CN109346520A - 一种hemt开关器件 - Google Patents
一种hemt开关器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109346520A CN109346520A CN201811003853.5A CN201811003853A CN109346520A CN 109346520 A CN109346520 A CN 109346520A CN 201811003853 A CN201811003853 A CN 201811003853A CN 109346520 A CN109346520 A CN 109346520A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- switching device
- suspension
- hemt switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种HEMT开关器件，包括悬浮电极(9)和底部结构，其中悬浮电极(9)通过弹性件(12)固定在所述底部结构的上方，且所述悬浮电极(9)的底部设置有凸点电极(10)，所述底部结构包括衬底(1)，成核层(2)，缓冲层(3)以及势垒层(4)；另外所述弹性件(12)设置在所述衬底(1)上，所述缓冲层(3)的上表面还设置有源电极(6)和漏电极(7)，所述漏电极(7)与所述凸点电极(10)相对应，所述势垒层(4)的上表面设置有栅电极(8)和钝化层(5)。本发明所提出的HEMT开关器件，既具有静态功耗极低、开关速度快的特点，还具有击穿电压高，功率容量大的特点。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种HEMT开关器件。
背景技术
电力电子技术是指使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，而电力电子器件又称功率半导体器件，它是电力电子系统的核心元件，它广泛应用于工业设备、家用电器、汽车电源等众多领域。随着电力电子技术的迅速发展，新一代电力电子器件要求具有更高的效率、更高的功率密度和高温工作环境下更高的可靠性
现有技术中，HEMT，即高电子迁移率晶体管，它是电力电子器件的一种，具有更大的禁带宽度、更高的临界击穿电场和极强的抗辐射能力等特点，非常适合制备新型电力电子器件。该材料易于形成异质结结构，异质结中所存在的二维电子气，使其具有高电子迁移率以及高电子饱和速度。随着电力电子技术的快速发展，对于开关器件工作环境的要求越来越高，因此需要一种高性能的HEMT开关器件来满足器件在高频、高压、高温等领域的应用。
然而目前对HEMT开关器件的研究较少，现有的HEMT开关器件响应速度慢，又存在较大的静态功耗。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术存在的缺陷，提出了一种HEMT开关器件。具体的实施方式如下：
本发明实施例提供了一种HEMT开关器件，包括：
悬浮电极和底部结构，其中悬浮电极通过弹性件固定在所述底部结构的上方，且所述悬浮电极的底部设置有凸点电极。
在一个具体的实施例中，所述底部结构包括：
衬底；
成核层，设置于所述衬底上；
缓冲层，设置于所述成核层上；
势垒层，设置于所述缓冲层上。
其中，所述缓冲层的上表面还设置有源电极和漏电极，所述漏电极与所述凸点电极对应，所述势垒层的上表面设置有栅电极和钝化层，所述弹性件设置于所述衬底上。
在另一个具体的实施例中，所述成核层的材料为AlN，所述缓冲层材料为GaN，所述势垒层材料为AlGaN。
在一个具体的实施例中，所述缓冲层和所述势垒层之间设置有AlN插入层。
在一个具体的实施例中，所述缓冲层材料为GaAs，所述势垒层材料为AlGaAs。在一个具体的实施例中，所处成核层厚度为150nm，所述缓冲层厚度为4μm，所述势垒层厚度为30nm。
在一个具体的实施例中，所述钝化层的材料为Si3N4，厚度为15nm。
在一个具体的实施例中，所述悬浮电极的材料为P型掺杂Si0.4Ge0.6，厚度为1μm。
在一个具体的实施例中，所述源电极和所述漏电极均为欧姆接触电极，所述栅电极为肖特基接触电极。
在一个具体的实施例中，所述弹性件为曲型弹簧，所述曲型弹簧的臂长为40μm，宽度为5μm。
本发明的有益效果为：
1、本发明所提出的HEMT开关器件，将悬浮电极悬空设置，因此，在零栅压情况下，电路不导通，所以不存在静态功耗。
2、本发明所提出的HEMT开关器件，当栅压达到开启电压时，凸点电极与漏电极接触导通，使整个源电极漏电极之间形成通路，迅速在源电极和悬浮电极间产生大电流，开关速度极快。
3、本发明所提出的HEMT开关器件的缓冲层与势垒层的禁带宽度大，因此该开关器件的击穿电压很高，故本发明具有很大的功率容量。
附图说明
图1为本发明提出的HEMT开关器件示意图；
图2为本发明提出的HEMT开关器件俯视图；
图3为现有的HEMT开关器件的Vgs-Ids关系仿真结果图；
图4为本发明提出的HEMT开关器件的Vgs-Ids关系仿真结果图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本发明作进一步详细说明，但本发明的实施方式不限于此，本发明所述的“上”“下”“左”“右”“前”“后”以附图所示部件位置为参照，按公知定义为标准，仅用来描述各器件之间的相对位置，并不对各部件作出具体的限定。
参照图1和图2，图1为本发明提出的HEMT开关器件示意图，图2为本发明提出的HEMT开关器件俯视图。本发明提出的HEMT开关器件具体包括悬浮电极9和底部结构，其中悬浮电极9通过弹性件12固定在所述底部结构的上方，且所述悬浮电极9的底部设置有凸点电极10。
进一步的，所述底部结构包括：
衬底1；成核层2，设置于所述衬底1上；缓冲层3，设置于所述成核层2上；势垒层4，设置于所述缓冲层3上；其中，所述弹性件12固定在所述衬底1上，所述缓冲层3的上表面还设置有源电极6和漏电极7，所述漏电极7与所述凸点电极10对应，所述势垒层4的上表面设置有栅电极8和钝化层5。
具体的，弹性件12一端联结悬浮电极9，另一端固定在所述衬底1上，使得悬浮电极与底部结构之间具有一定距离，悬浮电极与底部结构不导通，需要说明的是，悬浮电极的下表面设置有凸点电极，凸点电极与底部结构也不接触。当开关结构导通时，即悬浮电极下降，使得凸点电极与底部结构中的漏电极相接触，至此悬浮电极与底部结构导通，需要说明的是，此时，仅凸点电极与底部结构接触，悬浮电极主体部分仍与底部结构保持一定距离。
进一步的，本实施例中钝化层5的材料为Si3N4，厚度为15nm；所述源电极6和所述漏电极7均为欧姆接触电极，所述栅电极8为肖特基接触电极；
进一步的，所述栅电极8、漏电极7及凸点电极10的材料均为W，所述源电极6的材料为一般源电极材料Ti/Al；所述弹性件12为曲型弹簧，所述曲型弹簧12的一端与悬浮电极9连接，另一端设置有锚11，通过锚11固定在所述衬底1上，所述曲型弹簧的数量为4个，臂长为40μm，宽为5μm。
所述弹性件12作用为：不通电时，将悬浮电极9固定在所述底部结构上方，即初始位置；通电后，当栅压大于开启电压时，弹性件12受力处于压缩状态；当栅压小于关断电压时，弹性件12带动悬浮电极9恢复到初始位置。
进一步的，所述悬浮电极9的材料为P型掺杂Si0.4Ge0.6，厚度为1μm，当在悬浮电极9与栅电极8之间施加电压时，P型掺杂Si0.4Ge0.6与栅电极金属间产生较大的库仑力，可吸引悬浮电极9向下移动。
需要说明的是，在所述源电极6与悬浮电极9之间加电压VDS＝5V。由于异质结处的极化作用，在缓冲层/势垒层界面处会天然形成一层具有高电子迁移率的2DEG。
本发明提出的HEMT开关器件的工作原理为：
不通电时，源电极6与漏电极7、悬浮电极9之间不存在电流，不存在静态损耗；
通电后，悬浮电极9与栅电极8之间产生库仑力，在库仑力的作用下，悬浮电极9带动凸点电极10克服弹性件12的弹力向下运动，当栅压达到开启电压时，凸点电极10与漏电极7接触，电路导通；
当栅压下降到关断电压以下时，在弹性件12的作用下，悬浮电极9和凸点电极10向上运动，凸点电极10与漏电极7断开时，电路断开。
进一步的，所述成核层2的材料为AlN，缓冲层3材料为GaN，所述势垒层4材料为AlGaN。因为GaN与AlGaN为宽禁带材料，因此该开关器件的击穿电压很高，导致本发明具有很大的功率容量，这种结构下，还可以在所述缓冲层3和所述势垒层4之间设置AlN插入层，从而提高2DEG界面的压电极化和导带不连续性，进而提高2DEG面密度。
进一步的，本发明提出的HEMT开关器件中的缓冲层3材料还可以为GaAs，此时对应的势垒层4材料为AlGaAs，这种结构下的HEMT开关器件可以设置成核层。GaAs与AlGaAs也具有较大的禁带宽度，同样可以使该HEMT开关器件具有较大的击穿电压。
进一步的，为了减小源电极和漏电极形成的串联电路的串联电阻，并考虑到各器件的工作模式，本发明所述的势垒层厚度为30nm，所述成核层2厚度为150nm，所述缓冲层3厚度为4μm；这种结构下，所述HEMT开关器件形成的导电通道电阻和电子迁移率最优。
参照图4，图4为本发明提出的HEMT开关器件的Vgs-Ids关系仿真结果图，本发明的工作原理为：
首先，在源电极6与悬浮电极9之间加电压VDS＝5V。由于异质结处的极化作用，在缓冲层/势垒层界面处会天然形成一层2DEG，这层2DEG成为连接源电极6与漏电极7的导电沟道，此时源电极6与漏电极7导通，因电极间没有电压，所以不存在电流。
当栅压为0V时，所述悬浮电极9距离栅电极8的距离g＝200nm，所述凸点电极10与漏电极7的距离gd＝100nm，悬浮电极9与漏电极7并未连接，因此开关电路未导通，源电极6与悬浮电极9之间不存在电流。所以在零栅压下，开关处于关断状态，不存在任何的泄漏电流，功率损耗极低。
当在栅电极8上施加正向电压时，栅电极8与悬浮电极9之间会产生库仑力，悬浮于栅电极8上方的悬浮电极9由于引力作用而被吸引下来，凸点电极10与漏电极7之间的距离gd开始减小。
当达到开启电压时，凸点电极10与漏电极7之间的距离减小为0，两电极之间接触导通，此时，整个源电极6和悬浮电极9之间会形成通路，开关导通，在源电极6与悬浮电极9之间会迅速产生大电流，如图4中曲线1所示，开关速度极快，并会随着栅压的增大而继续变大，如图4曲线2所示。
当栅压下降到关断电压时，由于栅电极8的吸引力不足，悬浮电极9会在弹性件12的作用下向上浮起，使得漏电极7与凸点电极10断开，开关关断，在源电极6与悬浮电极9之间的电流瞬间减小为0，如图4曲线4所示。
图3为现有的HEMT开关器件的Vgs与Ids关系的仿真结果图。从图中可以清楚地看出，由于天然存在的2DEG，该器件在0栅压下无法关断，即使在负栅压下达到关断状态，也会存在亚阈值漏电。从源漏电流随栅压的变化趋势来看，相比于本发明，该器件的开关速度很慢。
参照图4，开关打开时，Vgs与Ids关系从曲线1变化到曲线2。当开关从开启状态转换为关断状态时，会出现滞后切换行为，因此关断电压会比开启电压略小，变化过程从曲线2到3再到4。
由图3与图4的比较中可以清楚地看出，当栅压达到该开关电路的开启电压时，源电极6与悬浮电极9之间的电流会迅速上升到一定的数值，并不会像图3那样成曲线状的缓慢上升；在0栅压下，开关处于关断状态，不存在任何的泄漏电流，功率损耗极低；且由于缓冲层和势垒层为宽禁带材料，因此该开关器件的击穿电压很高，故本发明具有很大的功率容量。
实施例二
在上述实施例的基础上，本实施例对悬浮电极的制备工艺进行详细的解释说明，具体包括如下步骤：
S01、在所述源电极6、栅电极8、漏电极7以及钝化层5淀积100nm厚的第一LTO层；
S02、在第一LTO层上漏电极7的位置刻蚀一深度为100nm的第一凹槽；
S03、在第一LTO层上继续淀积厚度为100nm的第二LTO层，第二LTO层上会形成一个与第一凹槽位置对应的第二凹槽；
S04、在所述第二凹槽处淀积金属W形成凸点电极10；
S05、在所述第二层LTO与凸点电极10的上方淀积厚度为1μm的P型掺杂Si0.4Ge0.6作为悬浮电极9；
S06、使用49％的蒸汽氢氟酸在27℃下对第一LTO层和第二LTO层进行定时各向同性氧化物蚀刻，从而得到悬浮结构的悬浮电极9及其右侧的W金属凸点电极10。
进一步的，悬浮电极9的制备工艺还可以是：
S01、在所述源电极6、栅电极8、漏电极7以及钝化层5上淀积一层200nm厚的LTO层；
S02、在所述LTO层上第一漏电极7对应的位置设置一深度为100nm的凹槽；
S03、在所述凹槽处淀积金属W形成凸点电极10；
S04、在所述LTO与凸点电极10的上方淀积厚度为1μm的P型掺杂Si0.4Ge0.6作为悬浮电极9；
S05、最后使用49％的蒸汽氢氟酸在27℃下对第一LTO层和第二LTO层进行定时各向同性氧化物蚀刻，从而得到悬浮结构的悬浮电极9及其右侧的W金属凸点电极10。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，显然对于本领域的专业人员来说，在了解本发明的内容和原理后，在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种HEMT开关器件，其特征在于，包括：
悬浮电极(9)和底部结构，其中悬浮电极(9)通过弹性件(12)固定在所述底部结构的上方，且所述悬浮电极(9)的底部设置有凸点电极(10)。
2.根据权利要求1所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述底部结构包括：
衬底(1)；
成核层(2)，设置于所述衬底(1)上；
缓冲层(3)，设置于所述成核层(2)上；
势垒层(4)，设置于所述缓冲层(3)上；
其中，所述弹性件(12)设置在所述衬底(1)上，所述缓冲层(3)的上表面还设置有源电极(6)和漏电极(7)，所述漏电极(7)与所述凸点电极(10)对应，所述势垒层(4)的上表面设置有栅电极(8)和钝化层(5)。
3.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述成核层(2)的材料为AlN，所述缓冲层(3)的材料为GaN，所述势垒层(4)的材料为AlGaN。
4.根据权利要求3所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述缓冲层(3)和所述势垒层(4)之间设置有AlN插入层。
5.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述缓冲层(3)的材料为GaAs，所述势垒层(4)的材料为AlGaAs。
6.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所处成核层(2)厚度为150nm，所述缓冲层(3)厚度为4μm，所述势垒层(4)厚度为30nm。
7.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述钝化层(5)的材料为Si3N4，厚度为15nm。
8.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述悬浮电极(9)的材料为P型掺杂Si0.4Ge0.6，厚度为1μm。
9.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述源电极(6)和所述漏电极(7)均为欧姆接触电极，所述栅电极(8)为肖特基接触电极。
10.根据权利要求2所述的HEMT开关器件，其特征在于，所述弹性件(12)为曲型弹簧，所述曲型弹簧的臂长为40μm，宽度为5μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811003853.5A CN109346520B (zh) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 一种hemt开关器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811003853.5A CN109346520B (zh) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 一种hemt开关器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109346520A true CN109346520A (zh) | 2019-02-15 |
| CN109346520B CN109346520B (zh) | 2020-11-17 |
Family
ID=65296997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811003853.5A Active CN109346520B (zh) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 一种hemt开关器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109346520B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116364482A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-06-30 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一体式高冲击石英微开关 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101132022A (zh) * | 2007-09-29 | 2008-02-27 | 西安电子科技大学 | 基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件及制备方法 |
| US20110067982A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Easic Corporation | Mems-based switching |
| CN104993825A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-10-21 | 东南大学 | 砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅分频器 |
| CN105049033A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-11-11 | 东南大学 | 基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门 |
| US20170104076A1 (en) * | 2015-10-13 | 2017-04-13 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor Device |
| CN106972055A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 吴志明 | 半导体组件 |
| CN107170821A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-09-15 | 西安电子科技大学 | 浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法 |
-
2018
- 2018-08-30 CN CN201811003853.5A patent/CN109346520B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101132022A (zh) * | 2007-09-29 | 2008-02-27 | 西安电子科技大学 | 基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件及制备方法 |
| US20110067982A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Easic Corporation | Mems-based switching |
| CN104993825A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-10-21 | 东南大学 | 砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅分频器 |
| CN105049033A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-11-11 | 东南大学 | 基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门 |
| US20170104076A1 (en) * | 2015-10-13 | 2017-04-13 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor Device |
| CN106972055A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 吴志明 | 半导体组件 |
| CN107170821A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-09-15 | 西安电子科技大学 | 浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116364482A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-06-30 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一体式高冲击石英微开关 |
| CN116364482B (zh) * | 2023-06-02 | 2023-08-29 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一体式高冲击石英微开关 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109346520B (zh) | 2020-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102354705B (zh) | 半导体装置 | |
| CN104934476B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| US20170110598A1 (en) | Field effect diode and method of manufacturing the same | |
| CN103000682B (zh) | 氮化物半导体器件 | |
| CN104347698A (zh) | 半导体装置 | |
| CN104916633A (zh) | 半导体装置 | |
| US20210234030A1 (en) | Heterojunction semiconductor device having high blocking capability | |
| CN102856373B (zh) | 高电子迁移率晶体管 | |
| CN104051523A (zh) | 一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法 | |
| US20160343801A1 (en) | Vertical gallium nitride power field-effect transistor with a field plate structure | |
| JP6322396B2 (ja) | 最適化された高電子移動度電流を有する双方向トランジスタ | |
| CN102810559A (zh) | 一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法 | |
| CN104916679A (zh) | 半导体装置 | |
| CN105870164A (zh) | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管 | |
| CN103594508A (zh) | 一种栅单场板的氮化镓高电子迁移率晶体管 | |
| Wei et al. | GaN integrated bridge circuits on bulk silicon substrate: Issues and proposed solution | |
| CN104064562A (zh) | 半导体装置 | |
| CN109346520A (zh) | 一种hemt开关器件 | |
| CN106531789A (zh) | 通过极性控制实现增强型hemt的方法及增强型hemt | |
| CN103715256B (zh) | 基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法 | |
| CN205564759U (zh) | 一种新型增强型iii-v异质结场效应晶体管 | |
| CN105280694A (zh) | 半导体功率元件 | |
| CN109742144B (zh) | 一种槽栅增强型mishemt器件及其制作方法 | |
| CN105826369A (zh) | 一种新型增强型iii-v异质结场效应晶体管 | |
| CN109326641B (zh) | 一种基于hemt器件的开关结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |