CN109377922A - 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法 - Google Patents

用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109377922A
CN109377922A CN201811122244.1A CN201811122244A CN109377922A CN 109377922 A CN109377922 A CN 109377922A CN 201811122244 A CN201811122244 A CN 201811122244A CN 109377922 A CN109377922 A CN 109377922A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid crystal
base plate
substrate
emitting diode
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811122244.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109377922B (zh
Inventor
汪志强
王雪绒
马鑫
孙川
陈雷
高斐
芮博超
郑金龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811122244.1A priority Critical patent/CN109377922B/zh
Publication of CN109377922A publication Critical patent/CN109377922A/zh
Priority to US16/382,975 priority patent/US10884051B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109377922B publication Critical patent/CN109377922B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/54—Testing for continuity
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Abstract

本发明公开一种用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法，涉及显示技术领域，用于提高微发光二极管基板线路检测治具的通用性及其检测效率。所述线路检测治具包括检测光源和液晶板；其中，液晶板用于设置在检测光源和待检测微发光二极管基板之间，与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触；检测光源用于照射液晶板，以在向待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电之后，根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接。本发明提供的线路检测治具及方法用于Mini/Micro LED背光线路或Mini LED/Micro LED显示线路的线路检测。

Description

用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法。
背景技术
作为显示技术和发光二极管发光技术结合的复合集成技术，微发光二极管(Mini/Micro LED)拥有自发光、高效率、低功耗、高集成、高稳定性等诸多优点，具有广阔的市场前景。
目前，Mini/Micro LED基板在承载LED之前的线路检测，多通过特制的点灯检测治具或探针予以检测。然而，随着Mini/Micro LED基板规模化的发展，即随着LED芯片数量的增多，如果通过探针检测方式对Mini/Micro LED基板的线路进行检测，那么只能逐一对每个LED的连接线路进行检测，导致其检测效率过低，已难以满足Mini/Micro LED基板的线路检测需求。而如果通过特制的点灯检测治具对Mini/Micro LED基板的线路进行检测，那么不仅需要巨额的生产成本，并且对于不同的LED间隙设计需要使用不同的点灯检测治具，通用性较差。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法，以提高微发光二极管基板线路检测治具的通用性及其检测效率。
为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
本发明实施例的第一方面提供一种用于微发光二极管基板的线路检测治具，该线路检测治具包括检测光源和液晶板；其中，液晶板用于设置在检测光源和待检测微发光二极管基板之间，与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触；检测光源用于照射液晶板，以在向待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电之后，根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接。
本发明实施例将检测光源和液晶板搭配使用，即由检测光源和液晶板构成用于微发光二极管基板的线路检测治具，便可在液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触之后，利用检测光源照射液晶板，并向待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电，从而根据液晶板的透光状态，准确检测待检测微发光二极管基板中与液晶板接触的各组正负电极的电性连接。本发明实施例提供的线路检测治具生产成本低廉，其对待检测微发光二极管基板线路的检测方式简单便捷，并不会受限于待检测微发光二极管基板中相邻两组正负电极之间的间隙尺寸，即不论待检测微发光二极管基板中相邻两组正负电极之间的间隙如何设置，在将液晶板覆盖待检测微发光二极管基板之后，便可利用液晶板进行对应待检测微发光二极管基板的线路检测，具备较高的通用性。
而且，与相关技术中利用探针逐一检测待检测微发光二极管基板中的每组正负电极相比，本发明实施例提供的线路检测治具，将液晶板直接覆盖在待检测微发光二极管基板上，令液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触，便可对待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接同时进行检测，极大的提高了检测效率，方便于对微发光二极管基板的线路进行批量检测。
可选的，上述液晶板包括相对设置的第一基底和第二基底，以及填充在第一基底和第二基底之间的液晶；其中，第一基底面向液晶的表面，和/或，第二基底面向所述液晶的表面设有配向膜；第一基底和第二基底中设有配向膜的任一基底背向液晶的表面，用于与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
可选的，上述第一基底和第二基底中用于与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触的基底的厚度≤0.1㎜。
可选的，上述第一基底和第二基底之间设有至少一个隔垫物。
可选的，上述液晶包括有色液晶。
可选的，上述第一基底和第二基底包括透光玻璃基底或透光树脂基底。
基于上述用于微发光二极管基板的线路检测治具，本发明实施例的第二方面提供一种用于微发光二极管基板的线路检测方法，该线路检测方法包括：在待检测微发光二极管基板的表面覆盖液晶板，液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触；点亮设在液晶板背向待检测微发光二极管基板的一侧的检测光源，检测光源照射液晶板；向待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电，根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接。本发明实施例提供的用于微发光二极管基板的线路检测方法所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的用于微发光二极管基板的线路检测治具所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。
可选的，上述液晶板在开态时透光；上述根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接的步骤，包括：检测液晶板的透光状态；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在透光区域，则该透光区域对应的每组正负电极电性导通；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在不透光区域，则该不透光区域对应的每组正负电极电性不导通。或，上述液晶板在关态时透光；上述根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接的步骤，包括：检测液晶板的透光状态；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在透光区域，则该透光区域对应的每组正负电极电性不导通；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在不透光区域，则该不透光区域对应的每组正负电极电性导通。
可选的，上述液晶板包括相对设置的第一基底和第二基底，以及填充在第一基底和第二基底之间的液晶；其中，第一基底面向液晶的表面，和/或，第二基底面向液晶的表面设有配向膜；上述液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触的步骤，包括：第一基底和第二基底中设有配向膜的任一基底背向液晶的表面，与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
可选的，上述第一基底和第二基底之间设有至少一个隔垫物时，上述在待检测微发光二极管基板的表面覆盖液晶板时，液晶板的每个隔垫物均与待检测微发光二极管基板的各组正负电极错开设置。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的待检测微发光二极管基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种线路检测治具的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种液晶板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的液晶板在对应正负电极电性导通时的状态示意图；
图5为图2所示线路检测治具在待检测微发光二极管基板中各组正负电极电性导通时的检测示意图；
图6为图5所示检测示意图的检测效果图；
图7为图2所示线路检测治具在待检测微发光二极管基板中某组正负电极电性不导通时的检测示意图；
图8为图7所示检测示意图的检测效果图；
图9为本发明实施例提供的一种线路检测方法的流程示意图。
附图标记：
1-待检测微发光二极管基板， 10-衬底基板，
11-正电极， 12-负电极，
13-正极绑定区， 14-负极绑定区，
2-液晶板， 21-第一基底，
22-配向膜， 23-液晶，
24-第二基底， 3-检测光源，
4-隔垫物。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法，下面结合说明书附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明实施例提供了一种用于微发光二极管基板的线路检测治具，该线路检测治具包括检测光源3和液晶板2；其中，液晶板2用于设置在检测光源3和待检测微发光二极管基板1之间，与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触；检测光源3用于照射液晶板2，以在向待检测微发光二极管基板1的各组正负电极通电之后，根据液晶板2的透光状态，检测待检测微发光二极管基板1的各组正负电极的电性连接。
上述待检测微发光二极管基板1的结构通常如图1所示，其包括衬底基板10以及阵列设置在衬底基板10上的多组正负电极；各组正负电极通常采用金属导电材料比如铜制作形成。其中，每组正负电极包括一个正电极11和一个负电极12，且一组正负电极用于连接一个LED；衬底基板10上还设有与各组正负电极中正电极连接的正极绑定区13，以及与各组正负电极中负电极连接的负极绑定区14。需要说明的是，本实施例中提到的对待检测微发光二极管基板1的线路进行检测，具体是指未在待检测微发光二极管基板1上制作形成LED之前，对待检测微发光二极管基板1的每组正负电极中的正电极和负电极是否电性导通进行检测。
上述检测光源3设在液晶板2背离待检测微发光二极管基板1的一侧，具体可以有多种设置方式，比如：设在液晶板2背离待检测微发光二极管基板1的一侧的边缘，检测光源3倾斜照射液晶板2；或，设在液晶板2背离待检测微发光二极管基板1的一侧的中部，检测光源3垂直照射液晶板2等。此外，检测光源3作为光信号提供者，可采用任一发光元件或灯具；本实施例中，检测光源3采用LED灯条。
具体实施时，上述每组正负电极中的正电极和负电极分别裸露在待检测微发光二极管基板1的表面，将液晶板2覆盖在待检测微发光二极管基板1的表面，便可使得液晶板2与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触；然后，点亮位于液晶板2背向待检测微发光二极管基板1的一侧的检测光源3，并向待检测微发光二极管基板1的各组正负电极通电，待检测微发光二极管基板1的每个正电极和相邻的负电极之间均会对应形成电场，液晶板2将在该电场的作用下以IPS(In Plane Switching，共面转换)模式进行透光状态转换。
可以理解的是，上述液晶板2可以采用开态时透光的结构，即液晶板2在电场的作用下从不透光状态转换为透光状态；当然，液晶板2也可以采用关态时透光的结构，即液晶板2在电场的作用下从透光状态转换为不透光状态。
示例性的，本实施例中，液晶板2采用开态时透光的结构。由此：
如果待检测微发光二极管基板1的各组正负电极电性导通，那么请参阅图4和图5，待检测微发光二极管基板1的每个正电极和相邻的负电极之间均会对应形成电场，使得液晶板2对应位于各电场中的液晶发生偏转，确保液晶板2位于各电场所在区域的部分A透光，即检测光源3的出射光可以穿过液晶板2的透光区域直接照射至待检测微发光二极管基板1，并被待检测微发光二极管基板1反射至检测者眼中，使得待检测微发光二极管基板1位于每个正电极和相邻负电极之间的部分能够被直接看到，其检测效果如图6所示。
如果待检测微发光二极管基板1的各组正负电极中存在一组或多组电性不导通的正负电极，那么请参阅图7和图8，待检测微发光二极管基板1中电性导通的每个正电极和相邻的负电极之间均会对应形成电场，而待检测微发光二极管基板1中电性不导通的正电极和相邻的负电极之间不会形成电场，这样液晶板2位于各电场所在区域的部分将透光，而液晶板2无电场作用的部分将不透光，即液晶板2中将存在不透光的区域，呈黑色点状或块状显示，使得待检测微发光二极管基板1被该不透光区域所覆盖的部分将无法被检测者看到，其检测效果如图8所示。
当然，如果液晶板2采用关态时透光的结构，那么其对应的检测过程将刚好与上述在开态时透光的液晶板2的检测过程相反，在此不做赘述。
综上，本发明实施例将检测光源3和液晶板2搭配使用，即由检测光源3和液晶板2构成用于微发光二极管基板的线路检测治具，便可在液晶板2与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触之后，利用检测光源3照射液晶板2，并向待检测微发光二极管基板1的各组正负电极通电，从而根据液晶板2的透光状态，准确检测待检测微发光二极管基板中与液晶板接触的各组正负电极的电性连接。本发明实施例提供的线路检测治具生产成本低廉，其对待检测微发光二极管基板线路的检测方式简单便捷，也并不会受限于待检测微发光二极管基板1中相邻两组正负电极之间的间隙尺寸，即不论待检测微发光二极管基板1中相邻两组正负电极之间的间隙如何设置，在将液晶板2覆盖待检测微发光二极管基板1之后，便可利用液晶板2进行对应待检测微发光二极管基板1的线路检测，具备较高的通用性。
而且，与相关技术中利用探针逐一检测待检测微发光二极管基板中的每组正负电极相比，本发明实施例提供的线路检测治具，将液晶板2直接覆盖在待检测微发光二极管基板1上，令液晶板2与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触，便可对待检测微发光二极管基板1的各组正负电极的电性同时进行检测，极大的提高了检测效率，方便于对微发光二极管基板1的线路进行批量检测。
需要说明的是，上述液晶板2的结构可以根据实际需要自行设定，以能在液晶板2与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触之后，实现液晶板2中液晶在对应正负电极导通形成的电场作用下的翻转为限。
示例性的，请参阅图3，本实施例中，液晶板2包括相对设置的第一基底21和第二基底24，以及形成在第一基底21和第二基底24之间的液晶23。其中，第一基底21面向液晶23的表面，和/或，第二基底24面向液晶23的表面设有配向膜；第一基底21和第二基底24中任一设有配向膜的基底背向液晶23的表面，用于与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触。这也就是说，本实施例提供的液晶板2，可以在其第一基底21和第二基底24中择一设置配向膜，比如图3所示的在第一基底21面向液晶23的表面设置配向膜22；也可以在第一基底21和第二基底24上同时设置配向膜。但不论液晶板2采用哪种结构，在液晶板2覆盖待检测微发光二极管基板1时，需确保液晶板2中设有配向膜的一个基底与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触，这样在向待检测微发光二极管基板1的各组正负电极通电后，如果各组正负电极的电性连接良好，其每个正电极和相邻的负电极之间均会对应形成电场，使得液晶板2对应位于各电场中的液晶发生偏转，液晶板2位于各电场所在区域的部分透光；这个基底可以是第一基底21，也可以是第二基底24。
可以理解的是，上述液晶板2中的第一基底21和第二基底24通常采用相同的透光材料制作形成，比如第一基底21和第二基底24均为透光玻璃基底或透光树脂基底，使得第一基底21和第二基底24一般具备相同的结构及性能，由此，为了方便利用液晶板2检测待检测微发光二极管基板1，本实施例在第一基底21和第二基底24上同时设置配向膜，以确保第一基底21或第二基底24背向液晶23的表面，均可用于与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触，从而无需区分液晶板2的哪一侧基底为设有配向膜的基底，方便使用，有利于进一步提高对应线路检测治具的检测效率。
此外，为了确保液晶板2的液晶23能够在上述各电场的作用下稳定翻转，在保证液晶板2机械强度的前提下，液晶板2用于接触待检测微发光二极管基板1的第一基底21或第二基底24的厚度越小越好；示例性的，第一基底21和第二基底24中用于与待检测微发光二极管基板1的各组正负电极接触的基底的厚度≤0.1㎜。
需要补充的是，上述液晶板2的液晶23使用无色液晶时，为了方便检测者观测本实施例中线路检测治具的检测效果，上述待检测微发光二极管基板1的衬底基板10一般可以采用自带颜色的衬底材料制作形成，也可以在衬底基板10用于设置各组正负电极的表面涂覆彩色图层，以便提高待检测微发光二极管基板1在液晶板2透光区域的辨识度。当然，液晶板2的液晶23也可以使用有色液晶，比如红色液晶、黄色液晶等，这样根据有色液晶在电场作用下的颜色变换，可以有效提高液晶板2检测效果的辨识度，从而更加准确的检测待检测微发光二极管基板1线路的电性连接。
值得一提的是，上述实施例中用作线路检测治具的液晶板2如果尺寸较大，在液晶板2平铺时为了避免液晶板2中间区域的第一基底21或第二基底24在重力作用下向内凹陷，本实施例在第一基底21和第二基底24之间设有至少一个隔垫物4，以利用该至少一个隔垫物4对第一基底21和第二基底24进行支撑，确保第一基底21和第二基底24之间的各区域间距保持一致，使得液晶板2的液晶23厚度均一化设置，从而提升液晶板2对待检测微发光二极管基板1的线路检测效果。
此外，上述隔垫物4为多个时，多个隔垫物4通常沿液晶板2的板面方向在第一基底21和第二基底24之间均匀分布。上述各隔垫物4一般固定设置在第一基底21或第二基底24面向液晶23的表面，而如果第一基底21或第二基底24面向液晶23的表面设有配向膜，那么隔垫物4将设在对应基底所设置配向膜面向液晶23的表面。
本发明实施例还提供了一种用于微发光二极管基板的线路检测方法，用于实施上述实施例所提供的线路检测治具。请参阅图9，该线路检测方法，包括：
步骤S1，在待检测微发光二极管基板的表面覆盖液晶板，液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
每组正负电极包括一个正电极和一个负电极，且一组正负电极用于连接一个LED。上述每组正负电极中的正电极和负电极分别裸露在待检测微发光二极管基板的表面，将液晶板覆盖在待检测微发光二极管基板的表面，便可使得液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
上述液晶板通常采用IPS型液晶板；该液晶板一般包括相对设置的第一基底和第二基底，以及填充在第一基底和第二基底之间的液晶；其中，第一基底面向液晶的表面，和/或，第二基底面向液晶的表面设有配向膜。上述液晶板与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触，包括：第一基底和第二基底中设有配向膜的任一基底背向液晶的表面，与待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
步骤S2，点亮设在液晶板背向待检测微发光二极管基板的一侧的检测光源，检测光源照射液晶板。
检测光源作为光信号提供者，可采用任一发光元件或灯具，比如LED灯条。
步骤S3，向待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电，根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接。
待检测微发光二极管基板上通常设有与各组正负电极中各正电极连接的正极绑定区，以及与各组正负电极中各负电极连接的负极绑定区；各组正负电极与对应正极绑定区及对应负极绑定区之间的布线可以根据实际需要自行设计，在制作形成待检测微发光二极管基板之后，上述布线的结构是确定的。将待检测微发光二极管基板的正极绑定区和负极绑定区分别与对应的电压端连接，即完成待检测微发光二极管基板中各组正负电极的通电。
可以理解的是，上述液晶板可以采用开态时透光的结构，即液晶板在电场的作用下从不透光状态转换为透光状态；当然，液晶板也可以采用关态时透光的结构，即液晶板在电场的作用下从透光状态转换为不透光状态。
如果上述液晶板在开态时透光，那么上述步骤S3中，根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接的步骤，包括：检测液晶板的透光状态；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在透光区域，则该透光区域对应的每组正负电极电性导通；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在不透光区域，则该不透光区域对应的每组正负电极电性不导通。
如果上述液晶板在关态时透光，那么上述步骤S3中，根据液晶板的透光状态，检测待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接的步骤，包括：检测液晶板的透光状态；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在透光区域，则该透光区域对应的每组正负电极电性不导通；如果液晶板与各组正负电极对应的部分存在不透光区域，则该不透光区域对应的每组正负电极电性导通。
本发明实施例提供的用于微发光二极管基板的线路检测方法所能实现的有益效果，与上述实施例提供的用于微发光二极管基板的线路检测治具所能达到的有益效果相同。本发明实施例通过观测液晶板的透光状态，便可简单而快速的判断待检测微发光二极管基板线路的电性连接，检测方式便捷，不仅具有较高的通用性，也能有效提高检测效率。
值得一提的是，为了确保液晶板的液晶厚度均一化设置，上述液晶板的第一基底和第二基底之间可以设置至少一个隔垫物。上述步骤S1中，在待检测微发光二极管基板的表面覆盖液晶板时，液晶板的每个隔垫物均与待检测微发光二极管基板的各组正负电极错开设置，以避免隔垫物对待检测微发光二极管基板的线路检测效果造成不良影响。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种用于微发光二极管基板的线路检测治具，其特征在于，包括检测光源和液晶板；其中，
所述液晶板用于设置在所述检测光源和待检测微发光二极管基板之间，与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触；
所述检测光源用于照射所述液晶板，以在向所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电之后，根据所述液晶板的透光状态，检测所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接。
2.根据权利要求1所述的用于微发光二极管基板的线路检测治具，其特征在于，所述液晶板包括相对设置的第一基底和第二基底，以及填充在所述第一基底和所述第二基底之间的液晶；其中，
所述第一基底面向所述液晶的表面，和/或，所述第二基底面向所述液晶的表面设有配向膜；
所述第一基底和所述第二基底中设有配向膜的任一基底背向所述液晶的表面，用于与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
3.根据权利要求2所述的用于微发光二极管基板的线路检测治具，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底中用于与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触的基底的厚度≤0.1㎜。
4.根据权利要求2所述的用于微发光二极管基板的线路检测治具，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底之间设有至少一个隔垫物。
5.根据权利要求2-4任一项的用于微发光二极管基板的线路检测治具，其特征在于，所述液晶包括有色液晶。
6.根据权利要求2-4任一项所述的用于微发光二极管基板的线路检测治具，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底包括透光玻璃基底或透光树脂基底。
7.一种用于微发光二极管基板的线路检测方法，其特征在于，包括：
在待检测微发光二极管基板的表面覆盖液晶板，所述液晶板与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触；
点亮设在所述液晶板背向所述待检测微发光二极管基板的一侧的检测光源，所述检测光源照射所述液晶板；
向所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极通电，根据所述液晶板的透光状态，检测所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接。
8.根据权利要求7所述的用于微发光二极管基板的线路检测方法，其特征在于，
所述液晶板在开态时透光；所述根据所述液晶板的透光状态，检测所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接的步骤，包括：检测所述液晶板的透光状态；如果所述液晶板与各组正负电极对应的部分存在透光区域，则所述透光区域对应的每组正负电极电性导通；如果所述液晶板与各组正负电极对应的部分存在不透光区域，则所述不透光区域对应的每组正负电极电性不导通；
或，所述液晶板在关态时透光；所述根据所述液晶板的透光状态，检测所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极的电性连接的步骤，包括：检测所述液晶板的透光状态；如果所述液晶板与各组正负电极对应的部分存在透光区域，则所述透光区域对应的每组正负电极电性不导通；如果所述液晶板与各组正负电极对应的部分存在不透光区域，则所述不透光区域对应的每组正负电极电性导通。
9.根据权利要求7或8所述的用于微发光二极管基板的线路检测方法，其特征在于，所述液晶板包括相对设置的第一基底和第二基底，以及填充在所述第一基底和所述第二基底之间的液晶；其中，所述第一基底面向所述液晶的表面，和/或，所述第二基底面向所述液晶的表面设有配向膜；
所述液晶板与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触的步骤，包括：所述第一基底和所述第二基底中设有所述配向膜的任一基底背向所述液晶的表面，与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极接触。
10.根据权利要求9所述的用于微发光二极管基板的线路检测方法，其特征在于，所述第一基底和所述第二基底之间设有至少一个隔垫物；
在所述待检测微发光二极管基板的表面覆盖所述液晶板时，所述液晶板的每个所述隔垫物均与所述待检测微发光二极管基板的各组正负电极错开设置。
CN201811122244.1A 2018-09-26 2018-09-26 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法 Active CN109377922B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811122244.1A CN109377922B (zh) 2018-09-26 2018-09-26 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法
US16/382,975 US10884051B2 (en) 2018-09-26 2019-04-12 Line detecting tool and line detecting method for light emitting diode substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811122244.1A CN109377922B (zh) 2018-09-26 2018-09-26 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109377922A true CN109377922A (zh) 2019-02-22
CN109377922B CN109377922B (zh) 2022-03-08

Family

ID=65402482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811122244.1A Active CN109377922B (zh) 2018-09-26 2018-09-26 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10884051B2 (zh)
CN (1) CN109377922B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109870626A (zh) * 2019-03-22 2019-06-11 北京集创北方科技股份有限公司 开路检测方法和led显示装置
WO2020248467A1 (zh) * 2019-06-10 2020-12-17 武汉华星光电技术有限公司 用于屏下辨识方案的液晶显示设备
CN112309269A (zh) * 2019-07-23 2021-02-02 株式会社日本显示器 显示装置的修复系统
CN112394272A (zh) * 2021-01-19 2021-02-23 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED缺陷检测柔性探头及其制造方法
CN112578307A (zh) * 2019-09-29 2021-03-30 成都辰显光电有限公司 发光器件测试装置、系统及测试方法
WO2021068539A1 (zh) * 2019-10-12 2021-04-15 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的检测装置及方法
CN112858954A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于检测微型发光二极管背光模组的检测治具及检测方法
CN112967945A (zh) * 2020-04-16 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 微型发光二极管测试装置、制作方法、系统和测试方法
CN113945864A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 治具、检测系统、基板检测方法
WO2022099993A1 (zh) * 2020-11-11 2022-05-19 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示背板的检测方法及其检测结构
WO2022156285A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED 缺陷检测柔性探头及其制造方法
WO2023023900A1 (zh) * 2021-08-23 2023-03-02 重庆康佳光电技术研究院有限公司 背板检测系统及其检测方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331578A (zh) * 2020-11-06 2021-02-05 业成科技（成都）有限公司 发光元件的检测方法、检测装置及基板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
JP2001304834A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Sharp Corp 基板表面の検査方法
CN102043266A (zh) * 2009-10-21 2011-05-04 北京京东方光电科技有限公司 检测tft阵列基板的设备及方法
CN104111548A (zh) * 2014-06-30 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 用于阵列基板检测设备的光学系统及阵列基板检测设备
CN106154596A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 上海纪显电子科技有限公司 光电显示装置、检测装置及其方法
CN107346067A (zh) * 2016-05-06 2017-11-14 上海纪显电子科技有限公司 电容式触控面板检测系统和方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5081687A (en) * 1990-11-30 1992-01-14 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array prior to shorting bar removal
JPH04239664A (ja) * 1991-01-24 1992-08-27 Casio Electron Mfg Co Ltd アレー状光ヘッドの検査装置
JP4428296B2 (ja) * 2005-06-10 2010-03-10 セイコーエプソン株式会社 表示パネルモジュールおよび表示装置
WO2011097694A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-18 Lumen Dynamics Group Inc. Modular high density led array light sources
JP5182385B2 (ja) * 2011-01-28 2013-04-17 富士ゼロックス株式会社 露光装置および画像形成装置
KR101182822B1 (ko) * 2011-03-29 2012-09-13 삼성전자주식회사 발광소자 검사장치 및 방법
JP6666340B2 (ja) * 2014-10-24 2020-03-13 ダウ シリコーンズ コーポレーション 共形にコーティングされた物品を形成するための真空積層方法及び同方法から形成された関連する共形にコーティングされた物品

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
JP2001304834A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Sharp Corp 基板表面の検査方法
CN102043266A (zh) * 2009-10-21 2011-05-04 北京京东方光电科技有限公司 检测tft阵列基板的设备及方法
CN104111548A (zh) * 2014-06-30 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 用于阵列基板检测设备的光学系统及阵列基板检测设备
CN106154596A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 上海纪显电子科技有限公司 光电显示装置、检测装置及其方法
CN107346067A (zh) * 2016-05-06 2017-11-14 上海纪显电子科技有限公司 电容式触控面板检测系统和方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11417252B2 (en) 2019-03-22 2022-08-16 Chipone Technology (Beijing) Co., Ltd. Open circuit detection method and LED display device
CN109870626B (zh) * 2019-03-22 2020-11-06 北京集创北方科技股份有限公司 开路检测方法和led显示装置
CN109870626A (zh) * 2019-03-22 2019-06-11 北京集创北方科技股份有限公司 开路检测方法和led显示装置
WO2020248467A1 (zh) * 2019-06-10 2020-12-17 武汉华星光电技术有限公司 用于屏下辨识方案的液晶显示设备
CN112309269A (zh) * 2019-07-23 2021-02-02 株式会社日本显示器 显示装置的修复系统
CN112578307A (zh) * 2019-09-29 2021-03-30 成都辰显光电有限公司 发光器件测试装置、系统及测试方法
WO2021068539A1 (zh) * 2019-10-12 2021-04-15 成都辰显光电有限公司 微发光二极管的检测装置及方法
CN112967945A (zh) * 2020-04-16 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 微型发光二极管测试装置、制作方法、系统和测试方法
CN113945864B (zh) * 2020-07-17 2024-01-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 治具、检测系统、基板检测方法
CN113945864A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 治具、检测系统、基板检测方法
WO2022099993A1 (zh) * 2020-11-11 2022-05-19 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示背板的检测方法及其检测结构
CN112858954A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于检测微型发光二极管背光模组的检测治具及检测方法
CN112858954B (zh) * 2021-01-12 2023-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于检测微型发光二极管背光模组的检测治具及检测方法
CN112394272A (zh) * 2021-01-19 2021-02-23 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED缺陷检测柔性探头及其制造方法
WO2022156285A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED 缺陷检测柔性探头及其制造方法
CN112394272B (zh) * 2021-01-19 2021-05-04 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED缺陷检测柔性探头及其制造方法
WO2023023900A1 (zh) * 2021-08-23 2023-03-02 重庆康佳光电技术研究院有限公司 背板检测系统及其检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200096552A1 (en) 2020-03-26
US10884051B2 (en) 2021-01-05
CN109377922B (zh) 2022-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109377922A (zh) 用于微发光二极管基板的线路检测治具及方法
CN102237027B (zh) 显示面板及其测试方法
CN108511431A (zh) 一种led显示单元组及显示面板
CN106030839B (zh) 发光模块
CN109119356A (zh) 阵列基板的检测设备及检测方法
CN104360256A (zh) 一种二极管的光电测试方法
CN1825128A (zh) 量产式发光二极管测试装置
TW201339595A (zh) 發光二極體燈條測試治具
CN204462584U (zh) 液晶面板的点灯检测治具
CN109904086A (zh) 半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置
CN112858864B (zh) 一种对led芯片进行非接触式光电检测的装置及方法
CN104459507A (zh) 一种检测led芯片光学性能的多路检测系统
CN107346067A (zh) 电容式触控面板检测系统和方法
CN204228906U (zh) 一种检测led芯片光学性能的多路检测系统
CN102374968A (zh) 用于微透明装置的视觉照明仪器
CN201196673Y (zh) 多功能直流电笔
CN109374125A (zh) 多合一显示型led灯珠模组的快速检测方法
CN104459568A (zh) 一种led芯片检测分析系统
CN204228934U (zh) 一种led芯片检测分析系统
CN204228907U (zh) 一种led芯片的多路检测系统
CN105810604B (zh) 一种测试荧光薄片的方法
CN103900791A (zh) Led检测装置
CN208224656U (zh) 一种显示屏检测装置
CN104459506A (zh) 一种led芯片的多路检测系统
CN114280453B (zh) 一种微型柔性电极阵列及测试方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant