团)公司 用于电子背散射衍射测量的多功能样品台
CN202033304U (zh) * 2010-12-22 2011-11-09 国家纳米科学中心 扫描电子显微镜样品台
CN102637639A (zh) * 2011-02-12 2012-08-15 安徽三安光电有限公司 一种劈裂半导体芯片或其封装基板的方法
CN202120860U (zh) * 2011-05-30 2012-01-18 宝钢集团新疆八一钢铁有限公司 一种用于扫描电镜样品台上的试样固定装置
TW201316425A (zh) * 2011-10-12 2013-04-16 Horng Terng Automation Co Ltd 晶圓劈裂檢知方法
CN202351191U (zh) * 2011-11-22 2012-07-25 南京钢铁股份有限公司 扫描电镜电子背散射衍射用样品台
CN202903575U (zh) * 2012-11-27 2013-04-24 郑州大学 一种角度可调式扫描电镜用样品台
CN203134751U (zh) * 2012-11-30 2013-08-14 河南师范大学 一种多功能扫描电镜样品台
CN203312250U (zh) * 2013-06-08 2013-11-27 郑州大学 一种多角度可紧固式扫描电镜用样品台
CN103499319A (zh) * 2013-09-07 2014-01-08 鞍钢股份有限公司 一种耐候钢内锈层厚度的测量方法
US9472395B2 (en) * 2015-01-12 2016-10-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement including buried anodic oxide and manufacturing method
CN104634800A (zh) * 2015-02-04 2015-05-20 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 钛钢复合板过渡层厚度定量测定方法
CN105826255B (zh) * 2016-05-27 2017-11-28 扬州乾照光电有限公司 一种led晶圆劈裂方法
CN205911289U (zh) * 2016-08-19 2017-01-25 安徽三安光电有限公司 一种晶圆裂片装置
CN206134658U (zh) * 2016-10-19 2017-04-26 正恩科技有限公司 用于劈裂半导体元件的治具
CN106908463B (zh) * 2017-03-09 2019-04-16 成都新柯力化工科技有限公司 一种利用扫描电镜检测石墨烯微片层分布的方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62135710A (ja) * 1985-12-10 1987-06-18 Nec Corp 微細パタ−ンの検査方法
KR20030058669A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 희생막을 이용한 패턴의 관찰법
CN101387832A (zh) * 2007-09-11 2009-03-18 上海华虹Nec电子有限公司 半导体线宽测量扫描电子显微镜的自动镜头校正方法
CN101996910A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测半导体器件的测试结构的方法
CN102437067A (zh) * 2010-09-29 2012-05-02 中国科学院微电子研究所 线宽测量方法
CN203414328U (zh) * 2013-07-15 2014-01-29 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 一种用于聚焦离子束制样的多功能预倾样品台
CN106206343A (zh) * 2015-05-07 2016-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件测试方法
CN105651798A (zh) * 2015-12-30 2016-06-08 哈尔滨工业大学 一种用于t-EBSD测试的样品夹具
CN205484413U (zh) * 2016-01-20 2016-08-17 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种用于扫描电子显微镜ebsd测试的样品台

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
扫描电子显微镜测长标准物质:线宽标物与粒度标物;常怀秋 等;《中国计量杂志》;20090531(第5期);79-81 *
采用光电技术测量微细线宽的探讨;戚元燧;《光电工程》;19891231(第6期);6-12 *

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Publication number Publication date
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