CN109382707A - 基板背面研磨构件的修整装置和修整方法 - Google Patents
基板背面研磨构件的修整装置和修整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109382707A CN109382707A CN201810908505.6A CN201810908505A CN109382707A CN 109382707 A CN109382707 A CN 109382707A CN 201810908505 A CN201810908505 A CN 201810908505A CN 109382707 A CN109382707 A CN 109382707A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- structural unit
- grinding
- grinding structural
- trimming device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 267
- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 13
- BVPWJMCABCPUQY-UHFFFAOYSA-N 4-amino-5-chloro-2-methoxy-N-[1-(phenylmethyl)-4-piperidinyl]benzamide Chemical compound COC1=CC(N)=C(Cl)C=C1C(=O)NC1CCN(CC=2C=CC=CC=2)CC1 BVPWJMCABCPUQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 65
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000017260 vegetative to reproductive phase transition of meristem Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 241000193935 Araneus diadematus Species 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- -1 residue Substances 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0084—Other grinding machines or devices the grinding wheel support being angularly adjustable
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
- B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/007—Cleaning of grinding wheels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/095—Cooling or lubricating during dressing operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
- B24B53/14—Dressing tools equipped with rotary rollers or cutters; Holders therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
本发明涉及基板背面研磨构件的修整装置和修整方法。在对用于对基板的背面进行研磨的研磨构件进行清洗、修整时,不使清洗液、残渣向周围飞散。修整装置(200)具有槽构件(203),该槽构件(203)能够从上方收容研磨垫(131),并具有顶板部(201)和设置到顶板部(201)的下表面侧的筒状的裙部(202)。在槽构件(203)设置有:二流体喷嘴(204),其向研磨垫的研磨面喷出清洗液和气体;修整板(205),其可与研磨垫(131)的研磨面抵接;以及冲洗喷嘴(206),其向研磨垫(131)的研磨面与修整板(205)之间的接触面供给冲洗液。由于裙部202,清洗液、砂轮碎屑、或者残渣不向周围飞散。
Description
技术领域
本发明涉及基板背面研磨构件的修整装置和修整方法。
背景技术
在例如半导体器件的制造工序中,在进行例如图案的曝光处理之前利用研磨垫等研磨构件对半导体晶圆(在以下的说明中,存在简称为晶圆的情况)的背面进行研磨处理,提升基板背面的平坦度,没有伤痕、污垢,消除加工应变。
然而,在使用了这样的研磨构件的研磨处理中,在研磨时产生残渣(切屑),若该残渣进入研磨垫的细孔、槽等,则研磨性能降低,有时无法达成所期望的研磨处理。
鉴于该问题,为了将研磨垫的性能维持在适合的范围,对研磨垫定期地进行清洗、或进行修整(dressing,变锋利)。
作为用于进行这样的研磨垫的清洗、修整的装置,提出了例如从晶圆的上方对晶圆表面进行研磨的研磨构件的研磨装置(专利文献1)。该研磨装置具有如下结构,该结构具备:修整板,其配设有修整用的砂轮;修整板支承机构,其将该修整板支承为能够向比保持基板的卡盘台的保持面高的作用位置和比该卡盘台的保持面低的退避位置移动;以及清洗流体喷射部件,其向定位到所述修整板的上侧的研磨垫的研磨面喷射清洗流体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-69601号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,上述的专利文献1所记载的技术是研磨面朝下的研磨构件的研磨装置,通常,无法直接适用于研磨面朝上的背面研磨构件的修整。因而,需要适于背面研磨构件的修整的装置,一般而言,在对这种研磨构件进行清洗、修整的情况下,一边使研磨构件旋转一边进行,因此,此时重要的是如何防止残渣、清洗液向周围的飞散。
本发明是鉴于这点做成的,目的在于,在对用于对基板的背面进行研磨的研磨构件进行清洗、修整时,使清洗液、残渣、修整时产生的砂轮碎屑不向周围飞散,恰当地进行清洗和修整。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本发明是用于进行对基板的背面进行研磨的研磨构件的修整的修整装置,其特征在于,具有:槽构件,其能够从上方收容所述研磨构件,该槽构件具有顶板部和设置到该顶板部的下表面侧的筒状的裙部;喷嘴,其设置于所述槽构件,该喷嘴向所收容的所述研磨构件的研磨面喷出清洗液和气体;以及修整构件,其设置于所述槽构件,该修整构件能够与所收容的所述研磨构件的研磨面抵接,该修整装置设置于在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置。
根据本发明,在对研磨构件进行清洗、修整之际,在利用槽构件从上方收容有研磨构件的状态下进行,因此,即使一边使研磨构件旋转,一边进行清洗、修整,此时向周围分散的清洗液、砂轮碎屑、或者残渣也碰到槽构件的裙部的内侧,直接落下,因此,不会向槽构件的周围分散。并且,修整装置自身设置于在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置,因此,落下来的清洗液、砂轮碎屑、或者残渣不会附着于作为背面研磨对象的基板。
此外,在此,从上方收容研磨构件是指裙部的下端部至少位于比研磨构件的研磨面靠下方的状态。
也可以设为如下结构:具有用于向所述研磨构件的研磨面供给冲洗液的喷嘴。
优选的是,以所述裙部的下端部位于比作为所述研磨对象的基板的表面靠下方的方式设置。
能够提出如下结构:所述修整构件具有例如所述研磨构件的研磨面侧呈平坦形状(其中,具有研磨所需要的微小的面的粗糙度)、且覆盖所述研磨构件的一半以上的形状。
也可以是,修整构件能够旋转。
也可以构成为,修整构件的外形呈圆柱形状,以所述修整构件的周面能够与所述研磨构件的研磨面抵接的方式配置,追随所述研磨构件的旋转而旋转。
在该情况下,也可以是,修整构件是一端部的直径和另一端部的直径不同的锥形状。
而且,也可以构成为,修整构件以设定到长度方向上的端部以外的支点为中心摆动自如。
也可以是,所述的修整构件借助弹性构件设置于所述槽构件。
也可以是,所述修整构件借助万向接头设置于所述槽构件。
也可以是,所述的清洗液被加热。
也可以是,具有用于对研磨构件的研磨面进行监视的拍摄装置。另外,也可以设为如下结构:具有对所述研磨构件的研磨面的表面状态进行监视的激光位移计。在此,研磨面的表面状态能够例示例如研磨面的磨损量、污垢。
根据另一观点,本发明是进行对基板的背面进行研磨的研磨构件的修整的方法,其特征在于,使用槽构件,在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置,在所述槽构件的内侧,一边使所述研磨构件旋转一边向所述研磨构件的研磨面供给清洗液来进行清洗,一边使所述研磨构件旋转一边使设置到所述槽构件的修整构件与研磨构件的研磨面抵接来进行修整,该槽构件能够从上方收容所述研磨构件,并具有顶板部和设置到该顶板部的下表面侧的筒状的裙部。
另外,根据另一观点,本发明是进行对基板的背面进行研磨的研磨构件的修整的方法,其特征在于,使用槽构件,在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置,在所述槽构件的内侧,向所述研磨构件的研磨面供给清洗液来进行清洗,一边使所述研磨构件以该研磨构件的除了中心以外的部位为中心回转一边使设置到所述槽构件的修整构件与研磨构件的研磨面抵接来进行修整,该槽构件能够从上方收容所述研磨构件,并具有顶板部和设置到该顶板部的下表面侧的筒状的裙部。
在该情况下,也可以是,在所述槽构件的内侧,对基板的背面研磨之际的、所述研磨构件对基板背面的按压压力进行调节。
另外,根据另一观点,本发明是使用具有所述的拍摄装置的修整装置来进行研磨构件的清洗和修整的方法,其特征在于,基于由该拍摄装置获得的研磨构件的研磨面的表面状态来进行清洗和修整。
发明的效果
根据本发明,在对用于对基板的背面进行研磨的研磨构件进行清洗、修整之际,不使清洗液、残渣向周围飞散,另外,即使是针对作为背面研磨对象的基板,也不会使清洗液、砂轮碎屑、或者残渣飞散附着。因而,能够对用于对基板的背面进行研磨的研磨构件恰当地进行清洗、修整。
附图说明
图1是表示具备本实施方式的修整装置的基板处理系统的概略的俯视图。
图2是图1的基板处理系统的主视图。
图3是图1的基板处理系统的后视图。
图4是表示具备本实施方式的修整装置的背面研磨装置的结构的概略的俯视图。
图5是图4的基板处理装置的主视图。
图6是实施方式的修整装置的立体图。
图7是示意性地表示实施方式的修整装置的内部的情形的侧视图。
图8是实施方式的修整装置的仰视图。
图9是示意性地表示由实施方式的修整装置进行着修整之际的内部的情形的主视图。
图10是将修整板设为能够旋转的修整装置的仰视图。
图11是示意性地表示由实施方式的修整装置进行着按压压力静定之际的内部的情形的侧视图。
图12是具有棒状的修整构件的修整装置的立体图。
图13是表示由棒状的修整构件进行修整时的情形的立体图。
图14是表示棒状的修整构件的能够摆动的情形的支承构件的主视图。
图15是支承着具有锥形状的棒状的修整构件的支承构件的正面图。
图16是具有万向接头和激光位移计的修整装置的立体图。
图17是图16的修整装置的仰视图。
图18是在图16的修整装置中所使用的万向接头的立体图。
图19是表示在图16的修整装置中修整板追随研磨垫而倾斜的情形的说明图。
图20是表示由激光位移计进行的测定的情形的说明图。
图21是表示对窗构件喷射着空气的情形的说明图。
图22是表示研磨垫回转而进行修整的情形的说明图。
图23是示意性地表示具有使研磨垫回转的功能的修整装置的内部的情形的侧视图。
图24是表示借助万向接头设置有修整板的情况下的研磨垫回转时的修整板的追随性的说明图。
附图标记说明
1、基板处理系统;100、背面研磨装置;131、研磨垫;132、支承体;133、支承柱;161、移动机构;200、修整装置;201、顶板部;202、裙部;203、槽构件;204、二流体喷嘴;205、修整板;206、冲洗喷嘴;W、晶圆。
具体实施方式
以下,一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。此外,在本说明书和附图中,对于实质上具有相同的功能构成的要素,通过标注相同的附图标记,来省略重复说明。
<基板处理系统>
首先,对具备本实施方式的修整装置的基板处理系统的结构进行说明。图1是示意性地表示基板处理系统1的结构的概略的俯视图。图2和图3是分别示意性地表示基板处理系统1的内部结构的主视图和后视图。在基板处理系统1中,对作为被处理基板的晶圆W进行预定的处理。
基板处理系统1如图1所示那样具有将如下部分连接成一体而成的结构:盒站10,其供收容有多张晶圆W的盒C输入输出;处理站11,其具备对晶圆W实施预定的处理的多个各处理装置;以及转接站13,其在处理站11和与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶圆W的交接。
在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个在相对于基板处理系统的外部输入输出盒C之际供盒C载置的盒载置板21。
在盒站10如图1所示那样设置有在沿着X方向延伸的输送路径22上移动自如的晶圆输送装置23。对于晶圆输送装置23,也沿着上下方向和绕铅垂轴线(θ方向)移动自如,能够在各盒载置板21上的盒C与随后论述的处理站11的第3块G3的交接装置之间输送晶圆W。
在处理站11设置有具备各种装置的多个、例如4个块、即第1块G1~第4块G4。在例如处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧、附图的上侧)设置有第2块G2。另外,在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有已述的第3块G3,在处理站11的转接站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第4块G4。
在例如第1块G1中,如图2所示那样从下依次配置有:多个液处理装置,例如显影处理装置30,其对晶圆W进行显影处理;下部防反射膜形成装置31,其在晶圆W的处理膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”);作为处理液涂敷装置的抗蚀剂涂敷装置32,其向晶圆W涂敷抗蚀剂而形成处理膜;以及上部防反射膜形成装置33,其在晶圆W的处理膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)。
例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别沿着水平方向3个3个地排列配置。此外,这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。
在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中,进行向例如晶圆W上涂敷预定的处理液的旋涂。在旋涂中,从例如涂敷喷嘴向晶圆W上喷出处理液,并且,使晶圆W旋转而使处理液在晶圆W的表面上扩散。
在例如第2块G2中如图3所示那样沿着上下方向和水平方向排列设置有:热处理装置40,其进行晶圆W的加热、冷却这样的热处理;疏水化处理装置41,其为了提高抗蚀剂液与晶圆W之间的定着性而进行疏水化处理;以及周边曝光装置42,其对晶圆W的外周部进行曝光。对于这些热处理装置40、疏水化处理装置41、周边曝光装置42的数量、配置,也能够任意地选择。
在例如第3块G3中从下依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外,在第4块G4中从下依次设置有多个交接装置60、61、62。
如图1所示那样在由第1块G1~第4块G4围成的区域中形成有晶圆输送区域D。在晶圆输送区域D中配置有多个晶圆输送装置70,该晶圆输送装置70具有沿着例如Y方向、X方向、θ方向以及上下方向移动自如的输送臂70a。晶圆输送装置70在晶圆输送区域D内移动,能够向周围的第1块G1、第2块G2、第3块G3以及第4块G4内的预定的装置输送晶圆W。
另外,如图3所示,在晶圆输送区域D设置有在第3块G3与第4块G4之间直线地输送晶圆W的往复输送装置80。
往复输送装置80沿着例如图3的Y方向直线地移动自如。往复输送装置80在支承着晶圆W的状态下沿着Y方向移动,能够在第3块G3的交接装置52与第4块G4的交接装置62之间输送晶圆W。
如图1所示那样在第3块G3的X方向正方向侧的旁边设置有晶圆输送装置81。晶圆输送装置81具有沿着例如X方向、θ方向以及上下方向移动自如的输送臂81a。晶圆输送装置81能够在由输送臂81a支承着晶圆W的状态下上下移动而向第3块G3内的各交接装置输送晶圆W。
在转接站13设置有晶圆输送装置90、交接装置91、以及随后论述的基板的背面研磨装置100。晶圆输送装置90具有沿着例如Y方向、θ方向以及上下方向移动自如的输送臂90a。晶圆输送装置90能够将晶圆W支承于例如输送臂90a,在第4块G4内的各交接装置、交接装置91、背面研磨装置100、以及曝光装置12之间输送晶圆W。
在以上的基板处理系统1,如图1所示那样设置有控制部110。控制部110是例如计算机,具有程序储存部(未图示)。在程序储存部储存有对基板处理系统1中的晶圆W的处理进行控制的程序。此外,所述程序也可以记录到例如计算机能够读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机能够读取的存储介质,并从该存储介质安装到控制部110。
<背面研磨装置100>
接着,对具有本发明的实施方式的修整装置的、基板的背面研磨装置100的结构进行说明。
图4是示意性地表示背面研磨装置100的结构的概略的俯视图,图5是示意性地表示背面研磨装置100的结构的概略的侧视图。
背面研磨装置100在上表面开口的壳体111的内部在例如3处设置有水平地保持作为研磨对象的晶圆W的保持构件112。该保持构件112设置于能够旋转的环构件113的内周,该环构件113设置于壳体111内,该保持构件112利用设置到环构件113的保持构件驱动机构(未图示)沿着晶圆W的中心方向移动,对晶圆W的周缘部按压自如,且能够在按压状态下以水平状态保持晶圆W。并且,由于环构件113的旋转,所保持的晶圆W能够旋转。
在壳体111的底部,借助支承体115设置有向保持到保持构件112的晶圆W的背面喷射清洗液的喷嘴114。
另外,在壳体111的底部设置有:排放管120,其用于排出清洗液等;以及排气管121,其用于在背面研磨装置100的壳体111内形成向下的气流,且用于对该气流进行排气。
<研磨机构130>
在壳体111的内部设置有对由保持构件112保持成水平状态的晶圆W的背面进行研磨的研磨机构130。在研磨机构130中,在进行晶圆W的背面研磨之际与晶圆W抵接的作为研磨构件的研磨垫131固定于支承体132的上表面。
支承体132设置于能够旋转的支承柱133的上部,支承柱133设置于沿着水平方向延伸的支承臂134。并且,支承臂134设置于壳体111内的沿着Y方向延伸的驱动机构135,沿着驱动机构135的长度方向且沿着Y方向移动自如。另外,支承臂134也沿着上下方向移动自如。并且,驱动机构135沿着轨道136在X方向上移动自如,该轨道136沿着X方向设置于壳体111内的底部。利用该结构,研磨垫131能够在壳体111内三维移动。
<修整装置200>
如图4所示,实施方式的修整装置200以在俯视时不会与保持到保持构件112的晶圆W重叠的方式与晶圆W隔离地设置于壳体111内。
图6是修整装置200的立体图,图7是表示修整装置200的结构的概略的主视图,图8是仰视图。
如这些图6~图8所示,修整装置200具有:顶板部201;以及筒状的裙部202,其设置到顶板部201的下表面侧。槽构件203由这些顶板部201和裙部202构成。裙部202具有能够收容研磨垫131的内径、上下方向长度。
在顶板部201设置有二流体喷嘴204,该二流体喷嘴204贯穿顶板部201并向槽构件203内同时喷射气体和清洗液。另外,在顶板部201的内侧下表面设置有进行研磨垫131的修整的作为修整构件的修整板205。如图8所示,修整板205具有以直线将圆盘的一部分切断而成的形状,具有覆盖研磨垫131的一半以上的大小。
另外,在裙部202设置有在修整板205的下表面侧沿着水平方向供给冲洗液的冲洗喷嘴206。
实施方式的修整装置200具有以上的结构,接着,对使用了该修整装置200的修整方法进行说明。
<修整方法>
在利用修整装置200来对研磨垫131进行清洗、修整的情况下,例如像以下这样进行。首先,使支承柱133位于槽构件的203的下方,之后使支承柱133上升,如图7所示,将研磨垫131的研磨面收容于槽构件203内。在该状态下,一边使研磨垫131旋转,一边从二流体喷嘴204将气体、例如氮气、清洗液、例如纯水朝向研磨垫131的上表面的研磨面呈喷射状喷射。由此,研磨垫131的研磨面被清洗。
另外,为了进行研磨垫131的修整,如图9所示,使研磨垫131进一步上升而使研磨垫131的研磨面与修整板205抵接,以预定的压力进行按压。在该状态下,一边从冲洗喷嘴206朝向研磨垫131的研磨面和修整板205的接触面供给冲洗液,一边使研磨垫131旋转,从而能够进行研磨垫131的修整。
如以上那样,根据使用了实施方式的修整装置200的修整方法,在研磨垫131的研磨面收容到下表面开口的槽构件203的状态下,能够进行研磨垫131的清洗和修整,因此,即使一边使研磨垫131旋转,一边进行清洗、修整,也使此时分散到周围的清洗液、砂轮碎屑、或者残渣碰到槽构件203的裙部202的内侧而直接落下,因此,不会向槽构件203的外侧周围分散。并且,修整装置200自身设置于在俯视时不与作为研磨对象的晶圆W重叠的位置,因此,落下来的清洗液、砂轮碎屑、或者残渣不会附着于作为背面研磨对象的晶圆W。而且,通过使裙部202的下端部位于比晶圆W的表面靠下方的位置,能够更可靠地防止清洗液、砂轮碎屑、或者残渣向晶圆W的飞散附着。
此外,从槽构件203落下来的清洗液、砂轮碎屑、或者残渣从设置到壳体111的底部的排放管120排出,但为了更有效地防止壳体111内的气氛的污染,也可以在槽构件203的下方设置集水盘,暂且由该集水盘接住后从壳体111排出。
另外,在修整之际,将冲洗液从冲洗喷嘴206向研磨垫131的研磨面供给,但也可以从二流体喷嘴204供给冲洗液、清洗液。在该情况下,无需冲洗喷嘴206。
另外,如图10所示,修整板205也可以采用圆形的形状,并且使修整板205旋转。由此,能够更有效地进行修整。
另外,在所述实施方式中,使用了纯水作为清洗液,当然并不限于纯水。另外,通过清洗液采用加热后的清洗液,能够使清洗效果更加提高。
不过,在利用研磨垫131对晶圆背面进行研磨之际,需要将按压压力调整成预定值。在实施方式的修整装置200中,通过将修整板205的下表面预先设为与晶圆W的背面相同的高度,能够进行事先的按压压力的确认、调整。将此称为按压压力静定。
即、如图11所示,使研磨垫131的旋转停止,使冲洗液的供给、以及来自二流体喷嘴204的喷射停止,在该状态下使研磨垫131上升而压靠于修整板205。由此进行按压压力静定。此外,为了对按压压力恰当地进行调节,在例如修整板205设置适当的压力传感器即可。
对使用了以上的修整装置200的晶圆W的研磨、清洗、修整、按压压力静定的顺序的例子进行说明。
<顺序例1>
首先,针对要进行背面研磨的晶圆W的批次的最初的1张,在进行背面研磨之前,首先,使研磨垫131向修整装置200移动。然后,使对晶圆W背面的按压压力静定。接下来,使按压压力静定后的研磨垫131向背面研磨装置100侧移动,进行晶圆W的背面研磨。并且,若该晶圆W的背面研磨结束,则使研磨垫131向修整装置200侧移动,进行修整和清洗。该顺序是每次针对1张晶圆W的研磨结束、都进行修整和清洗的例子。特别是也对在1次研磨处理中残渣进入研磨垫131的研磨面的细孔等而性能大幅度降低的情况有用。
<顺序例2>
首先,对于要进行背面研磨的晶圆W的批次的最初的1张,在进行背面研磨之前,首先,使研磨垫131向修整装置200移动。然后,使对晶圆W背面的按压压力静定。接下来,使按压压力静定后的研磨垫131向背面研磨装置100侧移动,进行晶圆W的背面研磨。并且,若该晶圆W的背面研磨结束,则使研磨垫131向修整装置200侧移动,仅进行清洗。若清洗结束,则使研磨垫131向背面研磨装置100侧移动,进行晶圆W的背面研磨。在研磨结束后仅进行清洗直到如此达到恒定的研磨张数为止。并且,在达到了预定的张数的时间点,实施修整和清洗这两者。这对在1次研磨处理中使研磨垫131的性能并不那么降低、能够实施预定的研磨处理的情形是有用的。
如上述这样,对于是每1次背面研磨都实施研磨垫131的修整、清洗、还是仅进行清洗直到达到预定张数为止的判断,也可以基于例如研磨垫131的拍摄结果来进行。即、也可以是,在例如修整装置200内设置对研磨垫131的研磨面进行拍摄的照相机等,基于由该照相机获得的研磨垫131的研磨面的表面状态的图像的灰度等级、RGB数据进行判断来进行清洗。
另外,也取决于修整装置200的各构件的组装精度,但即使组装存在微小的偏差,也不受该偏差的影响而恰当地进行研磨垫131的修整,因此,修整板205也可以借助弹簧等弹性构件设置于顶板部201。
另外,在所述实施方式中,修整板205具有以直线将圆盘的一部分切断而成的形状,其是固定到顶板部201的下表面的结构,但取而代之,也可以使用外形呈圆柱形状的棒状的修整构件。
图12~图14表示采用该外形呈圆柱形状的修整构件250的修整装置300,图12是立体图,图13是表示槽构件203内的修整构件250的情形的立体图,图14是该主视图。
在该例子中,修整构件250位于例如研磨垫131的直径上,且具有比研磨垫131的直径长的长度。此外,修整构件250未必需要如此具有比直径长的长度,只要位于例如研磨垫131的直径上,具有至少达到研磨垫131的中心的长度即可。修整构件250以轴心为中心旋转自如地安装于图13所示的支承构件251。并且,该支承构件251借助支轴253安装于设置到顶板部201的安装构件252的槽构件203的内侧下表面侧,支承构件251以该支轴253为支点摆动自如。另外,在支承构件251的两端部分别固定有弹簧254的一端部,弹簧254的另一端部分别固定于安装构件252。
根据该棒状的修整构件250,如图14所示,以支轴253为支点摆动自如,因此,即使如所述那样修整装置200的各构件等的组装存在偏差、或研磨垫131由于振动等而晃动,也可追随于此而使修整构件250始终与研磨垫131的研磨面抵接。此外,未必需要弹簧254。
而且,对于如此设为棒状的修整构件250,如图15所示,也可以设为具有一端部的直径和另一端部的直径不同的锥形状的修整构件260。即使使用具有该锥形状的修整构件260,也善于追随研磨垫131的研磨面,能够对研磨垫131的研磨面进行修整。
即通过将修整构件260设为锥形状,能够对修整构件260从研磨垫131的旋转受到的扭矩赋予差异,即使由于研磨垫131的旋转而施加于修整构件260的两端的力相同,从支承构件251到修整构件260的修整面的距离较长的一侧、即直径较大的一侧的扭矩变大,由此,能够恰当地进行修整构件260的旋转。
此外,对于所述的棒状的修整构件250、260,修整构件250、260的长度设定得比研磨垫131的直径长,但是,当然也可以设定得比研磨垫131的半径长。
<具有万向接头的修整装置>
对又一实施方式的修整装置进行说明。以图16的立体图、图17的仰视图所示的修整装置400表示修整板205借助万向接头设置到槽构件203的例子。
在该例子中,如图18所示,修整板205借助万向接头401固定于槽构件203的顶板部201。该万向接头401采用使用了十字型的十字叉401a的万向接头方式的万向接头的结构,但无需如驱动轴和从动轴那样使轴旋转,能够吸收由修整板205的倾斜、摆动等导致的角度变动即可。在该例子中,相当于万向接头的一个轴的固定部401b固定于顶板部201,相当于另一个轴的固定部401c固定于修整板205的上表面。
根据该结构的修整装置400,如图19的(a)所示,即使研磨垫131倾斜,如已述那样修整板205借助万向接头401固定于槽构件203的顶板部201,因此,能够吸收由修整板205的倾斜、摆动等导致的角度变动。因而,如图19的(b)所示,即使研磨垫131由于装置的组装等原因倾斜,修整板205也追随该研磨垫131的倾斜而倾斜,修整板205的下表面始终与研磨垫131的整个面均匀地抵接,能够进行预定的修整。
另外,根据这样的结构的修整装置400,与例如海绵那样的材质的弹性体不同,反弹力不会由于部位、位移而改变,因此,能够始终获得均匀的面压。另外,与橡胶、海绵相比,也没有经年劣化、个体差异。并且,也可进行修整板205与研磨垫131之间的严密的位置调整。
<具有激光位移计的修整装置>
图16所示的修整装置400除了设置有所述的万向接头401以外,还设置有激光位移计410。该激光位移计410用于使激光L透过在顶板部201形成的窗411而向位于修整装置400的槽构件203内的研磨垫131的表面照射,来对研磨垫131表面(上表面)的砂轮部分的磨损量进行检测。如图20所示,在窗411设置有由透明的压克力板、玻璃板等透光材料等构成的窗构件412。修整时的清洗液附着于激光照射部413的照射面413a的情况被该窗构件412防止。
并且,能够利用来自激光位移计410的激光L来对研磨垫131表面(上表面)的砂轮部分的磨损量进行检测,因此,能够在恰当的时期更换研磨垫131。此外,激光位移计410对研磨垫131表面(上表面)的砂轮部分的磨损量的测定时刻是在例如修整结束了后为佳。此时,在研磨垫131的表面残留有进行了冲洗之际的清洗液,因此,在由激光位移计410进行的测定之际,期望的是去除研磨垫131的表面的水。
在该情况下,与修整装置200同样地,在修整装置400设置有向槽构件203内同时喷射气体和清洗液的二流体喷嘴204,因此,能够通过仅将气体向研磨垫131的表面喷出而容易地去除研磨垫131表面的水。由此,能够对研磨垫131表面的砂轮部分的厚度准确地进行测定而进行精度较高的磨损量的检测。
另外,在实际使用这种激光位移计来进行了检测之后,对在砂轮表面被清洗了之后的研磨垫、目视看来明显变脏而颜色改变了的研磨垫进行了确认,结果发现了检测距离的偏差。认为:该偏差比激光位移计的误差大,另外,作为由异物导致的堵塞的影响过大(在测定结果中确认到约0.3mm的偏差),因此,也影响了表面的颜色的不同。由此,认为:也能够参照例如测定结果和与弄脏程度相应的数据而对弄脏程度进行检测,或对研磨处理前、清洗后或修整后等相同的工序(阶段)的测定结果进行比较而对是不是所决定的研磨垫进行判断。
再者,在利用激光位移计410来对研磨垫131表面的砂轮部分的厚度进行测定的情况下,通过与研磨垫131的旋转相应地,能够获得由研磨垫131的面内的周向的不均匀磨损等形成的轮廓。由此,能够进行研磨垫131的表面状态的把握和恰当的管理。在该情况下,也一并考虑所述的弄脏程度,从而能够更准确地把握研磨垫131的表面状态。
另一方面,修整时的清洗液附着于窗411的窗构件412的下表面侧的可能性也无法否定。根据该事态,如图16、图21所示,在修整装置400设置有向窗构件412的下表面侧喷出气体的气体喷嘴421。由此,如图21所示,从气体喷嘴421的喷出口422喷出来的气体能够将附着到窗构件412的下表面侧的清洗液的水滴吹飞。因而,能够防止附着到窗构件412的水滴等对测定的不良影响。
而且,如图21所示,在修整装置400中,在与气体喷嘴421的喷出口422相对的一侧设置有具有斜面423a的引导构件423,将从气体喷嘴421的喷出口422喷出来的气体(例如空气)向斜下方引导。由此,防止被气体吹飞了的水滴碰到槽构件203的其他构件等而反射、再次附着于窗构件412的情况。
<公转修整>
在所述的修整装置200、400中,由能够旋转的支承柱133借助支承体132支承研磨垫131自身,在使研磨垫131与修整板205接触来进行修整之际,使研磨垫131自身以支承柱133为中心旋转来进行。在这样的相当于研磨垫131的自转方式的修整方法中,修整自身、研磨垫131自身虽然没有问题,但在修整板205中,在与研磨垫131始终接触的部分和除此之外的部分中,存在磨损量产生差异的可能性。
鉴于这点,也可以是,如图22所示,不使研磨垫131自身旋转,一边使研磨垫131以该研磨垫131的除了中心以外的部位为中心回转,一边使该研磨垫131与修整板205接触来进行修整。也可以是,利用相当于使研磨垫131相对于修整板205公转而进行修整的方法来实施修整。
由此,研磨垫131能够与修整板205的整个面接触来进行修整,其结果,防止修整板205的磨损的偏差,能够使修整板205有效地使用到最后。当然,该回转以使研磨垫131的任意部位都在回转中与修整板205接触的方式设定回转半径,从而能够对研磨垫131均匀地进行修整。
作为实施这样的相当于公转方式的修整的装置,例如,如图23所示,使回转的支承体431支承用于支承研磨垫131的支承柱133、在槽构件203内使研磨垫131回转即可。
当然,也在这样的进行公转方式的修整的情况下,也可以使研磨垫131自身旋转(自转)。
另外,也可以是,即使是使公转方式起作用的情况下,修整板205也如所述那样借助万向接头401设置于槽构件203的顶板部201。这样一来,如图24所示,即使研磨垫131在回转之际倾斜,修整板205也追随其倾斜而倾斜,可始终使修整板205的下表面与研磨垫131抵接。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但本发明并不限定于该例子。只要是本领域技术人员,在权利要求书所记载的技术思想的范畴内能想到各种变更例或修正例是显而易见的,对于这些,也当然理解为属于本发明的保护范围。
产业上的可利用性
本发明对用于对晶圆的背面进行研磨的研磨构件的修整是有用的。
Claims (18)
1.一种基板背面研磨构件的修整装置,其用于进行对基板的背面进行研磨的研磨构件的修整,其特征在于,
该基板背面研磨构件的修整装置具有:
槽构件,其能够从上方收容所述研磨构件,该槽构件具有顶板部和设置到该顶板部的下表面侧的筒状的裙部;
喷嘴,其设置于所述槽构件,该喷嘴向所收容的所述研磨构件的研磨面喷出清洗液和气体;以及
修整构件,其设置于所述槽构件,该修整构件能够与所收容的所述研磨构件的研磨面抵接,
该基板背面研磨构件的修整装置设置于在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置。
2.根据权利要求1所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
该基板背面研磨构件的修整装置具有用于向所述研磨构件的研磨面供给冲洗液的喷嘴。
3.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
设置为所述裙部的下端部位于比作为所述研磨对象的基板的表面靠下方的位置。
4.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件具有所述研磨构件的研磨面侧呈平坦形状、且覆盖所述研磨构件的一半以上的形状。
5.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件能够旋转。
6.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件的外形呈圆柱形状,以所述修整构件的周面能够与所述研磨构件的研磨面抵接的方式配置,所述修整构件追随所述研磨构件的旋转而旋转。
7.根据权利要求6所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件具有一端部的直径和另一端部的直径不同的锥形状。
8.根据权利要求6所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件以设定到除了长度方向上的端部以外的支点为中心摆动自如。
9.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件借助弹性构件设置于所述槽构件。
10.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述修整构件借助万向接头设置于所述槽构件。
11.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
所述清洗液被加热。
12.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
该基板背面研磨构件的修整装置具有用于监视所述研磨构件的研磨面的拍摄装置。
13.根据权利要求1或2所述的基板背面研磨构件的修整装置,其特征在于,
该基板背面研磨构件的修整装置具有对所述研磨构件的研磨面的表面状态进行监视的激光位移计。
14.一种基板背面研磨构件的修整方法,其进行对基板的背面进行研磨的研磨构件的修整,其特征在于,
使用槽构件,在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置,在所述槽构件的内侧,一边使所述研磨构件旋转一边向所述研磨构件的研磨面供给清洗液来进行清洗,一边使所述研磨构件旋转一边使设置到所述槽构件的修整构件与研磨构件的研磨面抵接来进行修整,
该槽构件能够从上方收容所述研磨构件,并具有顶板部和设置到该顶板部的下表面侧的筒状的裙部。
15.根据权利要求14所述的基板背面研磨构件的修整方法,其特征在于,
在所述槽构件的内侧,调节基板的背面研磨之际的、所述研磨构件对基板背面的按压压力。
16.一种基板背面研磨构件的修整方法,其进行对基板的背面进行研磨的研磨构件的修整,其特征在于,
使用槽构件,在俯视时不与作为研磨对象的所述基板重叠的位置,在所述槽构件的内侧,向所述研磨构件的研磨面供给清洗液来进行清洗,一边使所述研磨构件以该研磨构件的除了中心以外的部位为中心回转一边使设置到所述槽构件的修整构件与研磨构件的研磨面抵接来进行修整,
该槽构件能够从上方收容所述研磨构件,并具有顶板部和设置到该顶板部的下表面侧的筒状的裙部。
17.根据权利要求16所述的基板背面研磨构件的修整方法,其特征在于,
在所述槽构件的内侧,调节基板的背面研磨之际的、所述研磨构件对基板背面的按压压力。
18.一种基板背面研磨构件的修整方法,其特征在于,其使用权利要求12所述的修整装置来进行研磨构件的清洗和修整,其特征在于,
基于由所述拍摄装置获取的研磨构件的研磨面的表面状态来进行清洗和修整。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-155721 | 2017-08-10 | ||
JP2017155721 | 2017-08-10 | ||
JP2018-095095 | 2018-05-17 | ||
JP2018095095A JP7169769B2 (ja) | 2017-08-10 | 2018-05-17 | 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109382707A true CN109382707A (zh) | 2019-02-26 |
CN109382707B CN109382707B (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=65274613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810908505.6A Active CN109382707B (zh) | 2017-08-10 | 2018-08-10 | 基板背面研磨构件的修整装置和修整方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11059145B2 (zh) |
KR (1) | KR102570853B1 (zh) |
CN (1) | CN109382707B (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110774160A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-02-11 | 河南工业大学 | 一种磨粒射流辅助的微细超硬磨料砂轮超精密磨削方法 |
CN111230723A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-05 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 实时侦测系统、实时侦测方法及化学机械抛光设备 |
CN111761419A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-10-13 | 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 | 用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺 |
CN112873052A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-06-01 | 华工法利莱切焊系统工程有限公司 | 一种汽车激光钎焊焊缝打磨片自动修型系统及自动修型方法 |
CN117300904A (zh) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种抛光垫修整装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102654945B1 (ko) * | 2019-09-03 | 2024-04-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07285072A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Daido Steel Co Ltd | 研削砥石用ドレッシングツール |
JP2001038603A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-13 | Speedfam Co Ltd | ドレッサ,ドレッサ付き研磨装置及びドレッシング方法 |
US20070049168A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Polishing pad, pad dressing evaluation method, and polishing apparatus |
CN103419133A (zh) * | 2012-05-23 | 2013-12-04 | 扬州市邮谊工具制造有限公司 | 滚刀加工砂轮修正装置 |
CN104332397A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
CN204604102U (zh) * | 2015-03-28 | 2015-09-02 | 鞍钢股份有限公司 | 一种砂轮片修复工具 |
CN205021392U (zh) * | 2014-04-30 | 2016-02-10 | 应用材料公司 | 用于基板抛光的装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6086460A (en) * | 1998-11-09 | 2000-07-11 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for conditioning a polishing pad used in chemical mechanical planarization |
JP3836765B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2006-10-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 高圧処理装置 |
KR101017156B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2011-02-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학기계적연마장치의 슬러리 디스펜서 |
KR101004432B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 |
JP5399672B2 (ja) | 2008-09-22 | 2014-01-29 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
CN105479324B (zh) * | 2014-10-03 | 2020-11-06 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置及处理方法 |
TWI821887B (zh) * | 2016-11-29 | 2023-11-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 |
-
2018
- 2018-08-09 KR KR1020180093022A patent/KR102570853B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-09 US US16/059,344 patent/US11059145B2/en active Active
- 2018-08-10 CN CN201810908505.6A patent/CN109382707B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-15 US US17/347,824 patent/US20210308828A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07285072A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Daido Steel Co Ltd | 研削砥石用ドレッシングツール |
JP2001038603A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-13 | Speedfam Co Ltd | ドレッサ,ドレッサ付き研磨装置及びドレッシング方法 |
US20070049168A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Polishing pad, pad dressing evaluation method, and polishing apparatus |
CN103419133A (zh) * | 2012-05-23 | 2013-12-04 | 扬州市邮谊工具制造有限公司 | 滚刀加工砂轮修正装置 |
CN104332397A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
CN205021392U (zh) * | 2014-04-30 | 2016-02-10 | 应用材料公司 | 用于基板抛光的装置 |
CN204604102U (zh) * | 2015-03-28 | 2015-09-02 | 鞍钢股份有限公司 | 一种砂轮片修复工具 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110774160A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-02-11 | 河南工业大学 | 一种磨粒射流辅助的微细超硬磨料砂轮超精密磨削方法 |
CN111230723A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-05 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 实时侦测系统、实时侦测方法及化学机械抛光设备 |
CN111761419A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-10-13 | 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 | 用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺 |
CN111761419B (zh) * | 2020-06-11 | 2021-10-15 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 | 用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺 |
CN112873052A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-06-01 | 华工法利莱切焊系统工程有限公司 | 一种汽车激光钎焊焊缝打磨片自动修型系统及自动修型方法 |
CN117300904A (zh) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种抛光垫修整装置 |
CN117300904B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-01-23 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种抛光垫修整装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190017680A (ko) | 2019-02-20 |
US20190047118A1 (en) | 2019-02-14 |
KR102570853B1 (ko) | 2023-08-25 |
CN109382707B (zh) | 2022-04-01 |
US20210308828A1 (en) | 2021-10-07 |
US11059145B2 (en) | 2021-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109382707A (zh) | 基板背面研磨构件的修整装置和修整方法 | |
US6439962B1 (en) | Cleaning apparatus | |
KR100641293B1 (ko) | 프리컷터와 에저 기계 | |
JP6752367B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
CN108453618A (zh) | 基板的研磨装置和基板的处理系统 | |
JPH10329015A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP2016058724A (ja) | 処理モジュール、処理装置、及び、処理方法 | |
CN101277787A (zh) | 具有直接装载台板的抛光设备和方法 | |
KR102585508B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR20200029527A (ko) | 연삭 장치, 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
KR20120040104A (ko) | 웨이퍼 반송 기구 | |
WO2021010236A1 (ja) | 基板加工装置、基板処理システム、及び基板処理方法 | |
JP7169769B2 (ja) | 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法 | |
US11574804B2 (en) | Workpiece processing and resin grinding apparatus | |
KR102259544B1 (ko) | 세정 장치, 기판 처리 장치, 세정 장치의 메인터넌스 방법, 및 세정 장치의 메인터넌스 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 | |
KR102482181B1 (ko) | 기판의 연마 장치 및 연마 방법 | |
JP6887016B2 (ja) | ゲッタリング層形成装置、ゲッタリング層形成方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
JPWO2020022187A1 (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
JPH09232410A (ja) | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 | |
KR102652480B1 (ko) | 자가 세척 기능을 가지는 연마 후 세정용 버핑 장치 | |
JP2022180712A (ja) | 研削装置、研削装置の制御方法、及び記憶媒体 | |
TW202407851A (zh) | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 | |
JP2019114684A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |